JP6673296B2 - 処理装置、部品搬送装置及び処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品の製造にかかる処理を行う処理装置及び処理方法に関する。また、本発明は、当該処理装置を構成する部品搬送装置に関する。

従来、配線基板等に実装される電子部品は、様々な処理工程を経て作成される。例えば、電子部品の外部端子は、素子本体に導電性ペーストを塗布して形成した下地電極にめっき処理を行って形成する方法や、素子本体に含まれる内部電極の端面を露出させて無電解めっきにより形成する方法（例えば、特許文献１参照）、等がある。

特開２００４−４００８４号公報

ところで、携帯電話機等の電子機器の小型化及び高性能化が進み、そのような電子機器に搭載される電子部品に対しても小型化の要求が高まっている。そして、小型の電子部品の製造工程において、高い処理能力が求められる。しかしながら、例えば上記の外部端子を形成する各種の方法では、処理能力の向上を図ることは困難であった。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、電子部品を構成する素子本体に対する処理における能力向上を可能とした処理装置、部品搬送装置及び処理方法を提供することにある。

上記課題を解決する処理装置は、電子部品を構成する素子本体を処理する処理装置であって、回転可能に支持された搬送ロータと、前記搬送ロータの端部に周方向に沿って等角度間隔で配設されて前記素子本体を保持する複数の保持溝と、前記搬送ロータを回転駆動する駆動部とを有し、前記保持溝に保持した前記素子本体を搬送する搬送機構と、複数の前記保持溝に前記素子本体を供給する供給機構と、処理位置の前記素子本体を処理するための処理機構と、前記搬送ロータを回転駆動して前記素子本体を前記処理位置に搬送するために前記搬送機構を制御し、搬送された前記素子本体を処理するために前記処理機構を制御する制御機構と、を有する。

この構成によれば、円形の搬送ロータにてチップを搬送して所定の処理位置において素子本体を処理することで、例えばテーブル上に配列したチップを処理する場合と比べ、効率よく処理を行う、つまり処理における能力の向上を図ることができる。また、搬送ロータを回転駆動して素子本体を搬送することで、処理機構の位置を変更することなく、複数の素子本体を処理することができるため、処理能力の向上を図ることができる。

上記の処理装置において、前記保持溝は、前記素子本体の隣り合う２つの面の一部が当接されて前記素子本体を保持するとともに、当接される面と平行な２つの面の全体が前記保持溝から突出するように形成され、前記素子本体は直方体状であり、前記素子本体の面のうち、前記保持溝に当接された２つの面と平行な面を側面とし、前記当接された２つの面と２つの前記側面とに直交する２つの面を端面とし、前記制御機構は、前記処理機構を制御して、前記保持溝に当接されていない２つの側面のうちの一方の側面と２つの端面とを処理することが好ましい。なお、「直方体状」には、例えば直方体の角部や稜線部が丸められたものが含まれる。

この構成によれば、搬送ロータの保持溝に素子本体の隣り合う２つの側面を当接して安定して素子本体を保持することができる。そして、保持溝に保持した素子本体において、保持溝に当接していない２つの側面と２つの端面のうちの少なくとも１つの面を処理することができる。

上記の処理装置において、前記制御機構は、前記搬送機構を制御して前記保持溝を形成した角度毎に前記搬送ロータを停止するとともに、前記処理機構を制御して前記処理位置にて停止した前記素子本体を処理することが好ましい。

この構成によれば、保持溝を形成した角度毎に搬送ロータを停止することで、処理位置に素子本体を確実に停止することができる。そして、処理位置に停止した素子本体に対して精度よく処理を行うことができる。

上記の処理装置において、前記搬送ロータは、水平に支持された回転軸を有して垂直回転可能に支持され、外周面に周方向に沿って延びる支持部を有し、前記保持溝は、前記支持部の外周面に配設されるとともに前記搬送ロータの厚さ方向に沿って延びるように形成され、前記支持部は、前記保持溝に保持された前記素子本体の両端面が前記支持部から前記搬送ロータの回転軸と平行な方向に突出するように形成されることが好ましい。

この構成によれば、水平に支持された回転軸により搬送ロータは垂直回転（縦回転）する。素子本体は、このように垂直回転する搬送ロータの支持部によって端面が回転軸と平行な方向に突出するように保持される。このため、素子本体の端面に対して処理を容易に行うことができる。そして、支持部から端面が突出するように素子本体が保持されることで、処理機構における処理が支持部つまり搬送ロータに影響することを抑制することができる。

