TWI557411B - 積層陶瓷電容器之方向識別方法、積層陶瓷電容器之方向識別裝置、積層陶瓷電容器之製造方法 - Google Patents

Description

積層陶瓷電容器之方向識別方法、積層陶瓷電容器之方向識別裝置、積層陶瓷電容器之製造方法

本發明係關於積層陶瓷電容器之方向識別方法、積層陶瓷電容器之方向識別裝置、及積層陶瓷電容器之製造方法。

積層陶瓷電容器包含沿一方向積層之複數個內部電極。因此，對於積層陶瓷電容器，有期望識別其內部電極之積層方向之需求。然而，例如於積層陶瓷電容器為正四角柱狀之情形時，則難以從外觀識別積層陶瓷電容器內部電極之積層方向。

例如於日本特開平7-115033號公報(專利文獻1)中，揭示有並非著眼於外觀之可識別積層陶瓷電容器內部電極之積層方向的方法。具體而言，於專利文獻1中揭示有對並未引出內部電極層之一面施加固定磁場，測量積層陶瓷電容器之磁通密度，根據磁化之強度識別內部電極層之方向的方法。該方法係利用如下原理者，即於電容器配置於內部電極與磁通變得幾近平行(至於電容器，則為內部電極相對於底面為垂直方向)之方位之狀態中，及於電容器配置於內部電極與磁通 變得幾近垂直(至於電容器，則為內部電極相對於底面為水平方向)之方位之狀態中，所測量之磁通密度不同。

然而，於內部電極之積層方向與磁通方向平行及內部電極之積層方向與磁通方向垂直之情形時所測量之磁通密度之差極小。且，所測量之磁通密度亦被磁石、感測探針(sensor probe)及電容器各者之位置關係大為左右。尤其是小型之積層陶瓷電容器，自其所測量之磁通密度所受磁石、感測探針及電容器各者之位置關係之影響尤甚。

如此般，因於積層方向不同之情形時所測量之磁通密度之差較小，且視測量時之電容器之位置而定，所測量之磁通密度則大為不同，故專利文獻1所記載之方法難以準確地識別積層陶瓷電容器之積層方向。

對該問題予以更具體之說明。例如，假設為對長度尺寸1mm、寬度尺寸0.5mm、高度尺寸0.5mm、靜電電容4.7μF之積層陶瓷電容器，以某一測定條件測量磁通密度之情形。該積層陶瓷電容器之內部電極之積層方向與磁通方向平行之情形時之，最大磁通密度約為53.6mT。另一方面，該積層陶瓷電容器之內部電極之積層方向與磁通方向垂直之情形時之，最大磁通密度約為52.3mT。因此，對該積層陶瓷電容器而言，其內部電極之積層方向與磁通方向平行及內部電極之積層方向與磁通方向垂直之情形時，磁通密度之最大值僅相差1.3mT。因此，內部電極之積層方向與磁通方向平行及垂直之情形之間之磁通密度之最大值之差，相對於內部電極之積層方向與磁通方向平行之情形時之磁通密度之最大值僅為2.4%。

又，於積層陶瓷電容器之測量位置自積層陶瓷電容器之中心位置偏移0.3mm時之，內部電極之積層方向與磁通方向平行之積層陶瓷電容器之磁通密度成為約52.3mT，與內部電極之積層方向與磁通方向垂直之情形時之積層陶瓷電容器之磁通密度之最大值(測定位置為 積層陶瓷電容器之中心位置之情形時)變得幾近相同。藉此，於積層陶瓷電容器之測量位置出現0.3mm以上之變化之情形時，將難以識別積層陶瓷電容器之方向。該問題由於積層陶瓷電容器越小型化，例如各尺寸從長度尺寸1mm、寬度尺寸0.5mm、高度尺寸0.5mm變得越小，則越難以將測量位置決定於中心位置，而變得越加顯著。

又，於專利文獻1所記載之方法中，必須以使磁性產生裝置與磁性感測器以介隔電容器而對向之方式配置。因此，專利文獻1所記載之方法存在磁性產生裝置與磁性感測器之配置上之制約。故而，專利文獻1所記載之電容器之方向識別裝置存在裝置設計之自由度較低之問題。

本發明之主要目的在於提供一種可準確地識別積層陶瓷電容器之方向的方法。

基於本發明之積層陶瓷電容器之方向識別方法係識別包含積層之複數個內部電極之積層陶瓷電容器之積層方向的方法。積層陶瓷電容器之方向識別方法，係包含如下之步驟：將1列複數個積層陶瓷電容器搬送至磁性產生裝置及磁通密度測量器之各者之前；於複數個積層陶瓷電容器之各者經由磁通密度測量器之前時，以磁通密度測量器測量磁通密度；及基於測量上述磁通密度之步驟中所測量之磁通密度而識別上述積層方向。

於本發明之一形態中，於識別上述積層方向之步驟中，基於測量上述磁通密度之步驟中所測量之磁通密度，算出磁通密度之積分值，基於該磁通密度之積分值而識別上述積層方向。

於本發明之一形態中，磁性產生裝置與磁通密度測量器係相互對向。於測量上述磁通密度之步驟中，於複數個積層陶瓷電容器之各者經過磁性產生裝置與磁通密度測量器之間時，以磁通密度測量器測 量自磁性產生裝置產生之磁通之密度。

於本發明之一形態中，磁性產生裝置較磁通密度測量器配置於複數個積層陶瓷電容器之搬送方向之更上游側。本發明進而包含如下一步驟，即於測量上述磁通密度之步驟之前，對複數個積層陶瓷電容器之各者進行磁化。

於本發明之一形態中，於搬送上述複數個積層陶瓷電容器之步驟中，以複數個積層陶瓷電容器經由線型搬送路徑之方式，搬送複數個積層陶瓷電容器。於測量上述磁通密度之步驟中，於複數個積層陶瓷電容器沿線型搬送路徑經過磁通密度測量器之前時，以磁通密度測量器測量磁通密度。

