JP2009176767A - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】内部電極層のずれを簡便に検出することが可能な積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック層２と内部電極層３ａ，３ｂとが積層されると共に、該内部電極層３ａ，３ｂが露出した一対の側面４ａ，４ｂを有する積層体４を形成する。形成された積層体４の側面４ａにプローブ１４からの所定の磁力を印加し、所定の磁力の印加により移動した積層体４を不良品として除去する。形成された積層体４の側面４ｂにプローブ１４からの所定の磁力を印加し、所定の磁力の印加により移動した積層体４を不良品として除去する。不良品として除去されなかった積層体４の側面４ａ，４ｂに端子電極５，６を形成する。
【選択図】 図９

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

積層セラミックコンデンサとして、セラミック層と内部電極層とが積層されると共に、内部電極層が露出した側面を有する積層体を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７−１９４１５８号公報

ところで、上述した積層体は、特許文献１にも記載されているように、以下の工程により得られる。セラミックグリーンシートに導電性ペーストを用いて複数の電極パターンを形成し、この複数の電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数積層する。次に、複数のセラミックグリーンシートが積層された積層体を所望の位置で切断し、電極パターンが端面に露出した個々のグリーン積層体を得る。そして、グリーン積層体を加熱処理（脱バインダ処理や焼成処理等）して、積層体を得る。

このようにして得られた積層体では、複数のセラミックグリーンシートが積層された積層体を切断する位置がずれた場合、一方の内部電極層が露出する側面と、当該側面には露出しない他方の内部電極層との間隔が小さくなってしまう。（以下、単に「内部電極層のずれ」と称する）。内部電極層のずれが生じていると、積層セラミックコンデンサの使用状況等によっては、側面に形成され一方の内部電極層と接続された端子電極と、他方の内部電極層との間での絶縁不良や短絡が生じ易くなり、信頼性が低下する懼れがある。この切断位置のずれに起因する内部電極層のずれは、一般的に検査工程として行われている外観検査や、電気的特性（静電容量、絶縁抵抗、耐電圧等）検査等では検出することはできない。

そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、内部電極層のずれを簡便に検出することが可能な積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミック層と内部電極層とが積層されると共に、該内部電極層が露出した側面を有する積層体を形成する第１の工程と、積層体の側面に磁力発生手段からの所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体を不良品として除去する第２の工程と、第２の工程において不良品として除去されなかった積層体の側面に端子電極を形成する第３の工程と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法では、第２の工程において積層体の側面に磁力発生手段からの所定の磁力が印加される。このとき、内部電極層のずれが生じている積層体では、側面とこの側面に露出していない内部電極層との間隔が、内部電極層のずれが生じていない積層体に比して小さいため、側面に露出している内部電極層だけでなく、この側面に露出していない内部電極層も比較的大きく磁化される。これにより、内部電極層のずれが生じている積層体では、磁化の度合いが内部電極層のずれが生じていない積層体に比して大きく、内部電極層のずれが生じている積層体が上記所定の磁力の印加により移動することとなる。この結果、内部電極層のずれが生じている積層体を簡便に検出することができる。そして、第２の工程において移動した積層体を不良品として除去しているので、内部電極層のずれが生じていない積層体に対して確実に端子電極を形成することができる。

第２の工程では、磁力発生手段に吸着させることにより、不良品を除去することが好ましい。この場合、磁力発生手段によって、内部電極層のずれが生じた積層体が不良品として除去されることとなり、不良品の除去を簡便且つ確実に行うことができる。

第２の工程では、磁力発生手段に積層体を接触させた状態で所定の磁力を印加することが好ましい。この場合、磁力発生手段と積層体との間隔が一定に保たれることとなり、磁力発生手段と積層体との間隔が変わることに起因する検出精度の低下を抑制することができる。

積層体は、側面として、対向する一対の側面を含んでおり、第２の工程では、一対の側面のうち一方の側面に磁力発生手段からの所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体を不良品として除去した後、一対の側面のうち他方の側面に磁力発生手段からの所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体を不良品として除去することが好ましい。この場合、一対の側面のいずれにも端子電極が形成されていない積層体に所定の磁力が印加され、移動した積層体が不良品として除去される。一方の側面に端子電極を形成した積層体に磁力を印加する場合、端子電極の質量等を考慮して積層体に印加する磁力を調整する必要があるが、一対の側面のいずれにも端子電極が形成されていない積層体に磁力を印加するので、印加する磁力を調整する必要は無く、より一層簡便に不良品を除去することができる。

