TWI803548B - 積層陶瓷電子零件、積層陶瓷電子零件安裝基板及積層陶瓷電子零件包裝體以及積層陶瓷電子零件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種不增大於電路基板內佔據之安裝面積便可提高電氣特性之積層陶瓷電子零件等。 本發明之一形態之積層陶瓷電子零件具備陶瓷坯體及一對外部電極。上述陶瓷坯體具有於第1方向上積層之複數個內部電極、及包含朝向上述第1方向之中央區域之一對主面。上述一對外部電極連接於上述複數個內部電極,於與上述第1方向正交之第2方向上相互對向。上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸為與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下。上述中央區域形成於上述一對主面之至少一者之上述第2方向中央部。

Description

積層陶瓷電子零件、積層陶瓷電子零件安裝基板及積層陶瓷電子零件包裝體以及積層陶瓷電子零件之製造方法
本發明係關於一種積層陶瓷電容器等積層陶瓷電子零件、安裝有該積層陶瓷電子零件之積層陶瓷電子零件安裝基板及積層陶瓷電子零件包裝體、以及積層陶瓷電子零件之製造方法。
自先前以來,已知有複數個內部電極積層於陶瓷坯體內之積層陶瓷電容器等積層陶瓷電子零件。積層陶瓷電子零件安裝於攜帶型資訊終端、及其他電子機器之電路基板,而被廣泛使用。
專利文獻1中記載有將收容於包裝體之積層陶瓷電容器安裝至電路基板之方法。具體而言,自將積層陶瓷電容器以使其內部電極朝向固定方向之方式整齊排列而收容於複數個收容部之包裝體撕掉覆帶,藉由吸附嘴逐個吸附保持該電容器,而將該電容器搭載於電路基板表面之特定位置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-99589號公報(段落[0031]、圖6等)
[發明所欲解決之問題]
近年來,攜帶型資訊終端等電子機器之小型化進一步發展,電路基板上之陶瓷電子零件之安裝面積受到限制。另一方面,人們亦在追求積層陶瓷電容器之高電容化等積層陶瓷電子零件之電氣特性之提高。
鑒於以上所述情形,本發明之目的在於:提供一種不增大於電路基板內佔據之安裝面積便可提高電氣特性之積層陶瓷電子零件、積層陶瓷電子零件安裝基板及積層陶瓷電子零件包裝體、以及積層陶瓷電子零件之製造方法。 [解決問題之技術手段]
為了達成上述目的,本發明之一形態之積層陶瓷電子零件具備陶瓷坯體及一對外部電極。 上述陶瓷坯體具有於第1方向上積層之複數個內部電極、及包含朝向上述第1方向之中央區域之一對主面。 上述一對外部電極連接於上述複數個內部電極,於與上述第1方向正交之第2方向上相互對向。 上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸為與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下。 上述中央區域形成於上述一對主面之至少一者之上述第2方向中央部。
根據該構成,可於維持主面之面積之狀態下增加高度而構成上述陶瓷坯體,從而可增加內部電極之積層數。因此,能實現不增大於電路基板內佔據之安裝面積便可提高電氣特性之積層陶瓷電子零件。 進而,上述陶瓷坯體於一對主面之至少一者之第2方向中央部形成有中央區域。藉此,安裝時用以移載積層陶瓷電子零件之吸附嘴可與中央區域密接,從而可穩定保持中央區域。因此,可防止積層陶瓷電子零件安裝時之異常。
上述中央區域之上述第3方向之尺寸可為上述陶瓷坯體之上述第3方向之尺寸之80%以上且未達100%。 上述中央區域可為平坦區域。
藉此,可進一步提高積層陶瓷電子零件安裝時之吸附穩定性,更確實地防止異常。
本發明之另一形態之積層陶瓷電子零件安裝基板具備電路基板及積層陶瓷電子零件。 上述積層陶瓷電子零件具有陶瓷坯體及一對外部電極,且經由上述一對外部電極安裝於上述電路基板。 上述陶瓷坯體具有於第1方向積層之複數個內部電極、及包含朝向上述第1方向之中央區域之一對主面。 上述一對外部電極連接於上述複數個內部電極,於與上述第1方向正交之第2方向上相互對向。 上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸為與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下。 上述中央區域形成於上述一對主面之至少一者之上述第2方向中央部。 上述積層陶瓷電子零件以上述中央區域朝向上述第1方向外側之方式安裝於上述電路基板。
上述積層陶瓷電子零件係以中央區域被吸附嘴於第1方向上吸附之狀態,載置於電路基板上。因此,於上述積層陶瓷電子零件安裝基板中,以中央區域朝向上述第1方向外側之方式將積層陶瓷電子零件安裝於上述電路基板。
本發明之又一形態之積層陶瓷電子零件包裝體具備積層陶瓷電子零件、收容部及密封部。 上述積層陶瓷電子零件具有陶瓷坯體及一對外部電極,且經由上述一對外部電極安裝於電路基板。 上述陶瓷坯體具有於第1方向上積層之複數個內部電極、及包含朝向上述第1方向之中央區域之一對主面。 上述一對外部電極連接於上述複數個內部電極,於與上述第1方向正交之第2方向上相互對向。 上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸為與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下。 上述中央區域形成於上述一對主面之至少一者之上述第2方向中央部。 上述收容部具有收容上述積層陶瓷電子零件,且形成有取出口之凹部。 上述密封部覆蓋上述凹部之上述取出口。 上述積層陶瓷電子零件以將上述中央區域朝向上述取出口側之方式收容於上述凹部。