於本發明之一形態中，於搬送上述複數個積層陶瓷電容器之步驟中，以複數個積層陶瓷電容器被收容於沿圓形轉動體之外周而設之複數個收容部各者之狀態搬送。於測量上述磁通密度之步驟中，當複數個積層陶瓷電容器以收容於複數個收容部各者之狀態經過磁通密度測量器之前時，以磁通密度測量器測量磁通密度。

於本發明之一形態中，於搬送上述複數個積層陶瓷電容器之步驟中，以複數個積層陶瓷電容器被收容於包裝體內所設之複數個空腔之各者之狀態搬送。於測量上述磁通密度之步驟中，當複數個積層陶瓷電容器以收容於複數個空腔之各者之狀態經過磁通密度測量器之前時，以磁通密度測量器測量磁通密度。

基於本發明之積層陶瓷電容器組之製造方法，係包含如下之步驟：以上述任一項所記載之積層陶瓷電容器之方向識別方法識別上述積層方向；及將上述積層方向一致之複數個積層陶瓷電容器收容於包裝體內所設之複數個空腔之各者。

基於本發明之積層陶瓷電容器之方向識別裝置係識別包含積層之複數個內部電極之積層陶瓷電容器之積層方向的方向識別裝置。積 層陶瓷電容器之方向識別裝置，係包含：磁性產生裝置；磁通密度測量器；搬送裝置，其將一列複數個積層陶瓷電容器搬送至磁性產生裝置及磁通密度測量器各者之前；及方向識別部，其連接於磁通密度測量器，且基於磁通密度測量器所測量之磁通密度而識別上述積層方向。

於本發明之一形態中，方向識別部係基於由磁通密度測量器所測量之磁通密度，算出磁通密度之積分值，並基於該磁通密度之積分值而識別上述積層方向。

於本發明之一形態中，磁性產生裝置與磁通密度測量器係相互對向。磁通密度測量器係於搬送裝置所搬送之複數個積層陶瓷電容器之各者經過磁性產生裝置與磁通密度測量器之間時，測量自磁性產生裝置產生之磁通之密度。

於本發明之一形態中，磁性產生裝置較磁通密度測量器配置於複數個積層陶瓷電容器之搬送方向之更上游側。磁性產生裝置係於磁通密度測量器測量磁通密度之前，對複數個積層陶瓷電容器之各者進行磁化。

於本發明之一形態中，搬送裝置包含線型搬送路徑，其將積層陶瓷電容器以直線狀搬送。磁通密度測量器設置於線型搬送路徑。

於本發明之一態樣中，搬送裝置包含圓形之轉動體，其係沿圓弧搬送積層陶瓷電容器。轉動體包含複數個收容部，其等逐個收納複數個積層陶瓷電容器。磁通密度測量器設置於轉動體。

於本發明之一形態中，搬送裝置搬送包含逐個收納複數個積層陶瓷電容器之複數個空腔之包裝體。包裝體經過磁通密度測量器之前。

於本發明之一形態中，轉動體係以固定間隔反復進行旋轉運動與停止。複數個收容部各者係於轉動體之旋轉運動時經過磁通密度測 量器之前，並停止於與磁通密度測量器不相重疊之位置。

根據本發明，可提供可準確地識別積層陶瓷電容器之方向之方法。

本發明之上述與其他目的、特徵、態樣及優點，可自與附加圖式相關連理解之關於本發明之以下之詳細說明予以明瞭。

1‧‧‧積層陶瓷電容器

2‧‧‧積層陶瓷電容器組

3‧‧‧積層陶瓷電容器之方向識別裝置

10‧‧‧素體

10a‧‧‧第1主表面

10b‧‧‧第2主表面

10c‧‧‧第1側面

10d‧‧‧第2側面

10e‧‧‧第1端面

10f‧‧‧第2端面

11‧‧‧內部電極

12‧‧‧內部電極

14‧‧‧外部電極

15‧‧‧陶瓷部

20‧‧‧蓋帶

21‧‧‧收容室

31‧‧‧磁性產生裝置

32‧‧‧磁通密度測量器

33‧‧‧第1輥子

34‧‧‧第2輥子

35‧‧‧搬送裝置

36‧‧‧方向識別部

41‧‧‧搬送裝置

42‧‧‧搬送路徑

43‧‧‧送風孔

44‧‧‧搬送路徑

50‧‧‧球型供料器

51‧‧‧線型供料器

52‧‧‧搬送裝置

53‧‧‧載帶

54‧‧‧搬送台

54a‧‧‧凹部

55‧‧‧方向識別裝置

55a‧‧‧磁性產生裝置

55b‧‧‧磁通密度測量器

60‧‧‧磁性產生裝置

70‧‧‧貼片機

71‧‧‧搬送載台

72‧‧‧攝像部

73‧‧‧控制部

74‧‧‧分揀部

75‧‧‧靜電電容測定部

C‧‧‧中心軸

D1‧‧‧最大磁通密度

D2‧‧‧最大磁通密度

D3‧‧‧積分值

L‧‧‧長度方向

Lm‧‧‧磁力線

P1‧‧‧位置

P2‧‧‧位置

P3‧‧‧位置

P4‧‧‧位置

P11‧‧‧位置

P12‧‧‧位置

P13‧‧‧位置

P14‧‧‧位置

P15‧‧‧位置

P16‧‧‧位置

T‧‧‧厚度方向

W‧‧‧寬度方向

圖1係本發明之第1實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之模式側視圖。

圖2係本發明之第1實施形態之積層陶瓷電容器組之簡圖之剖視圖。

圖3係本發明之第1實施形態之積層陶瓷電容器組之簡圖之俯視圖。

圖4係本發明之第1實施形態之積層陶瓷電容器組之簡圖之立體圖。

圖5係圖4之線V-V之簡圖之剖視圖。

圖6係磁性產生裝置與磁通密度測量器之間不存在積層陶瓷電容器之情形時之磁力線之模式圖。

圖7係以使內部電極與磁通方向變得垂直(至於電容器，內部電極相對於底面為水平方向)之方式，積層陶瓷電容器位於磁性產生裝置與磁通密度測量器之間之情形時之磁力線的模式圖。

