JP6241439B2 - 積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
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Description
図4及び図5に示されるように、積層セラミックコンデンサ1は、セラミック素体10を備えている。セラミック素体10は、略直方体状である。具体的には、セラミック素体10は、正四角柱状である。セラミック素体10は、第1及び第2の主面10a,10bと、第1及び第2の側面10c,10dと、第1及び第2の端面10e,10f(図5を参照)とを有する。第1及び第2の主面10a,10bは、それぞれ、長さ方向L及び幅方向Wに沿って延びている。第1の主面10aと第2の主面10bとは、互いに平行である。第1及び第2の側面10c,10dは、それぞれ、長さ方向L及び厚み方向Tに沿って延びている。第1の側面10cと第2の側面10dとは、互いに平行である。第1及び第2の端面10e,10fは、それぞれ、幅方向W及び厚み方向Tに沿って延びている。第1の端面10eと第2の端面10fとは互いに平行である。
積層セラミックコンデンサ方向識別装置3(以下、単に「識別装置3」とする。)は、積層セラミックコンデンサ1における複数の内部電極11,12の積層方向を識別するための装置である。以下、本明細書において、「積層セラミックコンデンサ1における複数の内部電極11,12の積層方向」を、「積層セラミックコンデンサ1の積層方向」、あるいは簡潔に「積層方向」と記載する。
次に、識別部36が行う積層セラミックコンデンサ1の方向識別方法について説明する。なお、以下の説明において、積層方向が磁束の方向と垂直であるものを「水平品」(積層セラミックコンデンサとしては収容室21の底面に対して内部電極が水平方向であるため)とし、平行であるものを「垂直品」(積層セラミックコンデンサとしては収容室21の底面に対して内部電極が垂直方向であるため)とする。
第1の実施形態では、テーピング積層セラミックコンデンサ連2に収容された積層セラミックコンデンサ1に対して計測工程を行う例について説明した。但し、本発明は、これに限定されない。
図12は、第3の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置の要部を表す模式的側面図である。本実施形態では、搬送路42に磁気発生装置31と磁束密度計測器32とが設けられている。搬送路42には、リニアフィーダー等のフィーダーにより複数の積層セラミックコンデンサ1が一列に(一の方向に沿って)供給される。積層方向が不適切であると判断された積層セラミックコンデンサ1は、ブロー孔43から噴出される気体により搬送路42から搬送路44に吹き飛ばされる。吹き飛ばされた積層セラミックコンデンサ1は、搬送路44を経由して、回収又は廃棄される。
図13は、第4の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置を表す模式的側面図である。第4の実施形態における方向識別装置は、テーピング電子部品連の製造装置の一部を構成している。
図14は、第5の実施形態における積層セラミックコンデンサの方向識別装置を表す模式的側面図である。
下記の設計パラメータを有する積層コンデンサを150個用意した。そして、水平品とした状態で、磁束密度の最大値を測定し、その後、垂直品とした後に、磁束密度の最大値を測定した。結果を、図15に示す。水平品とした状態で、磁束密度の積分値を測定し、その後、垂直品とした後に、磁束密度の最大値を測定した。結果を、図16に示す。なお、図15及び図16のそれぞれにおいて、縦軸は、頻度を示し、横軸が磁束密度を示す。
内部電極:ニッケルを主成分とする電極
内部電極の積層枚数:40枚
静電容量:0.1μF
(第6の実施形態)
図17は、第6の実施形態における積層セラミックコンデンサ1の方向識別装置を表す模式的平面図である。
2 テーピング積層セラミックコンデンサ連
3 積層セラミックコンデンサ方向識別装置
10 セラミック素体
10a 第1の主面
10b 第2の主面
10c 第1の側面
10d 第2の側面
10e 第1の端面
10f 第2の端面
11,12 内部電極
13,14 外部電極
15 セラミック部
20 テーピング
21,53a 収容室
31 磁気発生装置
32 磁束密度計測器
33 第1のロール
34 第2のロール
35,41 搬送装置
36 識別部
42,44 搬送路
43 ブロー孔
50 ボールフィーダー
51 リニアフィーダー
52 搬送機構
53 キャリアテープ
54 搬送テーブル
54a 凹部
55 方向識別装置
55a 磁気発生装置
55b 磁束密度計測器
60 マウンター
61 実装基板
71 搬送ステージ
72 撮像部
73 制御部
74 選別部
75 静電容量測定部
Claims (9)
- 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方法であって、
磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測する工程と、
前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、前記積分値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する工程と、
を備える、積層セラミックコンデンサの方向識別方法。 - 一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに前記積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連を、前記一の方向に沿って前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに前記積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連から、吸着ノズルにより取り出された前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 円形のローターの外周に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容部のそれぞれに収容されて搬送される前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- リニア搬送経路を通る複数の収容部のそれぞれに収容された前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を行う、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させる際に、前記積層セラミックコンデンサを回転させない、請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記積層方向の識別結果に基づき前記積層セラミックコンデンサを回転させる工程をさらに備える、請求項4又は5に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する装置であって、
磁気発生装置と、
前記磁気発生装置から発生した磁束の密度を計測する磁束密度計測器と、
前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を、前記積層セラミックコンデンサを通過させる搬送装置と、
識別部と、
を備え、
前記磁束密度計測器は、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測し、
前記識別部は、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、前記積分値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、積層セラミックコンデンサの方向識別装置。 - 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する工程と、
包装体の一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室に前記積層セラミックコンデンサを収容する工程と、
前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方向識別工程と、
を備え、
前記方向識別工程は、
磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度を計測する工程と、
前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間に計測された磁束密度の積分値を算出し、前記積分値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する工程と、
を有する、テーピング積層セラミックコンデンサ連の製造方法。
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