CN105044586A - 芯片电子部件的电特性的连续检查方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及芯片电子部件的电特性的连续检查方法。提供一种在不伴随检查工序的延长的情况下能够抑制在芯片电子部件的电特性的连续检查方法的实施时发现的检查精度的降低的方法。是在使用在表面同心圆状地形成有三列以上的透孔的列的芯片电子部件输送圆盘的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中加入了以下操作的方法：在对在圆盘的半径方向上相邻的透孔的每一个内收容的芯片电子部件中的一个芯片电子部件的电特性进行测定的期间对与其它一个或者更多的芯片电子部件接触的电极端子施加直流电流，由此，除去在该电极端子的前端生成的氧化物被膜。

Description

芯片电子部件的电特性的连续检查方法

技术领域

本发明涉及一种使用自动化的芯片电子部件检查分选装置高速地连续地对大量的芯片电子部件的电特性进行检查的方法。

背景技术

伴随着便携式电话、智能电话、液晶电视机、电子游戏机等小型电制品的生产量的增加，装入到这样的电制品中的微小的芯片电子部件的生产量显著增加。芯片电子部件的大部分由主体部、以及主体部的相向的两端面的每一个所具备的电极形成。作为这样的结构的芯片电子部件的例子，能够举出芯片电容器（也被称为芯片电容）、芯片电阻器（包含芯片变阻器）和芯片电感。

近年来，响应于装入芯片电子部件的电制品的进一步小型化以及装入到电制品中的芯片电子部件的数量的增加，芯片电子部件变得极其小。例如，关于芯片电容器，近年来使用极其小的尺寸（例如，被称为0402芯片的0.2mm×0.2mm×0.4mm的尺寸）的电容器。这样的微小的芯片电子部件通过大量生产以一批量为几万至几十万个这样的单位而被生产。

为了降低在装入有芯片电子部件的电制品中起因于芯片电子部件的缺陷的电制品的废品率，通常对大量制造出的芯片电子部件进行全数检查。例如，关于芯片电容器，对其全数进行静电电容、泄露电流等电特性的检查。

大量的芯片电子部件的电特性的检查需要高速地进行，作为用于自动地进行该高速的检查的装置，近年来，通常使用具备形成有许多透孔的输送圆盘（芯片电子部件临时保持板）的芯片电子部件的电特性的检查和分选用的自动化装置（即，芯片电子部件检查分选装置）。在该输送圆盘中，通常以沿着圆周排列成三列以上的多个列的状态形成暂时收容保持检查对象的芯片电子部件的许多透孔。而且，在该芯片电子部件检查分选装置的使用时，在使芯片电子部件暂时收容保持于处于旋转状态的输送圆盘的透孔之后，使在保持于该输送圆盘的芯片电子部件中沿着该输送圆盘的旋转路径附设的一对电极端子（检查用触头）与芯片电子部件的各电极接触而对该芯片电子部件的规定的电特性进行测定，接着，基于该测定结果，实施使芯片电子部件从输送圆盘的透孔以收容于规定的容器的方式排出而分选（或者分类）的作业。

即，自动化的最近的芯片电子部件的检查分选装置能够称为包含以下部分的芯片电子部件检查分选装置：基台、被基台以能旋转的方式轴支承的芯片电子部件输送圆盘（其中，在该芯片电子部件输送圆盘沿着圆周形成有三列以上的能够暂时收容在相对的端面的每一个具有电极的芯片电子部件的透孔）、以及沿着该输送圆盘的旋转路径依次设置的使芯片电子部件供给收容于该输送圆盘的透孔的芯片电子部件供给收容部（供给收容区域）、进行芯片电子部件的电特性的检查的芯片电子部件电特性检查部（检查区域）、以及基于检查结果对检查完毕的芯片电子部件进行分类的芯片电子部件分类部（分类区域）。

