JP7319792B2 - セラミックチップ部品の処理方法、積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品包装体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサ等の製造過程におけるセラミックチップ部品の処理方法、並びに当該処理方法を用いた積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品包装体の製造方法に関する。

従来より、積層セラミックコンデンサ等のセラミックチップ部品の製造過程や包装工程においては、内部電極が強磁性体を含むことを利用して、磁石を用いた工程が行われていた。

例えば、特許文献１には、チップ部品の平面寸法より大きな凹状のポケットにチップ部品を収容し、当該ポケットを備えた非磁性体のパレットの外側から磁石を移動することにより、内部電極の向きをポケットの底面と直交向きに整列する、チップ部品の向き整列方法が記載されている。

あるいは、特許文献２には、搬送路中の電子部品に磁力を作用させて積層方向を揃わせ、テープと凹部に収容されたテーピング電子部品連を作製する、テーピング電子部品連の製造方法が記載されている。

特開２００３－７５７４号公報 特開２０１７－１０９５５号公報

近年、セラミックチップ部品の小型化及び高容量化に伴い、セラミックチップ部品内に占める内部電極の体積率が高まっている。このため、磁石を用いた工程後にも内部電極の磁化の影響が残り、後の工程に影響を及ぼすことが懸念される。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、磁石を用いた工程後の作業効率を高めることが可能なセラミックチップ部品の処理方法、並びに当該処理方法を用いた積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品包装体の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るセラミックチップ部品の処理方法は、第１方向に積層され強磁性体を含む複数の内部電極と、前記第１方向に直交する第２方向に面し前記複数の内部電極が露出した側面とを有するセラミックチップ部品に対して磁場を作用させることにより、前記側面が所定の方向に向くように前記セラミックチップ部品を整列させ、整列後に、前記複数の内部電極を消磁し、整列後の前記セラミックチップ部品の前記側面にサイドマージン部を形成する工程を含む。

この構成では、複数の内部電極に磁場を作用させた後に、これらの内部電極を消磁する。これにより、セラミックチップ部品のサイズが小型化して内部電極が多層化し、セラミックチップ部品に占める内部電極の体積率が高まった場合でも、後の工程に内部電極の磁化の影響が残ることを防止することができる。したがって、消磁後の工程において、複数のセラミックチップ部品が連なって一体化するといった不具合が防止され、作業効率を高めることができる。

例えば、上記セラミックチップ部品に対して磁場を作用させることで、上記セラミックチップ部品を整列させ、
整列後に、上記複数の内部電極を消磁してもよい。
これにより、整列後の工程に、内部電極の磁化の影響が及ぶことを防止することができ、作業効率を高めることができる。

例えば、整列後の上記セラミックチップ部品の表面に外部電極を形成してもよい。

また、吸着面と、上記吸着面から磁場を作用させる磁石と、を有する搬送機構を用いて、上記セラミックチップ部品に磁力を作用させることで、上記吸着面に上記セラミックチップ部品を吸着させて上記セラミックチップ部品を搬送し、
搬送後に、上記複数の内部電極を消磁してもよい。
これにより、磁石の作用によって安定してセラミックチップ部品を搬送することができ、かつ、後の工程に内部電極の磁化の影響が及ぶことを防止でき、作業効率を高めることができる。

具体的には、内部電極パターンがそれぞれ形成された複数のセラミックシートを上記第１方向に積層することで、複数のセラミックチップ部品を作製するための積層シートを作製し、
支持シートによって支持された上記積層シートを切断して、上記支持シートによって相互に接続された状態の上記複数のセラミックチップ部品を含むチップ部品群を作製し、
上記搬送機構を用いて、上記複数のセラミックチップ部品に磁力を作用させることで、上記吸着面に上記チップ部品群を吸着させて搬送し、
搬送後に、上記複数の内部電極を消磁してもよい。

例えば上記複数の内部電極を消磁する工程では、非磁性体の容器に収容された上記セラミックチップ部品に対し、上記容器を挟んで消磁器から所定の磁場を作用させてもよい。
これにより、消磁中に、磁化されたセラミックチップ部品が消磁器に吸着する等の不具合を防止することができる。また、容器内に複数のセラミックチップ部品を収容した場合、これらに対して一括して消磁を行うことができる。

例えば、消磁した後に、上記セラミックチップ部品を焼成してもよい。

また、消磁した後に、整列した姿勢の上記セラミックチップ部品を収容したセラミックチップ部品包装体を得てもよい。
これにより、セラミックチップ部品包装体からセラミックチップ部品を取り出して実装に用いる場合に、各セラミックチップ部品を一定の姿勢で実装することができる。したがって、実装された各セラミックチップ部品の特性を均一化することができる。

消磁した後の上記複数の内部電極の残留磁束密度は、０．１ｍＴ以下であってもよい。
これにより、消磁後の工程に、内部電極の残留磁化の影響が及ぶことをより確実に防止できる。

本発明の他の実施形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、第１方向に積層され強磁性体を含む複数の内部電極と、前記第１方向に直交する第２方向に面し前記複数の内部電極が露出した側面とを有するセラミック素体を作製する工程を含む。
上記セラミック素体に対して磁場を作用させることにより、前記側面が所定の方向に向くように上記セラミック素体が整列される。
整列後の前記セラミック素体の前記側面にサイドマージン部が形成される。
整列後の上記セラミック素体の表面に外部電極が形成される。
上記複数の内部電極が消磁される。

本発明のさらに他の実施形態に係る積層セラミック電子部品包装体の製造方法は、第１方向に積層され強磁性体を含む複数の内部電極と、前記第１方向に直交する第２方向に面し前記複数の内部電極が露出した側面に形成されたサイドマージン部とを有するセラミック素体、及び上記セラミック素体の表面に形成された外部電極を有する積層セラミック電子部品を、上記の製造方法により作製する工程を含む。
上記積層セラミック電子部品に対して磁場を作用させることで、上記積層セラミック電子部品が整列される。
整列後に、上記複数の内部電極が消磁される。
消磁した後に、整列した姿勢の上記積層セラミック電子部品を収容した積層セラミック電子部品包装体が得られる。

