JP2000195741A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スティックケース内に搬送しても、安定した出
入れが可能であり、しかも、製造が容易であり、さら
に、吸着安定性に優れた積層セラミックコンデンサを提
供する。 【解決手段】 本発明は、矩形状誘電体層1a、1b、
1c・・・と内部電極層4、5とを交互に積層してなる
コンデンサ本体1の一対の端部に前記内部電極層4、5
と接続する端子電極2、3を形成して成る積層セラミッ
クコンデンサ10において、前記内部電極層4、5と直
交する積層体1表面に、該積層体の厚み方向に延びる凹
部6、7を形成した。
入れが可能であり、しかも、製造が容易であり、さら
に、吸着安定性に優れた積層セラミックコンデンサを提
供する。 【解決手段】 本発明は、矩形状誘電体層1a、1b、
1c・・・と内部電極層4、5とを交互に積層してなる
コンデンサ本体1の一対の端部に前記内部電極層4、5
と接続する端子電極2、3を形成して成る積層セラミッ
クコンデンサ10において、前記内部電極層4、5と直
交する積層体1表面に、該積層体の厚み方向に延びる凹
部6、7を形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサに関するものである。
ンデンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の積層セラミックコンデンサ40
は、図4、図5のように、矩形状誘電体層41a、41
b、41c・・・と、この誘電体層41a、41b、4
1c・・・の層間に配置された内部電極層44・・・、
45・・・とが互いに積層した積層体41に端子電極4
2、43を形成して構成されている。
は、図4、図5のように、矩形状誘電体層41a、41
b、41c・・・と、この誘電体層41a、41b、4
1c・・・の層間に配置された内部電極層44・・・、
45・・・とが互いに積層した積層体41に端子電極4
2、43を形成して構成されている。
【0003】コンデンサ本体41は、概略直方体形状を
成し、一対の端部のうち、一方の端部より内部電極44
が露出し、他方の端部より内部電極45が露出し、一方
の端部に端子電極42が形成されており、他方の端部に
端子電極44が形成されている。
成し、一対の端部のうち、一方の端部より内部電極44
が露出し、他方の端部より内部電極45が露出し、一方
の端部に端子電極42が形成されており、他方の端部に
端子電極44が形成されている。
【0004】このような積層セラミックコンデンサ40
においては、搬送し、プリント配線基板に搭載する際に
は、テーピング、バルクカセット、スティックケースな
ど種々の手段が用いられる。
においては、搬送し、プリント配線基板に搭載する際に
は、テーピング、バルクカセット、スティックケースな
ど種々の手段が用いられる。
【0005】特に、スティックケースは、収納された電
子部品が順次導出されるように、例えば、図6に示すよ
うに、スティックケース60の内部形状と電子部品61
(積層セラミックコンデンサ)の外部形状が略近似して
いる。
子部品が順次導出されるように、例えば、図6に示すよ
うに、スティックケース60の内部形状と電子部品61
(積層セラミックコンデンサ)の外部形状が略近似して
いる。
【0006】このようなスティックケース60に積層セ
ラミックコンデンサ61・・・を収容して搬送すると、
スティックケース60の内壁と積層セラミックコンデン
サ61とが擦れてしまい、静電気が発生してしまい、ス
ティックケース60から積層セラミックコンデンサ61
をプリント配線基板上の所定位置に実装する際に、積層
セラミックコンデンサが安定して導出できなくなるとい
う問題点があった。
ラミックコンデンサ61・・・を収容して搬送すると、
スティックケース60の内壁と積層セラミックコンデン
サ61とが擦れてしまい、静電気が発生してしまい、ス
ティックケース60から積層セラミックコンデンサ61
をプリント配線基板上の所定位置に実装する際に、積層
セラミックコンデンサが安定して導出できなくなるとい
う問題点があった。
【0007】このような積層セラミックコンデンサとケ
ースとの間の静電気を抑える積層セラミックコンデンサ