第２の工程では、貫通孔が形成されたプレートを用意し、積層体の側面側の端部をプレートから露出させた状態で積層体を貫通孔に保持し、貫通孔に保持された積層体に所定の磁力を作用させ、不良品とされた積層体を貫通孔から抜き出し、第３の工程では、プレートの貫通孔に保持されている積層体の側面に端子電極を形成することが好ましい。この場合、第２及び第３の工程において積層体を保持するプレートが共通化されることとなり、不良品の除去及び端子電極の形成を効率よく行うことができる。

本発明によれば、内部電極層のずれを簡便に検出することが可能な積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１は、本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックコンデンサの断面図である。この積層セラミックコンデンサ１は、セラミック層２と内部電極層３ａ，３ｂとが交互に複数積層された略直方体の積層体４と、この積層体４の積層方向に交わる方向の一対の側面４ａ，４ｂに形成された一対の端子電極５，６とを備えている。内部電極層３ａは、側面４ａに露出する一方、側面４ｂには露出していない。すなわち、内部電極層３ａと側面４ｂとの間には、所定の間隔が形成されている。内部電極層３ｂは、側面４ｂに露出する一方、側面４ａには露出していない。すなわち、内部電極層３ｂと側面４ａとの間には、所定の間隔が形成されている。

セラミック層２は、誘電特性を有する、例えば非磁性の誘電体材料（ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系等）からなり、セラミック層２の厚みは、例えば１８．５μｍに薄層化されている。内部電極層３ａ，３ｂは、セラミック材料の種類により異なるが、磁性金属材料（Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ等）からなり、セラミック層２を介して対向配置されている。端子電極５は、側面４ａに引き出されて露出している内部電極層３ａに、電気的に接続されている。端子電極６は、側面４ｂに引き出されて露出している内部電極層３ｂに、電気的に接続されている。一対の端子電極５，６は、多層化されており、積層体４に接する部分では、例えばＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ−Ｐｄ等を用い、その外側にはＮｉ−Ｓｎ等のめっきが施される。

続いて、図２を参照して、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。図２は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法のフローを示す図である。

積層セラミックコンデンサ１の製造においては、まず、セラミック層２を形成するためのセラミックペースト、内部電極層３ａ，３ｂを形成するための内部電極ペーストをそれぞれ準備する。

セラミックペーストは、セラミック層２を構成する誘電体材料の原料に有機ビヒクル等を混合・混錬して得ることができる。誘電体材料の原料としては、例えば、誘電体材料が上述したような各種の複合酸化物系材料である場合は、当該複合酸化物に含まれる各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等の組み合わせが挙げられる。

有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等が挙げられる。また、溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノール、メチルエチルケトン等の有機溶剤が挙げられる。

また、セラミックペーストは、上記以外に各種分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体等が必要に応じて含有されていてもよい。

内部電極ペーストは、内部電極層３ａ，３ｂを構成するための導電材料と有機ビヒクルとを混合・混錬したものである。導電材料としては、上述したような金属材料を用い、球状やリン片状等の種々の形状のものを適用できる。また、内部電極ペースト中には、必要に応じて無機化合物を適量含有させることが好ましい。これにより、後述する焼成時において、セラミックグリーンシート及び内部電極ペースト層の体積変化の差を小さくして、これに起因する応力の発生を低減することができる。その結果、この応力に基づくクラックや反り等の不具合を抑制することが可能となる。

有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、またはこれらの共重合体等が挙げられる。溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン、アセトン等が挙げられる。

内部電極ペースト中には、適宜、可塑剤を含有させてもよい。可塑剤としては、例えば、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）等のフタル酸エステル、アジピン酸、リン酸エステル、グリコール類等が適用できる。

続いて、上述したセラミックペースト及び内部電極ペーストを準備した後、まず、例えばＰＥＴ等からなるキャリアシート上にセラミックペーストを、ドクターブレード法等の公知の方法でセラミックグリーンシートを形成する（Ｓ１：シート成形工程）。そして、セラミックグリーンシート上に内部電極ペーストをスクリーン印刷法等の公知の方法で複数の内部電極パターンを形成する（Ｓ３：内部電極形成工程）。