根據該構成,若剝離密封部,則中央區域自取出口露出。因此,不改變積層陶瓷電子零件之姿勢,便可使上述吸附嘴與中央區域密接,從而順利進行安裝。
本發明之又一形態之積層陶瓷電子零件之製造方法包含如下製程: 於未焙燒之陶瓷片材上,形成特定厚度之內部電極圖案。 於上述陶瓷片材中之上述內部電極圖案周圍之非電極形成區域上,以佔據面向上述非電極形成區域之上述特定厚度之空間部之75%以上且未達100%之方式,形成介電圖案。 藉由將形成有上述內部電極圖案及上述介電圖案之上述陶瓷片材於第1方向上積層,而形成陶瓷坯體,上述陶瓷坯體具有於上述第1方向上積層之複數個內部電極,且上述第1方向之尺寸為與上述第1方向正交之第2方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下。 形成一對外部電極,上述一對外部電極連接於上述複數個內部電極,且於與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向上相互對向。
藉此,於各陶瓷片材上不僅形成有內部電極圖案,亦形成有介電圖案。藉由以佔據上述空間部之75%以上之方式形成介電圖案,可防止積層之陶瓷片材下沉至內部電極圖案與介電圖案之間之間隙。藉此,於積層有多個陶瓷片材之陶瓷坯體中,亦可抑制每個區域之高度尺寸之偏差,從而於主面之至少一者形成中央區域。又,藉由使介電圖案未達上述空間部之100%,可防止介電圖案相對於內部電極圖案稍有偏移之情形時,介電圖案重疊於內部電極圖案上。藉此,亦可抑制陶瓷坯體之高度尺寸之偏差,而形成上述中央區域。 [發明之效果]
如上所述,根據本發明,能提供一種不增大於電路基板內佔據之安裝面積便可提高電氣特性之積層陶瓷電子零件、積層陶瓷電子零件安裝基板及積層陶瓷電子零件包裝體、以及積層陶瓷電子零件之製造方法。
以下,一面參照圖式,一面對本發明之實施形態進行說明。 於圖式中,適當示出相互正交之X軸、Y軸及Z軸。X軸、Y軸及Z軸於全部圖式中均共通。
1.積層陶瓷電容器10之基本構成 圖1~3係表示本發明之一實施形態之積層陶瓷電容器10之圖。圖1係積層陶瓷電容器10之立體圖。圖2係積層陶瓷電容器10之沿著圖1之A-A'線之剖視圖。圖3係積層陶瓷電容器10之沿著圖1之B-B'線之剖視圖。
積層陶瓷電容器10具備陶瓷坯體11、第1外部電極14及第2外部電極15。
典型而言,陶瓷坯體11具有朝向X軸方向之2個端面11a、11b、朝向Y軸方向之2個側面11c、11d、及朝向Z軸方向之2個主面11e、11f。連接陶瓷坯體11之各面之稜部被倒角。 再者,陶瓷坯體11之形狀不限定於上述形狀。即,陶瓷坯體11亦可不為如圖1~3所示之長方體形狀。
外部電極14、15以於X軸方向上相互對向,且覆蓋陶瓷坯體11之兩端面11a、11b之方式構成。外部電極14、15延出至與兩端面11a、11b連接之4個面(2個主面11e、11f及2個側面11c、11d)。藉此,於外部電極14、15之任一者中,與X-Z平面平行之截面及與X-Y平面平行之截面之形狀均呈U字狀。
陶瓷坯體11具有積層部16及覆蓋部17。積層部16具有內部電極12、13隔著陶瓷層18於Z軸方向上交替積層之構成。覆蓋部17分別覆蓋積層部16之Z軸方向之上下表面。
內部電極12、13隔著陶瓷層18於Z軸方向上交替積層。第1內部電極12藉由被引出至端面11a而與第1外部電極14連接,與第2外部電極15間隔。第2內部電極13藉由被引出至端面11b而與第2外部電極15連接,與第1外部電極14間隔。
又,內部電極12、13不被引出至側面11c、11d。因此,於積層部16之側面11c、11d側,形成由介電陶瓷構成之側邊緣。
內部電極12、13較典型為將鎳(Ni)作為主成分而構成,作為積層陶瓷電容器10之內部電極而發揮功能。再者,內部電極12、13除鎳以外,亦可將銅(Cu)、銀(Ag)、鈀(Pd)之至少1種作為主成分。
陶瓷層18配置於內部電極12、13之間,由介電陶瓷形成。陶瓷層18為了增大積層部16之電容,而由高介電常數之介電陶瓷形成。 作為上述高介電常數之介電陶瓷,可使用鈦酸鋇(BaTiO3 )系材料之多晶體、即包含鋇(Ba)及鈦(Ti)之鈣鈦礦結構之多晶體。藉此,可獲得大電容之積層陶瓷電容器10。 再者,陶瓷層18亦可由鈦酸鍶(SrTiO3 )系、鈦酸鈣(CaTiO3 )系、鈦酸鎂(MgTiO3 )系、鋯酸鈣(CaZrO3 )系、鈦酸鋯酸鈣(Ca(Zr,Ti)O3 )系、鋯酸鋇(BaZrO3 )系、氧化鈦(TiO2 )系等材料形成。
覆蓋部17亦由介電陶瓷形成。形成覆蓋部17之材料只要為絕緣性陶瓷即可,但藉由使用與陶瓷層18相同之介電陶瓷,可抑制陶瓷坯體11之內部應力。
根據上述構成,於積層陶瓷電容器10中,若對第1外部電極14與第2外部電極15之間施加電壓,則電壓施加至第1內部電極12與第2內部電極13之間之複數個陶瓷層18。藉此,於積層陶瓷電容器10中,得以儲存與第1外部電極14與第2外部電極15之間之電壓相應之電荷。