として、コンデンサ本体の外観形状を鼓状にしたコンデ
ンサ本体が提案されている(特開平9−260206参
照)。即ち、コンデンサ本体の4つの側面の全てが凹面
状となっている。
ースとの間の静電気を抑える積層セラミックコンデンサ
として、コンデンサ本体の外観形状を鼓状にしたコンデ
ンサ本体が提案されている(特開平9−260206参
照)。即ち、コンデンサ本体の4つの側面の全てが凹面
状となっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の積層セ
ラミックコンデンサでは、少なくとも内部電極層と平行
なコンデンサ本体の面である上面及び下面が、湾曲した
凹面形状となっている。
ラミックコンデンサでは、少なくとも内部電極層と平行
なコンデンサ本体の面である上面及び下面が、湾曲した
凹面形状となっている。
【0009】このような湾曲した凹面形状は、焼成した
後のコンデンサ本体表面部分を中心にバレル等で加工し
なくてはならず、小型になるほど、精度よく加工するの
が困難であった。また、誘電体層の積層方向に外層側に
位置する誘電体層については、その厚みを変化させなく
てはならず、実質的に製造することができなかった。
後のコンデンサ本体表面部分を中心にバレル等で加工し
なくてはならず、小型になるほど、精度よく加工するの
が困難であった。また、誘電体層の積層方向に外層側に
位置する誘電体層については、その厚みを変化させなく
てはならず、実質的に製造することができなかった。
【0010】また、プリント配線基板上の所定位置に実
装するには、吸着ノズルで吸引するが、この時、コンデ
ンサ本体と吸着ノズルが密接せずに、吸着効率が低下す
るという問題点があった。
装するには、吸着ノズルで吸引するが、この時、コンデ
ンサ本体と吸着ノズルが密接せずに、吸着効率が低下す
るという問題点があった。
【0011】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、スティックケース内に搬送し
ても、安定した出入れが可能であり、しかも、製造が容
易であり、さらに、吸着安定性に優れた積層セラミック
コンデンサを提供する。
ものであり、その目的は、スティックケース内に搬送し
ても、安定した出入れが可能であり、しかも、製造が容
易であり、さらに、吸着安定性に優れた積層セラミック
コンデンサを提供する。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、矩形状誘電体
層と内部電極層とを交互に積層してなる積層体の一対の
端部に前記内部電極層と接続する端子電極を形成して成
る積層セラミックコンデンサにおいて、前記積層体の他
の一対の端部に、厚み方向に延びる凹部を形成したこと
を特徴とする積層セラミックコンデンサである。
層と内部電極層とを交互に積層してなる積層体の一対の
端部に前記内部電極層と接続する端子電極を形成して成
る積層セラミックコンデンサにおいて、前記積層体の他
の一対の端部に、厚み方向に延びる凹部を形成したこと
を特徴とする積層セラミックコンデンサである。
【0013】
【作用】上記構成の積層セラミックコンデンサによれ
ば、積層体であるコンデンサ本体の側面、即ち、内部電
極層と直交する面に凹部が形成されている。従って、誘
電体層の平面形状においては、長手方向の辺の一部に凹
部を形成するだけなので、その製造方法が非常に簡単と
なる。また、内部電極層の形状もこの誘電体層の形状を
実質的に近似させた最も大きい効率的な形状とすること
ができる。このため、コンデンサ本体に対する容量発生
領域の割合を高めることができ、大容量化に非常に適し
た構造となる。
ば、積層体であるコンデンサ本体の側面、即ち、内部電
極層と直交する面に凹部が形成されている。従って、誘
電体層の平面形状においては、長手方向の辺の一部に凹
部を形成するだけなので、その製造方法が非常に簡単と
なる。また、内部電極層の形状もこの誘電体層の形状を
実質的に近似させた最も大きい効率的な形状とすること
ができる。このため、コンデンサ本体に対する容量発生
領域の割合を高めることができ、大容量化に非常に適し
た構造となる。
【0014】同時に、スティックケース内に収容して
も、積層体とスティックケースの内壁に間隙が形成され
るため、その間で静電気の発生を低減できるため、積層