続いて、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所定の大きさに揃えて所定の枚数で積層し、積層方向から加圧してグリーン積層体を得る（Ｓ５：積層・プレス工程）。そして、グリーン積層体を切断機で所定の大きさのチップに切断しグリーンチップを得る（Ｓ７：切断工程）。

続いて、グリーンチップから、各部に含まれるバインダーを除去した後（脱バインダー）、このグリーンチップを焼成する（Ｓ９：焼成工程）。この焼成により、セラミックグリーンシートからセラミック層２が、また、内部電極ペースト層から内部電極層３ａ，３ｂがそれぞれ形成された積層体４が得られる。脱バインダーは、グリーンチップを、空気中、又は、Ｎ_２及びＨ_２の混合ガス等の還元雰囲気中で、２００℃〜６００℃程度に加熱することにより行うことができる。また、焼成は、脱バインダー後のグリーンチップを、例えば、還元雰囲気下で１１００℃〜１３００℃程度に加熱することにより行うことができる。そして、かかるグリーンチップの焼成後、得られた焼成物に、必要に応じて８００℃〜１１００℃、２時間〜１０時間保持するアニール処理を施す。

続いて、所定の磁力を印加することによりスクリーニングを行う（Ｓ１１：磁力スクリーニング工程）。以下、図３〜図９を参照して、磁力スクリーニング工程Ｓ１１について、詳細に説明する。図３は、本実施形態に係る磁力スクリーニング工程Ｓ１１のフローを示す図である。図４〜図９は、本実施形態に係る磁力スクリーニング工程Ｓ１１を説明するための図である。

まず、図４に示すように、例えばシリコーンゴム等からなるプレート１０を用意する。プレート１０には、プレート１０の主面１０ａと直交する方向にプレート１０を貫通する複数の貫通孔１２が、例えば７×７のマトリクス状に形成されている。プレート１０は、貫通孔１２に挿入された積層体４を弾性力により挟持する。

次に、プレート１０の貫通孔１２に積層体４を保持する（Ｓ１１Ａ：積層体保持工程）。ここでは、プレート１０における貫通孔１２の主面１０ａ側の縁部によって積層体４を保持するように、貫通孔１２の主面１０ａ側から貫通孔１２に積層体４を挿入する。そして、図５及び図６に示すように、積層体４を位置決めする。

積層体４の位置決めは、以下のようにして行うことができる。平面部を有する位置決めプレートを、平面部がプレート１０の主面１０ａと所定の間隔を有して対向するように配置し、保持されている積層体４を主面１０ａに対向する主面側からプレスピン等を用いて押し出し、平面部に突き当てる。これにより、積層体４は、主面１０ａからその一部が突出すると共に、主面１０ａからの突出量が所望の値（例えば、０．４ｍｍ程度）に調整された状態で位置決めされる。プレート１０に保持された積層体４では、積層体４における内部電極層３ａが露出している側面４ａ側の端部が主面１０ａから突出している。

続いて、プレート１０に保持された積層体４に対し、積層体４の側面４ａ側から所定の磁力を印加する（Ｓ１１Ｂ：磁力印加工程）。ここでは、図７に示すように、それぞれが電磁石により構成される複数のプローブ１４を用意し、複数のプローブ１４を各貫通孔１２に対応させ、且つ積層体４の側面４ａの間に所定の間隔を有して配置する。そして、図８に示すように、プレート１０とプローブ１４とを相対移動させ、プローブ１４を積層体４の側面４ａに接触させる。その後、プローブ１４にて磁力を発生させ、積層体４に所定の磁力を印加する。

その後、図９に示すように、プローブ１４がプレート１０から離れるように、プレート１０とプローブ１４とを相対移動させる。このとき、プローブ１４から印加された磁力により内部電極層３ａ，３ｂが磁化され、プローブ１４に吸着した積層体４は、プレート１０とプローブ１４との相対移動に伴って移動し、プレート１０の貫通孔１２より抜き出されることとなる。これにより、プローブ１４に吸着した積層体４は除去される。

続いて、別のプレート１０を用意し、プレート１０に保持されている積層体４を別のプレート１０に移し変えて、当該積層体４を別のプレート１０に保持する（Ｓ１１Ｃ：積層体保持工程）。ここでは、積層体４が保持されているプレート１０の主面１０ａに別のプレート１０の主面１０ａを合わせ、積層体４が保持されているプレート１０の主面１０ａに対向する主面側からプレスピン等を用いて積層体４を押し出し、別のプレート１０の貫通孔１２の主面１０ａ側から貫通孔１２に積層体４を挿入する。これにより、積層体４は、別のプレート１０における貫通孔１２の主面１０ａ側の縁部によって保持される。そして、積層体４を位置決めする。