圖8係以使內部電極與磁通方向變得水平(至於電容器，內部電極相對於底面為垂直方向)之方式，積層陶瓷電容器位於磁性產生裝置與磁通密度測量器之間之情形時之磁力線的模式圖。

圖9係表示水平品及垂直品之磁通密度之模式性之圖表。

圖10係表示水平品及垂直品之磁通密度之積分值之模式性之圖表。

圖11係表示第2實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之主要部分之模式側視圖。

圖12係表示第3實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之主要部分之模式側視圖。

圖13係表示第4實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之模式側視圖。

圖14係表示第5實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之模式側視圖。

圖15係實驗例1之磁通密度之最大值之直方圖。

圖16係實驗例1之磁通密度之積分值之直方圖。

圖17係第6實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之模式俯視圖。

圖18係圖17之方向識別裝置之主要部分剖視圖。

圖19係本發明之第7實施形態之積層陶瓷電容器組之製造裝置之模式俯視圖。

圖20係本發明之第7實施形態之積層陶瓷電容器組之簡圖之剖視圖。

圖21係內部電極與磁通密度測量器平行之情形時之積層陶瓷電容器之磁通線之模式圖。

圖22係內部電極與磁通密度測量器垂直之情形時之積層陶瓷電容器之磁通線之模式圖。

圖23係表示第8實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之主要部分之模式俯視圖。

圖24係表示第9實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之主要部分之模式俯視圖。

以下，參照圖對本發明之各實施形態進行說明。且，下述之實施形態僅為例示。本發明絕非限定於下述之實施形態。

又，設為對實施形態等所參照之各圖式中之實質上具有相同功能之構件附加相同之符號而供參照。又，實施形態等所參照之圖式係模式性地記載者。故存在圖式中所繪物體之尺寸比例等與實際之物體尺寸比例等不同之情形。即使各圖式之間，亦存在物體之尺寸比例等有所不同之情形。具體之物體之尺寸比例等應參酌以下之說明而判斷之。

(第1實施形態)

於本實施形態中，對圖4及圖5所示之積層陶瓷電容器1之方向識別方法進行說明。首先，對成為識別對象之積層陶瓷電容器1之構成進行說明。

(積層陶瓷電容器1之構成)

如圖4及圖5所示，積層陶瓷電容器1包含陶瓷素體10。陶瓷素體10大致為長方體狀。具體而言，陶瓷素體10係正四角柱狀。陶瓷素體10具有：第1及第2主表面10a、10b；第1及第2側面10c、10d；第1及第2端面10e、10f(參照圖5)。第1及第2主表面10a、10b分別沿長度方向L及寬度方向W延伸。第1主表面10a與第2主表面10b相互平行。第1及第2側面10c、10d分別沿長度方向L及厚度方向T延伸。第1側面10c與第2側面10d相互平行。第1及第2端面10e、10f分別沿寬度方向W及厚度方向T延伸。第1端面10e與第2端面10f相互平行。

陶瓷素體10之沿長度方向L之尺寸較佳為0.4mm以上且2.0mm以下，更佳為0.6mm以上且1.0mm以下。陶瓷素體10之沿寬度方向W之尺寸較佳為0.2mm以上且1.2mm以下，更佳為0.3mm以上且0.5mm以下。陶瓷素體10之沿厚度方向T之尺寸較佳為0.2mm以上且1.2mm以下，更佳為0.3mm以上且0.5mm以下。之所以沿長度方向L之尺寸 較佳為1.0mm以下，沿寬度方向W及沿厚度方向T之尺寸較佳為0.5mm以下，係緣於此種尺寸以下之小型品，其磁通密度之測定位置尤其容易自積層陶瓷電容器之中心位置變化。又，之所以沿長度方向L之尺寸較佳為0.6mm以上，沿寬度方向W之尺寸及沿厚度方向T之尺寸之各者較佳為0.3mm以上，係緣於內部電極之密度較高者更利於進行藉由磁通密度之方向識別。基於同樣原因，本發明適合靜電電容為1μF以上之積層陶瓷電容器。

陶瓷素體10例如可由以介電質陶瓷為主要成分之材料構成。作為介電質陶瓷之具體例，例如可舉出BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃，或CaZrO₃等。亦可對陶瓷素體10適當添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、及稀土類化合物等至少1種副成分。

再者，所謂「大致長方體」，係指包含對角部或棱線部做出倒角之長方體，及角部或棱線部被磨圓之長方體。

如圖5所示，於陶瓷素體10之內部，設有複數個內部電極11、12。複數個內部電極11、12係沿厚度方向T積層。各內部電極11、12係於長度方向L及寬度方向W平行而設。於陶瓷素體10之內部，內部電極11與內部電極12係沿厚度方向T交替設置。於厚度方向T之相鄰之內部電極11與內部電極12之間，配置有陶瓷部15。亦即，厚度方向T之相鄰之內部電極11與內部電極12係介隔陶瓷部15而對向。

內部電極11被引出至第1端面10e。於第1端面10e上，設有外部電極13。外部電極13與內部電極11電性連接。內部電極12被引出至第2端面10f。於第2端面10f上，設有外部電極14。外部電極14與內部電極12電性連接。內部電極11、12可由Ni等磁性材料構成。外部電極13、14可由例如Ni、Cu、Ag、Pd、Au或Ag-Pd合金等之適合之導電材料構成。

如圖2及圖3所示，積層陶瓷電容器1構成積層陶瓷電容器組2。積層陶瓷電容器組2具有蓋帶(taping)20。蓋帶20具有沿長邊方向空出間隔而設之長方體狀之收容室21。複數個收容室21各者中收容有積層陶瓷電容器1。俯視下，收容室21較積層陶瓷電容器1更大。因此，於收容室21內，積層陶瓷電容器1可於面方向變位。若收容室21內之積層陶瓷電容器1之位置於每個收容室21各不相同，則磁通密度測量之來自於積層陶瓷電容器之中心位置之變化量亦於每個收容室21各不相同。

再者，積層陶瓷電容器1除了如圖4所示之2端子型之積層陶瓷電容器以外，亦可為具備側面電極之3端子或多端子型之積層陶瓷電容器。

(積層陶瓷電容器之方向識別裝置3之構成)