セラミックコンデンサの出入れが非常に容易となる。
も、積層体とスティックケースの内壁に間隙が形成され
るため、その間で静電気の発生を低減できるため、積層
セラミックコンデンサの出入れが非常に容易となる。
【0015】また、コンデンサ本体の上面及び裏面を平
坦にできるため、吸着ノズルで吸着しても、吸着効率の
低下を有効に抑えることができる。
坦にできるため、吸着ノズルで吸着しても、吸着効率の
低下を有効に抑えることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の積層セラミックコ
ンデンサを図面に基づいて詳説する。
ンデンサを図面に基づいて詳説する。
【0017】図1は本発明の積層セラミックコンデンサ
の外観斜視図であり、図2は、コンデンサ本体の構造を
説明する一部分解斜視図である。
の外観斜視図であり、図2は、コンデンサ本体の構造を
説明する一部分解斜視図である。
【0018】図において、10は積層セラミックコンデ
ンサ、1は積層体(以下、コンデンサ本体という)、
2、3は端子電極、4、5は内部電極層、6、7は凹部
である。
ンサ、1は積層体(以下、コンデンサ本体という)、
2、3は端子電極、4、5は内部電極層、6、7は凹部
である。
【0019】積層セラミックコンデンサ10を構成する
コンデンサ本体1は、所定厚みの誘電体層1a、1b、
1c・・・と、該誘電体層1a、1b、1c・・・との
層間に配置された内部電極層4、5・・・とが積層され
て構成されている。
コンデンサ本体1は、所定厚みの誘電体層1a、1b、
1c・・・と、該誘電体層1a、1b、1c・・・との
層間に配置された内部電極層4、5・・・とが積層され
て構成されている。
【0020】また、コンデンサ本体1の両端部の5つの
面、即ち、端面、上面、下面、両側面に渡って、端子電
極4、5が形成されている。コンデンサ本体1の一方の
端部には、端子電極2が形成され、他方の端部には、端
子電極3が形成されている。
面、即ち、端面、上面、下面、両側面に渡って、端子電
極4、5が形成されている。コンデンサ本体1の一方の
端部には、端子電極2が形成され、他方の端部には、端
子電極3が形成されている。
【0021】また、誘電体層1a、1b、1c・・・間
に配置される内部電極層4、5に形成されている。
に配置される内部電極層4、5に形成されている。
【0022】例えば、図2において、誘電体層1b上、
即ち、誘電体層1aと誘電体層1bとの層間には、第1
の内部電極層4が形成されている。この内部電極層4
は、誘電体層1bの一方側の端部に延出されている。
即ち、誘電体層1aと誘電体層1bとの層間には、第1
の内部電極層4が形成されている。この内部電極層4
は、誘電体層1bの一方側の端部に延出されている。
【0023】また、誘電体層1c上、即ち、誘電体層1
bと誘電体層1cとの層間には、第2の内部電極層5が
形成されている。この内部電極層4は、誘電体層1bの
一方側の端部に延出されている。
bと誘電体層1cとの層間には、第2の内部電極層5が
形成されている。この内部電極層4は、誘電体層1bの
一方側の端部に延出されている。
【0024】そして、誘電体層1b、誘電体層1d、1
f・・・上に形成された内部電極層4は、端子電極2に
接続され、誘電体層1c、誘電体層1e、1g・・・上
に形成された内部電極層5は、端子電極3に接続されて
いる。
f・・・上に形成された内部電極層4は、端子電極2に
接続され、誘電体層1c、誘電体層1e、1g・・・上
に形成された内部電極層5は、端子電極3に接続されて
いる。
【0025】また、コンデンサ本体1の両側面には、コ
ンデンサ本体1の厚み方向を貫くように、凹部6、7が
形成されている。即ち、この凹部は、各誘電体層1a、
1b、1c・・・の一対の長辺には凹部6b、6c、7
b、7cが形成されている。
ンデンサ本体1の厚み方向を貫くように、凹部6、7が
形成されている。即ち、この凹部は、各誘電体層1a、
1b、1c・・・の一対の長辺には凹部6b、6c、7
b、7cが形成されている。
【0026】そして、誘電体層1a、1b、1c・・・
の一対の長辺に形成された凹部6a、6b、6c・・
・、7a、7b、7c・・・が重なりあって凹部6、7
を形成している。