以上のように、本発明によれば、磁石を用いた工程後の作業効率を高めることが可能なセラミックチップ部品の処理方法、並びに当該処理方法を用いた積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品包装体の製造方法を提供することができる。

本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＡ－Ａ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す側面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの比較例に係る製造過程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ包装体の平面図である。 上記積層セラミックコンデンサ包装体の図１５のＣ－Ｃ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサ包装体の製造方法を示すフローチャートである。 上記積層セラミックコンデンサ包装体の製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサ包装体の比較例に係る製造過程を示す斜視図である。 本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＤ－Ｄ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＥ－Ｅ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す側面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す断面図である。 本発明の第４実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 上記積層セラミックコンデンサの製造方法の変形例を示すフローチャートである。 本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 上記積層セラミックコンデンサの製造方法の変形例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、各実施形態のセラミックチップ部品に属する座標系を示す３軸である。

＜第１実施形態＞
［積層セラミックコンデンサ１０の全体構成］
図１～３は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ－Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＢ－Ｂ'線に沿った断面図である。

積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、２つの端面外部電極１４と、２つの側面外部電極１５と、を具備する３端子型の積層セラミックコンデンサである。

積層セラミックコンデンサ１０では、例えば、端面外部電極１４がスルー電極として構成され、側面外部電極１５がグランド電極として構成される。

セラミック素体１１は、Ｘ軸方向に面する２つの端面１１ａと、Ｙ軸方向に面する２つの側面１１ｂと、Ｚ軸方向に面する２つの主面１１ｃと、を有する。セラミック素体１１は、例えばＸ軸方向に長手を有している。セラミック素体１１の各面を接続する稜部は面取りされているが、これに限定されない。なお、図１では外部電極１４，１５に覆われたセラミック素体１１の構成を破線で示している。

セラミック素体１１のサイズとしては、例えば、Ｘ軸方向における寸法Ｌが１．０ｍｍ以下、Ｙ軸方向における寸法Ｗ及びＺ軸方向における寸法Ｔが０．５ｍｍ以下である。セラミック素体１１の各寸法は、各方向に沿って最も大きい部分の寸法とする。

端面外部電極１４は、Ｘ軸方向に相互に対向し、セラミック素体１１の端面１１ａを覆うように形成される。２つの端面外部電極１４は、いずれも後述する第１内部電極１２に接続され、同一の極性を有する。

側面外部電極１５は、Ｙ軸方向に相互に対向し、セラミック素体１１の側面１１ｂにそれぞれ設けられる。側面外部電極１５は、それぞれ一方の主面１１ｃから他方の主面１１ｃまでＺ軸方向に延びる帯状に形成される。２つの側面外部電極１５は、いずれも後述する第２内部電極１３に接続され、同一の極性を有するともに、端面外部電極１４とは異なる極性を有する。

外部電極１４，１５は、電気の良導体により形成されている。外部電極１４，１５を形成する電気の良導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。

セラミック素体１１は、積層部１６と、カバー部１７と、を有する。積層部１６は、内部電極１２，１３がセラミック層２０を介してＺ軸方向に交互に積層された構成を有する。内部電極１２，１３の実際の積層数は、例えば数十～数百層であるが、各図では模式的に示している。カバー部１７は、積層部１６のＺ軸方向上下面をそれぞれ覆っている。

第１内部電極１２は、セラミック素体１１のＸ軸方向全長にわたって延びる帯状に形成される。第１内部電極１２は、端面１１ａに引き出され、端面外部電極１４に接続される。

第２内部電極１３は、セラミック素体１１のＸ－Ｙ平面内の中央部に形成される。第２内部電極１３は、側面１１ｂに引き出され、側面外部電極１５に接続される。

このような構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、端面外部電極１４と側面外部電極１５の間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数のセラミック層２０に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、端面外部電極１４と側面外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

積層部１６のセラミック層２０は、容量を大きくするため、高誘電率の誘電体セラミックスにより形成される。高誘電率の誘電体セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が挙げられる。

なお、セラミック層２０は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）系、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）系、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３）系、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）系、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）系、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ_３）系、酸化チタン（ＴｉＯ_２）系などで構成してもよい。

カバー部１７も、誘電体セラミックスによって形成されている。カバー部１７を形成する材料は、絶縁性セラミックスであればよいが、セラミック層２０と同様の誘電体セラミックスを用いることによりセラミック素体１１における内部応力が抑制される。

内部電極１２，１３は、電気の良導体であって、強磁性体を含んでいる。内部電極１２，１３を形成する材料としては、例えばニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属又は合金が挙げられる。

［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図４は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図５～１４は積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を模式的に示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図４に沿って、図５～１４を適宜参照しながら説明する。

（ステップＳ１１：積層シート１０４作製）
ステップＳ１１では、内部電極パターン１１２ｐ，１１３ｐがそれぞれ形成された第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２と、第３セラミックシート１０３と、を積層することで、積層シート１０４を作製する。

図５に示すセラミックシート１０１，１０２，１０３は、誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。この段階では、セラミックシート１０１，１０２，１０３が、個片化されていない大判のシートとして構成される。図５には、各セラミック素体１１に個片化する際の切断線Ｌｘ，Ｌｙが示されている。切断線ＬｘはＸ軸に平行であり、切断線ＬｙはＹ軸に平行である。

第１セラミックシート１０１には、第１内部電極１２に対応する第１内部電極パターン１１２ｐが形成される。第２セラミックシート１０２には、第２内部電極１３に対応する第２内部電極パターン１１３ｐが形成される。各内部電極パターン１１２ｐ，１１３ｐは、切断線Ｌｘ及びＬｙで切断されることにより、各積層セラミックコンデンサ１０の内部電極１２，１３を形成する。

内部電極パターン１１２ｐ，１１３ｐは、印刷法等により、ニッケル等の強磁性体を主成分とする導電性ペーストをセラミックシート１０１，１０２に塗布することによって形成することができる。なお、第３セラミックシート１０３には、内部電極パターンが形成されていない。