例如，在进行芯片电容器的静电电容的检查的情况下，在电特性检查部中，从芯片电子部件检查分选装置所具备的检查器（电特性测定装置）经由检查用电极端子对芯片电容器施加具有规定的频率的检查用电压。然后，使用检查器对由于该检查用电压的施加而在芯片电容器中产生的电流的电流值进行检测，基于该检测电流值和检查用电压的电压值，进行检查对象的芯片电容器的静电电容的检查。

作为芯片电子部件检查分选装置的例子，能够举出专利文献1所记载的装置。即，在专利文献1中记载了包括以下工序的连续地检查芯片电子部件的电特性的方法的改良方法，使用上述的结构的芯片电子部件检查分选装置，使分别基于同一标准以示出规定的相同的电特性的方式制造的检查对象的芯片电子部件以彼此接近地配置的状态收容保持于输送圆盘的透孔，接着，将检查器与芯片电子部件的每一个电连接，然后从该检查器对各个芯片电子部件施加检查用电压，利用检查器对由于该检查用电压的施加而在各芯片电子部件中产生的电流值进行检测。

另一方面，在专利文献2中存在以下的公开：为了除去在电子部件的电阻测定时引起该电阻测定的精度的降低的在电子部件的电极面生成的氧化被膜等高电阻的杂质，通过直流电流对该氧化被膜施加电压的方法是有效的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：WO2014/010623A1

专利文献2：日本特开2006–30131号公报。

发明要解决的课题

在使用具有上述的各种结构的芯片电子部件检查分选装置实施芯片电子部件的检查、分类操作时，首先，使芯片电子部件输送圆盘（以下，仅称为输送圆盘）间歇性地旋转，在该输送圆盘的旋转停止的期间，在芯片电子部件供给收容部中，在该输送圆盘的各列的透孔收容芯片电子部件，接着，通过该输送圆盘的间歇性的旋转，使收容于各列的透孔的芯片电子部件移动至电特性检查部，在该电特性检查部中，使电连接于电特性测定装置（检查器）的电极端子与收容于各列的透孔的芯片电子部件的每一个接触，在该接触状态下自动地进行依次对收容于在该圆盘的半径方向上相邻的透孔的芯片电子部件的电特性进行测定的操作，之后，重复实施在该输送圆盘的旋转和停止状态下的向透孔收容芯片电子部件以及电特性的测定的操作。

本发明的发明人在进行使用到此为止叙述的那样的检查分选装置的芯片电子部件的电特性的连续检查方法的研究时，注意到当经过长时间持续进行这样的检查时有时会出现电特性的测定值的精度下降，进行了用于查明其原因的研究。然后，其研究的结果是，本发明人发现：关于该电特性的测定值的精度的下降，在为了测定而与庞大数量的芯片电子部件高速地重复地接触的电极端子（探针）的前端生成氧化物被膜而发生由于该氧化物被膜的生成而产生的电极端子的前端与芯片电子部件的电极面的接触不良的情况成为原因。

在上述的专利文献2中公开了以下情况：通常，为了除去在电子部件的电极面生成的氧化物被膜，能够利用通过直流电流对该氧化物被膜施加电压的方法。因此，本发明人研究了将在电极端子（探针）的前端生成的氧化物被膜通过直流电流对该电极端子施加电压来除去的方法。即，是在检查对象的芯片电子部件的电特性的测定之前或者测定之后、添加通过以使电极端子与芯片电子部件的电极面接触的状态施加电压来除去电极端子的前端的氧化物被膜的工序的改良方法的研究。而且，本发明人确认其研究结果是，能够通过添加用于除去这样的电极端子的前端的氧化物被膜的工序来除去在期望的电极端子的前端生成的氧化物被膜。

然而，同时还判明了对于将上述的氧化物被膜的除去工序组入到芯片电子部件的电特性的连续检查方法的工序中存在问题。即，由于使用上述那样的检查分选装置的芯片电子部件的电特性的连续检查方法是以高速地实施庞大数量的芯片电子部件的检查为目的而开发出的方法，所以，对该检查作业追加上述的电极端子的氧化物被膜的除去工序必然引起检查所需的时间的延长，因此，对芯片电子部件的自动化的检查的工业性实施是不利的。

