CN108114915A - 电子部件筛选方法及装置、编带电子部件串列的制造装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电子部件筛选方法及装置、编带电子部件串列的制造装置，能够进行考虑了退磁处理的筛选。使施加有偏压的测定端子(T1、T2)与电子部件(40)的外部电极(42、43)接触来对与测定端子接触的外部电极的接触部分进行清洁，并经由测定端子测定电子部件的阻抗值。将与电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值和测定出的阻抗值进行比较来判定电子部件的优劣，筛选合格的电子部件。基于用于电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在电子部件的退磁中阻抗变化的退磁变化率，通过下式来设定上限筛选阈值和下限筛选阈值，上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)，下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。

Description

电子部件筛选方法及装置、编带电子部件串列的制造装置

技术领域

本发明涉及电子部件的筛选方法、电子部件的筛选装置、编带(taping)电子部件串列的制造装置。

背景技术

以往，对贴片电感器等电子部件的电极实施电解镀覆。由于在对电极实施电解镀覆时在电极之间会流过电流，所以存在电子部件被磁化的情况。电子部件中的磁会影响该电子部件的电特性。因此，提出了各种使电子部件通过环状的螺线管来除去电子部件的磁的方法(例如，参照专利文献1、2)。

专利文献1：日本特开平4－239105号公报

专利文献2：日本特开平8－67329号公报

在如贴片电感器那样包含磁性体的电子部件中，磁性体中的磁力会给特性值(例如阻抗值)带来影响。在电子部件的制造工序中，测定电阻值、阻抗值等特性值。而且，存在使施加有偏压的测定端子与电子部件的外部电极接触来对与测定端子接触的外部电极的接触部分进行清洁，并经由测定端子来测定电子部件的阻抗值的情况。该情况下，由于也在电极之间流过电流，所以存在电子部件被磁化的情况。对基于该测定结果筛选出的电子部件进行退磁处理。因此，要求考虑了退磁处理中的特性变化的电子部件的筛选。

发明内容

本发明是为了解决上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种能够实现考虑了退磁处理的筛选的电子部件的筛选方法、电子部件的筛选装置、编带部件串列的制造装置。

解决上述课题的电子部件的筛选方法是包含磁性材料的电子部件的筛选方法，上述电子部件是在筛选后被退磁处理的部件，上述电子部件的筛选方法包括：使施加有偏置电压的测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的阻抗值的工序；和将与上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值和测定出的阻抗值进行比较来判定上述电子部件的优劣，筛选合格的上述电子部件的工序，基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。

根据该结构，通过基于与因退磁而变化的特性值相应的退磁变化率设定上限筛选阈值和下限筛选阈值来筛选电子部件，从而能够考虑退磁处理来进行电子部件的筛选。

优选上述的电子部件的筛选方法基于退磁前的阻抗值和退磁后的阻抗值，通过下式来计算上述退磁变化率，

退磁变化率＝(退磁前阻抗值－退磁后阻抗值)/退磁后阻抗值。

根据该结构，能够容易地设定基于因退磁而变化的阻抗值的退磁变化率。

优选在上述的电子部件的筛选方法中，上述电子部件是包含由被层叠的多个线圈图案构成的线圈导体的层叠电感器，将上述线圈图案的层叠方向设为高度方向T，将与上述线圈图案平行的方向设为宽度方向W，将与高度方向T和宽度方向W正交的方向设为长度方向L，将在由长度方向L和宽度方向W规定的LW面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LW方向退磁变化率，将在由长度方向L和高度方向T规定的LT面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LT方向退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+LW方向退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+LT方向退磁变化率)。

根据该结构，通过在特性的测定值具有方向性的电子部件中，设定与其方向性相应的退磁变化率，从而能够考虑退磁处理来进行电子部件的筛选。

优选上述电子部件的筛选方法将使上述测定端子与上述LW面的上述外部电极接触而测定出的退磁前的阻抗值设为Z1，将退磁后的阻抗值设为Z2，通过下式来设定上述LW方向退磁变化率，

LW方向退磁变化率＝(Z1－Z2)/Z2，

将使上述测定端子与上述LT面的上述外部电极接触而测定出的退磁前的阻抗值设为Z3，将退磁后的阻抗值设为Z4，通过下式来设定上述LT方向退磁变化率，

LT方向退磁变化率＝(Z3－Z4)/Z4。

根据该结构，通过在特性的测定值具有方向性的电子部件中，设定与其方向性相应的退磁变化率，从而能够考虑退磁处理来进行电子部件的筛选。

优选上述电子部件的筛选方法包含测定上述电子部件的电阻值的工序，在判定上述电子部件的优劣的工序中，基于上述阻抗值和上述电阻值来进行判定。

根据该结构，能够基于电阻值和阻抗值来判定电子部件的优劣而进行筛选。

解决上述课题的电子部件的筛选装置是包含磁性材料的电子部件的筛选装置，上述电子部件是在筛选后被退磁处理的部件，上述筛选装置包含：测定部，使施加有偏压的测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子测定上述电子部件的阻抗值；控制部，将与上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值和测定出的阻抗值进行比较来判定上述电子部件的优劣；以及筛选部，基于上述控制部的判定结果，来筛选合格的上述电子部件，上述控制部基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。