積層シート１０４は、図５に示すようにセラミックシート１０１，１０２，１０３が積層され、一軸加圧法や静水圧加圧法等によって圧着されて作製される。具体的には、積層シート１０４では、第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２がＺ軸方向に交互に積層された積層体のＺ軸方向上下面に、第３セラミックシート１０３の積層体が配置される。セラミックシート１０１，１０２の積層体は、積層部１６に対応する。第３セラミックシート１０３の積層体は、カバー部１７に対応する。これらのセラミックシート１０１，１０２，１０３の積層数及び厚みは、適宜調整することができる。

（ステップＳ１２：切断）
ステップＳ１２では、ステップＳ１１で得られた積層シート１０４を切断し、未焼成のセラミック素体１１１を作製する。

図６Ａに示すように、積層シート１０４は、支持シートＳに貼り付けられた状態で、切断線Ｌｘ，Ｌｙ（図５参照）に沿って切断刃Ｐにより切断される。支持シートＳは、例えば粘着層と基材とを有するテープ等で構成される。

次に、図６Ｂに示すように、切断刃Ｐが支持シートＳに到達するまで切断刃ＰをＺ軸方向に移動させて、支持シートＳによって支持された積層シート１０４を切断する。このとき、支持シートＳには切断刃Ｐを貫通させず、支持シートＳが完全に切断されないようにする。

これにより、図６Ｃに示すように、支持シートＳによって相互に接続された状態の複数の未焼成のセラミック素体１１１を含むチップ部品群１０５が作製される。

図７に示すように、未焼成のセラミック素体１１１は、それぞれ、Ｘ軸方向に面した端面１１１ａと、Ｙ軸方向に面した側面１１１ｂと、Ｚ軸方向に面した主面１１１ｃと、Ｚ軸方向に積層された内部電極１１２，１１３と、を有する。端面１１１ａからは、第１内部電極１１２が露出しており、側面１１１ｂからは、第２内部電極１１３が露出している。未焼成のセラミック素体１１１は、本実施形態におけるセラミックチップ部品として構成される。以下の説明において、未焼成のセラミック素体１１１を、単に「セラミック素体１１１」とも称する。

なお、本発明のセラミックチップ部品は、平板状の内部電極とセラミック層とがＺ軸方向に交互に積層されているものと定義される。

（ステップＳ１３：チップ部品群１０５搬送）
ステップＳ１３では、ステップＳ１２で得られたチップ部品群１０５を搬送する。これにより、複数のセラミック素体１１１を一括して搬送でき、生産性を高めることができる。

図８に示すように、ステップＳ１３で用いる搬送装置Ｄは、例えば、吸着面Ｄ１と、複数の磁石Ｄ２と、を有する。吸着面Ｄ１は、図示しないポンプ機構に接続された複数の吸引孔Ｄ３を含み、例えばチップ部品群１０５のＺ軸方向に面した主面１１１ｃを吸着することができる。磁石Ｄ２は、吸着面Ｄ１における吸引力を補助するために設けられる。磁石Ｄ２の配置は、図示の例に限定されない。

磁石Ｄ２は、未焼成のセラミック素体１１１に磁場を作用させ、強磁性体を含む内部電極１１２，１１３を磁化させる。これにより、磁石Ｄ２と内部電極１１２，１１３との間に、磁場による引力が作用する。したがって、隣接するセラミック素体１１１間の隙間等によって吸引孔Ｄ３から十分な吸引力を及ぼすことができない場合でも、大判のチップ部品群１０５が、搬送装置Ｄによって安定的に搬送される。

（ステップＳ１４：消磁）
ステップＳ１４では、搬送された未焼成のセラミック素体１１１に対し、内部電極１１２，１１３を消磁する。

本ステップでは、まず、支持シートＳを剥離したセラミック素体１１１を、非磁性体の容器Ｅ等に収容する。これにより、各セラミック素体１１１が個片化される。容器Ｅは、複数のセラミック素体１１１を収容可能であり、かつ後述する消磁器Ｆによる磁力が十分に及ぶサイズのものを選択でき、一例として箱状に構成される。

図９は、容器Ｅにセラミック素体１１１を収容した直後の態様を模式的に示す図である。複数のセラミック素体１１１は、内部電極１１２，１１３が磁化されて分極した状態になったことに伴い、磁力によって相互に引き寄せられる。これにより、例えば複数のセラミック素体１１１が連なった状態となる。複数のセラミック素体１１１が連なった状態になると、後の工程で各セラミック素体１１１を個別に取り扱うことが難しくなり、作業効率の低下につながる。

そこで本実施形態では、図１０に示すように、個片化されたセラミック素体１１１の内部電極１１２，１１３を、消磁器Ｆを用いて消磁する。消磁器Ｆは、例えば、外部から交流磁場を作用させる磁場発生部Ｆ１を有し、内部電極１１２，１１３中の磁場を乱しながら、与える交流磁場を徐々に減衰させる。これにより、内部電極１１２，１１３の強磁性体材料が、当初の原子磁気モーメントの状態に落ち着き、消磁される。

本ステップの消磁は、非磁性体の容器Ｅに収容されたセラミック素体１１１に対し、容器Ｅを挟んで消磁器Ｆから所定の磁場を作用させる。具体的には、起動した状態の消磁器Ｆの磁場発生部Ｆ１を容器Ｅの外周に沿って移動させ、消磁を行う。これにより、磁場発生部Ｆ１とセラミック素体１１１との間に直接磁力が作用して磁場発生部Ｆ１にセラミック素体１１１が吸着する等の不具合を防止することができる。また、容器Ｅ中の複数のセラミック素体１１１を一括して消磁することができ、作業効率が高められる。

本ステップにより、複数のセラミック素体１１１の内部電極１１２，１１３の磁化を解消させ、相互に生じる磁力を低下させることができる。したがって、図１０に示すように、各セラミック素体１１１を十分に分散させ、個別に扱うことが可能となる。