发明内容

因此，本发明人进一步加以研究的结果是，发现：在对与收容于在输送圆盘的半径方向上相邻的透孔的每一个的芯片电子部件处于接触状态的电极端子中的一个芯片电子部件的电特性进行测定的期间，对与其它一个或者更多的芯片电子部件（为了电特性的测定而待机的芯片电子部件）接触的电极端子施加直流电流，进行该电极端子的前端的氧化物被膜的除去，由此，在不会引起芯片电子部件的检查作业时间的延长的情况下对芯片电子部件的电特性的连续检查方法组入电极端子的前端的氧化物被膜的除去工序。本发明是基于这样的由本发明人发现的新的见解来完成的发明。

因此，本发明是一种芯片电子部件的电特性的连续检查方法，所述连续检查方法包括：使以在表面同心圆状地形成有至少三列的透孔的列的圆盘能够间歇性地进行旋转的方式在同心圆的中心被基台轴支承而成的芯片电子部件输送圆盘间歇性地旋转，在该输送圆盘的旋转停止的期间，在芯片电子部件供给收容部中，将芯片电子部件收容于该输送圆盘的各列的透孔，接着，通过该输送圆盘的间歇性的旋转，使收容于各列的透孔的芯片电子部件移动至电特性检查部，在该电特性检查部中，在使电连接于电特性测定装置的电极端子与收容于各列的透孔的芯片电子部件的每一个接触之后，在该接触状态下依次对在该圆盘的半径方向上相邻的透孔内收容的芯片电子部件的电特性进行测定，之后，重复实施在该输送圆盘的旋转和停止状态下的向透孔的芯片电子部件的收容以及电特性的测定，所述连续检查方法的特征在于，在对在该圆盘的半径方向上相邻的透孔的每一个内收容的芯片电子部件中的一个芯片电子部件的电特性进行测定的期间对与其它一个或者更多的芯片电子部件接触的电极端子施加直流电流，由此，除去在该电极端子的前端生成的氧化物被膜。

本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法的优选实施方式如下。

（1）芯片电子部件为在顶部和底部的每一个具备电极面的柱状的芯片电子部件，电极端子由与该芯片电子部件的顶部的电极面和底部的电极面的每一个接触的至少一对探针构成。

（2）电极端子由分别与电特性测定装置的Hcur、Hpot、Lcur、Lpot各个端子电连接的四个探针构成。

发明效果

通过使用本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法，从而能够自动地避免成为引起电特性的测定精度的下降的原因的电极端子的前端的氧化物被膜等污染物的积累，因此，提高大量的微小的芯片电子部件的电特性的高速且高精度的检查分选功能。

附图说明

图1是以芯片电容器为例来示出检查对象的芯片电子部件的结构的立体图。

图2是示出芯片电子部件检查分选装置的整体结构的例子的正面图。

图3示出芯片电子部件检查分选装置的芯片电子部件输送圆盘、在该输送圆盘的旋转路径上沿着其旋转方向依次配置的芯片电子部件供给收容部（供给收容区域）、芯片电子部件电特性检查部（检查区域）以及芯片电子部件分类部（分类区域）。

图4是芯片电子部件输送圆盘的正面图以及输送圆盘与其背后的支承构造的剖面图。

图5示出芯片电子部件供给收容部的正面图和侧视图。再有，虚线是为了示出芯片电子部件供给收容部的内部构造而描绘添加的。

图6是示出芯片电子部件供给收容部所具备的桶的内部构造的图，（a）是示出桶的内部构造的正面图，（b）是桶的侧面剖面图。再有，在后者的桶的侧面剖面图中还示出输送圆盘和配备在输送圆盘的背后的基板（基准台）的侧面的剖面。