根据该结构，通过基于与因退磁而变化的特性值相应的退磁变化率设定上限筛选阈值和下限筛选阈值来筛选电子部件，从而能够考虑退磁处理来进行电子部件的筛选。

解决上述课题的编带电子部件串列的制造装置是生成下述编带电子部件串列的编带电子部件串列的制造装置，上述编带电子部件串列具有：载带，具有沿着长边方向隔开间隔形成的多个收容孔；电子部件，被收容于上述收容孔；以及盖带，封闭上述收容孔，上述编带电子部件串列的制造装置包含：输送部，将上述电子部件输送至上述载带；测定部，设置于上述输送部中的上述电子部件的输送路径，在与上述电子部件接触的一对测定端子之间施加偏置电压并使该测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的特性；控制部，将与上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值和测定出的阻抗值进行比较来判定上述电子部件的优劣；筛选部，基于上述控制部的判定结果，来筛选合格的上述电子部件；卷绕部，将上述编带电子部件串列卷绕；以及退磁装置，配置于上述输送部与上述卷绕部之间，上述控制部基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。

根据该结构，通过基于与因退磁而变化的特性值相应的退磁变化率设定上限筛选阈值和下限筛选阈值来筛选电子部件，从而能够考虑退磁处理来进行电子部件的筛选。

根据本发明的电子部件的筛选方法、电子部件的筛选装置、编带部件串列的制造装置，能够实现考虑了退磁处理的筛选。

附图说明

图1是编带电子部件串列的制造装置的示意性俯视图。

图2是编带电子部件串列的制造装置的概略图。

图3(a)是编带电子部件串列的部分俯视图，(b)是编带电子部件串列的部分剖视图。

图4(a)、(b)是编带的说明图。

图5是退磁装置的概略立体图。

图6(a)、(b)是电子部件的概略立体图。

图7是退磁装置的作用的说明图。

图8(a)、(b)是退磁装置中的磁通的说明图。

图9是被编带的层叠电感器的磁通的说明图。

图10(a)～(c)是表示电子部件的特性值测定的概略图。

图11是表示电子部件的阻抗值的特性图。

图12是表示阈值的设定的说明图。

图13(a)、(b)是电子部件的概略立体图。

图14(a)～(j)是表示其它退磁装置的立体图。

具体实施方式

以下，对一个实施方式进行说明。

应予说明，附图存在为了容易理解而放大表示了构成要素的情况。构成要素的尺寸比例存在与实际的尺寸比例、或者其它附图中的尺寸比例不同的情况。另外，在剖视图中，为了容易理解，存在省略了部分构成要素的剖面线的情况。

如图2所示，编带电子部件串列的制造装置10具有输送装置11、编带装置12、退磁装置13、控制装置14。控制装置14驱动控制输送装置11、编带装置12、退磁装置13。此外，在图2中，示出了一个控制装置14，但也可以对各装置设置控制装置。

输送装置11具有3个卷盘(reel)部21、22、23。卷盘部21供给载带31。卷盘部22供给盖带32。

载带31具有收容电子部件的收容孔。编带装置12将电子部件收容于载带31的收容孔，并利用盖带32封闭该收容孔。由此，形成在收容孔内收容有电子部件的编带电子部件串列33。卷盘部23将编带电子部件串列33卷绕。卷盘部23输送编带电子部件串列33。卷盘部23和编带电子部件串列33构成输送电子部件的输送单元。而且，由被输送的编带电子部件串列33构成电子部件的移动路径。

退磁装置13被配置在编带装置12与卷盘部23之间。退磁装置13对被收容于由卷盘部23输送的编带电子部件串列33的电子部件进行退磁处理。

对电子部件进行说明。

如图6(a)所示，电子部件40具有部件基体41和外部电极42、43。部件基体41呈大致直六面体状。例如，部件基体41呈大致正四棱柱状。其中，“大致直六面体”包含角部、棱线部被倒角后的直六面体；角部、棱线部被倒圆的直六面体。

在本实施方式中，电子部件40是层叠电感器。如图6(b)所示，部件基体41具有磁性体部51和线圈导体(导体部)52。线圈导体52被埋设于磁性体部51。在线圈导体52的两端形成有引出电极53、54。引出电极53、54与外部电极42、43电连接。

作为磁性体部51的材料，例如，能够使用作为主要成分含有铁(Fe)、镍(Ni)、锌(Zn)以及铜(Cu)各成分的铁素体材料。

作为线圈导体52的材料，例如，能够使用以Cu为主要成分的导电性材料。作为外部电极42、43的材料，例如，能够使用Ni、Cu、银(Ag)、钯(Pd)、金(Au)、Ag－Pd合金等适当的导电材料。

部件基体41例如层叠板状的磁性体而形成。具体而言，制作由铁素体等磁性材料构成的片材(例如，生片)，在片材的规定位置形成了导通孔(via hole)之后，在片材的上表面利用铜(Cu)等导电性材料形成线圈图案(导体图案)52a。对形成有规定的线圈图案52a的片材和未形成线圈导体的片材进行层叠，以规定的压力进行压接，并切割成规定尺寸而得到层叠体。以规定温度(例如，900度)对该层叠体进行烧制以得到部件基体41。在部件基体41的两端面涂覆导电材料，并在规定温度(例如700度)下进行烧结而形成外部电极42、43。

在这样形成的电子部件40中，将形成有一对外部电极42、43的方向设为“长度方向L”。将与该“长度方向L”正交的方向设为“高度方向T”和“宽度方向W”。本实施方式的电子部件40具有在与长度方向L正交的一个方向上层叠片材而形成的线圈导体52。将层叠有构成该线圈导体52的多个线圈图案52a的方向(层叠方向)设为“高度方向T”。而且，将与“长度方向L”以及“高度方向T”均正交的方向设为“宽度方向W”。所层叠的片材的面以及多个线圈图案52a形成为沿着“宽度方向W”延伸。