消磁後のセラミック素体１１１の残留磁束密度は、例えば０．１ｍＴ以下であればよい。これにより、内部電極１１２，１１３を十分に消磁させ、後の工程における磁化の悪影響を確実に防止することができる。セラミック素体１１１の残留磁束密度は、例えば、テスラメータ、ガウスメータ等の測定器により測定することができる。

（ステップＳ１５：整列）
ステップＳ１５では、未焼成のセラミック素体１１１に対して磁場を作用させることで、複数の内部電極１１２，１１３を磁化させてセラミック素体１１１を整列させる。本ステップでは、セラミック素体１１１のＹ軸方向に面した側面１１１ｂが鉛直方向に向くように整列させる。

図１１は、本ステップを模式的に示す断面図である。まず、セラミック素体１１１を配置することが可能な凹部Ｇ１を有する冶具Ｇを準備する。冶具Ｇは、例えば非磁性体で構成される。冶具Ｇには、ポケット状の複数の凹部Ｇ１が配列されている。

続いて、冶具Ｇの凹部Ｇ１に、セラミック素体１１１を配置する。例えば、セラミック素体１１１は、各凹部Ｇ１に１個ずつ配置される。配置方法は特に限定されず、例えば、セラミック素体１１１を冶具Ｇ上にランダムに振り込み、冶具Ｇに振動又は傾斜の少なくとも一方を付与する。これにより、短時間で多くのセラミック素体１１１を凹部Ｇ１内に配置することができる。

セラミック素体１１１は、ステップＳ１４において消磁されている。これにより、複数の未焼成のセラミック素体１１１間に磁力が生じて相互に連なることが防止され、凹部Ｇ１に振り込む作業を円滑に行うことができる。

続いて、冶具Ｇ内の複数の未焼成のセラミック素体１１１を、磁石Ｇ３を用いて側面１１１ｂが鉛直方向を向くように整列させる。例えば、冶具Ｇの底面Ｇ２に沿って磁石Ｇ３を一定の方向に移動させる。これにより、各セラミック素体１１１の内部電極１１２，１１３に磁場が作用し、内部電極１１２，１１３が磁化される。そして、内部電極１１２，１１３に磁力が作用し、内部電極１１２，１１３が露出した側面１１１ｂが磁石Ｇ３に向かって回転する向きのモーメントを受ける。なお、整列前より側面１１１ｂが鉛直方向を向いていたセラミック素体１１１は、そのままの姿勢が維持される。

これにより、未焼成のセラミック素体１１１は、側面１１１ｂが鉛直方向を向いた姿勢で整列する。

（ステップＳ１６：消磁）
ステップＳ１６では、整列後の未焼成のセラミック素体１１１に対し、内部電極１１２，１１３を消磁する。本ステップは、ステップＳ１４の消磁と同様に、消磁器Ｆを用いて消磁することができる。

図１２は、本ステップを模式的に示す図である。本ステップでは、例えば消磁器Ｆを、ステップＳ１５の整列に用いた冶具Ｇの底面Ｇ２等の外周に沿って移動することにより、消磁を行うことができる。これにより、セラミック素体１１１に対し、非磁性体の容器としての冶具Ｇを挟んで所定の磁場を作用させ消磁することができ、磁力によってセラミック素体１１１が消磁器Ｆに吸着することを防止することができる。また、冶具Ｇ内に配置された複数のセラミック素体１１１全体を万遍なく消磁することができる。

本ステップにおいても、消磁後のセラミック素体１１１の残留磁束密度は、例えば０．１ｍＴ以下であればよい。これにより、内部電極１１２，１１３を十分に消磁させ、後の工程における磁化の悪影響を確実に防止することができる。

（ステップＳ１７：側面外部電極１５形成）
ステップＳ１７では、整列後のセラミック素体１１１の側面１１１ｂに未焼成の側面外部電極１５を形成する。未焼成の側面外部電極１５は、例えば側面１１１ｂに導電性ペーストを塗布することにより形成される。導電性ペーストの塗布は、例えば印刷法等により行われる。本ステップは、例えば、冶具Ｇによって整列したセラミック素体１１１を、整列後の姿勢を維持したまま他の冶具やテープ等に移し替えて行われる。

（ステップＳ１８：端面外部電極１４形成）
ステップＳ１８では、セラミック素体１１１に未焼成の端面外部電極１４を形成する。端面外部電極１４は、例えば、セラミック素体１１１の端面１１１ａに導電性ペーストを塗布することにより形成される。

図１３は、本ステップを模式的に示す図である。まず、冶具Ｈの凹部Ｈ１内に各セラミック素体１１１を配置し、端面１１１ａが一定の方向を向くようにセラミック素体１１１を整列させる。セラミック素体１１１はＸ軸方向に長手を有するため、端面１１１ａよりも側面１１１ｂ及び主面１１１ｃの面積の方が大きい。このことを利用して、凹部Ｈ１の開口Ｈ１１は、端面１１１ａが挿入可能であり、かつ、側面１１１ｂ及び主面１１１ｃが挿入不可能なサイズで構成される。これにより、各セラミック素体１１１は、端面１１１ａを開口Ｈ１１側に向けた姿勢で、凹部Ｈ１に配置される。

仮にステップＳ１６の消磁を行わなかった場合、セラミック素体１１１を凹部Ｈ１に振り込む際に、図１４に示すように、内部電極１１２，１１３の磁化の影響によって複数のセラミック素体１１１同士が連なる。これにより、セラミック素体１１１を１個ずつ凹部Ｈ１に挿入することができなくなる。このため、セラミック素体１１１同士を引き離してから凹部Ｈ１に挿入する作業が必要となり、作業効率が低下する。

本実施形態では、ステップＳ１８の前に、ステップＳ１６において内部電極１１２，１１３の消磁を行う。これにより、複数のセラミック素体１１１が分離した状態を維持でき、セラミック素体１１１を凹部Ｈ１に円滑に挿入することができる。したがって、本ステップにおける作業効率が高められる。

冶具Ｈによって整列したセラミック素体１１１は、例えば他の冶具やテープ等に移し替えられて、端面１１１ａに導電性ペーストが塗布される。導電性ペーストの塗布は、例えばディップ法や印刷法等により行われる。これにより、未焼成の積層セラミックコンデンサ１０が作製される。