再者,本實施形態之積層陶瓷電容器10之基本構成並非限定於圖1~3所示之構成,而可適當進行變更。
2.陶瓷坯體之詳細構成 如圖3所示,陶瓷坯體11之特徵在於:Z軸方向之高度尺寸T為Y軸方向之寬度尺寸W之1.1倍以上且1.6倍以下。藉此,不增加陶瓷坯體11之X-Y平面之截面面積,便可增加內部電極12、13之積層數,從而增加積層陶瓷電容器10之電容。
此處,陶瓷坯體11之高度尺寸T係指於積層陶瓷電容器10之於X軸方向中央部切斷所成之Y-Z截面(參照圖3)中,陶瓷坯體11之Y軸方向中央部之沿著Z軸方向之尺寸。於本實施形態中,高度尺寸T可藉由寬度尺寸W及下述長度尺寸L之關係進行規定。
陶瓷坯體11之寬度尺寸W係指於積層陶瓷電容器10之於X軸方向中央部切斷所成之Y-Z截面(參照圖3)中,陶瓷坯體11之Z軸方向中央部之沿著Y軸方向之尺寸。寬度尺寸W無特別限定,例如可設為0.10 mm以上且1.50 mm以下。
陶瓷坯體11之長度尺寸L可為高度尺寸T之大於1.0倍且1.5倍以下。藉此,可不增大積層陶瓷電容器10之安裝面積地擴大高度尺寸T而增加電容,並且可順利進行下述製造時或安裝時之操作。
陶瓷坯體11之長度尺寸L係指於積層陶瓷電容器10之於Y軸方向中央部切斷所成之Z-X截面(參照圖2)中,陶瓷坯體11之Z軸方向中央部之沿著X軸方向之尺寸。長度尺寸L無特別限定,例如可設為0.20 mm以上且2.00 mm以下。
為了進一步增加內部電極12、13之層數從而進一步增大積層陶瓷電容器10之電容,亦可使覆蓋部17之厚度較薄。作為一例,覆蓋部17之Z軸方向之尺寸(厚度)亦可為15 μm以下。
為了進一步增大積層陶瓷電容器10之電容,亦可使內部電極12、13之間之陶瓷層18之厚度較薄。例如,陶瓷層18之Z軸方向之平均尺寸(平均厚度)例如為1.0 μm以下,進而亦可為0.5 μm以下。
再者,陶瓷層18之平均厚度可作為於陶瓷層18之複數個部位測定出之厚度之平均值而求出。測定陶瓷層18之厚度之位置及數量可任意決定。以下,一面參照圖4,一面對陶瓷層18之平均厚度T之測定方法之一例進行說明。
圖4係表示藉由掃描式電子顯微鏡於12.6 μm×8.35 μm之視野內所觀察到的陶瓷坯體11之截面之微細組織之圖。關於該視野內之6層陶瓷層18,測定藉由2 μm相等間隔之箭頭所表示之5個部位之厚度。並且,可將所獲得之30個部位之厚度之平均值作為平均厚度。
如此,本實施形態之積層陶瓷電容器10可不增大安裝面積地擴大高度尺寸T,從而較多地積層內部電極12、13,故可實現大電容。 另一方面,先前,安裝時之操作較難,故難以實現高度尺寸T大於寬度尺寸W之積層陶瓷電容器。
因此,於本實施形態之積層陶瓷電容器10中,主面11e、11f之至少一者具有朝向Z軸方向之中央區域F。根據該構成,如下所述,即便高度尺寸T大於寬度尺寸W,亦可提高安裝時之操作性。
中央區域F形成於主面11e、11f之至少一者之Y軸方向中央部,其係作為實質上與X-Y平面平行之平面而構成之平坦區域。於本實施形態中,中央區域F形成於主面11e、11f兩者,但亦可形成於主面11e、11f之任一者。主面11e、11f之Y軸方向周緣部位於上述中央部之Y軸方向外側,由自中央區域F延出之曲面構成。
圖5係圖3之局部放大圖。使用該圖對中央區域F進行詳細說明。 中央區域F係指於陶瓷坯體11之Y-Z截面中,規定了通過主面11e、11f之Y軸方向中心點C且與Z軸方向正交(與Y軸方向平行)之第1假想線L1、及與第1假想線L1平行且具有陶瓷坯體11之高度尺寸T之1%(T*0.01)的間隔之第2假想線L2時,第2假想線L2與主面11e、11f交叉之2點間之區域。此處所述之「主面11e、11f之Y軸方向中心點C」係指主面11e、11f各自之沿著Y軸方向之寬度尺寸之中心。於圖5中,用箭頭表示主面11e之Y軸方向中心點,用粗單點鏈線表示假想線L1、L2。
藉由如上所述地規定中央區域F,中央區域F之沿著Y軸方向之寬度尺寸Wf成為第2假想線L2與主面11e、11f交叉之2點間之沿著Y軸方向之距離。中央區域F之寬度尺寸Wf可設為陶瓷坯體11之寬度尺寸W之80%以上且未達100%。藉此,可充分確保平坦之中央區域F之寬度尺寸Wf,可進一步提高安裝時之操作性。
具有中央區域F之積層陶瓷電容器10可藉由以下之製造方法而製造。
3.積層陶瓷電容器10之製造方法 圖6係表示積層陶瓷電容器10之製造方法之流程圖。圖7~11係表示積層陶瓷電容器10之製造過程之圖。以下,按照圖6,並適當參照圖7~11對積層陶瓷電容器10之製造方法進行說明。
3.1步驟S01:形成內部電極圖案 步驟S01中,於用以形成積層部16之第1陶瓷片材101及第2陶瓷片材102上,形成內部電極圖案112、113。
陶瓷片材101、102構成為以介電陶瓷為主成分之未焙燒之介電坯片。作為介電陶瓷,例如可使用粒徑為20 nm~200 nm之粉體。陶瓷片材101、102例如係使用輥式塗佈機或刮刀等成形為片材狀。陶瓷片材101、102之厚度並無限定,例如調整為1.5 μm以下。
圖7係陶瓷片材101、102之俯視圖。於該階段,陶瓷片材101、102構成為尚未單片化之大張片材。圖7示出每個積層陶瓷電容器10單片化時之切斷線Lx、Ly。切斷線Lx與X軸平行,切斷線Ly與Y軸平行。