而且，如上所述，电子部件40形成为大致直六面体状(大致正四棱柱状)。该电子部件40具有在高度方向T相对置的侧面40a、40b、在宽度方向W相对置的侧面40c、40d、在长度方向L相对置的端面40e、40f。

在高度方向T相对置的侧面40a、40b与以长度方向L和宽度方向W为轴的平面平行。因此，将这些侧面40a、40b称为LW面。同样，在宽度方向W相对置的侧面40c、40d与以长度方向L和高度方向T为轴的平面平行。因此，将这些侧面40c、40d称为LT面。

对编带电子部件串列33进行说明。

如图3(a)以及图3(b)所示，编带电子部件串列33包含：具有收容孔31a的载带31、配置于载带31的上表面的盖带32、以及被收容于各收容孔31a的电子部件40。本实施方式的载带31具有贯通形成有收容孔31a的基带31b、和安装于基带31b的下表面的底带31c。此外，也可以使用使基带31b和底带31c一体的载带。

如图3(a)以及图3(b)所示，收容孔31a沿着载带31的长边方向(图3(a)的左右方向)隔着间隔地形成。收容孔31a形成为沿着载带31的宽度方向(图3(a)的上下方向)延伸。该编带电子部件串列33被向长边方向的一个方向(例如，图3(a)的左方)输送。从编带电子部件串列33的主面(上表面)观察，收容孔31a形成为沿与编带电子部件串列33的输送方向正交的方向延伸。

对编带装置12进行说明。

如图1所示，编带装置12具有球型送料器(Ball feeder)61、线形(linear)送料器62、输送机构63。

球型送料器61中收容多个电子部件40。球型送料器61通过进行振动将电子部件40依次供给至线形送料器62。线形送料器62通过进行振动，将从球型送料器61供给的电子部件40供给至输送机构63。

输送机构63具有以中心轴C为中心进行旋转的输送台64。输送机构63通过输送台64将电子部件40输送至载带31。

输送台64具有多个凹部65。输送台64是圆板状，多个凹部65分别设置于输送台64的径向外侧端部。多个凹部65沿着输送台64的周向隔着间隔设置。例如，多个凹部65沿着输送台64的周向等间隔设置。各凹部65从输送台64的外周面朝向中心轴C延伸。各凹部65在俯视(从输送台64的中心轴C的方向观察)下形成为矩形状。各凹部65形成得比电子部件40稍大。

在位置P1，将电子部件40从线形送料器62放入输送台64的凹部65。在位置P1被放入凹部65的电子部件40通过输送台64进行旋转，而以中心轴C为中心沿着周向被输送。电子部件40被输送到位置P5。电子部件40在该位置P5从输送台64被收容至载带31的收容孔31a。

在位于从位置P1到位置P5为止的输送路径上的位置P2，设置有电阻值测定部66。在该电阻值测定部66中，对被收容于凹部65的电子部件40的电阻值(直流电阻Rdc)进行测定。测定出的电子部件40的电阻值被输出至图2所示的控制装置14。

在输送路径上，在位于位置P2与位置P5之间的位置P3设置有阻抗测定部67。在该阻抗测定部67中，对被收容于凹部65的电子部件40的阻抗值进行测定。测定出的电子部件40的阻抗值被输出至图2所示的控制装置14。

图10(a)是表示电子部件40的特性值测定的示意图。

如图10(a)所示，以规定的按压力使测定端子T1、T2与电子部件40的外部电极42、43接触，来测定电子部件40的特性值。此时，实施电清洁(ECM：Electric CleaningModule)。电清洁是用于使测定端子T1、T2与电子部件40的外部电极42、43之间的接触性稳定化的处理。若在测定端子T1、T2的表面、外部电极42、43的表面存在异物的附着、氧化膜等膜，则测定端子T1、T2与外部电极42、43的接触性不稳定。因此，若在测定端子T1、T2之间施加了偏置电压的状态下，使测定端子T1、T2与外部电极42、43接触，则在测定端子T1、T2与外部电极42、43之间会产生放电现象。通过该放电现象，除去表膜(例如，镀锡氧化膜)、附着于表面的异物。由此，测定端子T1、T2与外部电极42、43之间的接触性稳定化。

此外，在图10(a)中示出了2根测定端子T1、T2，但测定端子的数量可根据所测定的特性来变更。例如，在电阻值测定部66中，通过使用了4根测定端子的4端子法来测定电阻值。另外，在阻抗测定部67中，如图10(a)所示，使用2根测定端子T1、T2来测定阻抗值。

此外，如图6(b)所示，本实施方式的电子部件40包含层叠多个线圈图案52a而形成的线圈导体52。而且，电子部件40具有面向线圈图案52a的层叠方向(高度方向T)的LW面40a、40b、和面向与线圈图案52a平行的方向(宽度方向W)的LT面40c、40d。因此，存在如图10(b)所示在电子部件40的LT面40c使测定端子T1、T2与外部电极42、43接触的情况、以及如图10(c)所示在电子部件40的LW面40a使测定端子T1、T2与外部电极42、43接触的情况。