の一対の長辺に形成された凹部6a、6b、6c・・
・、7a、7b、7c・・・が重なりあって凹部6、7
を形成している。
【0027】ここで、誘電体層1a、1b、1cは、チ
タン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体
材料からなっている。その厚みは十〜数十μmと成って
いる。
タン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体
材料からなっている。その厚みは十〜数十μmと成って
いる。
【0028】また、内部電極層4、5は、Ag、Ag−
Pd、Pd、Ni、Cuなどからなり、その厚みは数μ
m〜数十μm程度である。また、図に示すように、内部
電極層4、5は概略誘電体層と近似した形状となってい
る。
Pd、Pd、Ni、Cuなどからなり、その厚みは数μ
m〜数十μm程度である。また、図に示すように、内部
電極層4、5は概略誘電体層と近似した形状となってい
る。
【0029】さらに、端子電極2、3は、厚膜下地導体
膜、メッキ層とから構成される。厚膜下地導体膜は、例
えばAgを主成分とする導体からあり、例えば、コンデ
ンサ本体1の両端部を、Ag系導電性ペーストの浴内に
浸漬・乾燥し、その後、焼き付けによって形成される。
また、メッキ層は、Niメッキ層、ハンダメッキ層など
の2層構造である。尚、Ag系導電性ペーストは、Ag
系金属粉末と熱硬化性、紫外線硬化性の樹脂などから構
成して、焼き付けの変わりに、熱硬化や紫外線硬化を行
なっても構わない。
膜、メッキ層とから構成される。厚膜下地導体膜は、例
えばAgを主成分とする導体からあり、例えば、コンデ
ンサ本体1の両端部を、Ag系導電性ペーストの浴内に
浸漬・乾燥し、その後、焼き付けによって形成される。
また、メッキ層は、Niメッキ層、ハンダメッキ層など
の2層構造である。尚、Ag系導電性ペーストは、Ag
系金属粉末と熱硬化性、紫外線硬化性の樹脂などから構
成して、焼き付けの変わりに、熱硬化や紫外線硬化を行
なっても構わない。
【0030】このように各誘電体層の一部に引き出され
た第1内部電極層4の導出部4aは、上記構成の積層セ
ラミックコンデンサ10は次のように製造される。
た第1内部電極層4の導出部4aは、上記構成の積層セ
ラミックコンデンサ10は次のように製造される。
【0031】まず、誘電体層1a、1b、1c・・・と
なる矩形状のセラミックグリーンシートを用意する。
尚、図2では、誘電体層1b、1cの素子の形状に応じ
たシートで示しているが、実際には、矩形上の大型グリ
ーンシートでもって形成される。
なる矩形状のセラミックグリーンシートを用意する。
尚、図2では、誘電体層1b、1cの素子の形状に応じ
たシートで示しているが、実際には、矩形上の大型グリ
ーンシートでもって形成される。
【0032】次に、誘電体層1aとなるセラミックグリ
ーンシートを除いて、例えば、誘電体層1b、1d、1
f・・・となるグリーンシートの一方主面上の各素子領
域内に、内部電極層4となる導体膜を導電性ペーストの
印刷、乾燥により形成する。
ーンシートを除いて、例えば、誘電体層1b、1d、1
f・・・となるグリーンシートの一方主面上の各素子領
域内に、内部電極層4となる導体膜を導電性ペーストの
印刷、乾燥により形成する。
【0033】同時に、例えば、誘電体層1c、1e、1
g・・・となるグリーンシートの一方主面上の各素子領
域内に、内部電極層5となる導体膜を導電性ペーストの
印刷、乾燥により形成する。
g・・・となるグリーンシートの一方主面上の各素子領
域内に、内部電極層5となる導体膜を導電性ペーストの
印刷、乾燥により形成する。
【0034】そして、誘電体層1a、1b、1c・・・
・となるように積層順を考慮して、各グリーンシートを
積層し、熱圧着を行い、未焼成状態の大型積層体を形成
する。
・となるように積層順を考慮して、各グリーンシートを
積層し、熱圧着を行い、未焼成状態の大型積層体を形成
する。
【0035】その後、この大型積層体を、各素子領域に
応じて切断する。例えば、本発明の素子の形状がアレイ
状となっているため、長尺状のカッターなどによるプレ
ス成型で打ち抜き、未焼成状態のコンデンサ本体(チッ
プ材)を形成する。
応じて切断する。例えば、本発明の素子の形状がアレイ