上記の処理装置において、前記搬送ロータは、垂直に支持された回転軸を有して水平回転可能に支持され、上面に周方向に沿って延びる円環状の支持部を有し、前記保持溝は、前記支持部の上面に配設されるとともに前記搬送ロータの径方向に沿って延びるように形成され、前記支持部は、前記保持溝に保持された前記素子本体の両端面のうちの一方の端面が前記支持部から径方向内側に突出し、両端面のうちの他方の端面が前記支持部から径方向外側に突出するように形成されることが好ましい。

この構成によれば、垂直に支持された回転軸により搬送ロータは水平回転（横回転）する。素子本体は、このように水平回転する搬送ロータの支持部によって保持されるため、素子本体を安定した状態で搬送することができる。そして、支持部から端面が突出するように素子本体が保持されることで、処理機構における処理が支持部つまり搬送ロータに影響することを抑制することができる。

上記の処理装置は、所定の認識位置において、前記素子本体と前記搬送ロータを撮影する撮影機構を有し、前記制御機構は、前記撮影機構の撮影結果に基づいて前記素子本体の位置を把握し、把握した前記素子本体の位置に応じて前記処理機構が前記素子本体に施す処理の位置を補正することが好ましい。

この構成によれば、供給機構から搬送ロータへ素子本体を移載する場合に、素子本体に位置ずれが生じる場合がある。このため、搬送ロータに保持された素子本体を撮影機構にて撮影して素子本体の位置を把握し、その位置に応じて処理する位置を補正することで、精度の高い処理が可能となる。

上記の処理装置において、前記電子部品はセラミック素体である前記素子本体と、前記素子本体の表面に形成された外部電極とを含むものであり、前記処理機構は、前記セラミック素体の表面を局所的に加熱して前記セラミック素体の一部を低抵抗化するレーザ加工装置であることが好ましい。

この構成によれば、セラミック素体である素子本体に対してレーザ光を照射することで、微小な素子本体の表面における局所的な加熱を精度よく行うことができる。そして、このような局所的な加熱によってセラミック素体を低抵抗化することで、その部分に対してめっきを施して外部電極を形成することができる。

上記の処理装置において、処理機構は、２つの前記側面のうちの一方の側面を処理するための第１の処理機構と、２つの前記側面のうちの他方の側面を処理するための第２の処理機構と、２つの前記端面をそれぞれ処理するための第３の処理機構及び第４の処理機構と、を有することが好ましい。

この構成によれば、搬送ロータに保持した素子本体において、その素子本体の端面と側面とを処理することができる。そして、保持溝に当接されていない２つの側面が保持溝から突出するように素子本体が保持されることで、処理機構における処理が搬送ロータに影響することを抑制することができる。

上記の処理装置において、前記制御機構は、前記第１の処理機構と前記第２の処理機構のいずれか一方と、前記第３の処理機構と、前記第４の処理機構とを制御して前記素子本体の１つの側面及び２つの端面を処理することが好ましい。

この構成によれば、素子本体の１つの側面と２つの端面とを処理することができる。そして、保持溝に保持された素子本体において、保持溝に当接しない２つの側面のうちの一方が処理対象の面である場合、保持溝に保持された素子本体の状態（姿勢）に応じて第１の処理機構または第２の処理機構を制御して処理することで、素子本体の状態に影響されることなく、搬送される素子本体の側面に処理を行うことができる。

上記の処理装置において、前記制御機構は、撮影機構における撮影結果に基づいて、前記第１の処理機構又は前記第２の処理機構を制御し、制御した処理機構に対応する側面を処理することが好ましい。

この構成によれば、保持溝に当接しない２つの側面のうち、処理対象の面を把握してその処理対象の面に対応する第１の処理機構または第２の処理機構を制御して処理することで、素子本体の状態に影響されることなく、搬送される素子本体の側面に処理を行うことができる。

上記の処理装置は、前記搬送ロータの回転方向に従って前記第１〜前記第４の処理機構が前記素子本体を処理する処理位置が設定されていることが好ましい。
この構成によれば、素子本体は保持溝に側面が当接して保持される。例えば素子本体の表面に対する処理を行った場合、素子本体に位置ずれが生じる場合がある。素子本体の位置ずれは、保持溝に保持された側面に沿って生じる。しかし、素子本体の端面は、その素子本体の側面に沿った方向から見た場合に、位置ずれは生じない。従って、側面を処理した後、端面を処理することで、それぞれの面に対して精度の高い処理を行うことができる。

