JP6107752B2 - 積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態では、図3及び図4に示される積層セラミックコンデンサ1の方向識別方法について説明する。まずは、識別対象となる積層セラミックコンデンサ1の構成について説明する。
図3及び図4に示されるように、積層セラミックコンデンサ1は、セラミック素体10を備えている。セラミック素体10は、略直方体状である。具体的には、セラミック素体10は、正四角柱状である。セラミック素体10は、第1及び第2の主面10a,10bと、第1及び第2の側面10c,10dと、第1及び第2の端面10e,10f(図4を参照)とを有する。第1及び第2の主面10a,10bは、それぞれ、長さ方向L及び幅方向Wに沿って延びている。第1の主面10aと第2の主面10bとは、互いに平行である。第1及び第2の側面10c,10dは、それぞれ、長さ方向L及び厚み方向Tに沿って延びている。第1の側面10cと第2の側面10dとは、互いに平行である。第1及び第2の端面10e,10fは、それぞれ、幅方向W及び厚み方向Tに沿って延びている。第1の端面10eと第2の端面10fとは互いに平行である。
図1に、積層セラミックコンデンサの方向識別装置としての機能を兼ね備えている、テーピング積層セラミックコンデンサ連の製造装置の模式的平面図を示す。積層セラミックコンデンサの方向識別装置は、積層セラミックコンデンサ1における複数の内部電極11,12の積層方向を識別するための装置である。
次に、識別部36が行う積層セラミックコンデンサ1の方向識別方法について説明する。
図9は、第2の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的平面図である。図10は、第3の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的平面図である。
下記の設計パラメータを有する積層セラミックコンデンサを6個用意した。図1に示されるように、リニアフィーダー51を介して対向する1対の永久磁石により構成された磁気発生装置60のみにより積層セラミックコンデンサの磁化を行った。なお、6個のサンプルのうち、3つは、内部電極が磁束密度計測器と平行となるように配置して磁束密度を測定し、残りの3つは、内部電極が磁束密度計測器と垂直となるように配置して磁束密度を測定した。計測された磁束密度の最大値を表1に示す。表1において、「水平」と記載されたサンプルは、内部電極が磁束密度計測器と平行となるように配置して磁束密度を測定したサンプルである。表1において、「垂直」と記載されたサンプルは、内部電極が磁束密度計測器と垂直となるように配置して磁束密度を測定したサンプルである。
実施例1において使用した6つの積層セラミックコンデンサの磁束の密度が0.05mT以下となるように積層セラミックコンデンサの脱磁を行った後に、本実施例2において再度サンプルとして使用した。実施例2では、実施例1と同様の構成を有する磁気発生装置60と、搬送機構52に設けられており、永久磁石により構成された磁気発生装置55との2つの磁気発生装置により積層セラミックコンデンサの磁化を行った。6個のサンプルのうち、3つは、内部電極が磁束密度計測器と平行となるように配置して磁束密度を測定し、残りの3つは、内部電極が磁束密度計測器と垂直となるように配置して磁束密度を測定した。計測された磁束密度の最大値を表1に示す。計測された磁束密度の最大値を表1に示す。
内部電極:ニッケルを主成分とする電極
内部電極の積層枚数:430枚
静電容量:10μF
2 テーピング積層セラミックコンデンサ連
3 製造装置
10 セラミック素体
10a 第1の主面
10b 第2の主面
10c 第1の側面
10d 第2の側面
10e 第1の端面
10f 第2の端面
11,12 内部電極
13,14 外部電極
15 セラミック部
20 テーピング
20a キャリアテープ
20a1 収容室
20b カバーテープ
32 磁束密度計測器
36 識別部
50 ボールフィーダー
51 リニアフィーダー
52 搬送機構
54 搬送テーブル
54a 凹部
55,60 磁気発生装置
Claims (8)
- 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方法であって、
前記積層セラミックコンデンサを磁化させる磁化工程と、
前記磁化工程の後に、前記磁化させた積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する計測工程と、
前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する識別工程と、
を備える、積層セラミックコンデンサの方向識別方法。 - 前記磁化工程において、磁気発生装置の前を前記積層セラミックコンデンサを通過させる、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記計測工程において、前記磁化させた積層セラミックコンデンサを磁束密度計測器の前を通過させたときの磁束密度の変化を計測する、請求項1又は2に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記識別工程において、前記計測された磁束密度の変化から磁束密度の最大値を算出し、前記磁束密度の最大値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項3に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する装置であって、
前記積層セラミックコンデンサを搬送する搬送路と、
前記搬送路を搬送させる積層セラミックコンデンサを磁化させる磁気発生装置と、
前記搬送路の前記磁気発生装置が配された部分よりも下流側に位置しており、前記搬送路内を搬送される前記積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する磁束密度計測器と、
識別部と、
を備え、
前記識別部は、前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、積層セラミックコンデンサの方向識別装置。 - 前記磁束密度計測器は、前記磁化させた積層セラミックコンデンサを磁束密度計測器の前を通過させたときの磁束密度の変化を計測する、請求項5に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別装置。
- 前記磁束密度計測器は、前記計測された磁束密度の変化から磁束密度の最大値を算出し、前記磁束密度の最大値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項6に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別装置。
- 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する工程と、
前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方向識別工程と、
を備え、
前記方向識別工程は、
前記積層セラミックコンデンサを磁化させる磁化工程と、
前記磁化工程の後に、前記磁化させた積層セラミックコンデンサから発生する磁束の密度を計測する計測工程と、
前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する識別工程と、
を含む、積層セラミックコンデンサの製造方法。
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