而且，本实施方式的电子部件40根据所层叠的多个线圈图案52a的方向性，按照测定端子T1、T2所抵接的侧面，测定值不同。例如，存在如图10(b)所示通过电子部件40的LT面40c来测定特性值(阻抗值)的情况、以及如图10(c)所示使测定端子T1、T2与电子部件40的LW面40a接触来测定特性值的情况。使测定端子T1、T2与LT面40c接触而测定出的阻抗值比使测定端子T1、T2与LW面40a接触而测定出的阻抗值大。可认为这是因为电子部件40的制造工序中的残留应力等引起的。

如图1所示，在输送路径上，在位于位置P3与位置P5之间的位置P5设置有筛选部68。筛选部68与图2所示的控制装置14连接。筛选部68基于控制装置14的指示来筛选电子部件40。

控制装置14基于从电阻值测定部66输出的电阻值和从阻抗测定部67输出的阻抗值，来判定电子部件40的优劣。控制装置14基于该判定结果，使筛选部68筛选判定为合格的电子部件40，保持原样继续输送，并通过筛选部68将判定为不合格的电子部件40从输送台64中除去。

例如，筛选部68具有未图示的抽吸泵。抽吸泵与形成于输送台64的抽吸孔连接。由此，输送台64吸附保持电子部件40。筛选部68在位置P4持续判定为合格的电子部件40的吸附保持。另一方面，筛选部68在位置P4停止判定为不合格的电子部件40的吸附保持，并对抽吸孔赋予正压。由此，将电子部件从凹部65排除。因此，通过位置P4而被输送至位置P5的电子部件40全部是被判定为合格的产品。

此外，控制装置14存储有用于筛选电子部件40的阈值。用于筛选的阈值包含针对电阻值的阈值和针对阻抗值的阈值。控制装置14中设定有作为合格产品而出厂的电阻值的范围。范围由上限阈值和下限阈值来设定。成为合格产品的电子部件40是在范围内、即电阻值(直流电阻)为上限阈值以下且下限阈值以上的产品。

另外，控制装置14中对电子部件40设定有作为合格产品而出厂的阻抗值的范围。范围由上限阈值和下限阈值来设定。成为合格产品的电子部件是在范围内、即阻抗值为上限阈值以下且下限阈值以上的产品。在电阻值和阻抗值中被判定为合格的电子部件40出厂。将用于该出厂的阻抗值的范围的上限值和下限值分别设为“出厂上限阈值”“出厂下限阈值”。

电子部件40的阻抗值还根据由测定时的电清洁(ECM)引起的磁化和退磁装置13(参照图1)而变化。因此，控制装置14中设定有退磁时的阻抗值的变化率(退磁变化率)。控制装置14基于该退磁变化率以及上述的出厂上限阈值、出厂下限阈值来设定用于筛选的阈值。用于筛选的阈值包含上限筛选阈值和下限筛选阈值。控制装置14基于以下的式子来设定上限筛选阈值和下限筛选阈值：

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。

出厂上限阈值和出厂下限阈值例如根据电子部件40的产品标准来设定。例如，使出厂上限阈值等于产品标准的上限值，使出厂下限阈值等于产品标准的下限值。此外，也可以对产品标准考虑筛选时的筛选裕度(margin)来设定出厂上限阈值和出厂下限阈值。考虑测定的较正所使用的电子部件的特性值(阻抗值)的误差、较正作业的误差、测定的反复精度的误差等重要因素来设定筛选裕度。基于筛选裕度，通过以下的式子来设定出厂上限阈值和出厂下限阈值：

出厂上限阈值＝产品标准上限值－筛选裕度

出厂下限阈值＝产品标准下限值+筛选裕度。

如上所述，本实施方式的电子部件40包含层叠多个线圈图案52a而形成的线圈导体52。而且，通过测定而得到的阻抗值根据电子部件40的测定方向(使图10(a)所示的测定端子T1、T2接触的侧面的朝向)而不同。

图11表示使测定端子T1、T2与LT面接触而测定出的阻抗值LTa、LTb的分布、和使测定端子T1、T2与LW面接触而测定出的阻抗值LWa、LWb的分布。这些分布是对规定个数(例如，500个)的电子部件40进行测定所得到的结果。而且，在图11中，在左侧示有退磁后的阻抗值LTa、LWa，在右侧示有退磁前的阻抗值LTb、LWb。例如，退磁后的阻抗值是在对电清洁后的电子部件进行退磁处理之后，使测定端子分别与LT面和LW面接触而测定出的阻抗值。另外，退磁前的阻抗值是进行电清洁并使测定端子分别与LT面和LW面接触而测定出的阻抗值。在左右的各特性图中，横轴表示个数，纵轴表示阻抗值。另外，在图11中，越靠上侧，阻抗值越大。

如图11所示，退磁后的阻抗值LTa、LWa与退磁前的阻抗值LTb、LWb的分布的状态几乎相等。即，在各个电子部件中，阻抗值同样地变化。与使测定端子T1、T2和LT面接触而测定出的阻抗值LTb、LTa中的退磁前与退磁后之差相比，使测定端子T1、T2与LW面接触而测定出的阻抗值LWb、LWa中的退磁前与退磁后之差较大。即，使测定端子T1、T2与LT面接触而测定出的阻抗值LTa、LTb比使测定端子T1、T2与LW面接触而测定出的阻抗值LWa、LWb大。