图7是示出芯片电子部件供给收容部中的向输送圆盘的透孔的芯片电子部件的供给和收容的状态的剖面图，是示出在输送圆盘上沿着圆周圆弧状地排列配置的透孔内收容芯片电子部件并进行输送的状态的图。箭头表示输送圆盘的旋转方向（透孔的移动方向）。

图8是示出在检查部中检查收容于输送圆盘的透孔的芯片电子部件的电特性的状态的剖面图。

图9是示出在分类部中排出收容于输送圆盘的透孔并且在检查部中的检查结束后的芯片电子部件的状态的图。

图10是示出在本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中采用的从检查器（电容计）与电极端子（四端子）连接的电气系统的例子的电路图。

图11是示出在本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中采用的从检查器（电容计）与电极端子（二端子）连接的电气系统的例子的电路图。

具体实施方式

最初，一边参照附图一边对在本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法的实施中有利地使用的芯片电子部件检查分选装置的结构例进行说明。

图1是作为检查对象的芯片电子部件而以通常的芯片电容器为例示出其结构的立体图，芯片电子部件（芯片电容器）19由包括电介质的电容器主体21以及与其两端相对地设置的一对电极22a、22b构成。通常的芯片电容器19是使用陶瓷作为电介质的芯片陶瓷电容器。再有，在通常的芯片电子部件的电极的表面附设有芯片电子部件向各种基板的安装用的焊锡层。

作为在本发明的芯片电子部件检查分选装置中检查的芯片电子部件的代表例，可举出芯片电容器、芯片电阻器（包括芯片变阻器）以及芯片电感。

检查对象的芯片电子部件以示出规定的相同的电特性的方式按照同一标准来制造。

因此，上述的检查对象的芯片电子部件为同一制造批量的电子部件的情况较多，但是，也可以在这样的同一制造批量的芯片电子部件中混合不同批量的芯片电子部件。但是，通常，两者的制造批量的芯片电子部件是以示出彼此相同的电特性的方式按照同一标准来制造的电子部件（通常是以作为彼此相同的制品来进行销售为目的而制造的电子部件）。

图2是示出芯片电子部件检查分选装置的结构例的正面图，图3示出芯片电子部件检查分选装置的芯片电子部件输送圆盘、在该输送圆盘的旋转路径上沿着其旋转方向依次配置的芯片电子部件供给收容部（供给收容区域）、芯片电子部件电特性检查部（检查区域）以及芯片电子部件分类部（分类区域）。图2的芯片电子部件检查分选装置是在输送圆盘沿着其圆周将许多透孔排列成6列的配置的装置。再有，关于图3的输送圆盘，为了简化，将输送圆盘示出为沿着其圆周将许多透孔排列成3列的输送圆盘。图4的（a）是图3所示的芯片电子部件输送圆盘的正面图，而且，图4的（b）是示出输送圆盘和其背后的支承构造的剖面图。

在图2所示的芯片电子部件检查分选装置10中，在圆盘状材料的表面上以沿着圆周排列的配置形成有能够暂时收容芯片电子部件（例如，芯片电容器）的二个以上的透孔11a的芯片电子部件输送圆盘（以下，能够仅称为输送圆盘）11以能够沿着圆盘的平面进行旋转的方式被基台41轴支承。如图3所示那样，在输送圆盘11的旋转路径设定有芯片电子部件的供给收容部（供给收容区域）101、芯片电子部件电特性的检查部（检查区域）102以及芯片电子部件的分类部（分类区域）103。在检查部102中，在与输送圆盘11的各列的各透孔11a的两个开口部接近的位置具备电特性测定用的电极端子。在电极端子电连接有检查器14a、14b，而且具备以向检查器供给与检查处理相关的信号的方式与检查器电连接的控制器15。再有，检查对象的芯片电子部件进入到料斗47，从芯片电子部件供给口31经由桶（bucket）（参照图5、6）供给至输送圆盘11的透孔。