（ステップＳ１９：焼成）
ステップＳ１９では、ステップＳ１８で得られた未焼成の積層セラミックコンデンサを焼結させる。焼成は、例えば、還元雰囲気、又は低酸素分圧雰囲気で行うことができる。本実施形態では、セラミック素体１１１の焼結と外部電極１４，１５の焼き付けとを同時に行うことができる。

以上のように、図１～３に示す積層セラミックコンデンサ１０が作製される。

本実施形態では、ステップＳ１５の整列工程で磁石Ｇ３を用いた場合でも、その後のステップＳ１６において内部電極１１２，１１３が消磁される。また、ステップＳ１３の搬送工程で磁石Ｄ２を用いた場合でも、その後のステップＳ１４において内部電極１１２，１１３が消磁される。これにより、セラミック素体１１１に占める内部電極１１２，１１３の体積率が高い場合であっても、後のステップに内部電極１１２，１１３の磁化の影響が及ぶことを防止でき、作業の効率化を図ることができる。

＜第２実施形態＞
磁力を用いた整列工程は、例えば積層セラミックコンデンサ１０の包装体１００を作製する場合にも行われることがある。そこで、本実施形態では、本発明の処理方法を用いた包装体１００の製造方法について説明する。なお、本実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、説明を省略する。

［積層セラミックコンデンサ１０の包装体１００の構成］
図１５は、積層セラミックコンデンサ１０の包装体１００の平面図である。図１６は、包装体１００の図１５のＣ－Ｃ'線に沿った断面図である。

なお、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、第１実施形態と同様の３端子型の例を示すが、これに限られず、２端子型、他端子型等の任意の構成を採り得る。

図１５及び図１６に示すように、包装体１００は、収容部１１０と、封止部１２０と、積層セラミックコンデンサ１０と、を備える。包装体１００は、全体として一方向に延びるように構成される。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、内部電極１２，１３が積層されたセラミックチップ部品として構成される。

収容部１１０は、例えばキャリアテープとして構成される。収容部１１０は、包装体１００の長手方向に沿って間隔をあけて配置された複数の凹部１３０を有する。各凹部１３０には、積層セラミックコンデンサ１０が１個ずつ収容される。

各積層セラミックコンデンサ１０は、本実施形態において、凹部１３０に一定の姿勢で配置されている。一例として、各積層セラミックコンデンサ１０は、Ｚ軸方向に面した主面１１ｃが凹部１３０の開口１３０ａを向いた姿勢で配置されている。

封止部１２０は、凹部１３０の開口１３０ａを封止する。封止部１２０は、例えばカバーテープとして構成される。

［積層セラミックコンデンサ１０の包装体１００の製造方法］
図１７は、積層セラミックコンデンサ包装体（包装体）１００の製造方法を示すフローチャートである。図１８及び１９は包装体１００の製造過程を模式的に示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図１７に沿って、図１８及び１９を適宜参照しながら説明する。
（ステップＳ２１：積層セラミックコンデンサ１０の搬送）
ステップＳ２１では、作製された積層セラミックコンデンサ１０を搬送装置Ｊによって搬送する。

図１８は、搬送装置Ｊを模式的に示す斜視図である。搬送装置Ｊは、例えば、積層セラミックコンデンサ１０を搬送するための搬送路Ｊ１と、搬送路Ｊ１を駆動するための図示しない駆動機構と、を有する。

搬送路Ｊ１は、例えば底面Ｊ１１と、底面Ｊ１１を挟んで対向する一対の側壁Ｊ１２と、を有し、上記駆動機構によって、所定の搬送方向Ｋに底面Ｊ１１が移動することが可能に構成される。搬送路Ｊ１は、積層セラミックコンデンサ１０に対して振動又は傾斜を与えることが可能に構成されてもよい。搬送路Ｊ１は、図１８に示すように直線状でもよいし、少なくとも一部が曲線状に構成されてもよい。

搬送路Ｊ１は、上流側において、複数の積層セラミックコンデンサ１０が収容された図示しない容器に接続される。搬送路Ｊ１には、当該容器から、積層セラミックコンデンサ１０が適宜供給される。

搬送路Ｊ１は、例えば、一対の側壁Ｊ１２間が、積層セラミックコンデンサ１０の長手方向における寸法（Ｘ軸方向における寸法）よりも短い距離で対向するように構成される。これにより、搬送路Ｊ１は、搬送方向と積層セラミックコンデンサ１０のＸ軸方向とがほぼ一致するように構成される。但し、搬送路Ｊ１によって搬送されている積層セラミックコンデンサ１０の姿勢は、側面１１ｂが底面Ｊ１１に面する場合と主面１１ｃが底面Ｊ１１に面する場合とがあり、一定ではない。

（ステップＳ２２：整列）
ステップＳ２２では、搬送されている積層セラミックコンデンサ１０を一定の姿勢に整列させる。本実施形態では、積層セラミックコンデンサ１０に磁場を作用させることで、複数の内部電極１２，１３を磁化させて、積層セラミックコンデンサ１０を整列させる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０を一定の姿勢で包装することができ、包装体１００から取り出して一定の姿勢で実装させることができる。したがって、実装後の複数の積層セラミックコンデンサ１０における特性を均一化することができる。

図１８に示すように、搬送装置Ｊは、さらに、磁場発生部Ｊ２を備える。磁場発生部Ｊ２は、例えば、搬送路Ｊ１の側壁Ｊ１２に面して配置される。磁場発生部Ｊ２は、例えば永久磁石で構成されてもよいし、電磁石等で構成されてもよい。

磁場発生部Ｊ２は、搬送路Ｊ１上に所定の磁場を形成する。これにより、搬送路Ｊ１上を搬送方向Ｋに移動する各積層セラミックコンデンサ１０の内部電極１２，１３に磁場が作用し、内部電極１２，１３が磁化される。その結果、内部電極１２，１３に磁力が作用し、側面１１ｂが磁場発生部Ｊ２（側壁Ｊ１２）に向かって回転する向きのモーメントを受ける。