積層体４の位置決めは、上述した積層体保持工程Ｓ１１Ａにおける位置決めと同じ手法であり、詳細な説明を省略する。図５及び図６においては、積層体４における内部電極層３ａが露出している側面４ａ側の端部が主面１０ａから突出した状態を示しているが、別のプレート１０に保持された積層体４では、積層体４における内部電極層３ｂが露出している側面４ｂ側の端部が主面１０ａから突出している。

続いて、別のプレート１０に保持された積層体４に対し、積層体４の側面４ｂ側から所定の磁力を印加する（Ｓ１１Ｄ：磁力印加工程）。ここでは、複数のプローブ１４を用意し、複数のプローブ１４を各貫通孔１２に対応させ、且つ積層体４の側面４ｂの間に所定の間隔を有して配置する。そして、プレート１０とプローブ１４とを相対移動させ、プローブ１４を積層体４の側面４ｂに接触させる。その後、プローブ１４にて磁力を発生させ、積層体４に所定の磁力を印加する。

その後、プローブ１４がプレート１０から離れるように、プレート１０とプローブ１４とを相対移動させる。このとき、プローブ１４から印加された磁力により内部電極層３ａ，３ｂが磁化され、プローブ１４に吸着した積層体４は、プレート１０とプローブ１４との相対移動に伴って移動し、プレート１０の貫通孔１２より抜き出されることとなる。これにより、プローブ１４に吸着した積層体４は除去される。

積層体４に印加する所定の磁力は、以下のようにして求めることができる。内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じていない積層体４を作製し、作製した積層体４を上述した積層体保持工程Ｓ１１Ａ，Ｓ１１Ｃと同じようにしてプレート１０に保持させ、プローブ１４を接触させる。そして、プローブ１４にて磁力を発生させた状態で、プローブ１４をプレート１０から離れるように相対移動させて、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じていない積層体４がプローブ１４に吸着されて移動しない最小の磁力を求める。

内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４では、側面４ａとこの側面４ａに露出していない内部電極層３ｂとの間隔、及び側面４ｂとこの側面４ｂに露出していない内部電極層３ａとの間隔のいずれか一方の間隔が内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じていない積層体４に比して小さくなる。このため、例えば、側面４ａとこの側面４ａに露出していない内部電極層３ｂとの間隔が小さい場合、側面４ａに露出している内部電極層３ａだけでなく、内部電極層３ｂも比較的大きく磁化される。したがって、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４では、磁化の度合いが内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じていない積層体４に比して大きくなる。この結果、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４にプローブ１４から所定の磁力が印加された状態で、プローブ１４がプレート１０から離れるようにプレート１０とプローブ１４とが相対移動すると、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４は、上記相対移動に伴って移動することとなる。

以上の積層体保持工程Ｓ１１Ａ，Ｓ１１Ｃ及び磁力印加工程Ｓ１１Ｂ，Ｓ１１Ｄにより、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４は除去されることとなる。

再び、図２を参照する。磁力スクリーニング工程Ｓ１１を終えると、次に、積層体４の両端部に導電性ペーストを付与して焼付けし、さらにめっきを施すことにより端子電極５，６を形成する（Ｓ１３：端子電極形成工程）。導電性ペーストは、Ｃｕを主成分とする金属粉末にガラスフリット及び有機ビヒクルを混合したものを用いることができる。金属粉末は、Ｎｉ、Ａｇ−ＰｄあるいはＡｇを主成分とするものであってもよい。めっきは、Ｎｉ，Ｓｎ，Ｎｉ−Ｓｎ合金，Ｓｎ−Ａｇ合金，Ｓｎ−Ｂｉ合金等の金属めっきを施すことができる。また、金属めっきは、例えば、ＮｉとＳｎとで２層以上形成した多層構造としてもよい。以上により、図１に示されるような構成の複数の積層セラミックスコンデンサ１が得られる。