芯片电子部件输送圆盘11的透孔11a通常被配置在输送圆盘的表面、多个同心圆上、对该同心圆进行等分割后的位置。

在附图所示的装置10中，设置有在输送圆盘11的中心与周缘之间沿直径方向排列的合计6个的透孔，按照收容于各个透孔的合计6个芯片电子部件的每一个进行芯片电子部件的电特性的检查。关于在输送圆盘11的中心与周缘之间沿直径方向排列的透孔的数量，优选的是处于3~20个的范围，更优选的是处于3~12个的范围。

输送圆盘11例如经由基板（基准台）45以及中心轴42以能旋转的方式设置（固定）于基台41，通过使配设于其背面侧的旋转驱动装置43工作，从而在中心轴42的周围间歇性地进行旋转。

在输送圆盘11的透孔11a内，在芯片电子部件供给收容部101中，暂时收容检查对象的芯片电子部件，以便检查其电特性。

在图5和图6中示出芯片电子部件供给收容部101的详细结构。芯片电子部件供给收容部101还被称为桶部，是用于使从外部由芯片电子部件供给口31供给的芯片电子部件经由桶32收容于输送圆盘11的透孔11a的区域。在图5和图6中，桶32采用用于将芯片电子部件供给至设置在输送圆盘11的3列（为了简化与图3同样地示出为3列）的透孔组的结构，是用于使芯片电子部件沿3列且圆弧状地下降的3列的槽被间隔壁33分离而形成的。由芯片电子部件供给口31供给并在桶32的内部沿着间隔壁33下降的芯片电子部件在桶32的底部附近通过经由形成在基板（基准台）45的气体吸引通路45a而在输送圆盘11的透孔11a造成的强的吸引力吸引收容于透孔11a。再有，该芯片电子部件向输送圆盘11的透孔11a的吸引收容通常是使输送圆盘为静止状态来进行的。

图7示出芯片电子部件被向输送圆盘11的透孔11a吸引收容的状态。即，在桶32的底部附近集聚的芯片电子部件19通过经由形成在基板（基准台）45的气体吸引通路45a而在输送圆盘11的透孔11a造成的强的吸引力吸引收容于透孔11a。再有，在该桶32的底部附近集聚的芯片电子部件19向透孔11a吸引收容时，在桶32的底部附近从外部吹入空气来生成气流而使芯片电子部件19在搅拌状态下浮游，由于顺利地进行芯片电子部件的吸引收容，所以是优选的。例如能够利用图6所图示的空气喷出37来进行向这样的桶32的底部附近的来自外部的空气的吹入。

如上所述，在芯片电子部件输送圆盘11的背侧或者装置的后方侧（在图7中为右侧）配设有基板45。在基板45分别形成有在输送圆盘11侧的表面开口的多个气体吸引通路45a。各个气体吸引通路与向透孔供给强的吸引力的气体吸引装置46连接。当使气体吸引装置46工作时，气体吸引通路45a内的气体被强的吸引力吸引，在输送圆盘11与基板45之间形成的缝隙处于减压状态。

一边使输送圆盘11沿在图7中记入的箭头所示的方向间歇性地旋转，一边将芯片电子部件经由芯片电子部件供给口31和桶32供给到输送圆盘的表面，当使气体吸引装置46工作而使输送圆盘11与基板45之间的缝隙为减压状态时，在输送圆盘11的透孔11a的每一个吸收收容芯片电子部件19。

通过上述的输送圆盘11的间歇性的旋转移动，收容于输送圆盘11的透孔11a的芯片电子部件19接着被送至图2和图3所示的检查部102。再有，在芯片电子部件19向透孔11a内的收容完成之后输送圆盘11进行旋转而使收容于透孔11a的芯片电子部件19移动至检查部102、进而到达分类部103之前，使输送圆盘11与基板45之间的缝隙为弱的减压状态。因此，在芯片电子部件供给收容部101中在输送圆盘11的透孔11a内收容的芯片电子部件19在通过输送圆盘11的之后的旋转而经由检查部102到达分类部103之前不会从透孔11a脱落。