したがって、磁場発生部Ｊ２を通過した積層セラミックコンデンサ１０は、側面１１ｂが側壁Ｊ１２に面し、主面１１ｃが底面Ｊ１１に面する姿勢となる。なお、整列前より主面１１ｃが底面Ｊ１１に面する姿勢の積層セラミックコンデンサ１０は、その姿勢が維持される。

あるいは、磁場発生部Ｊ２を搬送路Ｊ１の底面Ｊ１１に面する位置に配置することで、積層セラミックコンデンサ１０を、側面１１ｂが底面Ｊ１１に面する姿勢に整列させることも可能である。

（ステップＳ２３：消磁）
ステップＳ２３では、整列後の積層セラミックコンデンサ１０に対し、内部電極１２，１３を消磁する。

図１８に示すように、搬送装置Ｊは、さらに、消磁部Ｊ３を備える。消磁部Ｊ３は、磁場発生部Ｊ２の搬送方向Ｋの下流に配置される。消磁部Ｊ３は、交流磁場を発生させる消磁器として構成され、搬送路Ｊ１上の積層セラミックコンデンサ１０の内部電極１２，１３を消磁することが可能に構成される。

消磁部Ｊ３は、搬送路Ｊ１の底面Ｊ１１の上方から磁場を発生させるように構成されてもよいし、側壁Ｊ１２側から磁場を発生させるように構成されてもよい。

消磁部Ｊ３は、磁場発生部Ｊ２の影響を受けない位置に配置され、例えば、磁場発生部Ｊ２による磁束密度が０．１ｍＴ以下となる位置に配置される。これにより、消磁部Ｊ３による消磁作用を確実に発揮させることができる。

本ステップにおいても、消磁後の積層セラミックコンデンサ１０の残留磁束密度は、例えば０．１ｍＴ以下であればよい。これにより、内部電極１２，１３を十分に消磁させ、後の工程における磁化の悪影響をより確実に防止することができる。

（ステップＳ２４：包装体１００の作製）
ステップＳ２４では、整列された姿勢の積層セラミックコンデンサ１０が、搬送路Ｊ１から収容部１１０の凹部１３０に収容される。そして、開口１３０ａが封止部１２０によって封止されることで、積層セラミックコンデンサ１０の包装体１００が作製される。

図１９は、本実施形態の比較例に係る搬送装置Ｊ'を示す図である。搬送装置Ｊ'は、搬送装置Ｊと同様の搬送路Ｊ１及び磁場発生部Ｊ２を有するが、消磁部Ｊ３を有さない。このため、磁場発生部Ｊ２による整列後に、搬送方向Ｋに隣接する積層セラミックコンデンサ１０の磁化された内部電極１２，１３間に引力が作用することがある。これにより、搬送方向Ｋに隣接する積層セラミックコンデンサ１０同士が連なって一体化し、包装体１００の凹部１３０に積層セラミックコンデンサ１０を１個ずつ収容する作業が難しくなる。

本実施形態では、磁場発生部Ｊ２による整列後に消磁を行うことにより、複数の積層セラミックコンデンサ１０が連なった状態で搬送されることを防止できる。これにより、包装体１００の各凹部１３０に、積層セラミックコンデンサ１０を１個ずつ収容することが容易になる。したがって、包装体１００の作製工程の作業効率を高めることができる。

＜第３実施形態＞
上述の第１実施形態では、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程における磁力を用いた整列工程として、側面外部電極１５の形成前の整列工程を例示した。一方で、同様の整列工程は、２端子型の積層セラミックコンデンサ３０において、サイドマージン部を後付けする場合の整列工程にも適用することができる。なお、本実施形態において、第１実施形態と同様の構成については、同一又は対応する符号を付して、詳細な説明を省略する。

［積層セラミックコンデンサ３０の構成］
図２０～２２は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサ３０を示す図である。図２０は、積層セラミックコンデンサ３０の斜視図である。図２１は、積層セラミックコンデンサ３０の図１６のＤ－Ｄ'線に沿った断面図である。図２２は、積層セラミックコンデンサ３０の図１６のＥ－Ｅ'線に沿った断面図である。

積層セラミックコンデンサ３０は、セラミック素体３１と、２つの外部電極３４と、を備えた２端子型の積層セラミックコンデンサである。外部電極３４は、第１実施形態の端面外部電極１４と同様に、Ｘ軸方向に相互に対向し、Ｘ軸方向における端面を覆うように構成される。

セラミック素体３１は、積層チップ３８と、サイドマージン部３９と、を有する。積層チップ３８は、内部電極３２，３３がセラミック層４０を介してＺ軸方向に交互に積層された容量形成部３６と、容量形成部３６をＺ軸方向から覆うカバー部３７と、を有する。サイドマージン部３９は、積層チップ３８をＹ軸方向からそれぞれ覆っている。

第１内部電極３２は、積層チップ３８の一方のＸ軸方向端面に引き出される。第２内部電極３３は、積層チップ３８の他方のＸ軸方向端面に引き出される。これにより、内部電極３２，３３がそれぞれ異なる外部電極３４に接続されている。

サイドマージン部３９及びカバー部３７は、絶縁性セラミックスによって形成され、積層チップ３８の絶縁性を確保し、かつ保護する機能を有する。サイドマージン部３９及びカバー部３７は、例えば容量形成部３６のセラミック層４０と同様の誘電体セラミックスで構成される。

［積層セラミックコンデンサ３０の製造方法］
図２３は、積層セラミックコンデンサ３０の製造方法を示すフローチャートである。図２４～２７は積層セラミックコンデンサ３０の製造過程を模式的に示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ３０の製造方法について、図２３に沿って、図２４～２７を適宜参照しながら説明する。

（ステップＳ３１：積層シート３０４作製）
ステップＳ３１では、内部電極パターン３１２ｐ，３１３ｐがそれぞれ形成された第１セラミックシート３０１及び第２セラミックシート３０２と、第３セラミックシート３０３と、を積層することで、積層シート３０４を作製する。