状となっているため、長尺状のカッターなどによるプレ
ス成型で打ち抜き、未焼成状態のコンデンサ本体(チッ
プ材)を形成する。
【0036】ここで重要なことは、各素子領域に応じて
切断する際に、チップ材の側面(内部電極4、5となる
導体と直交する面)に凹部6、7が形成されるように、
プレス成型により形成する。
切断する際に、チップ材の側面(内部電極4、5となる
導体と直交する面)に凹部6、7が形成されるように、
プレス成型により形成する。
【0037】ついでこのチップ材を所定の雰囲気、温度
で焼成し、第1及び第2内部電極12、14および誘電
体層1a、1b、1c・・・との一体焼結体、すなわち
コンデンサ本体1を形成する。
で焼成し、第1及び第2内部電極12、14および誘電
体層1a、1b、1c・・・との一体焼結体、すなわち
コンデンサ本体1を形成する。
【0038】次に、上記構成のコンデンサ本体1の端面
に端子電極3、4を形成する。具体的には、コンデンサ
本体1から内部電極4、5の一部が露出する一対の端面
を含む端部にAgまたはAg−Pd合金からなる導電ペ
ーストをディッピングを行い、塗布膜を焼き付け、厚膜
下地導体膜を形成する。そして、この厚膜下地導体膜の
表面に、半田食われが生じ難い材料からなるNiメッキ
層を形成し、このメッキ層の上にSnまたはSn−Pb
合金などの材料からなるメッキ層を形成する。
に端子電極3、4を形成する。具体的には、コンデンサ
本体1から内部電極4、5の一部が露出する一対の端面
を含む端部にAgまたはAg−Pd合金からなる導電ペ
ーストをディッピングを行い、塗布膜を焼き付け、厚膜
下地導体膜を形成する。そして、この厚膜下地導体膜の
表面に、半田食われが生じ難い材料からなるNiメッキ
層を形成し、このメッキ層の上にSnまたはSn−Pb
合金などの材料からなるメッキ層を形成する。
【0039】上述の構造の積層セラミックコンデンサ1
0の製造方法において、従来の図4に示す直方体状コン
デンサ本体40の製造方法と異なる部分は、内部電極層
の形状と、未焼成状態の大型積層体から切断する時の形
状だけであり、大きな工程の変更を必要としない。
0の製造方法において、従来の図4に示す直方体状コン
デンサ本体40の製造方法と異なる部分は、内部電極層
の形状と、未焼成状態の大型積層体から切断する時の形
状だけであり、大きな工程の変更を必要としない。
【0040】また、このように形成した積層セラミック
コンデンサ10では、コンデンサ本体1の上下面は、平
坦面となっている。これは、コンデンサ本体1の上下側
のマージン部の厚みが均一となり、従来からの誘電体層
となるシートの積層だけで達成される。即ち、従来の、
特開平9−260206号のように上下側のマージン部
の厚みが変動しないため、製造方向が容易となる。
コンデンサ10では、コンデンサ本体1の上下面は、平
坦面となっている。これは、コンデンサ本体1の上下側
のマージン部の厚みが均一となり、従来からの誘電体層
となるシートの積層だけで達成される。即ち、従来の、
特開平9−260206号のように上下側のマージン部
の厚みが変動しないため、製造方向が容易となる。
【0041】同時に、この上下面を利用して、吸着ノズ
ルなどで積層セラミックコンデンサ10をプリント配線
基板の所定位置に実装する際に、安定したピックアップ
が可能となる。
ルなどで積層セラミックコンデンサ10をプリント配線
基板の所定位置に実装する際に、安定したピックアップ
が可能となる。
【0042】尚、凹部6、7の開口幅を吸着ノズルの外
形よりも大きくしておけば、この積層セラミックコンデ
ンサ10の凹部6、7の底面を利用して吸着することも
できる。
形よりも大きくしておけば、この積層セラミックコンデ
ンサ10の凹部6、7の底面を利用して吸着することも
できる。
【0043】また、積層セラミックコンデンサ10は、
コンデンサ本体1の側面では、凹部6、7が形成されて
いる。これにより、図3に示すような長尺状のスティッ
クケース30に、積層セラミックコンデンサ10を収容
しても、スティックケース30の内壁と積層セラミック
コンデンサ10と凹部6、7との間に、充分な空間sが
形成される。
コンデンサ本体1の側面では、凹部6、7が形成されて
いる。これにより、図3に示すような長尺状のスティッ
クケース30に、積層セラミックコンデンサ10を収容