如图8所示，在检查部中，为了将芯片电子部件与其电特性的检查器电连接，在与输送圆盘11的透孔11a的两个开口部接近的位置分别配置有成对构成的电极端子12a、13a、12b、13b、12c、13c、12d、13d、12e、13e、12f、13f。

一方的电极端子（12a、其它）经由配设于其周围的电绝缘性的筒体而被固定于基板45。电极端子和基板45的输送圆盘侧的表面通常通过研磨加工等成为平滑的平面。

另一方的电极端子（13a、其它）被固定于电极端子支承板53。

通过使电极端子支承板53向输送圆盘11侧移动，从而被电极端子支承板53支承的电极端子（13a、其它）也同时向输送圆盘11侧移动。通过该电极端子（13a、其它）的移动，芯片电子部件被成对的电极端子（12a、13a、其它）之间夹持而成为接触状态。因此，芯片电子部件的电极22a与电极端子（12a、其它）电连接，而且，电极22b与电极端子（13a、其它）电连接。由此，芯片电子部件经由成对的电极端子（12a、13a、其它）与检查器电连接。

再有，与配置有成对的电极端子的输送圆盘的各透孔的两个开口部“接近的位置”意味着在芯片电子部件被收容于各透孔时各电极端子与各芯片电子部件的电极电连接的位置或者在各电极端子采用能移动的结构的情况下能够通过使各电极端子移动来与芯片电子部件的电极电连接的位置。

而且，在检查部102中，对在输送圆盘11的直径方向上以排列成一列的方式收容配置的6个芯片电子部件19a、19b、19c、19d、19e、19f的每一个检查规定的电特性。

检查了电特性的芯片电子部件接着通过输送圆盘11的间歇性的旋转移动被送至图2和图3所示的芯片电子部件的分类部103。

如图9所示，在分类部103中，在输送圆盘11的表侧或者装置的前表面侧（在图9中为左侧）配设有形成有多个透孔61a的管支承罩61。构成芯片电子部件19a的排出通路的管62连接于管支承罩61的透孔61a的每一个。再有，在图2中，仅示出与管支承罩61的透孔61a的每一个连接的管62中的一部分管。

此外，在配置于输送圆盘11的背侧或者装置的后方侧（在图9中为右侧）的基板45，在分类部103的区域分别形成有在输送圆盘11侧的表面开口的多个气体供给通路45b。各个气体供给通路45b与加压气体供给装置63连接。

当使加压气体供给装置63工作时，向气体供给通路45b供给加压气体，并将加压气体喷射到收容于输送圆盘11的透孔11a的芯片电子部件19a。由此，芯片电子部件被向管62排出。

芯片电子部件19a通过例如形成于图2所示的管支承罩61的多个透孔61a中位于最外周侧的合计10个透孔61a。该10个透孔61a分别经由管62与芯片电子部件收容容器64连接。

因此，由分类部103从透孔排出的芯片电子部件经由与管支承罩61的10个透孔61a连接的合计10个管62的任一个，基于检查的结果判明的电特性被收容至预先决定的芯片电子部件收容容器64。

接着，一边参照图10一边对本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中的特征的操作即电极端子的前端的氧化物被膜的除去操作详细地进行说明。