積層陶瓷電容器之方向識別裝置3係用於識別積層陶瓷電容器1之複數個內部電極11、12之積層方向的裝置。以下，於本說明書中，將「積層陶瓷電容器1之複數個內部電極11、12之積層方向」，記載為「積層陶瓷電容器1之積層方向」，或簡記為「積層方向」。

如圖1所示，方向識別裝置3包含磁性產生裝置31與磁通密度測量器32。磁通密度測量器32係為能夠檢測磁性產生裝置31所產生之磁通密度而配置。磁通密度測量器32測量自磁性產生裝置31產生之磁通密度。詳細而言，磁通密度測量器32係以10kHz以上且100kHz以下之程度之間隔連續進行磁通密度之測定。

方向識別裝置3進而包含搬送裝置35。搬送裝置35使積層陶瓷電容器1經過磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間。具體而言，搬送裝置35具有第1輥子33與第2輥子34。第1輥子33捲繞有積層陶瓷電容器組2，自該第1輥子33送出積層陶瓷電容器組2。經過磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間之積層陶瓷電容器組2被捲繞於第2輥子 34。

磁通密度測量器32係至少於積層陶瓷電容器1經過磁通密度測量器32之前時測量磁通密度。磁通密度測量器32將測量結果輸出至方向識別部36。方向識別部36係基於自磁通密度測量器32輸出之磁通密度之測量結果，識別積層陶瓷電容器1之積層方向。方向識別部36係對積層陶瓷電容器組2中相互空出間隔而配置為一列之複數個積層陶瓷電容器1，依序進行該積層方向之識別。

於製造積層陶瓷電容器組2時，首先，製作積層陶瓷電容器1。其次，將所製作之積層陶瓷電容器1收容於蓋帶20內，而製作積層陶瓷電容器組2。其次，識別被收容於積層陶瓷電容器組2之積層陶瓷電容器1之積層方向。其結果，例如確認積層陶瓷電容器1之整列率，或於檢測出並非所期望之積層方向之積層陶瓷電容器1時，對該積層陶瓷電容器1進行標示，亦或除去該積層陶瓷電容器1。

(方向識別方法)

其次，對方向識別部36所進行之積層陶瓷電容器1之方向識別方法進行說明。再者，於以下之說明中，將積層方向與磁通方向垂直者設為「水平品」(至於積層陶瓷電容器，內部電極相對於收容室21之底面為水平方向)，將平行者設為「垂直品」(至於積層陶瓷電容器，內部電極相對於收容室21之底面為垂直方向)。

首先，對本實施形態之方向識別方法之原理，一面參照圖6至圖8一面進行說明。例如，如圖6所示，於積層陶瓷電容器1並非位於磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間之狀態時，通過磁通密度測量器32之磁力線Lm之間隔變得最寬，換言之，每單位面積之磁力線Lm之條數減少，磁通密度成為較低值。

如圖7及圖8所示，相較於積層陶瓷電容器1並非位於磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間之情形，於積層陶瓷電容器1位於磁性 產生裝置31與磁通密度測量器32之間時，通過磁通密度測量器32之磁力線Lm之間隔變窄。相較於積層陶瓷電容器1並非位於磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間之情形，於積層陶瓷電容器1位於磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間時，每單位面積之磁力線Lm之條數增多。圖8所示之積層方向與磁通方向平行(至於電容器，內部電極相對於底面為垂直方向)時較圖7所示之垂直(至於電容器，內部電極相對於底面為水平方向)時，通過磁通密度測量器32之磁力線Lm之間隔變窄。圖8所示之積層方向與磁通方向平行時之每單位面積之磁力線Lm之條數增多。

因此，如圖9所示，於積層方向與磁通方向平行時所測量之磁通密度高於垂直時。又，如圖10所示般，積層方向與磁通方向平行時所測量之磁通密度之積分值高於垂直時。

因此，例如，可基於所測量之磁通密度之最大值而識別積層陶瓷電容器1之積層方向。例如，可基於所測量之磁通密度之積分值而識別積層陶瓷電容器1之積層方向。

自更準確地識別積層陶瓷電容器1之積層方向之觀點而言，較佳為基於所測量之磁通密度之積分值來識別積層方向。水平品之磁通密度之積分值D3與垂直品之磁通密度之積分值D4之差△d2(D4-D3)(參照圖10)，大於水平品之最大磁通密度D1與垂直品之最大磁通密度D2之差△d1(D2-D1)(參照圖9)。因此，基於△d2識別積層陶瓷電容器1之方向較基於△d1識別積層陶瓷電容器1之方向可提高識別精度。例如，即使因檢測積層陶瓷電容器1時之位置偏差而造成磁通密度之最大值不一致之情形時，藉由使用磁通密度之積分值，即可準確地識別積層陶瓷電容器1之積層方向。

又，於使用磁通密度之積分值識別積層陶瓷電容器1之積層方向時，則必須檢測磁通密度之最大值。因此，必須增長磁性產生裝置31 與磁通密度測量器32之間之距離。故而，可抑制因測量積層陶瓷電容器1之磁通密度時之積層陶瓷電容器1之位置偏差所引起之方向識別精度之降低。

尤其於內部電極11、12之積層層數較少之情形時，因△d1很容易變小，而導致△d2與△d1之差(△d2-△d1)很容易變大。因此，於內部電極11、12之積層層數較少之情形時，相較於使用磁通密度之最大值，較佳使用磁通密度之積分值來進行積層方向之識別。具體而言，使用磁通密度之積分值進行積層方向之識別更適合內部電極11、12之積層層數為100層以下之積層陶瓷電容器1。

以下，對本發明之較佳之實施形態之另一例進行說明。於以下之說明中，對具有與上述第1實施形態實質上相同之功能之構件附加相同之符號而供參照，且不重複說明。

(第2實施形態)