如圖7所示,於第1陶瓷片材101形成與第1內部電極12對應之未焙燒之第1內部電極圖案112,於第2陶瓷片材102形成與第2內部電極13對應之未焙燒之第2內部電極圖案113。
內部電極圖案112、113可藉由將任意之導電膏塗佈於陶瓷片材101、102而形成。導電膏之塗佈方法可自公知之技術中任意選擇。例如,導電膏之塗佈可使用網版印刷法或凹版印刷法。
第1陶瓷片材101上之各內部電極圖案112構成為跨越1根切斷線Ly1或Ly2而沿著X軸方向延伸之大致矩形。各內部電極圖案112藉由被切斷線Ly1、Ly2及Lx切斷,而形成各積層陶瓷電容器10之第1內部電極12。切斷線Ly1或Ly2上之內部電極圖案112與於端面11a露出之引出部相對應。
於第1陶瓷片材101中,跨越切斷線Ly1而延伸之內部電極圖案112沿著X軸方向配置而成之第1行與跨越切斷線Ly2而延伸之內部電極圖案112沿著X軸方向配置而成之第2行於Y軸方向上交替排列。於第1行中,在X軸方向上鄰接之內部電極圖案112彼此隔著切斷線Ly2相互對向。於第2行中,在X軸方向上鄰接之內部電極圖案112彼此隔著切斷線Ly1相互對向。即,於在Y軸方向上鄰接之第1行與第2行中,內部電極圖案112係以於X軸方向上各錯開1晶片大小之方式配置。
第2陶瓷片材102上之內部電極圖案113係與內部電極圖案112同樣地構成。但於第2陶瓷片材102中,與第1陶瓷片材101之第1行相對應之行之內部電極圖案113跨越切斷線Ly2而延伸,與第1陶瓷片材101之第2行相對應之行之內部電極圖案113跨越切斷線Ly1而延伸。即,內部電極圖案113係以於X軸方向或Y軸方向上與內部電極圖案112各錯開1晶片大小之方式形成。
非電極形成區域N係陶瓷片材101、102之未形成內部電極圖案112、113之區域。於第1陶瓷片材101中,非電極形成區域N包含沿著於X軸方向上相鄰之內部電極圖案112之間之切斷線Ly1、Ly2延伸之複數個帶區域、及沿著於Y軸方向相鄰之內部電極圖案112之間之切斷線Lx延伸之複數個帶區域。非電極形成區域N整體上形成為該等帶區域相交之格子狀。非電極形成區域N與積層陶瓷電容器10之側邊緣及末端邊緣相對應。 第2陶瓷片材102之非電極形成區域N亦係同樣地構成。
圖8係於沿著圖7A之C-C'線之截面中,將鄰接之內部圖案112(113)間之非電極形成區域N放大表示之局部剖視圖。再者,圖7B所示之內部電極圖案113之間之非電極形成區域N亦係與內部電極圖案112之間之非電極形成區域N相同之構成,故於圖8及9中,對陶瓷片材101、102兩者之非電極形成區域N進行說明。 圖8中,於陶瓷片材101、102上,以特定厚度d1形成有內部電極圖案112、113。內部電極圖案112、113之厚度d1係內部電極圖案112、113之平均厚度,例如,可與陶瓷層18之平均厚度同樣地,作為於複數個部位測定出之厚度之平均值而求出。
於非電極形成區域N上,形成有被鄰接之內部電極圖案112、113所夾之空間部S。空間部S設為面向非電極形成區域N且厚度為d1之空間區域。即,空間部S具有非電極形成區域N之面積乘以厚度d1所得之體積。於圖8及9中,用粗虛線包圍空間部S加以表示。
3.2步驟S02:形成介電圖案 步驟S02中,於第1陶瓷片材101及第2陶瓷片材102之內部電極圖案112、113周圍之非電極形成區域N上,形成介電圖案P。
圖9係與圖8相同之位置之剖視圖,表示於空間部S形成有介電圖案P之態樣。 介電圖案P可藉由將陶瓷膏塗佈於陶瓷片材101、102之非電極形成區域N而形成。陶瓷膏只要為以介電陶瓷為主成分者即可,但藉由使用與陶瓷片材101、102相同之介電陶瓷,可抑制焙燒時之內部應力。陶瓷膏之塗佈例如可使用網版印刷法或凹版印刷法。
於本實施形態中,以佔據空間部S之75%以上且未達100%之方式形成介電圖案P。即,介電圖案P具有內部電極圖案112、113之厚度d1乘以非電極形成區域N之面積所得之空間部S之體積的75%以上且未達100%之體積。
介電圖案P之平均厚度只要為空間部S之厚度d1以下即可,例如於將d1設為100%時,可為80%以上且100%以下。介電圖案之平均厚度可設為與內部電極圖案112、113之厚度同樣地測定之情形時之平均值。
陶瓷片材101、102亦可具有於內部電極圖案112、113周圍未形成介電圖案P之間隙Q。藉由於內部電極圖案112、113與介電圖案P之間設置間隙Q,可防止介電圖案P形成於內部電極圖案112、113上。
3.3步驟S03:積層 步驟S03中,將於步驟S01、S02中準備之陶瓷片材101、102及第3陶瓷片材103如圖10所示般積層,藉此製作積層片材104。第3陶瓷片材103係未形成內部電極圖案112、113及介電圖案P之陶瓷片材。再者,於圖10中,省略間隙Q之記載。
積層片材104具有第1陶瓷片材101及第2陶瓷片材102於Z軸方向上交替積層而成之電極積層片材105、及僅第3陶瓷片材103積層而成之2個覆蓋積層片材106。2個覆蓋積層片材106分別設置於電極積層片材105之Z軸方向之上下表面。電極積層片材105與焙燒後之積層部16相對應。覆蓋積層片材106與焙燒後之覆蓋部17相對應。
對電極積層片材105之陶瓷片材101、102之積層數進行調整,以於焙燒後獲得所希望之電容及高度尺寸T。 覆蓋積層片材106之第3陶瓷片材103之積層數亦並非限定於圖示之例,而可適當進行調整。