端子電極形成工程Ｓ１３における導電性ペーストの付与は、以下のようにして行う。

まず、積層体４（内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じていない積層体４）が保持されているプレート１０を上下反転し、ディップ法等により、プレート１０から露出している側面４ｂ側の端部に導電性ペーストを付与する。導電性ペーストを付与した後、プレート１０を上下反転し、塗布した導電性ペーストを乾燥及び冷却して下地層とする。例えば、１５０〜２００℃下で１０分程度乾燥させる。なお、導電性ペーストを付与する前に、積層体保持工程Ｓ１１Ａ，Ｓ１１Ｃにおける積層体４の位置決めと同じ手法により、再度、積層体４を位置決めしてもよい。

続いて、別のプレート１０を用意し、プレート１０に保持されている積層体４を別のプレート１０に移し変えて、当該積層体４を別のプレート１０に保持する。ここでは、磁力印加工程Ｓ１１Ｂにおける手法と同じ手法により、プレート１０に保持されている積層体４を、用意した別のプレート１０に保持し、位置決めする。そして、プレート１０を上下反転し、ディップ法等により、プレート１０から露出している側面４ａ側の端部に導電性ペーストを付与する。その後、プレート１０を上下反転し、塗布した導電性ペーストを乾燥及び冷却して下地層とする。

続いて、得られた積層セラミックコンデンサ１（被検査体）について、電気的特性の検査をする（Ｓ１５：電気的特性検査工程）。電気的特性の検査は、得られた被検査体が所定の電気的特性を備えているかを検査するものであり、被検査体の電気的特性を測定し、測定された電気的特性に基づいて被検査体の良否を判定する。電気的特性が不良であると判断された被検査体は除外され、当該検査によりスクリーニングされた被検査体のみが他の検査工程に移ることになる。電気的特性の検査には、例えば、積層セラミックコンデンサの規格（ＪＩＳ規格等）に基づく、耐電圧検査、絶縁抵抗検査、静電容量検査、静電正接検査等がある。

続いて、電気的特性検査工程によりスクリーニングされた被検査体について、その外観を検査（Ｓ１７：外観検査工程）する。外観検査は、カメラや目視により被検査体の外観に欠けた部分等が存在しないかを確認するものである。外観検査によりスクリーニングされた良品被検査体が積層セラミックコンデンサ１として、出荷されることとなる。

以上のように、本実施形態では、積層体４の一対の側面４ａ，４ｂ側からそれぞれ、プローブ１４によって所定の磁力を印加することにより、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４がプローブ１４に吸着されて移動することとなる。これにより、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４を簡便に検出し、除去することができる。

本実施形態では、移動した積層体４を不良品として除去している。これにより、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じていない積層体４に対して確実に端子電極５，６を形成することができる。

本実施形態では、不良品（内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４）を、プローブ１４に吸着して移動させ、プレート１０から抜き取ることにより、除去している。これにより、プローブ１４によって内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じた積層体４が不良品として除去されることとなり、不良品の除去を簡便且つ確実に行なうことができる。

本実施形態では、プローブ１４に積層体４を接触させた状態で所定の磁力を印加している。これにより、プローブ１４と積層体４との間隔が一定に保たれることとなり、プローブ１４と積層体４との間隔が変わることに起因する検出精度の低下を抑制することができる。また、この場合、プローブ１４と積層体４とが接触していない状態で磁力を印加する場合に比べ、相対的に低い磁力によって内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４をプローブ１４に吸着させることができる。

本実施形態では、側面４ａ側から所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体４を不良品として除去した後、側面４ｂ側から所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体４を不良品として除去している。これにより、一対の側面４ａ，４ｂのいずれにも端子電極５，６が形成されていない積層体４に所定の磁力が印加され、移動した積層体４が不良品として除去されることとなる。一対の側面４ａ，４ｂのうち一方に端子電極５，６を形成した積層体４に磁力を印加する場合、端子電極５，６の質量等を考慮して積層体４に印加する磁力を調整する必要があるが、一対の側面４ａ，４ｂのいずれにも端子電極５，６が形成されていない積層体４に磁力を印加するので、印加する磁力を調整する必要は無く、より一層簡便に不良品を除去することができる。

本実施形態では、プレート１０に保持されている積層体４の側面４ａ，４ｂに端子電極５，６を形成している。これにより、磁力スクリーニング工程Ｓ１１及び端子電極形成工程Ｓ１３において、積層体４を保持するプレート１０が共通化されることとなり、不良品の除去及び端子電極５，６の形成を効率よく行なうことができる。