於第1實施形態中，已針對對收容於積層陶瓷電容器組2之積層陶瓷電容器1進行磁通密度測量步驟之例進行說明。但本發明並非限定於此。

例如，如圖11所示，亦可一面由搬送裝置41於磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間搬送未被收容於蓋帶之積層陶瓷電容器1，一面識別其積層方向。亦可於使積層陶瓷電容器1經過磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間後，使積層陶瓷電容器1旋轉以使其積層方向一致；亦可除去並非所期望之積層方向之積層陶瓷電容器1。

(第3實施形態)

圖12係表示第3實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之主要部分之模式側視圖。於本實施形態中，於搬送路徑42設有磁性產生裝置31與磁通密度測量器32。於搬送路徑42，由線型給料器(linear feeder)等給料器沿一列(沿一個方向)供給複數個積層陶瓷電容器1。 判定並非所期望之積層方向之積層陶瓷電容器1被自送風孔43噴出之氣體自搬送路徑42吹飛至搬送路徑44。被吹飛之積層陶瓷電容器1經由搬送路徑44而被予以回收或廢棄。

沿搬送路徑42搬送之積層陶瓷電容器1例如可由蓋帶收容機收容於蓋帶，亦可例如由安裝機安裝至安裝基板等。

(第4實施形態)

圖13係表示第4實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之模式側視圖。第4實施形態之方向識別裝置構成蓋帶式電子零件組之製造裝置之一部分。

於本實施形態中，於蓋帶式電子零件組之製造裝置，設有球型供料器50。球型供料器50中收容有複數個積層陶瓷電容器1。球型供料器50係藉由振動而對線型供料器51依序供給電子零件。

線型供料器51搬送藉由振動而供給之積層陶瓷電容器1。線型供料器51對搬送裝置52供給積層陶瓷電容器1。搬送裝置52將積層陶瓷電容器1搬送至載帶(Carrier Tape)53為止。搬送裝置52具有以中心軸C為中心而旋轉之圓板狀之搬送台54。

具體而言，於本實施形態中，圓形之轉動體，即搬送台54係以中心軸C為中心而順時針旋轉。搬送台54具備複數個凹部(收容部)54a。複數個凹部54a係沿圓形轉動體之外周相互空出間隔而設置為一列。搬送台54之凹部54a係於位置P1，被自線型供料器51振動式地送入積層陶瓷電容器1。位置P1之被振動式地送入至凹部54a之積層陶瓷電容器1藉由搬送台54之旋轉，以中心軸C為中心沿圓周方向被搬送。

積層陶瓷電容器1被搬送至位置P3為止。積層陶瓷電容器1係於位置P3自搬送台54被收容於載帶53之收容室53a。於搬送路徑中之位於位置P1與位置P3之間之位置P2，設有方向識別裝置55。方向識別 裝置55包含磁性產生裝置31與磁通密度測量器32。

由該方向識別裝置55識別積層陶瓷電容器1之積層方向。可於使積層陶瓷電容器1經過磁性產生裝置31與磁通密度測量器32之間後，使積層陶瓷電容器1旋轉以使其積層方向一致，亦可取出並非所期望之積層方向之積層陶瓷電容器1。於本實施形態中，亦可於將積層陶瓷電容器1收容於蓋帶之前，識別積層陶瓷電容器1之積層方向。

(第5實施形態)

圖14係表示第5實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之模式側視圖。圖14所示之方向識別裝置例如亦可具備介隔用於對安裝基板61進行安裝之貼片機70而配置之磁性產生裝置31與磁通密度測量器32。於該情形時，可於安裝前判別積層陶瓷電容器1之積層方向。再者，貼片機70亦可具備吸附噴嘴。

(實驗例1)

準備150個具有下述之設計參數之積層電容器。接著，以設為水平品之狀態，測定磁通密度之最大值，其後，於設為垂直品後，測定磁通密度之最大值。將結果顯示於圖15。以設為水平品之狀態，測定磁通密度之積分值，其後，於設為垂直品後，測定磁通密度之積分值。將結果顯示於圖16。再者，於圖15及圖16各者中，縱軸表示頻率、橫軸表示磁通密度。

自圖15所示之結果可知，於測量磁通密度之最大值時，存在水平品與垂直品不易出現磁通密度差之情形。另一方面，可知於測量磁通密度之積分值之情形時，水平品與垂直品容易產生磁通密度差。自該結果可知，藉由使用磁通密度之積分值，可準確地識別積層陶瓷電容器之方向。

於本實驗例中，將積層陶瓷電容器之大小設為1mm×0.5mm×0.5mm，將內部電極設為以鎳為主要成分之電極，將內部電極之積層層 數設為40層，將積層陶瓷電容器之靜電電容設為0.1μF。

(第6實施形態)

圖17係表示第6實施形態之積層陶瓷電容器1之方向識別裝置之模式俯視圖。

如圖17所示，線型供料器51對旋轉式之搬送裝置52供給積層陶瓷電容器1。搬送裝置52將積層陶瓷電容器1搬送至載帶53為止。搬送裝置52具備以中心軸C為中心而旋轉之圓板狀之搬送台54、及供配置搬送台54之搬送載台71(參照圖18)。如圖17所示，於線型供料器51，設有產生磁性之磁性產生裝置60，藉由積層陶瓷電容器1經過該磁性產生裝置60前，積層陶瓷電容器1被予以磁化。磁性產生裝置60兼具藉由以磁力使積層陶瓷電容器1旋轉而使內部電極11、12之方向一致之功能。

搬送台54於外周面具備複數個凹部54a，複數個凹部54a係沿搬送台54之圓周方向以等間隔設置。複數個凹部54a分別自搬送台54之外周面朝中心軸C延伸，且自搬送台54之一主表面貫通至另一主表面。如圖18所示，搬送台54設置於搬送載台71上，由該搬送載台71封閉凹部54a之下側。

如圖17所示，於位於位置P11至位置P16之搬送路徑之位置P12，配置有靜電電容測定部75。由該靜電電容測定部75測定被收容於凹部54a之積層陶瓷電容器1之靜電電容。所測定之積層陶瓷電容器1之靜電電容被輸出至控制部73。