根据这些阻抗值，得到由退磁引起的阻抗值的变化率。对退磁前的电子部件进行特性值测定，得到测定出的阻抗值中的从最大值开始的n个(例如25个)阻抗值的平均值Z1、和从最小值开始的n个阻抗值的平均值Z2。同样，对退磁后的电子部件进行特性值测定，得到测定出的阻抗值中的从最大值开始的n个(例如25个)阻抗值的平均值Z3、和从最小值开始的n个阻抗值的平均值Z4。这是因为在特性值测定中，无法区分LT面和LW面。即，特性值测定的结果中包含使测定端子T1、T2与LT面接触而测定出的结果和使测定端子T1、T2与LW面接触而测定出的结果。如图11所示，从最大值开始的多个(n个)特性值是使测定端子T1、T2与LT面接触而测定出的值的概率极高，从最小值开始的多个(n个)特性值是使测定端子T1、T2与LW面接触而测定出的值的概率极高。

而且，根据这些平均值Z1～Z4，通过下式来得到LT方向退磁变化率和LW方向退磁变化率：

LT方向退磁变化率＝(Z1－Z3)/Z3

LW方向退磁变化率＝(Z2－Z4)/Z4。

然后，通过下式来设定上限筛选阈值和下限筛选阈值：

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+LW方向退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+LT方向退磁变化率)。

图12表示上述的上限筛选阈值和下限筛选阈值的设定的概要。

如上所述，基于出厂上限阈值和LW方向退磁变化率来设定上限筛选阈值。通过使用这样设定的上限筛选阈值，能够可靠地筛选在LT方向上测定出的电子部件。即，在通过基于LT面的测定而得到了根据上限筛选阈值判定为合格的电子部件40的阻抗值的情况下，该阻抗值在退磁后成为比出厂上限阈值小的值。即，对于判定为合格产品的电子部件而言，在退磁后，其阻抗值也处于成为合格产品的范围内。

同样，基于出厂下限阈值和LT方向退磁率变化率来设定下限筛选阈值。通过使用这样设定的下限筛选阈值，能够可靠地筛选在LW方向上测定出的电子部件。即，在通过基于LW面的测定而得到了根据下限筛选阈值判定为合格产品的电子部件40的阻抗值的情况下，该阻抗值在退磁后成为比出厂下限阈值大的值。即，对于判定为合格产品的电子部件而言，在退磁后，其阻抗值也处于成为合格产品的范围内。

此外，在特性值测定中没有基于测定面引起的方向性或者基于测定面引起的方向性小的电子部件的情况下，能够基于测定结果得到没有方向性的退磁变化率。即，对退磁前的电子部件进行特性值测定，得到测定出的阻抗值的平均值Z5。同样，对退磁后的电子部件进行特性值测定，得到测定出的阻抗值的平均值Z6。然后，根据这些平均值Z5、Z6，通过下式得到退磁变化率：

退磁变化率＝(Z5－Z6)/Z6。

如图13(a)以及图13(b)所示，电子部件200是包含由在长度方向L层叠的多个片材形成的线圈导体201(线圈图案201a)的层叠电感器。该电子部件200是在特性值测定中没有基于测定面引起的方向性或者基于测定面引起的方向性小的电子部件的一个例子。该电子部件200在LT面与LW面的特性(阻抗值)上没有差别或者差别小到对筛选没有影响的程度。在制造这样的电子部件的工序中，能够使用通过上述式子得到的退磁变化率来设定上限筛选阈值和下限筛选阈值而进行合格产品的筛选。

由输送台64输送出的电子部件40在位置P5被收容于载带31的收容孔31a。在载带31，沿着长边方向隔开间隔设置有多个收容孔31a。载带31被定位成在输送台64的凹部65位于位置P5时，该凹部65与收容孔31a重叠。在该状态下，电子部件40从输送台64的凹部65被收容于载带31的收容孔31a。

之后，载带31沿着长边方向在图1中向左方移动，被配置为未收容有电子部件40的其它凹部65与位于位置P5的凹部65重叠，将电子部件40收容于收容孔31a。通过反复进行这些工序，将电子部件40依次收容于载带31的多个收容孔31a。

在被输送的载带31的下方配置有磁轨69。磁轨69通过磁力来吸引收容于载带31的收容孔31a的电子部件40。

如图4(a)所示，电子部件40被磁轨69磁吸引，而紧贴于收容孔31a的底面。即，磁轨69使收容孔31a内的电子部件40的姿势稳定化。在图4(a)中，在载带31的上方配置有输送盖70。因此，能够不如图4(b)所示那样电子部件40的姿势倾斜、或从收容孔31a飞出而与输送盖70接触地使载带31移动。另外，磁轨69抑制收容孔31a中电子部件40的移动。由此，能够抑制电子部件40、载带31的损害(损伤)，并抑制编带电子部件串列33的品质降低。

之后，在载带31上配置覆盖多个收容孔31a的盖带32。此外，在图1中，为了容易理解载带31和电子部件40而省略了盖带32。盖带32例如通过加热等而紧贴于载带31。结果，生成具有载带31、盖带32、以及收容于收容孔31a的电子部件40的编带电子部件串列33。

被输送的载带31通过退磁装置13的上方，并被图2所示的卷盘部23卷绕。退磁装置13对收容于载带31的收容孔31a的电子部件40进行退磁处理。如上所述，电子部件40的部件基体41具有磁性体部51。磁性体部51通过上述测定中的电清洁被流过部件基体41(参照图6(b))的电流、磁轨69的磁力等磁化。磁性体部51的磁化、即磁性体部51中所残留的磁场使电子部件40的特性(阻抗值)变化。例如，作为电子部件40在层叠电感器中，因磁性体部51的磁化，而阻抗值降低。例如，若在出厂后由于一些重要因素而磁性体部51的磁场降低，则阻抗值升高。即，导致电子部件40中的特性(阻抗值)变化。因此，利用退磁装置13来降低磁性体部51的磁场，抑制特性(阻抗值)的变化。