次に、図１０及び図１１に基づいて、本実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。変形例は、磁力印加工程Ｓ１１Ｂ，Ｓ１１Ｄにおける、プローブ１４の構成等について、上述した本実施形態と異なっている。図１０及び図１１は、本変形例に係る積層セラミックコンデンサ１の製造方法を説明するための図である。

本変形例では、磁力印加工程Ｓ１１Ｂ，Ｓ１１Ｄにおいて、プローブ１４は、プレート１０の主面１０ａから所定の間隔Ｔ１（例えば、０．５〜１．０ｍｍ程度）を有して、主面１０ａにおける貫通孔１２が形成されている領域の外側に配置されている。そして、プローブ１４にて磁力を発生させた後、図１０に示すように、プローブ１４とプレート１０との間隔Ｔ１を保持しながら、プローブ１４が、貫通孔１２に保持された積層体４に沿って移動するように、プローブ１４とプレート１０とを相対移動させる。

プローブ１４にて発生させる磁力は、プローブ１４が積層体４に対応する位置に移動した際に、積層体４（内部電極層３ａ，３ｂ）に印加される磁力が上述した所定の磁力となるように間隔Ｔ１を考慮して設定される。すなわち、プローブ１４が積層体４に対応する位置まで移動した際に、積層体４（内部電極層３ａ，３ｂ）に所定の磁力が印加され、図１１に示すように、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４がプローブ１４に吸着されるように移動し、ずれが生じていない積層体４に比べ、主面１０ａから突出して保持される。その後、突出して保持されている積層体４は、プレート１０の貫通孔１２より抜き出され、取り除かれる。

以上のように、本変形例においても、本実施形態と同様に、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４を簡便に検出し、除去することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

本実施形態では、積層体４は貫通孔１２の縁部に挟持されて保持されているが、これに限られない。例えば、積層体４が内部に収まるような大きさの貫通孔１２が形成されているプレート１０を用いてもよい。この場合、プレート１０の主面１０ａに対向する主面側に、例えばプレート１０と略等しい大きさを有する支持板１６を配置し、各貫通孔１２の一方を塞いだ後、図１２に示すように、積層体４を主面１０ａ側から各貫通孔１２へ挿入し、固定することなく保持する。そして、積層体４に所定の磁力が印加され、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４は、プレート１０の貫通孔１２より抜き出され、取り除かれる。なお、支持板１６は、プレート１０と一体に形成されていてもよい。

このように、積層体４が貫通孔１２の内部に保持されている場合においても、本実施形態と同様に、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４を簡便に検出し、除去することができる。また、貫通孔１２の縁部に挟持されることにより生じる力を考慮して印加する磁力を調整する必要は無く、より一層簡便に不良品を除去することができる。

本実施形態では、プローブ１４は電磁石により構成されているが、これに限られることなく、永久磁石により構成されていてもよい。

本実施形態では、不良品である積層体４をプローブ１４に吸着して除去しているがこれに限られない。例えば、プローブ１４から印加された所定の磁力により移動した積層体４を、別途、プレート１０から抜き取って、除去してもよい。

本実施形態での磁力印加工程Ｓ１１Ｂ，Ｓ１１Ｄにおいて、複数の積層体４に所定の磁力を印加するために、複数のプローブ１４を用いているがこれに限られない。例えば、プローブ１４を、複数の貫通孔１２にまたがる大きさを有し、複数の積層体４に所定の磁力を印加するように構成されていてもよい。また、上述した変形例では、プローブ１４を、マトリクス状に配列されている貫通孔１２の一列に対応する大きさを有しており、一列の貫通孔１２に保持されている複数の積層体４に所定の磁力を印加するように構成し、隣接する列へ順に移動させて、内部電極層３ａ，３ｂのずれが生じている積層体４を検出し、除去してもよい。

本実施形態では、複数の貫通孔１２が形成されたプレート１０を用いて積層体４を保持しているが、これに限られない。例えば、粘着性を有するシートを用いて、当該シートに複数の積層体４を保持してもよい。この場合、積層体４は、積層体４の一対の側面４ａ，４ｂのうちいずれか一方の側面をシートに当接させて、シートに保持される。