於位於位置P12與位置P16之間之位置P13，設有構成方向識別裝置55之磁通密度測量部。磁通密度測量部係為識別積層陶瓷電容器1之積層方向，而測量積層陶瓷電容器1經過時之磁通密度。如圖18所示，磁通密度測量部具有磁性產生裝置55a與磁通密度測量器55b。磁性產生裝置55a與磁通密度測量器55b對向。由搬送裝置52所搬送之積 層陶瓷電容器1經過磁性產生裝置55a與磁通密度測量器55b之間。搬送積層陶瓷電容器1之搬送台54與搬送載台71位於磁性產生裝置55a與磁通密度測量器55b之間。

於積層方向與磁性產生裝置55a及磁通密度測量器55b之排列方向垂直時及平行時，自磁性產生裝置55a經過積層陶瓷電容器1而到達至磁通密度測量器55b之磁通密度不盡相同。因此，藉由以磁通密度測量器55b檢測積層陶瓷電容器1經過磁性產生裝置55a與磁通密度測量器55b之間之彼時之磁通密度，可識別積層陶瓷電容器1之積層方向。磁通密度測量器55b將所檢測出之磁通密度輸出至方向識別部，即控制部73。控制部73對所測定之磁通密度進行適當運算處理，而求得例如上述之磁通密度之積分值。

自更可靠地識別積層陶瓷電容器1之積層方向之觀點而言，搬送台54較佳由不鏽鋼、鋁、塑料、或陶瓷等非磁性體構成。又，搬送載台71較佳由不鏽鋼、鋁、塑料、或陶瓷等非磁性體構成。其中，搬送台54及搬送載台71較佳分別由耐磨耗性亦優異之氧化鋯構成。於該等情形時，可以更高之精度測定經過積層陶瓷電容器1之磁通密度。

如圖17所示，於搬送路徑中之位於位置P13與位置P16之間之位置P14，設有攝像部72。攝像部72係自上方拍攝積層陶瓷電容器1。所拍攝之圖像被輸出至控制部73。

於搬送路徑中位於位置P14與位置P16之間之位置P15，設有分揀部74。分揀部74連接於控制部73，其基於控制部73之指示而分揀積層陶瓷電容器1。具體而言，控制部73判斷自靜電電容測定部75輸出之靜電電容是否在預設之靜電電容之範圍(靜電電容之規格)內。且，控制部73判斷基於磁通密度所特定之積層方向是否與預設方向一致。控制部73係基於自攝像部72輸出之圖像，判斷積層陶瓷電容器1是否存在外觀不良。控制部73認定與上述3個條件中之任一者不相符之積層 陶瓷電容器1為不良品，並將其除去。

對本實施形態之靜電電容測定部75、磁通密度測量部(方向識別裝置55)、攝像部72、及分揀部74各者之配置，進行更具體之說明。搬送台54進行所謂間歇動作，即每隔固定間隔反復進行旋轉運動及停止。靜電電容測定部75、攝像部72、及分揀部74各者之位置係與搬送台54停止時之凹部54a之位置重疊。另一方面，磁通密度測量部之位置係與搬送台54之旋轉運動時凹部54a所經過之位置重疊。

亦即，於靜電電容測定部75、攝像部72、及分揀部74各者之位置與凹部54a之位置分別重疊時，磁通密度測量部(方向識別裝置55)之位置與凹部54a之位置並未重疊。反之，於磁通密度測量部(方向識別裝置55)之位置與凹部54a之位置重疊時，靜電電容測定部75、攝像部72、及分揀部74各者之位置與凹部54a之位置並不重疊。

再者，所謂靜電電容測定部75、攝像部72、分揀部74、及磁通密度測量部之各者之位置與凹部54a之位置重疊，意指搬送台54之圓周方向之靜電電容測量部75、攝像部72、分揀部74、及磁通密度測量部之各者之中心與任一凹部54a之一部分重疊。

例如，於搬送台54以等間隔配置N個凹部54a，於搬送台54反復進行(360/N)度之旋轉運動與停止之情形時，靜電電容測定部75、攝像部72、及分揀部74各者之位置相互對於搬送台54之旋轉中心偏移(360/N)度之整數倍。另一方面，磁通密度測量部之位置與對於靜電電容測定部75、攝像部72、及分揀部74各者之配置偏移(360/N)度之整數倍之位置並不相同。

於至此所說明之第1至第6實施形態中之任一種形態中，相鄰之積層陶瓷電容器1之間隔均會對積層方向之識別精度造成影響。積層方向係藉捕捉積層陶瓷電容器1經過磁通密度測量部時之磁通密度而識別。因此，若相鄰之積層陶瓷電容器1之間隔過窄，則磁通密度會 受到相鄰之積層陶瓷電容器1之影響，而造成積層方向之識別精度隨之降低。

因此，較佳將相鄰之積層陶瓷電容器1之間隔設為積層陶瓷電容器1之經過方向之磁性產生裝置55a之尺寸之1/2以上。或者，較佳將相鄰之積層陶瓷電容器1之間隔設為積層陶瓷電容器1之經過方向之積層陶瓷電容器1之尺寸以上。

於至此所說明之第1至第6實施形態中，磁性產生裝置31與磁通密度測量器32對向配置，使積層陶瓷電容器1經過其等之間，而於接著要說明之第7實施形態中，磁性產生裝置31及磁通密度測量器32之配置與此不同。

(第7實施形態)

如圖19所示，於線型供料器51，設有產生磁性之磁性產生裝置60。藉由積層陶瓷電容器1經過該磁性產生裝置60之前，積層陶瓷電容器1被予以磁化。所謂積層陶瓷電容器1被磁化，意指使積層陶瓷電容器成為帶磁狀態。

又，磁性產生裝置60兼具使線型供料器51所搬送之積層陶瓷電容器1之內部電極11、12之方向變得一致之功能。例如，於積層陶瓷電容器1之內部電極11、12之積層方向與水平方向平行之情形時，以使內部電極11、12之積層方向與上下方向平行之方式，利用自磁性產生裝置60產生之磁性使積層陶瓷電容器1旋轉90°。藉此，使經過設有磁性產生裝置60之部分之積層陶瓷電容器1之方向一致。但，未必要將所有積層陶瓷電容器1之方向設為一致。