しても、スティックケース30の内壁と積層セラミック
コンデンサ10と凹部6、7との間に、充分な空間sが
形成される。
【0044】これにより、スティックケース30と積層
セラミックコンデンサ10との間で発生する静電気を有
効に抑えることができ、スティックケース30での積層
セラミックコンデンサ10の搬送・供給が安定化する。
セラミックコンデンサ10との間で発生する静電気を有
効に抑えることができ、スティックケース30での積層
セラミックコンデンサ10の搬送・供給が安定化する。
【0045】また、内部電極層4、5の形状を、実質的
に誘電体層1b、1cの形状に合わせることができるた
め、コンデンサ本体1内に占める内部電極層4、5の存
在が高まり、容量成分の発生を極大化させることができ
る。
に誘電体層1b、1cの形状に合わせることができるた
め、コンデンサ本体1内に占める内部電極層4、5の存
在が高まり、容量成分の発生を極大化させることができ
る。
【0046】尚、プリント配線基板に積層セラミックコ
ンデンサ10を配置するにあたり、積層セラミックコン
デンサ10の凹部6、7を形成した側面を実装底面とし
て配置する事もできる。このようにして実装すると、機
械的強度が大幅に向上し、積層セラミックコンデンサ1
0の接合信頼性を大きく向上させることができ、さら
に、この積層セラミックコンデンサを基板上に搭載した
場合、基板上の導体パターンに対し内部電極が垂直にな
るため、電子回路全体における浮遊容量を完全になくす
ことができる。
ンデンサ10を配置するにあたり、積層セラミックコン
デンサ10の凹部6、7を形成した側面を実装底面とし
て配置する事もできる。このようにして実装すると、機
械的強度が大幅に向上し、積層セラミックコンデンサ1
0の接合信頼性を大きく向上させることができ、さら
に、この積層セラミックコンデンサを基板上に搭載した
場合、基板上の導体パターンに対し内部電極が垂直にな
るため、電子回路全体における浮遊容量を完全になくす
ことができる。
【0047】なお、本発明は上記の実施の形態例に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
での種々の変更や改良等は何ら差し支えない。
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
での種々の変更や改良等は何ら差し支えない。
【0048】
【発明の効果】以上のように、本発明の積層セラミック
コンデンサによれば、コンデンサ本体の側面、即ち、内
部電極と直交する面に凹部を形成している。
コンデンサによれば、コンデンサ本体の側面、即ち、内
部電極と直交する面に凹部を形成している。
【0049】従って、内部電極層の形状を実質的に誘電
体層に近似させた最も大きい効率的な形状とすることが
でき、コンデンサ本体に対する容量発生領域の割合を高
めることができるとともに、素子表面を平坦にできるた
め、ノズルで吸着する際の吸着効率を低下させずに済
み、また、スティックケースなどに収容しても、スティ
ックケースの内壁と積層セラミックコンデンサとの間に
発生する静電気を有効に抑えることができる。静電気の
発生を有効に抑えることができる。
体層に近似させた最も大きい効率的な形状とすることが
でき、コンデンサ本体に対する容量発生領域の割合を高
めることができるとともに、素子表面を平坦にできるた
め、ノズルで吸着する際の吸着効率を低下させずに済
み、また、スティックケースなどに収容しても、スティ
ックケースの内壁と積層セラミックコンデンサとの間に
発生する静電気を有効に抑えることができる。静電気の
発生を有効に抑えることができる。
【図1】積層セラミックコンデンサの斜視図である。
【図2】本発明の積層セラミックコンデンサのコンデン
サ本体を構成する誘電体層の一部の誘電体層上に形成さ
れた内部電極層を示す分解斜視図である。
サ本体を構成する誘電体層の一部の誘電体層上に形成さ
れた内部電極層を示す分解斜視図である。
【図3】本発明の積層セラミックコンデンサをスティッ
クケースに収容した状態の断面図である。
クケースに収容した状態の断面図である。
【図4】従来の積層セラミックコンデンサの斜視図であ
る。
る。
【図5】従来の積層セラミックコンデンサのコンデンサ