图10是示出在本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中采用的从检查器向电极端子的电气系统（利用四端法）的例子的电路图。图10的电路图是在图2所示的检查器（例如，电容计）14a中进行图8所示的被收容于输送圆盘的透孔的芯片电子部件中的三组19a、19b、19c（以在输送圆盘的半径方向上排列的状态下收容的透孔）的芯片电子部件的检查（电特性的测定）以及与各芯片电子部件的电极接触的电极端子的前端的氧化物被膜除去用的直流电流的施加的电路图，该电路所示的是在两对电极端子（即，四端子）与芯片电子部件19a、19b、19c的每一个接触的状态下能够依次实施芯片电子部件的电特性的测定以及电极端子的前端的氧化物被膜的除去用的直流电流的施加的电气电路。即，该电气电路能够称为利用芯片电子部件的四端法的电特性的测定电路，在各芯片电子部件的测定电路中，以能够经由连接切换开关连接的方式具备直流电流施加用的电路（连结向外部电源的端子+DCV与端子–DCV的电路）。

在图10中，在检查器（电容计）14a中具备能够经由连接切换开关电连接于与芯片电子部件接触的四个电极端子的每一个的四个端子（Hcur、Hpot、Lcur、Lpot）。

接着说明使用图10所示的电气电路进行的测定芯片电子部件的电特性的操作以及除去电极端子的前端的氧化物被膜的操作的例子。在电极端子与在圆盘的半径方向上排列且收容于输送圆盘的透孔的芯片电子部件19a、19b、19c的每一个接触的状态下，首先，连接切换开关进行工作，与芯片电子部件19a接触的四个电极端子与检查器14a电连接，测定芯片电子部件19a的电特性。另一方面，在进行该芯片电子部件19a的电特性的测定的期间，直流电路（连结端子+DCV与端子–DCV的电路）通过连接切换开关的工作与连接于芯片电子部件19b以及芯片电子部件19c两者或者任一个的电极端子连接来进行直流电流的施加。通过该直流电流的施加，除去与芯片电子部件19b以及芯片电子部件19c两者或者任一个连接的电极端子的前端的氧化物被膜。

接着，通过连接切换开关的工作，芯片电子部件19b所接触的四个电极端子与检查器14a电连接来测定芯片电子部件19b的电特性。另一方面，在进行该芯片电子部件19b的电特性的测定的期间，直流电路（连结端子+DCV与端子–DCV的电路）通过连接切换开关的工作与连接于芯片电子部件19c以及芯片电子部件19a两者或者任一个的电极端子连接来进行直流电流的施加。通过该直流电流的施加，除去与芯片电子部件19c以及芯片电子部件19a两者或者任一个连接的电极端子的前端的氧化物被膜。再有，针对已经进行了利用在与上述的芯片电子部件19a的电特性的测定同时期实施的向与其它芯片电子部件接触的电极端子施加直流电流的氧化物被膜的除去操作的电极端子，还能够省略再次施加直流电流。

进而，接着，通过连接切换开关的工作，芯片电子部件19c所接触的四个电极端子与检查器14a电连接来测定芯片电子部件19c的电特性。另一方面，在进行该芯片电子部件19c的电特性的测定的期间，直流电路（连结端子+DCV与端子–DCV的电路）通过连接切换开关的工作与连接于芯片电子部件19a以及芯片电子部件19b两者或者任一个的电极端子连接来进行直流电流的施加。通过该直流电流的施加，除去在与芯片电子部件19a以及芯片电子部件19b两者或者任一个连接的电极端子的前端处生成的氧化物被膜。再有，针对已经进行了利用与上述的芯片电子部件19a或者芯片电子部件19b的电特性的测定同时期实施的向与其它芯片电子部件接触的电极端子施加直流电流的氧化物被膜的除去操作的电极端子，还能够省略再次赋予直流电流。

如在上述说明的那样，根据本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法，在沿输送圆盘的半径方向排列并收容于透孔的一个芯片电子部件的电特性的测定中，通过向与其它一个或者两个以上的芯片电子部件的电极接触的电极端子施加赋予直流电流来进行在电极端子的前端生成的氧化物被膜的除去。因此，能够在不会引起检查时间的延长的情况下实施在电极端子的前端生成的氧化物被膜的除去用的直流电流的施加操作。