上記の処理装置において、前記素子本体は、軸部と、前記軸部の一端に接続されている第１の鍔部と、前記軸部の他端に接続されている第２の鍔部とを有し、前記各鍔部は、第１の側面と、前記第１の側面の一端に一端が接続されている第２の側面と、前記第１の側面の他端に一端が接続されている第３の側面と、前記第２の側面の他端及び前記第３の側面の他端の双方に接続されている第４の側面と、前記第１の側面及び前記第２の側面及び前記第３の側面及び前記第４の側面の全てに接続されている端面とをそれぞれ有しており、前記保持溝は、前記各鍔部の前記第１の側面に接触する第１の保持面と、前記各鍔部の前記第２の側面に接触する第２の保持面とを有し、前記制御機構は、前記処理機構を制御して、前記各鍔部のうち少なくとも一方の鍔部を構成する面のうち、前記第１の保持面及び前記第２の保持面に接触しない面を処理することが好ましい。

この構成によれば、保持溝の第１の保持面に鍔部の第１の側面を接触させるとともに、保持溝の第２の保持面に鍔部の第２の側面に接触させることで、搬送ロータは保持溝で素子本体を安定して保持することができる。そして、保持溝に保持した素子本体の少なくとも一方の鍔部において、保持溝の第１の保持面及び第２の保持面に接触していない面、すなわち第３の側面及び第４の側面及び端面のうち少なくとも１つの面を処理機構によって処理することができる。

上記の処理装置において、前記搬送機構は、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記各鍔部の少なくとも一方の鍔部を吸着するように構成されることが好ましい。
この構成によれば、素子本体の各鍔部の少なくとも一方の鍔部を保持溝を構成する面に吸着させることで、保持溝で素子本体を保持することができる。

上記の処理装置において、前記搬送ロータは、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記第１の鍔部と前記第２の鍔部との間で前記第１の保持面から突出する凸部を有することが好ましい。

この構成によれば、第１の鍔部及び軸部及び第２の鍔部が並ぶ方向を素子本体の軸方向とした場合、保持溝で保持されている素子本体の上記軸方向への変位を凸部によって抑制することができる。すなわち、保持溝で保持する素子本体の位置ずれを抑制することができる。

上記の処理装置において、前記搬送ロータは、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記第１の鍔部と前記第２の鍔部との間で前記第１の保持面から突出する凸部を有し、前記凸部には、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記軸部を吸引する吸着口が設けられることが好ましい。

この構成によれば、保持溝で保持する素子本体において、各鍔部の少なくとも一方の鍔部に加え、軸部をも吸引することができる。そのため、保持溝で保持する素子本体の保持位置がずれることの抑制精度を高めることができる。

上記の処理装置において、前記保持溝は、該保持溝で保持する前記素子本体の前記各鍔部の形状に応じた形状に構成されることが好ましい。
この構成によれば、保持溝を、素子本体を構成する鍔部の形状に応じた形状とすることで、保持溝で素子本体を保持しやすくなる。

上記の処理装置において、前記素子本体の前記各鍔部は、前記第１の側面が前記第２の側面よりも長くなるようにそれぞれ構成されており、前記保持溝は、前記第１の保持面が前記第２の保持面よりも長くなるように構成されることが好ましい。

この構成によれば、第１の保持面に接触する鍔部の第１の側面と、第１の保持面との接触面積を極力広くすることができる。そのため、保持溝で素子本体を保持する際における安定性をより高めることができる。

上記課題を解決する部品搬送装置は、電子部品を構成する素子本体を搬送する部品搬送装置であって、前記素子本体は、軸部と、前記軸部の一端に接続されている第１の鍔部と、前記軸部の他端に接続されている第２の鍔部とを有し、前記各鍔部は、第１の側面と、前記第１の側面の一端に一端が接続されている第２の側面と、前記第１の側面の他端に一端が接続されている第３の側面と、前記第２の側面の他端及び前記第３の側面の他端の双方に接続されている第４の側面と、前記第１の側面及び前記第２の側面及び前記第３の側面及び前記第４の側面の全てに接続されている端面とをそれぞれ有しており、回転可能に支持された搬送ロータと、前記搬送ロータの端部に周方向に沿って等角度間隔で配設されて前記素子本体を保持する複数の保持溝と、前記搬送ロータを回転駆動する駆動部とを有し、前記保持溝に保持した前記素子本体を搬送する搬送機構と、複数の前記保持溝に前記素子本体を供給する供給機構とを有しており、前記保持溝は、前記各鍔部の前記第１の側面に接触する第１の保持面と、前記各鍔部の前記第２の側面に接触する第２の保持面とを有し、前記搬送機構は、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記各鍔部の少なくとも一方の鍔部を吸着するように構成される。