積層片材104係藉由將陶瓷片材101、102、103壓接而一體化。陶瓷片材101、102、103之壓接例如較佳為使用靜水壓加壓或單軸加壓等。藉此,可使積層片材104高密度化。
3.4步驟S04:切斷 步驟S04中,將於步驟S03中獲得之積層片材104沿著切斷線Lx、Ly切斷,藉此製作未焙燒之陶瓷坯體111。
圖11係於步驟S04中獲得之陶瓷坯體111之立體圖。 如該圖所示,未焙燒之陶瓷坯體111具有朝向X軸方向之2個端面111a、111b、朝向Y軸方向之2個側面111c、111d、及朝向Z軸方向之2個主面111e、111f。電極積層片材105被切斷之部分構成為未焙燒之積層部116。覆蓋積層片材106被切斷之部分構成為未焙燒之覆蓋部117。
未焙燒之陶瓷坯體111於焙燒後,具有Z軸方向之高度尺寸T成為Y軸方向之寬度尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下之外形。又,於主面111e、111f,形成有與中央區域F同樣地規定之中央區域F'。中央區域F'之Y軸方向上之寬度尺寸可與中央區域F同樣地,設為未焙燒之陶瓷坯體111之寬度尺寸之80%以上且未達100%。再者,對於未焙燒之陶瓷坯體111,亦可於切斷後藉由滾筒研磨等進行倒角。該情形時,要以中央區域F'之寬度尺寸位於上述範圍內之方式進行。
3.5步驟S05:焙燒 步驟S05中,對在步驟S04中獲得之未焙燒之陶瓷坯體111進行燒結,藉此製作圖1~3所示之陶瓷坯體11。即,藉由步驟S05,積層部116成為積層部16,覆蓋部117成為覆蓋部17。焙燒例如可於還原氣氛下或低氧分壓氣氛下進行。
3.6步驟S06:形成外部電極 步驟S06中,於在步驟S05中獲得之陶瓷坯體11,形成外部電極14、15,藉此製作圖1~3所示之積層陶瓷電容器10。
於步驟S06中,首先,以覆蓋陶瓷坯體11之一X軸方向端面之方式,塗佈未焙燒之電極材料,以覆蓋陶瓷坯體11之另一X軸方向端面之方式,塗佈未焙燒之電極材料。對塗佈於陶瓷坯體11之未焙燒之電極材料,例如於還原氣氛下或低氧分壓氣氛下進行燒接處理,從而於陶瓷坯體11形成基底膜。然後,於燒接至陶瓷坯體11之基底膜之上,藉由電鍍等鍍覆處理形成中間膜及表面膜,至此外部電極14、15完成。
再者,亦可於步驟S05之前,進行上述步驟S06之一部分處理。例如,亦可於步驟S05之前,對未焙燒之陶瓷坯體111之X軸方向兩端面塗佈未焙燒之電極材料,於步驟S05中,對未焙燒之陶瓷坯體111進行焙燒,同時燒接未焙燒之電極材料,而形成外部電極14、15之基底層。又,亦可對經脫黏合劑處理後之陶瓷坯體111塗佈未焙燒之電極材料,並對該等同時進行焙燒。
如此製造之陶瓷坯體11如圖1~3所示,Z軸方向之高度尺寸T為Y軸方向之寬度尺寸W之1.1倍以上且1.6倍以下,且具有平坦之中央區域F。中央區域F係藉由於步驟S02中形成佔據空間部S之75%以上且未達100%之介電圖案P而形成。
假設不形成介電圖案之情形時,會起因於內部電極圖案之厚度,而導致積層有內部電極圖案之電容形成部分與積層有非電極形成區域之側邊緣部分之Z軸方向之高度尺寸產生差異。進而,陶瓷片材之積層數越多,即積層陶瓷電容器之高度尺寸越大,上述部分之間之Z軸方向之高度差越大。因此,於對積層之陶瓷片材進行壓接及切斷後之陶瓷坯體中,自Y軸方向周緣部朝向Y軸方向中央部,高度尺寸漸增,從而主面構成為朝向Z軸方向凸起之曲面狀。
又,假設欲於整個非電極形成區域(即佔據空間部之100%之狀態)形成介電圖案之情形時,只要介電圖案稍有偏移,便會與內部電極圖案重疊。藉此,重疊部分之厚度變厚,陶瓷坯體之Z軸方向之高度變得不均勻。
另一方面,於介電圖案佔據空間部之比率未達75%之情形時,內部電極圖案與介電圖案之間之間隙變大。因此,積層之陶瓷片材於壓接時會下沉至間隙內,陶瓷坯體之Z軸方向之高度依然變得不均勻。
於本實施形態中,藉由以佔據空間部S之75%以上之方式形成介電圖案P,可將間隙Q縮小至於步驟S03中積層之陶瓷片材不會下沉至間隙Q內之程度。藉此,可均勻地形成電極積層片材105之Z軸方向之高度,而於未焙燒之陶瓷坯體111形成中央區域F'。由此,於焙燒後之陶瓷坯體11亦形成中央區域F。
又,藉由以佔據空間部S之未達100%之方式形成介電圖案P,可於非電極形成區域N上設置狹窄之間隙Q。藉此,即便是介電圖案P相對於內部電極圖案112、113稍有偏移之情形時,亦可藉由間隙Q緩衝該偏移。因此,可降低介電圖案P重疊於內部電極圖案112、113上之風險。
進而,製造完成後之積層陶瓷電容器10被以將中央區域F朝向Z軸方向上方之狀態包裝為包裝體100。藉此,可順利進行將積層陶瓷電容器10自包裝體100取出並安裝至電子機器之安裝製程。 以下,對包裝體100之構成及積層陶瓷電容器10之安裝方法進行詳細說明。
4.積層陶瓷電容器10之包裝體100之構成 圖12係積層陶瓷電容器10之包裝體100之俯視圖,圖13係沿著圖12之D-D'線之剖視圖。再者,本實施形態之包裝體100之構成並非限定於圖12及13所示之構成。
包裝體100例如於Y軸方向上具有長邊,於Z軸方向上具有特定深度,收容複數個積層陶瓷電容器10。 包裝體100具備收容部110、密封部120及複數個積層陶瓷電容器10。