如图5所示，退磁装置13具有芯体81和线圈91。芯体81配置于被输送的编带电子部件串列33(载带31)的下方。此外，在图5中，为了示出电子部件40而省略了盖带。芯体81具有2个磁极82、83，例如形成为U字状。详细而言，芯体81具有平行延伸的一对磁极部84、85、以及连结一对磁极部84、85的下端的连结部86。线圈91卷绕于一对磁极部84、85中的一个磁极部85。此外，也可以将线圈91卷绕于磁极部84。而且，一对磁极部84、85的前端面(上端面)成为芯体81的磁极82、83。

芯体81被配置为将2个磁极82、83沿着载带31的输送方向排列。在本实施方式中，芯体81被配置为2个磁极82、83与载带31的主面(下表面)对置。芯体81的磁极82、83与载带31之间的距离例如能够为5～10mm的范围。2个磁极82、83之间的距离(磁极82、83的中心间距离)例如能够为70mm。

芯体81上缠绕有线圈91。线圈91与未图示的电源装置连接，由该电源装置供给交流电流。被供给交流电流的线圈91使芯体81的2个磁极82、83之间产生交变磁场。电源装置例如包含于图2所示的控制装置14。此外，也可以与控制装置14分立地具备电源装置。

如图7所示，与载带31对应配置的2个磁极82、83分别形成在载带31的高度方向上通过该载带31的交变磁场(垂直磁场、第一磁场)。另外，与载带31分离规定距离配置的2个磁极82、83形成与载带31的输送方向平行的交变磁场(水平磁场、第二磁场)。即，如上述那样构成的退磁装置13形成与载带31垂直方向的交变磁场(垂直磁场)和与载带31平行的交变磁场(水平磁场)。

例如，作为电源装置能够使用单相200V、60Hz的交流电源。通过这样的交流电源，退磁装置13产生磁通密度为0～90mT(毫特斯拉)的磁场。此外，在载带31中，优选产生30～75mT的范围的磁通密度的磁场。进一步优选具有45mT以上的磁通密度，更为优选具有60mT的磁通密度。作为载带31的输送速度，例如，能够为40～140mm/sec。

(作用)

基于由退磁引起的特性值(阻抗值)的变化率(退磁变化率)和用于出厂的阈值来设定用于筛选的阈值，并基于该筛选阈值进行了电子部件40的筛选。而且，利用退磁装置13对作为合格产品而筛选出的电子部件40进行退磁处理。退磁后的电子部件40的特性值(阻抗值)收敛在用于出厂的范围。这样，可进行考虑了退磁处理的电子部件40的筛选。

在退磁处理中，电子部件40的特性值(阻抗值)比退磁前的值大。即，退磁前的特性值比用于出厂的下限阈值小。若使用用于出厂的下限阈值来进行筛选，则像这样因特性变化(上升)而成为用于出厂的范围的电子部件在该筛选的时机被判定为不是合格产品。即，若如本实施方式这样基于退磁变化率来设定用于筛选的阈值(下限筛选阈值)，则成为合格产品的电子部件40的数量增多。

电子部件40是包含由在高度方向T层叠的多个片材形成的线圈导体52(线圈图案52a)的层叠电感器。在该电子部件40的特性值测定(阻抗值测定)中，使测定端子T1、T2与LT面接触而测定出的测定值(阻抗值)与使测定端子T1、T2与LW面接触而测定出的测定值(阻抗值)产生差别，针对每一个退磁变化率不同。因此，设定LT方向退磁率和LW方向退磁率，并使用基于LT方向退磁率和LW方向退磁率设定的下限筛选阈值和上限筛选阈值来进行电子部件40的筛选。作为合格产品而筛选出的电子部件40在退磁后进入用于出厂的范围。因此，在进入用于出厂的范围的电子部件40的筛选中可得到高的精度。

得到在退磁前测定出的多个电子部件40的特性值(阻抗值)中的、从最大值开始的n个阻抗值的平均值Z5和从最小值开始的n个阻抗值的平均值Z6。另外，得到对退磁后的电子部件40测定出的特性值中的、从最大值开始的n个阻抗值的平均值Z7和从最小值开始的n个阻抗值的平均值Z8。然后，基于平均值Z5、Z7来设定LT方向退磁变化率，并基于平均值Z6、Z8来设定LW方向退磁变化率。基于LT面的测定值处于比基于LW面的测定值变高的趋势。因此，从最大值开始的n个阻抗值是基于LT面的测定结果的概率极高，从最小值开始的n个阻抗值是基于LW面的测定结果的概率极高。因此，LT方向退磁变化率和LW方向退磁变化率的设定很容易。

退磁装置13形成与载带31垂直的交变磁场和水平的交变磁场。

图8(a)以及图8(b)示出了在载带31的输送方向，由退磁装置13产生的磁场的强度。图8(a)表示在载带31的移动方向，相对于载带31水平形成的交变磁场的强度。图8(b)表示在载带31的移动方向，相对于载带31垂直形成的交变磁场的强度。