本体を構成する誘電体層の一部の誘電体層上に形成され
た内部電極層を示す分解斜視図である。
本体を構成する誘電体層の一部の誘電体層上に形成され
た内部電極層を示す分解斜視図である。
【図6】従来の積層セラミックコンデンサをスティック
ケースに収容した状態の断面図である。
ケースに収容した状態の断面図である。
10、40・・・・・・積層セラミックコンデンサ 1、41・・・・・・コンデンサ本体 4、5、44、45・・・内部電極層 2、3、42、43・・・端子電極
Claims (1)
- 【請求項1】 矩形状誘電体層と内部電極層とを交互に
積層してなる積層体の一対の端部に前記内部電極層と接
続する端子電極を形成して成る積層セラミックコンデン
サにおいて、 前記積層体の他の一対の端部に、厚み方向に延びる凹部
を形成したことを特徴とする積層セラミックコンデン
サ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10368272A JP2000195741A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10368272A JP2000195741A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000195741A true JP2000195741A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18491401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10368272A Pending JP2000195741A (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000195741A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101153686B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2012-06-18 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 제조방법 및 그 제조방법에 의한 적층 세라믹 전자부품 |
US20200328030A1 (en) * | 2018-08-23 | 2020-10-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic electronic component, multi-layer ceramic electronic component mounting substrate, multi-layer ceramic electronic component package, and method of producing a multi-layer ceramic electronic component |
JP2021166219A (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび半導体装置 |
US20230215632A1 (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP10368272A patent/JP2000195741A/ja active Pending
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---|---|---|---|---|
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US20230215632A1 (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
US11948745B2 (en) * | 2021-12-31 | 2024-04-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
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