本実施形態では、積層体保持工程Ｓ１１Ａ，Ｓ１１Ｃにおいて、平面部を有する位置決めプレートを用いて積層体４の位置決めをしているが、これに限られない。例えば、プレート１０とプローブ１４とを相対移動させ、プローブ１４を主面１０ａから所定の間隔を有して配置した後、積層体４をプレート１０の主面１０ａに対向する主面側からプレスピン等を用いて押し出し、プローブ１４に突き当てることによって、積層体４を主面１０ａからの突出量が調整された状態で位置決めしてもよい。

本実施形態では、焼成工程Ｓ９の後に磁力スクリーニング工程Ｓ１１を実施しているが、磁力スクリーニング工程Ｓ１１を焼成工程Ｓ９の前に実施してもよい。

本実施形態では、磁力スクリーニング工程Ｓ１１の後に端子電極形成工程Ｓ１３を実施しているが、これに限られない。磁力スクリーニング工程Ｓ１１及び端子電極形成工程Ｓ１３を、例えば、以下のように実施してもよい。

積層体保持工程Ｓ１１Ａ及び磁力印加工程Ｓ１１Ｂを実施した後に、積層体４が保持されているプレート１０を上下反転し、プレート１０から露出している側面４ａ側の端部に導電性ペーストを付与する。そして、導電性ペーストを付与した後、プレート１０を上下反転し、塗布した導電性ペーストを乾燥及び冷却して下地層とする。続いて、積層体保持工程Ｓ１１Ｃ及び磁力印加工程Ｓ１１Ｄを実施した後に、積層体４が保持されているプレート１０を上下反転し、プレート１０から露出している側面４ｂ側の端部に導電性ペーストを付与する。そして、導電性ペーストを付与した後、プレート１０を上下反転し、塗布した導電性ペーストを乾燥及び冷却して下地層とする。

本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックコンデンサの断面図である。 本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを示す図である。 磁力スクリーニング工程のフローを示す図である。 磁力スクリーニング工程を説明するための図であり、積層体を保持するプレートの斜視図である。 磁力スクリーニング工程を説明するための図であり、積層体が保持されたプレートの斜視図である。 磁力スクリーニング工程を説明するための図であり、積層体及びプレートの断面構成を示す模式図である。 磁力スクリーニング工程を説明するための図であり、積層体及びプレートの断面構成を示す模式図である。 磁力スクリーニング工程を説明するための図であり、積層体及びプレートの断面構成を示す模式図である。 磁力スクリーニング工程を説明するための図であり、積層体及びプレートの断面構成を示す模式図である。 磁力スクリーニング工程の変形例を説明するための図であり、積層体及びプレートの断面構成を示す模式図である。 磁力スクリーニング工程の変形例を説明するための図であり、積層体及びプレートの断面構成を示す模式図である。 磁力スクリーニング工程の別の変形例を説明するための図であり、積層体及びプレートの断面構成を示す模式図である。

符号の説明

１…積層セラミックコンデンサ、２…セラミック層、３ａ，３ｂ…内部電極層、４…積層体、４ａ，４ｂ…側面、５，６…端子電極、１０…プレート、１２…貫通孔、１４…プローブ。

Claims (5)

1. セラミック層と内部電極層とが積層されると共に、該内部電極層が露出した側面を有する積層体を形成する第１の工程と、
   前記積層体の前記側面に磁力発生手段からの所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体を不良品として除去する第２の工程と、
   前記第２の工程において不良品として除去されなかった積層体の前記側面に端子電極を形成する第３の工程と、を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
2. 前記第２の工程では、前記磁力発生手段に吸着させることにより、前記不良品を除去することを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
3. 前記第２の工程では、前記磁力発生手段に前記積層体を接触させた状態で前記所定の磁力を印加することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
4. 前記積層体は、前記側面として、対向する一対の側面を含んでおり、
   前記第２の工程では、前記一対の側面のうち一方の側面に前記磁力発生手段からの所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体を不良品として除去した後、
   前記一対の側面のうち他方の側面に前記磁力発生手段からの所定の磁力を印加し、該所定の磁力の印加により移動した積層体を不良品として除去することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
5. 前記第２の工程では、貫通孔が形成されたプレートを用意し、前記積層体の前記側面側の端部を前記プレートから露出させた状態で前記積層体を前記貫通孔に保持し、前記貫通孔に保持された前記積層体に前記所定の磁力を作用させ、不良品とされた積層体を前記貫通孔から抜き出し、
   前記第３の工程では、前記プレートの前記貫通孔に保持されている積層体の前記側面に前記端子電極を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

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