再有，本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中的电极端子前端部的氧化物被膜的除去也可以通过在使用该电极端子的芯片电子部件的电特性的测定之后向该电极端子施加直流电流来实施。即，本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法是使用自动化的检查装置来高速且连续地进行的，因此，在一个芯片电子部件的电特性的测定中使用，接着，通过直流电流的施加进行氧化物被膜的除去的电极端子直接用于收容于相同的列的透孔的下一个芯片电子部件的电特性的测定。

在图10中示出了用于实施利用四端法测定芯片电子部件的电特性并且进行电极端子的前端的氧化物被膜的除去的方法的电路图，但是，按照本发明的进行电极端子的前端的氧化物被膜的除去的方法还能够利用对根据二端法的测定芯片电子部件的电特性的电路附加直流电流施加用的电路后的电路来实施。在图11中示出用于这样的方法的实施用的电路的例子。

再有，在本说明书中，以专利文献1所记载的芯片电子部件输送圆盘在垂直方向上配置并工作的装置为例说明了芯片电子部件检查分选装置的结构的说明以及本发明所提供的改良结构即芯片电子部件氧化物被膜除去单元的说明，但是，在本发明的芯片电子部件的电特性的连续检查方法中使用的芯片电子部件检查分选装置当然也可以是芯片电子部件输送圆盘在倾斜的状态下被基台轴支承的装置。

附图标记的说明

10：芯片电子部件检查分选装置

11：芯片电子部件输送圆盘

11a：透孔

12a、12b、12c、12d、12e、12f：一方的电极端子

13a、13b、13c、13d、13e、13f：另一方的电极端子

14a、14b：检查器（电容计）

15：控制器

19：芯片电子部件（芯片电容器）

19a、19b、19c：芯片电子部件（芯片电容器）

19d、19e、19f：芯片电子部件（芯片电容器）

21：电容器主体

22a、22b：电极

31：芯片电子部件供给口

32：桶

33：间隔壁

41：基台

42：中心轴

43：旋转驱动装置

45：基板（基准台）

101：芯片电子部件供给收容部（供给收容区域）

102：芯片电子部件电特性检查部（检查区域）

103：芯片电子部件电子部件分类部（分类区域）。

Claims (3)

1.一种芯片电子部件的电特性的连续检查方法，所述连续检查方法包括：使以在表面同心圆状地形成有至少三列的透孔的列的圆盘能够间歇性地进行旋转的方式在同心圆的中心被基台轴支承而成的芯片电子部件输送圆盘间歇性地旋转，在该输送圆盘的旋转停止的期间，在芯片电子部件供给收容部中，将芯片电子部件收容于该输送圆盘的各列的透孔，接着，通过该输送圆盘的间歇性的旋转，使收容于各列的透孔的芯片电子部件移动至电特性检查部，在该电特性检查部中，在使电连接于电特性测定装置的电极端子与收容于各列的透孔的芯片电子部件的每一个接触之后，在该接触状态下依次对在该圆盘的半径方向上相邻的透孔内收容的芯片电子部件的电特性进行测定，之后，重复实施在该输送圆盘的旋转和停止状态下的向透孔的芯片电子部件的收容以及电特性的测定，所述连续检查方法的特征在于，在对在该圆盘的半径方向上相邻的透孔的每一个内收容的芯片电子部件中的一个芯片电子部件的电特性进行测定的期间对与其它一个或者更多的芯片电子部件接触的电极端子施加直流电流，由此，除去在该电极端子的前端生成的氧化物被膜。

2.根据权利要求1所述的芯片电子部件的电特性的连续检查方法，其中，芯片电子部件为在顶部和底部的每一个具备电极面的柱状的芯片电子部件，电极端子由与该芯片电子部件的顶部的电极面和底部的电极面的每一个接触的至少一对探针构成。

3.根据权利要求2所述的芯片电子部件的电特性的连续检查方法，其中，电极端子由分别与电特性测定装置的Hcur、Hpot、Lcur、Lpot各个端子电连接的四个探针构成。