図２４に示すように、第１セラミックシート３０１には、Ｙ軸方向に延びる帯状の第１内部電極パターン３１２ｐが形成される。第２セラミックシート３０２には、Ｙ軸方向に延びる帯状の第２内部電極パターン３１３ｐが形成される。内部電極パターン３１２ｐ，３１３ｐは、切断線Ｌｘ及びＬｙで切断されることにより、各積層セラミックコンデンサ３０の内部電極３２，３３を形成する。

これらのセラミックシート３０１，３０２，３０３は、第１実施形態と同様に積層され、圧着されることで、積層シート３０４を形成する。

（ステップＳ３２：切断）
ステップＳ３２では、ステップＳ３１で得られた積層シート３０４を切断し、未焼成の積層チップ３１８を作製する。本ステップでは、積層シート３０４に支持シートＳを貼り付け、第１実施形態と同様に、切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って積層シート３０４を切断する。

これにより、図２５に示すように、支持シートＳによって相互に接続された状態の複数の未焼成の積層チップ３１８を含むチップ部品群３０５が作製される。

図２６に示すように、未焼成の積層チップ３１８は、内部電極３１２，３１３がＺ軸方向に積層され、本実施形態のセラミックチップ部品として構成される。積層チップ３１８は、内部電極３１２，３１３の双方が露出し、Ｙ軸方向に面した側面３１８ｂを有する。以下の説明において、未焼成の積層チップ３１８を、単に「積層チップ３１８」とも称する。

（ステップＳ３３：チップ部品群３０５搬送）
ステップＳ３３では、ステップＳ３２で得られたチップ部品群３０５を、第１実施形態のステップＳ１３と同様に、搬送装置Ｄを用いて搬送する。これにより、内部電極３１２，３１３が搬送装置Ｄの磁石Ｄ２の作用を受けて磁化される。

（ステップＳ３４：消磁）
ステップＳ３４では、搬送された未焼成の積層チップ３１８に対し、第１実施形態のステップＳ１４と同様に、内部電極３１２，３１３を消磁する。

（ステップＳ３５：整列）
ステップＳ３５では、未焼成の積層チップ３１８に対して磁場を作用させることで、複数の内部電極３１２，３１３を磁化させて積層チップ３１８を整列させる。本ステップでは、積層チップ３１８の側面３１１ｂが鉛直方向に向くように整列させる。

本ステップでは、第１実施形態のステップＳ１５で用いたものと同様の冶具Ｇ及び磁石Ｇ３を用いて、積層チップ３１８を整列させることができる。これにより、積層チップ３１８は、側面３１８ｂが鉛直方向を向いた姿勢で整列する。

（ステップＳ３６：消磁）
ステップＳ３６では、整列後の内部電極３１２，３１３に対して、ステップＳ１６と同様に消磁する。本ステップは、ステップＳ１４及びＳ１６の消磁と同様に、消磁器を用いて消磁することができる。

（ステップＳ３７：サイドマージン部３１９形成）
ステップＳ３７では、積層チップ３１８の側面３１８ｂに未焼成のサイドマージン部３１９を形成する。

本ステップでは、図２７Ａに示すように、整列された姿勢の積層チップ３１８が、テープ等の支持部材Ｍによって支持される。これにより、一方の側面３１８ｂが支持部材Ｍによって支持され、他方の側面３１８ｂが開放された状態となる。

そして、図２７Ｂに示すように、開放された側面３１８ｂに未焼成のサイドマージン部３１９が形成される。サイドマージン部３１９は、例えば、セラミックグリーンシートの側面３１８ｂへの貼り付けや、側面３１８ｂにおけるセラミックペーストの塗布等によって形成される。

他方の側面３１８ｂに対しても、同様にサイドマージン部３１９を形成することができる。これにより、未焼成のセラミック素体３１が作製される。

（ステップＳ３８：外部電極３４形成）
ステップＳ３８では、未焼成のセラミック素体３１のＸ軸方向に面した端面に、未焼成の外部電極３４を形成する。外部電極３４は、第１実施形態の端面外部電極１４と同様に、例えば、導電性ペーストを塗布することにより形成される。これにより、未焼成の積層セラミックコンデンサ３０が作製される。

本ステップでも、第１実施形態のステップＳ１８と同様の冶具を用いてセラミック素体を整列させた後、導電性ペーストの塗布を行うことができる。すなわち、冶具は、Ｘ軸方向に面した端面が挿入可能であり、かつ、Ｙ軸方向に面した側面及びＺ軸方向に面した主面が挿入不可能なサイズの開口を有する凹部を備える。各セラミック素体は、端面を開口に向けた姿勢で、凹部に配置される。

本実施形態では、ステップＳ３８の前に、ステップＳ３６で内部電極３１２，３１３の消磁を行う。これにより、複数のセラミック素体３１が磁力によって連なって凹部に挿入できない、といった不具合を防止することができる。

（ステップＳ３９：焼成）
ステップＳ３９では、ステップＳ１９と同様に、ステップＳ３８で得られた未焼成の積層セラミックコンデンサ３０を焼結させる。
以上により、図２０～２２に示す積層セラミックコンデンサ３０が作製される。

本実施形態では、ステップＳ３５の整列工程で磁石Ｇ３を用いた場合でも、その後のステップＳ３６において内部電極３１２，３１３が消磁される。また、ステップＳ３３の搬送工程で磁石Ｄ２を用いた場合でも、その後のステップＳ３４において内部電極３１２，３１３が消磁される。これにより、積層チップ３１８に占める内部電極３１２，３１３の体積率が高い場合であっても、後のステップに内部電極３１２，３１３の磁化の影響が残ることを防止でき、作業効率を高めることができる。

＜第４実施形態＞
第１実施形態では、ステップＳ１３のチップ部品群１０５の搬送工程に磁石Ｄ２を用いると説明したが、磁石を用いなくてもよい。この場合、ステップＳ１４の消磁工程が不要となり、図２８に示すような製造工程となる。すなわち、ステップＳ１３のチップ部品群１０５の搬送工程後に、ステップＳ１５の整列工程が行われる。