如图8(a)以及图8(b)所示，交变磁场的强度随着使载带31沿着输送方向远离退磁装置13的芯体81的2个磁极82、83(在图中用竖的虚线表示)而变弱。由此，构成电子部件40的磁性体部51的磁随着交变磁场的变化而反复反转并且衰减。

然而，如本实施方式的电子部件40那样，在包含层叠的多个导体图案的电子部件中，根据多个导体图案的层叠方向，通过电子部件的磁力不同。因此，在使电子部件通过环状的线圈的退磁装置的情况下，存在受到电子部件的姿势影响的磁力不同，磁难以衰减的情况。

如图9所示，在载带31的收容孔31a中收容有电子部件40。电子部件40具有由层叠的线圈图案52a形成的线圈导体52。在图9中，用直线示出线圈导体52(线圈图案52a)。对于在图9中左侧所示的电子部件40而言，以线圈导体52(线圈图案52a)沿着载带31的高度方向(图9的上下方向)的方式收容于收容孔31a。另一方面，对于在图9中右侧所示的电子部件40而言，以线圈导体52(线圈图案52a)沿着与载带31的表面平行的方向(图9的左右方向)的方式收容于收容孔31a。此外，在图9中省略了盖带。

这样，在正四棱柱状、接近正四棱柱状的(高度方向T的长度和宽度方向W的长度大致相等的)电子部件40中，由于难以判定高度方向T和宽度方向W，所以很难统一电子部件40的姿势地收容于载带31。

如上所述，本实施方式的退磁装置13形成与载带31垂直的交变磁场和与载带31平行的交变磁场。即，在图9所示的2个电子部件40的每一个电子部件中，都施加与线圈导体52平行的磁场和与线圈导体52垂直的磁场。从而，不管收容于载带31的电子部件40的姿势如何，磁都衰减。因此，对于磁受到姿势的影响不同的电子部件40来说，无需使姿势一致，能够容易地收容于载带31、即能够容易地生成编带电子部件串列33。

如以上描述那样，根据本实施方式，起到以下的效果。

(1)基于由退磁引起的特性值(阻抗值)的变化率(退磁变化率)和用于出厂的阈值来设定用于筛选的阈值，并基于该筛选阈值来进行电子部件40的筛选。而且，利用退磁装置13对作为合格产品而筛选出的电子部件40进行退磁处理。退磁后的电子部件40的特性值(阻抗值)收敛于用于出厂的范围内。这样，能够进行考虑了退磁处理的电子部件40的筛选。

(2)在退磁处理中，电子部件40的特性值(阻抗值)比退磁前的值大。即，退磁前的特性值比用于出厂的下限阈值小。若使用用于出厂的下限阈值来进行筛选，则如这样因特性变化(上升)而成为用于出厂的范围的电子部件在该筛选的时机被判定为不是合格产品。即，若如本实施方式这样，基于退磁变化率来设定用于筛选的阈值(下限筛选阈值)，则成为合格产品的电子部件40的数量增多，能够提高电子部件40的成品率。

(3)本实施方式的电子部件40是包含由在高度方向T层叠的多个片材形成的线圈导体52(线圈图案52a)的层叠电感器。在该电子部件40的特性值测定(阻抗值测定)中，使用了LT面的测定结果(阻抗值)和使用了LW面的测定结果(阻抗值)产生差别，针对每一个退磁变化率不同。因此，设定LT方向退磁率和LW方向退磁率，并使用基于LT方向退磁率和LW方向退磁率设定出的下限筛选阈值和上限筛选阈值来进行电子部件40的筛选。由此，作为合格产品筛选出的电子部件40在退磁后进入用于出厂的范围。因此，能够提高进入用于出厂的范围的电子部件40的筛选精度。

(4)得到在退磁前测定出的多个电子部件40的特性值(阻抗值)中的、从最大值开始的n个阻抗值的平均值Z5和从最小值开始的n个阻抗值的平均值Z6。另外，得到对退磁后的电子部件40测定出的特性值中的、从最大值开始的n个阻抗值的平均值Z7和从最小值开始的n个阻抗值的平均值Z8。然后，基于平均值Z5、Z7来设定LT方向退磁变化率，并基于平均值Z6、Z8来设定LW方向退磁变化率。基于LT面的测定值处于比基于LW面的测定值变高的趋势。因此，从最大值开始的n个阻抗值是基于LT面的测定结果的概率极高，从最小值开始的n个阻抗值是基于LW面的测定结果的概率极高。因此，能够容易地设定LT方向退磁变化率和LW方向退磁变化率。

(5)编带电子部件串列的制造装置10具有配置在编带装置12与输送装置11(卷盘部23)之间的退磁装置13。编带装置12将电子部件40收容于载带31的收容孔31a，并利用盖带32封闭该收容孔31a，从而生成编带电子部件串列33。卷盘部23输送编带电子部件串列33。

退磁装置13具有芯体81和卷绕于芯体81的线圈91，并对线圈91供给交流电流。芯体81配置于被输送的编带电子部件串列33(载带31)的下方。退磁装置13形成与载带31垂直方向的交变磁场(垂直磁场、第一交变磁场)和与载带31平行的交变磁场(水平磁场、第二交变磁场)。因此，对电子部件40施加第一交变磁场和与该第一交变磁场正交的第二交变磁场。而且，随着电子部件40的输送，第一交变磁场和第二交变磁场的磁力缓缓降低。通过像这样施加正交的2个方向的交变磁场并且随着输送交变磁场的磁力缓缓减弱，能够不管电子部件40的姿势如何，都降低该电子部件40的磁。