收容部110具有沿著Y軸方向以特定間隔形成之複數個凹部110a。 收容部110較典型為載帶,但亦可為呈格子狀排列有收容積層陶瓷電容器10之凹部110a之晶片托盤等。又,構成收容部110之材料亦無特別限定,例如可為合成樹脂或紙等。
凹部110a係自收容部110之Z軸方向上表面110c朝向下方而形成,具有可收容各積層陶瓷電容器10之尺寸。於凹部110a之上表面110c側,形成有取出口110b。取出口110b用於向凹部110a收容積層陶瓷電容器10及自凹部110a取出積層陶瓷電容器10。
密封部120可剝離地配置於收容部110上,且構成為自Z軸方向覆蓋凹部110a之取出口110b。密封部120較典型為覆帶,但只要為可自收容部110剝離,且具有密封凹部110a之功能之構件便無特別限定。又,密封部120可由與收容部110同類之材料形成,亦可由與之不同之材料形成。
積層陶瓷電容器10係以將平坦之中央區域F朝向取出口110b側(Z軸方向上方)之狀態收容於凹部110a。取出口110b側之中央區域F較佳為以寬度尺寸Wf成為陶瓷坯體11之寬度尺寸W之80%以上且未達100%之方式形成。 中央區域F形成於主面11e、11f兩者之情形時,積層陶瓷電容器10係以主面11e、11f之任一者朝向Z軸方向上方之方式收容。中央區域F形成於主面11e、11f一者之情形時,積層陶瓷電容器10係以形成有中央區域F之主面11e、11f朝向Z軸方向上方之方式收容。
5.積層陶瓷電容器10之安裝方法 圖14係表示積層陶瓷電容器10之安裝製程之模式性剖視圖,表示與圖13相對應之截面。圖15係安裝有積層陶瓷電容器10之積層陶瓷電容器安裝基板(安裝基板)200之自Y軸方向觀察之剖視圖。 將積層陶瓷電容器10自包裝體100逐個取出,並安裝至電子機器之電路基板210。以下,一面參照圖14及15,一面進行說明。
首先,將密封部120自收容部110剝離。繼而,如圖14所示,藉由貼片機之吸附嘴M,自包裝體100之取出口110b取出積層陶瓷電容器10。吸附嘴M自Z軸方向上方吸附、保持朝向取出口110b側之平坦之中央區域F。
吸附嘴M於吸附中央區域F之狀態下,將積層陶瓷電容器10移動至電路基板210上。吸附嘴M於將積層陶瓷電容器10配置於電路基板210上之特定位置後,解除吸附。此時,中央區域F亦朝向Z軸方向上方。
其後,將積層陶瓷電容器10之外部電極14、15與電路基板210藉由焊料H等於Z軸方向上接合,藉此形成如圖15所示之安裝有積層陶瓷電子零件10之安裝基板200。 於安裝基板200中,亦係以中央區域F朝向Z軸方向上方之狀態安裝有積層陶瓷電容器10。
此處,於介電圖案未以空間部之體積之75%以上且未達100%之體積形成之情形時,如上所述,陶瓷坯體之主面之中央部成為曲面。該情形時,於吸附嘴M之前端與陶瓷坯體之主面之間產生間隙,吸附嘴M之吸附變得不充分。因此,於安裝製程中,有發生無法吸附積層陶瓷電容器之主面,或積層陶瓷電容器於移動之中途掉落之異常之虞。
本實施形態中,於陶瓷坯體11之主面11e、11f之至少一者形成有平坦之中央區域F,且係以將該中央區域F朝向Z軸方向上方之狀態包裝積層陶瓷電容器10。藉此,吸附嘴M之前端與陶瓷坯體11之中央區域F密接,吸附嘴M可穩定地吸附中央區域F。因此,可防止吸附嘴M進行吸附時之異常,從而順利進行積層陶瓷電容器10之安裝。
又,於積層陶瓷電容器10中,將陶瓷坯體11之高度尺寸T設為寬度尺寸W之1.1倍以上且1.6倍以下,藉此即便高度尺寸T大於寬度尺寸W,亦可使重心穩定。因此,於包裝體100之凹部110a內及安裝製程中,可防止積層陶瓷電容器10之傾倒,從而以積層陶瓷電容器10之高度方向與Z軸方向一致之姿勢對積層陶瓷電容器10進行操作。因此,藉而亦可順利進行積層陶瓷電容器10之安裝。
進而,將陶瓷坯體11之長度尺寸L設為高度尺寸T之大於1.0倍且1.5倍以下,藉此亦可使陶瓷坯體11之重心穩定。因此,可進一步提高積層陶瓷電容器10安裝時之操作性。
如此,根據積層陶瓷電容器10,即便增加內部電極12、13之積層數亦可防止安裝時之異常,故不變更安裝面積便可提高電容。因此,可實現大電容且有助於電子機器之小型化之積層陶瓷電容器10。
6.實施例及比較例 作為本實施形態之實施例及比較例,基於上述製造方法製作積層陶瓷電容器10之樣品,對形狀及吸附嘴M所達成之吸附率進行調查。
首先,製作積層陶瓷電容器之各樣品(實施例1~3、比較例1及2)。各樣品之尺寸為如下3種:長度尺寸(L)0.69 mm、寬度尺寸(W)0.39 mm、高度尺寸(T)0.55 mm之第1尺寸,長度尺寸(L)1.15 mm、寬度尺寸(W)0.65 mm、高度尺寸(T)1.00 mm之第2尺寸,及長度尺寸(L)1.20 mm、寬度尺寸(W)0.75 mm、高度尺寸(T)0.85 mm之第3尺寸。即,長度尺寸相對於高度尺寸之比(L/T)為1.15~1.41,高度尺寸相對於寬度尺寸之比(T/W)為1.13~1.54。又,於以下之各評估中,針對各實施例及各比較例,分別使用各自3種尺寸之各100個合計1500個樣品。
於實施例1~3、比較例1之各樣品中,分別形成介電圖案。將介電圖案相對於內部電極圖案之厚度乘以非電極形成區域之面積所得之空間部之體積的體積率(空間佔有率)示於表1。再者,該表所示之空間佔有率之值設為各實施例及各比較例各自之300個樣品之平均值。 上述空間佔有率於實施例1中為95%,於實施例2中為90%,於實施例3中為75%,均為75%以上且未達100%。另一方面,上述空間佔有率於比較例1中為50%。於比較例2中,由於並未形成介電圖案,故而空間佔有率為0%。
