JP5725010B2 - 積層セラミックコンデンサの方向識別方法、積層セラミックコンデンサの方向識別装置及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
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Description
図4及び図5に示されるように、積層セラミックコンデンサ1は、セラミック素体10を備えている。セラミック素体10は、略直方体状である。具体的には、セラミック素体10は、正四角柱状である。セラミック素体10は、第1及び第2の主面10a,10bと、第1及び第2の側面10c,10dと、第1及び第2の端面10e,10f(図5を参照)とを有する。第1及び第2の主面10a,10bは、それぞれ、長さ方向L及び幅方向Wに沿って延びている。第1の主面10aと第2の主面10bとは、互いに平行である。第1及び第2の側面10c,10dは、それぞれ、長さ方向L及び厚み方向Tに沿って延びている。第1の側面10cと第2の側面10dとは、互いに平行である。第1及び第2の端面10e,10fは、それぞれ、幅方向W及び厚み方向Tに沿って延びている。第1の端面10eと第2の端面10fとは互いに平行である。
積層セラミックコンデンサ方向識別装置3(以下、単に「識別装置3」とする。)は、積層セラミックコンデンサ1における複数の内部電極11,12の積層方向を識別するための装置である。以下、本明細書において、「積層セラミックコンデンサ1における複数の内部電極11,12の積層方向」を、「積層セラミックコンデンサ1の方向」と記載する。
次に、識別部36が行う積層セラミックコンデンサ1の方向識別方法について説明する。
図13は、第1の方向識別方法を示すフローチャートである。図13に示されるように、第1の方向識別方法では、まず、ステップS1において、識別部36は、磁束密度計測器32から出力された計測結果から、磁束密度最大値を算出する。そして、ステップS2において、識別部36は、磁束密度最大値に基づいて積層セラミックコンデンサ1bの方向を識別する。
図14は、第2の積層セラミックコンデンサ方向識別方法を表すフローチャートである。図14に示されるように、第2の方向識別方法では、まず、ステップS3において、積層セラミックコンデンサ1bが磁気発生装置31と磁束密度計測器32との間に至る直前の磁束密度(直前磁束密度)を算出する。次に、ステップS4において、識別部36は、直前磁束密度に基づいて積層セラミックコンデンサ1bの方向を識別する。
第3の識別方法では、まず、積層セラミックコンデンサ1bが磁気発生装置31と磁束密度計測器32との間を通過する際の磁束密度の最大値と、積層セラミックコンデンサ1bが磁気発生装置31と磁束密度計測器32との間に至る直前(または直後)の磁束密度の値の関係、例えば両者の値の差(磁束密度差)を算出する。そして、識別部36は、磁束密度差に基づいて積層セラミックコンデンサ1bの方向を識別する。第3の方向識別方法は、水平品が位置している領域の磁束密度であるのか、積層セラミックコンデンサが位置していない領域の磁束密度であるのかを識別するために有効である。一般的に、水平品が位置している領域の磁束密度D3と、これから通過する積層セラミックコンデンサと、先に通過した積層セラミックコンデンサとの両方が垂直品である場合の中間の磁束密度D2とは、バラツキの範囲で見ると近接する場合があるからである。例えば、積層セラミックコンデンサが収容されていない収容室がある場合、そこに水平品が収容されているのか、何も収容されていないのか、を識別するためには、最大値や通過前後だけでなく、両者の関係(磁束密度が大きくなる方に変化すれば水平品、小さくなる方に変化するか変化しなければ何も収容されていない等)を考慮すれば、積層セラミックコンデンサの有無ないし方向を識別することができる。
第4の方向識別方法では、計測された磁束密度の変化から、積層セラミックコンデンサ1bが磁気発生装置31と磁束密度計測器32との間を通過する間における磁束密度の平均値を算出し、当該平均値に基づいて積層セラミックコンデンサ1bの方向を識別する。例えば、積層セラミックコンデンサ1a〜1cがすべて垂直品であった場合には、平均値が最も高くなり、すべて水平品であった場合には、平均値が最も低くなる。
2…テーピング積層セラミックコンデンサ連
3…積層セラミックコンデンサ方向識別装置
10…セラミック素体
10a…第1の主面
10b…第2の主面
10c…第1の側面
10d…第2の側面
10e…第1の端面
10f…第2の端面
11,12…内部電極
13,14…外部電極
15…セラミック部
20…テーピング
21…収容室
31…磁気発生装置
32…磁束密度計測器
33…第1のロール
34…第2のロール
35…搬送装置
36…識別部
Claims (13)
- 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する方法であって、
磁気発生装置から発生する磁束密度を磁束密度計測器により計測しながら、積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度の変化を計測する工程と、
前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する工程と、
を備える、積層セラミックコンデンサの方向識別方法。 - 前記計測された磁束密度の変化から、磁束密度の最大値を算出し、当該磁束密度の最大値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向と磁束の方向とが平行である場合の磁束密度の最大値の範囲である第1の範囲と、積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向と磁束の方向とが垂直である場合の磁束密度の最大値の範囲である第2の範囲とを設定し、前記計測された磁束密度の最大値が前記第1または第2の範囲に属するか否かによって前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項2に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記計測された磁束密度の変化から、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する直前または直後の磁束密度を算出し、当該通過直前の磁束密度に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向及び積層セラミックコンデンサの有無を識別する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 間隔をおいて配列された複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を順に行い、
前記計測された磁束密度の変化から、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する直前及び直後の磁束密度を算出し、前記通過直前の磁束密度と前記通過直後の磁束密度との両方に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向及び積層セラミックコンデンサの有無を識別する、請求項4に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。 - 前記計測された磁束密度の変化から、磁束密度の最大値と、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間に至る直前の磁束密度との差を算出し、当該磁束密度差に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記計測された磁束密度の変化から、前記積層セラミックコンデンサが前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過する間における磁束密度の平均値を算出し、当該磁束密度の平均値に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記磁束密度の計測結果として、前記計測された磁束密度の移動平均をとることにより平滑化された磁束密度の変化結果を用いる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 前記積層セラミックコンデンサを、前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させる際に、前記積層セラミックコンデンサを回転させない、請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 一の方向に沿って間隔をおいて設けられた複数の収容室のそれぞれに積層セラミックコンデンサが収容されたテーピング積層セラミックコンデンサ連を、前記一の方向に沿って前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を通過させ、前記複数の積層セラミックコンデンサに対して前記計測工程を順に行う、請求項1〜9のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 平面視において、前記収容室は、前記積層セラミックコンデンサよりも大きい、請求項10に記載の積層セラミックコンデンサの方向識別方法。
- 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する装置であって、
磁気発生装置と、
前記磁気発生装置から発生した磁束の密度を計測する磁束密度計測器と、
前記磁気発生装置と前記磁束密度計測器との間を、積層セラミックコンデンサを通過させる搬送装置と、
識別部と、
を備え、
前記磁束密度計測器は、少なくとも前記積層セラミックコンデンサの通過時における磁束密度の変化を計測し、
前記識別部は、前記磁束密度計測器から出力された前記磁束密度の計測結果に基づいて前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を識別する、積層セラミックコンデンサの方向識別装置。 - 一の方向に沿って積層された複数の内部電極を備える積層セラミックコンデンサを作製する工程と、
前記積層セラミックコンデンサにおける前記複数の内部電極の積層方向を、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法により識別する工程と、
を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法。
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