なお、第３実施形態においても、ステップＳ３３のチップ部品群３０５の搬送に磁石を用いない場合は、ステップＳ３４の消磁工程が不要となり、図２９に示すような製造工程となる。すなわち、ステップＳ３３のチップ部品群１０５の搬送工程後に、ステップＳ３５の整列工程が行われる。

＜第５実施形態＞
消磁工程は、上述の各実施形態のタイミングに限定されず、少なくとも内部電極の磁化の影響が懸念される工程の前に行われればよい。

例えば、図３０に示すように、ステップＳ１６の消磁工程は、ステップＳ１７の側面外部電極の形成工程の後であって、ステップＳ１８の端面外部電極の形成工程の前に行われてもよい。

同様に、図３１に示すように、ステップＳ３６の消磁工程は、ステップＳ３７のサイドマージン部形成工程の後であって、ステップＳ３８の外部電極の形成工程の前に行われてもよい。

以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば本発明の実施形態は各実施形態を組み合わせた実施形態とすることができる。

上述の各実施形態では、内部電極を磁化させる工程として、外部電極形成前の整列工程、搬送工程、包装体作製前の整列工程、サイドマージン部形成前の整列工程を示したが、これに限定されない。例えば、他の内部電極を磁化させる工程として、内部電極の配置のずれや、短絡の有無、耐環境性等を検査する前の整列工程等を挙げることができる。この場合も、整列後に内部電極の消磁工程を行うことで、後の工程における作業効率を高めることができる。

上記実施形態では積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、本発明はセラミック層と内部電極とが積層された積層セラミック電子部品全般に適用可能である。このような積層セラミック電子部品としては、例えば、圧電素子、積層セラミックインダクタなどが挙げられる。

１０，３０…積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子部品、セラミックチップ部品）
１１，１１１，３１，３１１…セラミック素体（セラミックチップ部品）
１２，１３，１１２，１１３，３１，３２，３１２，３１３…内部電極
３８，３１８…積層チップ（セラミックチップ部品）
１００…包装体（積層セラミック電子部品包装体）

Claims (10)

1. 第１方向に積層され強磁性体を含む複数の内部電極と、前記第１方向に直交する第２方向に面し前記複数の内部電極が露出した側面とを有するセラミックチップ部品に対して磁場を作用させることにより、前記側面が所定の方向に向くように前記セラミックチップ部品を整列させ、
   整列後に、前記複数の内部電極を消磁し、
   整列後の前記セラミックチップ部品の前記側面にサイドマージン部を形成する
   セラミックチップ部品の処理方法。
2. 請求項１に記載のセラミックチップ部品の処理方法であって、
   整列後の前記セラミックチップ部品の表面に外部電極を形成する
   セラミックチップ部品の処理方法。
3. 請求項１または２に記載のセラミックチップ部品の処理方法であって、
   吸着面と、前記吸着面から磁場を作用させる磁石と、を有する搬送機構を用いて、前記セラミックチップ部品に磁力を作用させることで、前記吸着面に前記セラミックチップ部品を吸着させて前記セラミックチップ部品を搬送し、
   搬送後に、前記複数の内部電極を消磁する
   セラミックチップ部品の処理方法。
4. 請求項３に記載のセラミックチップ部品の処理方法であって、
   内部電極パターンがそれぞれ形成された複数のセラミックシートを前記第１方向に積層することで、複数のセラミックチップ部品を作製するための積層シートを作製し、
   支持シートによって支持された前記積層シートを切断して、前記支持シートによって相互に接続された状態の前記複数のセラミックチップ部品を含むチップ部品群を作製し、
   前記搬送機構を用いて、前記複数のセラミックチップ部品に磁力を作用させることで、前記吸着面に前記チップ部品群を吸着させて搬送し、
   搬送後に、前記複数の内部電極を消磁する
   セラミックチップ部品の処理方法。
5. 請求項１から４のうちいずれか一項に記載のセラミックチップ部品の処理方法であって、
   前記複数の内部電極を消磁する工程では、非磁性体の容器に収容された前記セラミックチップ部品に対し、前記容器を挟んで消磁器から所定の磁場を作用させる
   セラミックチップ部品の処理方法。
6. 請求項１から５のうちいずれか一項に記載のセラミックチップ部品の処理方法であって、
   消磁した後に、前記セラミックチップ部品を焼成する
   セラミックチップ部品の処理方法。
7. 請求項１に記載のセラミックチップ部品の処理方法であって、
   消磁した後に、整列した姿勢の前記セラミックチップ部品を収容したセラミックチップ部品包装体を得る
   セラミックチップ部品の処理方法。
8. 請求項１から７のうちいずれか一項に記載のセラミックチップ部品の処理方法であって、
   消磁した後の前記複数の内部電極の残留磁束密度は、０．１ｍＴ以下である
   セラミックチップ部品の処理方法。
9. 第１方向に積層され強磁性体を含む複数の内部電極と、前記第１方向に直交する第２方向に面し前記複数の内部電極が露出した側面とを有するセラミック素体を作製し、
   前記セラミック素体に対して磁場を作用させることにより、前記側面が所定の方向に向くように前記セラミック素体を整列させ、
   整列後の前記セラミック素体の前記側面にサイドマージン部を形成し、
   整列後の前記セラミック素体の表面に外部電極を形成し、
   前記複数の内部電極を消磁する
   積層セラミック電子部品の製造方法。
10. 第１方向に積層され強磁性体を含む複数の内部電極と、前記第１方向に直交する第２方向に面し前記複数の内部電極が露出した側面に形成されたサイドマージン部とを有するセラミック素体、及び前記セラミック素体の表面に形成された外部電極を有する積層セラミック電子部品を、請求項９に記載の積層セラミック電子部品の製造方法により作製し、
    前記積層セラミック電子部品に対して磁場を作用させることで、前記積層セラミック電子部品を整列させ、
    整列後に、前記複数の内部電極を消磁し、
    消磁した後に、整列した姿勢の前記積層セラミック電子部品を収容した積層セラミック電子部品包装体を得る
    積層セラミック電子部品包装体の製造方法。
    

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