[表1]
Figure 107144443-A0304-0001
又,測定平坦之中央區域之寬度尺寸(Wf)相對於積層陶瓷電容器之寬度尺寸(W)的比率(Wf/W)。將結果示於表1。再者,該表所示之寬度尺寸之比率之值設為各實施例及各比較例各自之300個樣品之平均值。又,採用各樣品之2個主面中中央區域之寬度尺寸之比率較大之值作為各樣品之該寬度尺寸之比率之值。 上述寬度尺寸之比率於實施例1中為85%,於實施例2中為83%,於實施例3中為82%,於實施例1~3中均為80%以上。另一方面,上述寬度尺寸之比率於比較例1中為65%,於比較例2中為35%,均未達80%。
上述寬度尺寸之比率(Wf/W)可見與介電圖案之空間佔有率正相關之關係。具體而言,於空間佔有率為75%以上且未達100%之實施例1~3中,Wf/W均為80%以上,於空間佔有率為50%以下之比較例1、2中,Wf/W均為65%以下。據此,確認到藉由將介電圖案之空間佔有率設為75%以上且未達100%,能以上述寬度尺寸之比率成為80%以上之方式形成中央區域。
繼而,準備具有包裝體之凹部之收容部,以將具有上述寬度尺寸之比率較大之中央區域之主面朝向取出口側之狀態,將各樣品收容至凹部。然後,嘗試藉由貼片機之吸附嘴吸附各樣品之取出口側之主面。於各實施例及各比較例各自之300個樣品中,求出可吸附該主面之比率作為「吸附率」。將結果示於表1。
如該表所示,確認到於實施例1~3中吸附率均為99%,幾乎可吸附全部樣品,安裝時之操作性良好。另一方面,於比較例1中吸附率為92%,於比較例2中吸附率為85%,於1成~2成左右之樣品中吸附失敗。因此,確認到比較例1、2與實施例1~3相比安裝時之操作性較差。
7.其他實施形態 以上,對本發明之各實施形態進行了說明,但本發明並非僅限定於上述實施形態,當然可於不脫離本發明之主旨之範圍內添加各種變更。例如本發明之實施形態可設為由各實施形態組合而成之實施形態。
例如,於積層陶瓷電容器10中,積層部16亦可於Z軸方向上分割成複數個後設置。該情形時,可於各積層部16中,沿著Z軸方向交替配置內部電極12、13,亦可於積層部16切換之部分,連續配置第1內部電極12或第2內部電極13。
又,於上述實施形態中,作為陶瓷電子零件之一例對積層陶瓷電容器進行了說明,但本發明可適用於成對之內部電極交替配置之積層陶瓷電子零件全體。作為此種積層陶瓷電子零件,例如可列舉壓電元件等。
10‧‧‧積層陶瓷電容器(陶瓷電子零件) 11‧‧‧陶瓷坯體 11a‧‧‧端面 11b‧‧‧端面 11c‧‧‧側面 11d‧‧‧側面 11e‧‧‧主面 11f‧‧‧主面 12‧‧‧內部電極 13‧‧‧內部電極 14‧‧‧外部電極 15‧‧‧外部電極 16‧‧‧積層部 17‧‧‧覆蓋部 18‧‧‧陶瓷層 100‧‧‧包裝體(積層陶瓷電子零件包裝體) 101‧‧‧陶瓷片材 102‧‧‧陶瓷片材 103‧‧‧陶瓷片材 104‧‧‧積層片材 105‧‧‧電極積層片材 106‧‧‧覆蓋積層片材 110‧‧‧收容部 110a‧‧‧凹部 110b‧‧‧取出口 110c‧‧‧上表面 111‧‧‧未焙燒之陶瓷坯體 111a‧‧‧端面 111b‧‧‧端面 111c‧‧‧側面 111d‧‧‧側面 111e‧‧‧主面 111f‧‧‧主面 112‧‧‧內部電極圖案 113‧‧‧內部電極圖案 116‧‧‧未焙燒之積層部 117‧‧‧未焙燒之覆蓋部 120‧‧‧密封部 200‧‧‧安裝基板(積層陶瓷電子零件安裝基板) 210‧‧‧電路基板 C‧‧‧Y軸方向中心點 d1‧‧‧厚度 F‧‧‧中央區域 F'‧‧‧中央區域 H‧‧‧焊料 L‧‧‧長度尺寸 L1‧‧‧第1假想線 L2‧‧‧第2假想線 Lx‧‧‧切斷線 Ly1‧‧‧切斷線 Ly2‧‧‧切斷線 M‧‧‧吸附嘴 N‧‧‧非電極形成區域 P‧‧‧介電圖案 Q‧‧‧間隙 S‧‧‧空間部 T‧‧‧高度尺寸 W‧‧‧寬度尺寸 Wf‧‧‧寬度尺寸 X‧‧‧X軸 Y‧‧‧Y軸 Z‧‧‧Z軸
圖1係本發明之一實施形態之積層陶瓷電容器之立體圖。 圖2係上述積層陶瓷電容器之沿著圖1之A-A'線之剖視圖。 圖3係上述積層陶瓷電容器之沿著圖1之B-B'線之剖視圖。 圖4係表示上述積層陶瓷電容器之截面之微細組織之圖。 圖5係圖3之局部放大圖。 圖6係表示上述積層陶瓷電容器之製造方法之流程圖。 圖7A、B係表示上述積層陶瓷電容器之製造過程之俯視圖。 圖8係沿著圖7A之C-C'線之局部剖視圖。 圖9係與圖8相同之局部剖視圖,亦係對圖6之步驟S02進行說明之圖。 圖10係表示上述積層陶瓷電容器之製造過程之立體圖。 圖11係表示上述積層陶瓷電容器之製造過程之立體圖。 圖12係本發明之一實施形態之積層陶瓷電容器包裝體之俯視圖。 圖13係上述包裝體之沿著圖12之D-D'線之剖視圖。 圖14係表示上述積層陶瓷電容器之安裝製程之模式性剖視圖。 圖15係本發明之一實施形態之積層陶瓷電容器安裝基板之剖視圖。
10‧‧‧積層陶瓷電容器(陶瓷電子零件)
11‧‧‧陶瓷坯體
11c‧‧‧側面
11d‧‧‧側面
11e‧‧‧主面
11f‧‧‧主面
12‧‧‧內部電極
13‧‧‧內部電極
16‧‧‧積層部