(6)退磁装置13的芯体81具有一对磁极82、83，这一对磁极82、83沿着编带电子部件串列33的输送方向排列。因此，若对线圈91施加交流电流，则能够在一对磁极82、83各自的位置产生与编带电子部件串列33垂直的交变磁场，并且，在一对磁极82、83之间产生与编带电子部件串列33平行的交变磁场。

(7)电子部件40具有层叠多个线圈图案(导体图案)52a而形成的线圈导体52。该电子部件40根据线圈导体52(线圈图案52a)的层叠方向，所通过的磁力不同。对该电子部件40施加相互正交的交变磁场(垂直磁场和水平磁场)。结果，对于残留磁场、所通过的磁场具有方向性的电子部件40，能够降低该电子部件40的磁。

(变形例)

此外，上述实施方式也可以按照以下的方式来实施。

·对于上述实施方式，也可以对芯体的形状进行适当变更。

图14(a)表示上述实施方式的芯体81以及线圈91的概要。与此相对，也可以如图14(b)所示，使用具有一对磁极部102、103以及连结磁极部102、103的连结部104，并形成为H字形的芯体101。

也可以如图14(c)以及图14(d)所示，将线圈91卷绕于连结部86、104。

也可以如图14(e)所示，使用一对磁极部112、113相互连接且不具有连结部的V字形的芯体111。

另外，也可以如图14(f)～图14(j)所示，使用成为磁极的端面为圆形的芯体121～125。此外，成为磁极的端面并不局限于圆形，也可以为三角形、五边形以上的多边形状。

·对于上述实施方式，也可以使卷绕于芯体的线圈的数量为2个以上。

·在上述实施方式中，在编带电子部件串列33的下方配置有退磁装置13，但也可以在编带电子部件串列33的上方配置退磁装置13。

附图标记说明

10…编带电子部件串列的制造装置，11…输送装置，12…编带装置，13…退磁装置，14…控制装置，33…编带电子部件串列，40…电子部件。

Claims (7)

1.一种电子部件的筛选方法，是包含磁性材料的电子部件的筛选方法，其中，

上述电子部件是在筛选后被退磁处理的部件，

上述电子部件的筛选方法包含：

使施加有偏置电压的测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的阻抗值的工序；和

将测定出的阻抗值与和上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值进行比较来判定上述电子部件的优劣，筛选合格的上述电子部件的工序，

基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。

2.根据权利要求1所述的电子部件的筛选方法，其中，

基于退磁前的阻抗值和退磁后的阻抗值，通过下式来计算上述退磁变化率，

退磁变化率＝(退磁前阻抗值－退磁后阻抗值)/退磁后阻抗值。

3.根据权利要求1或2所述的电子部件的筛选方法，其中，

上述电子部件是包含由被层叠的多个线圈图案构成的线圈导体的层叠电感器，将上述线圈图案的层叠方向设为高度方向T，将与上述线圈图案平行的方向设为宽度方向W，将与高度方向T和宽度方向W正交的方向设为长度方向L，

将在由长度方向L和宽度方向W规定的LW面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LW方向退磁变化率，

将在由长度方向L和高度方向T规定的LT面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LT方向退磁变化率，

通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+LW方向退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+LT方向退磁变化率)。

4.根据权利要求3所述的电子部件的筛选方法，其中，

将通过使上述测定端子与上述LW面的上述外部电极接触而测定出的退磁前的阻抗值设为Z1，将退磁后的阻抗值设为Z2，

通过下式来设定上述LW方向退磁变化率，

LW方向退磁变化率＝(Z1－Z2)/Z2，

将使上述测定端子与上述LT面的上述外部电极接触而测定出的退磁前的阻抗值设为Z3，将退磁后的阻抗值设为Z4，

通过下式来设定上述LT方向退磁变化率，

LT方向退磁变化率＝(Z3－Z4)/Z4。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子部件的筛选方法，其中，

包含测定上述电子部件的电阻值的工序，

在判定上述电子部件的优劣的工序中，基于上述阻抗值和上述电阻值来进行判定。

6.一种电子部件的筛选装置，是包含磁性材料的电子部件的筛选装置，其中，

上述电子部件是在筛选后被退磁处理的部件，

上述电子部件的筛选装置包含：

测定部，使施加有偏置电压的测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的阻抗值；

控制部，将测定出的阻抗值与和上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值进行比较来判定上述电子部件的优劣；以及

筛选部，基于上述控制部的判定结果，来筛选合格的上述电子部件，

上述控制部基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。

7.一种编带电子部件串列的制造装置，是生成下述编带电子部件串列的编带电子部件串列的制造装置，上述编带电子部件串列具有：载带，具有沿着长边方向隔开间隔形成的多个收容孔；电子部件，被收容于上述收容孔；以及盖带，封闭上述收容孔，

上述编带电子部件串列的制造装置包含：

输送部，将上述电子部件输送至上述载带；

测定部，设置于上述输送部中的上述电子部件的输送路径，在与上述电子部件接触的一对测定端子之间施加偏置电压并使该测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的特性；

控制部，将测定出的阻抗值与和上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值进行比较来判定上述电子部件的优劣；

筛选部，基于上述控制部的判定结果，来筛选合格的上述电子部件；

卷绕部，将上述编带电子部件串列卷绕；以及

退磁装置，配置于上述输送部与上述卷绕部之间，

上述控制部基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+退磁变化率)。