於搬送路徑中之位於位置P1與位置P3之間之位置P2，配置有磁性產生裝置55a。積層陶瓷電容器1由該磁性產生裝置55a進一步磁化。因此，於積層陶瓷電容器組2收容有經磁化後之積層陶瓷電容器1。再者，於本實施形態中，對設有磁性產生裝置55a與磁性產生裝置 60之2個磁性產生裝置之例進行說明。但，本發明並非限定於該構成。亦可僅設置1個磁性產生裝置。

如圖20所示，於積層陶瓷電容器組2之下方，設有用於測量磁通密度之磁通密度測量器32。詳細而言，磁通密度測量器32係以10kHz以上且100kHz以下之程度之間隔連續進行磁通密度之測定。

於本實施形態中，藉由磁性產生裝置55a、60使積層陶瓷電容器1磁化(磁化步驟)。其次，利用磁通密度測量器32測量自磁化後之積層陶瓷電容器1產生之磁通之密度(磁通密度測量步驟)。於磁通密度測量步驟中，較佳測量磁化後之積層陶瓷電容器1經過磁通密度測量器32之前之彼時之磁通密度。

其次，由方向識別部36基於磁通密度之測量結果，識別積層陶瓷電容器1之內部電極11、12之積層方向(積層方向識別步驟)。可基於此時所測量之磁通密度之最大值或積分值，識別積層陶瓷電容器1之方向。其結果，例如可確認積層陶瓷電容器1之整列率，或於檢測出積層陶瓷電容器1之方向與所期望之方向不同之積層陶瓷電容器1之情形時，對該積層陶瓷電容器1進行標記，或除去該積層陶瓷電容器1。

對本實施形態之方向識別方法之原理，一面參照圖21及圖22一面進行說明。於磁通密度測量器32前不存在積層陶瓷電容器1時，則不以磁通密度測量器32進行實質性之磁通測量。另一方面，如圖21及圖22所示，於磁化後之積層陶瓷電容器1位於磁通密度測量器32前之情形時，來自積層陶瓷電容器1之磁力線經過磁通密度測量器32。因此，可由磁通密度測量器32測量磁通。其結果，如圖9、圖10所示，視積層陶瓷電容器1之積層方向而定，磁通密度之最大值及積分值亦不盡相同。

於本實施形態中，因積層陶瓷電容器1已事先磁化，故未必需要 將磁性產生裝置55a、60與磁通密度測量器32對向配置。因此，磁性產生裝置55a、60與磁通密度測量器32之配置自由度隨之提高，方向識別裝置及製造裝置之構造上之限制因此減少。因此，例如可將方向識別裝置及製造裝置小型化。再者，亦可於進行積層陶瓷電容器1之方向識別後，對正磁化之積層陶瓷電容器1進行去磁處理。

(第8及第9實施形態)

圖23係表示第8實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之主要部分之模式俯視圖。圖24係表示第9實施形態之積層陶瓷電容器之方向識別裝置之主要部分之模式俯視圖。

於第7實施形態中，已對由磁通密度測量器32識別被收容於積層陶瓷電容器組2之積層陶瓷電容器1之方向之例進行說明。但，本發明並非限定於此。

例如，如圖23所示，亦可將磁通密度測量器32設置於搬送裝置52。具體而言，於第8實施形態中，於搬送裝置52之位置P4配置磁通密度測量器32。又，例如，如圖24所示之第9實施形態，亦可將磁通密度測量器32設置於線型供料器51。因此，可於被收容至積層陶瓷電容器組2之前，於藉由搬送裝置52之搬送途中識別積層陶瓷電容器1之方向。

於第8及第9實施形態中，亦可於位置P4與位置P3之間進而設置：分揀部，其用於分揀積層陶瓷電容器1之方向並非所期望之積層方向之積層陶瓷電容器1；及整列部，其使積層陶瓷器電容器1旋轉以將之設為所期望之積層方向。分揀部亦可為取出內部電極11、12之積層方向並非所期望之積層陶瓷電容器1者。

(實驗例2) (實施例1)

準備6個具有下述設計參數之積層陶瓷電容器。如圖19所示，僅 以由介隔線型供料器51而對向之1對永久磁石構成之磁性產生裝置60進行積層陶瓷電容器之磁化。再者，6個樣本中之3個係以內部電極與磁通密度測量器平行之方式配置，並測定磁通密度，其餘3個係以內部電極與磁通密度測量器垂直之方式配置，並測定磁通密度。將所測量之磁通密度之最大值顯示於表1。於表1中，記載為「水平」之樣本係以使內部電極與磁通密度測量器平行之方式配置，並測定磁通密度之樣本。於表1中，記載為「垂直」之樣本係以使內部電極與磁通密度測量器垂直之方式配置，並測定磁通密度之樣本。

(實施例2)

於以使實施例1中所使用之6個積層陶瓷電容器之磁通密度成為0.05mT以下之方式，進行積層陶瓷電容器之去磁後，將其再度作為樣本而使用於本實施例2中。於實施例2中，由具有與實施例1相同之構成之磁性產生裝置60，及設置於搬送裝置52，且由永久磁石構成之磁性產生裝置55a之2個磁性產生裝置，進行積層陶瓷電容器之磁化。6個樣本中之3個係以使內部電極與磁通密度測量器平行之方式配置，並測定磁通密度，其餘3個係以使內部電極與磁通密度測量器垂直之方式配置，並測定磁通密度。將所測量之磁通密度之最大值顯示於表1。

於本實驗例中，將積層陶瓷電容器之大小設為1.15mm×0.65mm×0.65mm，將內部電極設為以鎳為主要成分之電極，將內部電極之積層層數設為430層，將積層陶瓷電容器之靜電電容設為10μF。

自表1所示之結果可知，可藉由測量已事先磁化之積層陶瓷電容器之磁通密度，而識別積層陶瓷電容器之方向。又，藉由如實施例2般進行2次磁化，積層陶瓷電容器之磁通密度之測量值(最大值及積分值)變大，方向識別亦更為容易。