17‧‧‧覆蓋部
18‧‧‧陶瓷層
F‧‧‧中央區域
T‧‧‧高度尺寸
W‧‧‧寬度尺寸
Wf‧‧‧寬度尺寸
X‧‧‧X軸
Y‧‧‧Y軸
Z‧‧‧Z軸

Claims (14)

  1. 一種積層陶瓷電子零件,其具備:陶瓷坯體,其具有包含複數個內部電極隔著陶瓷層於第1方向上交替積層之構成的積層部、覆蓋上述積層部之上下表面之一對覆蓋部、及包含朝向上述第1方向之平坦區域之一對主面;以及一對外部電極,其連接於上述複數個內部電極,於與上述第1方向正交之第2方向上相互對向;且上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸為與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下,上述平坦區域形成於上述一對主面之至少一者之上述第2方向中央部,上述一對覆蓋部之上述第1方向之尺寸為15μm以下。
  2. 如請求項1之積層陶瓷電子零件,其中上述平坦區域之上述第3方向之尺寸為上述陶瓷坯體之上述第3方向之尺寸之80%以上且未達100%。
  3. 一種積層陶瓷電子零件安裝基板,其具備:電路基板;及積層陶瓷電子零件,其具有:陶瓷坯體,其包含具有複數個內部電極隔著陶瓷層於第1方向上交替積層之構成的積層部、及覆蓋上述積層部之上下表面之一對覆蓋部;及一對外部電極,其連接於上述複數個內部電 極,於與上述第1方向正交之第2方向上相互對向;且經由上述一對外部電極安裝於上述電路基板;且上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸為與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下,上述陶瓷坯體具有包含朝向上述第1方向之平坦區域之一對主面,上述平坦區域形成於上述一對主面之至少一者之上述第2方向中央部,上述積層陶瓷電子零件以上述平坦區域朝向上述第1方向外側之方式安裝於上述電路基板,上述一對覆蓋部之上述第1方向之尺寸為15μm以下。
  4. 一種積層陶瓷電子零件包裝體,其具備:積層陶瓷電子零件,其具有:陶瓷坯體,其包含具有複數個內部電極隔著陶瓷層於第1方向上交替積層之構成的積層部、及覆蓋上述積層部之上下表面之一對覆蓋部;及一對外部電極,其連接於上述複數個內部電極,於與上述第1方向正交之第2方向上相互對向;且經由上述一對外部電極安裝於電路基板;收容部,其具有收容上述積層陶瓷電子零件,且形成有取出口之凹部;及密封部,其覆蓋上述凹部之上述取出口;且上述陶瓷坯體之上述第1方向之尺寸為與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下,上述陶瓷坯體具有包含朝向上述第1方向之平坦區域之一對主面, 上述平坦區域形成於上述一對主面之至少一者之上述第2方向中央部,上述積層陶瓷電子零件以將上述平坦區域朝向上述取出口側之方式收容於上述凹部,上述一對覆蓋部之上述第1方向之尺寸為15μm以下。
  5. 一種積層陶瓷電子零件之製造方法,其係於未焙燒之陶瓷片材上,形成特定厚度之內部電極圖案,於上述陶瓷片材中之上述內部電極圖案周圍之非電極形成區域上,以佔據面向上述非電極形成區域之上述特定厚度之空間部之75%以上且未達100%之方式,形成介電圖案,藉由將形成有上述內部電極圖案及上述介電圖案之上述陶瓷片材於第1方向上積層,而形成陶瓷坯體,上述陶瓷坯體具有包含於上述第1方向上積層之複數個內部電極的積層部、進而具有覆蓋上述積層部之上下表面之一對覆蓋部,且上述第1方向之尺寸為與上述第1方向正交之第2方向之尺寸之1.1倍以上且1.6倍以下,形成一對外部電極,上述一對外部電極連接於上述複數個內部電極,且於與上述第1方向及上述第2方向正交之第3方向上相互對向。
  6. 如請求項1之積層陶瓷電子零件,其中上述陶瓷坯體之上述第2方向之尺寸為上述第1方向之尺寸之大於1.0倍且1.5倍以下。
  7. 如請求項3之積層陶瓷電子零件安裝基板,其中上述陶瓷坯體之上述 第2方向之尺寸為上述第1方向之尺寸之大於1.0倍且1.5倍以下。
  8. 如請求項4之積層陶瓷電子零件包裝體,其中上述陶瓷坯體之上述第2方向之尺寸為上述第1方向之尺寸之大於1.0倍且1.5倍以下。
  9. 如請求項5之積層陶瓷電子零件之製造方法,其中上述陶瓷坯體之上述第2方向之尺寸為上述第1方向之尺寸之大於1.0倍且1.5倍以下。
  10. 如請求項1之積層陶瓷電子零件,其中上述平坦區域之上述第3方向之尺寸比上述複數個內部電極之第3方向之尺寸更長。
  11. 如請求項3之積層陶瓷電子零件安裝基板,其中上述平坦區域之上述第3方向之尺寸比上述複數個內部電極之第3方向之尺寸更長。
  12. 如請求項4之積層陶瓷電子零件包裝體,其中上述平坦區域之上述第3方向之尺寸比上述複數個內部電極之第3方向之尺寸更長。
  13. 如請求項5之積層陶瓷電子零件之製造方法,其中上述陶瓷坯體具有包含朝向上述第1方向之平坦區域之一對主面,上述平坦區域之上述第3方向之尺寸比上述複數個內部電極之第3方向之尺寸更長。
  14. 如請求項5之積層陶瓷電子零件之製造方法,其中上述一對覆蓋部之上述第1方向之尺寸為15μm以下。
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