雖已對本發明之實施形態進行說明，但應理解為本次所揭示之實施形態之所有方面均為例示，而並非限制性者。本發明之範圍係由申請專利範圍揭示，且旨在包含與申請專利範圍為均等含義之變更，以及範圍內之所有變更。

2‧‧‧積層陶瓷電容器組

3‧‧‧積層陶瓷電容器之方向識別裝置

31‧‧‧磁性產生裝置

32‧‧‧磁通密度測量器

33‧‧‧第1輥子

34‧‧‧第2輥子

35‧‧‧搬送裝置

36‧‧‧方向識別部

Claims (16)

1. 一種積層陶瓷電容器之方向識別方法，其係識別包含積層之複數個內部電極之積層陶瓷電容器之積層方向之方法，其包含如下之步驟：將1列複數個積層陶瓷電容器搬送至磁性產生裝置及磁通密度測量器之各者之前；於上述複數個積層陶瓷電容器之各者經過上述磁通密度測量器之前時，以上述磁通密度測量器測量磁通密度；及基於測量上述磁通密度之步驟中所測量之上述磁通密度而識別上述積層方向。
2. 如請求項1之積層陶瓷電容器之方向識別方法，其中於識別上述積層方向之步驟中，基於測量上述磁通密度之步驟中所測量之上述磁通密度，算出磁通密度之積分值，基於上述磁通密度之積分值而識別上述積層方向。
3. 如請求項1之積層陶瓷電容器之方向識別方法，其中上述磁性產生裝置與上述磁通密度測量器相互對向；且於測量上述磁通密度之步驟中，於上述複數個積層陶瓷電容器之各者經過上述磁性產生裝置與上述磁通密度測量器之間時，以上述磁通密度測量器測量自上述磁性產生裝置產生之磁通之密度。
4. 如請求項1之積層陶瓷電容器之方向識別方法，其中上述磁性產生裝置較上述磁通密度測量器配置於上述複數個積層陶瓷電容器之搬送方向之更上游側；且該積層陶瓷電容器之方向識別方法進而包含如下之步驟：即於測量上述磁通密度之步驟之前，對上述複數個積層陶瓷電容 器之各者進行磁化。
5. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器之方向識別方法，其中於搬送上述複數個積層陶瓷電容器之步驟中，以上述複數個積層陶瓷電容器經由線型搬送路徑之方式，搬送上述複數個積層陶瓷電容器；且於測量上述磁通密度之步驟中，於上述複數個積層陶瓷電容器沿上述線型搬送路徑而經過上述磁通密度測量器之前時，以上述磁通密度測量器測量磁通密度。
6. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器之方向識別方法，其中於搬送上述複數個積層陶瓷電容器之步驟中，係以上述複數個積層陶瓷電容器被收容於沿圓形轉動體之外周而設之複數個收容部各者之狀態搬送；且於測量上述磁通密度之步驟中，當上述複數個積層陶瓷電容器以收容於上述複數個收容部各者之狀態經過上述磁通密度測量器之前時，以上述磁通密度測量器測量磁通密度。
7. 如請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器之方向識別方法，其中於搬送上述複數個積層陶瓷電容器之步驟中，以上述複數個積層陶瓷電容器被收容於包裝體中所設之複數個空腔各者之狀態搬送；且於測量上述磁通密度之步驟中，當上述複數個積層陶瓷電容器以收容於上述複數個空腔各者之狀態經過上述磁通密度測量器之前時，以上述磁通密度測量器測量磁通密度。
8. 一種積層陶瓷電容器組之製造方法，其包含如下步驟：以請求項1至4中任一項之積層陶瓷電容器之方向識別方法識別上述積層方向；及將上述積層方向一致之複數個積層陶瓷電容器收容於包裝體 中所設置之複數個空腔各者。
9. 一種積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其係識別包含積層之複數個內部電極之積層陶瓷電容器之積層方向之方向識別裝置；其包含：磁性產生裝置；磁通密度測量器；搬送裝置，其將一列複數個之積層陶瓷電容器搬送至上述磁性產生裝置及上述磁通密度測量器各者之前；及方向識別部，其連接於上述磁通密度測量器，且基於上述磁通密度測量器所測量之磁通密度而識別上述積層方向。
10. 如請求項9之積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其中上述方向識別部係基於由上述磁通密度測量器所測量之上述磁通密度，算出磁通密度之積分值，並基於上述磁通密度之積分值而識別上述積層方向。
11. 如請求項9之積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其中上述磁性產生裝置與上述磁通密度測量器係相互對向；且上述磁通密度測量器係於上述搬送裝置所搬送之上述複數個積層陶瓷電容器之各者經過上述磁性產生裝置與上述磁通密度測量器之間時，測量自上述磁性產生裝置產生之磁通之密度。
12. 如請求項9之積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其中上述磁性產生裝置較上述磁通密度測量器配置於上述複數個積層陶瓷電容器之搬送方向之更上游側；且上述磁性產生裝置係於上述磁通密度測量器測量上述磁通密度之前，對上述複數個積層陶瓷電容器之各者進行磁化。
13. 如請求項9至12中任一項之積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其中上述搬送裝置包含線型搬送路徑，其係將上述積層陶瓷電容 器以直線狀搬送；且上述磁通密度測量器設置於上述線型搬送路徑。
14. 如請求項9至12中任一項之積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其中上述搬送裝置包含圓形之轉動體，其係沿圓弧搬送上述積層陶瓷電容器；且上述轉動體包含複數個收容部，其等沿上述轉動體之外周設置，且逐個收容上述複數個積層陶瓷電容器；上述磁通密度測量器設置於上述轉動體。
15. 如請求項9至12中任一項之積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其中上述搬送裝置搬送包含逐個收容上述複數個積層陶瓷電容器之複數個空腔之包裝體；且上述包裝體經過上述磁通密度測量器之前。
16. 如請求項14之積層陶瓷電容器之方向識別裝置，其中上述轉動體係以固定間隔反復進行旋轉運動與停止；且上述複數個收容部各者係於上述轉動體之旋轉運動時經過上述磁通密度測量器之前，並停止於與上述磁通密度測量器不相重疊之位置。