この構成によれば、処理機構によって所定の処理を施す素子本体の搬送方向は、搬送ロータの回転方向となる。そのため、上記構成の搬送機構において搬送ロータの回転角を制御する際における、保持溝に保持される素子本体の位置精度を、直線方向に沿って搬送される素子本体を停止させる際の位置精度よりも高くすることができる。従って、上記構成の部品搬送装置における搬送ロータの保持溝で保持する素子本体に対して処理を施す場合、その処理能力を向上させることができる。

上記課題を解決する処理方法は、電子部品を構成する素子本体の表面を処理する処理方法であって、回転可能に支持された搬送ロータの端部に周方向に沿って等角度間隔で配設された複数の保持溝に前記素子本体を保持する工程と、前記搬送ロータを回転駆動して前記素子本体を、前記搬送ロータの回転方向において設定された処理位置に搬送する工程と、前記処理位置の前記素子本体の表面を処理する工程と、を有する。

この構成によれば、搬送ロータにて素子本体を搬送して所定の処理位置において素子本体を処理することで、例えばテーブル上に配列した素子本体を処理する場合と比べ、効率よく処理を行う、つまり処理における能力の向上を図ることができる。また、搬送ロータを回転駆動して素子本体を搬送することで、複数の素子本体を処理することができるため、処理能力の向上を図ることができる。

本発明の処理装置、部品搬送装置及び処理方法によれば、電子部品を構成する素子本体に対する処理における能力向上を図ることができる。

第１実施形態の処理装置の概略を示す斜視図。 （ａ）は第１実施形態のディスク部を示す斜視図、（ｂ）は保持溝の周辺を示す斜視図。 （ａ）は電子部品を示す側面図、（ｂ）は素子本体を示す斜視図。 電子部品の受け渡しを示す概略図。 （ａ）〜（ｃ）はディスク部と電子部品の状態を示す拡大図。 （ａ）はディスク部の一部分解斜視図、（ｂ）はディスク部の断面図。 ディスク部に対する各種の処理の位置を示す概略図。 処理装置の構成を示すブロック図。 処理装置における処理の流れを示すフローチャート。 （ａ）〜（ｃ）は電子部品に対する処理を示す斜視断面図。 （ａ）及び（ｂ）は比較例のディスク部を示す概略図。 別の処理対象の電子部品を示す斜視図。 （ａ）は第２実施形態の処理装置の概略を示す斜視図、（ｂ）は第２実施形態のディスク部を示す斜視図。 ディスク部に保持された電子部品に対する処理の概略を示す断面図。 第３実施形態の処理装置の概略を示す斜視図。 （ａ）及び（ｂ）は電子部品を示す斜視図。 （ａ）は素子本体の斜視図、（ｂ）は素子本体の断面図。 搬送ロータの斜視図。 素子本体の受け渡しを示す概略図。 （ａ）及び（ｂ）は搬送ロータと素子本体の状態を示す拡大図。 搬送ロータの一部を示す斜視図。 搬送ロータの一部分解斜視図。 搬送ロータの一部分の断面を模式的に示す図。 処理装置の構成を示すブロック図。 搬送ロータに対する各種の処理の位置を示す概略図。 処理装置における処理の流れを示すフローチャート。 （ａ）〜（ｃ）は素子本体に対する処理を示す斜視断面図。 （ａ）は第４実施形態の処理装置の概略を示す斜視図、（ｂ）は第４実施形態の搬送ロータを示す斜視図。 搬送ロータに保持された素子本体に対する処理の概略を示す断面図。 （ａ）は別の実施形態の搬送ロータの一部を示す斜視図、（ｂ）は搬送ロータの一部分の断面を模式的に示す図。

以下、各形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。

（第１実施形態）
以下、第１実施形態を説明する。
図１に示すように、処理装置１０は、供給機構としてのパーツフィーダ１１と、搬送機構としての搬送装置１２と、処理機構としてのレーザ装置１３とを有している。処理装置１０は、複数のレーザ装置１３を有している。なお、図１では、２つのレーザ装置１３を示しているが、処理に応じた数の処理機構が設けられる。なお、以下の説明において、レーザ装置を個々に説明する場合にはそれぞれに対して符号を付し、レーザ装置として共通の説明を行う場合には、符号として「１３」を用いる。

パーツフィーダ１１は、レーザ装置１３によって処理する対象物を振動により搬送装置１２に順次供給する。処理の対象物は、チップ状の電子部品を構成する素子本体である。搬送装置１２は、供給される素子本体を処理位置へ搬送する。本実施形態において、処理装置１０は、複数のレーザ装置１３を有し、レーザ装置１３毎に処理位置が設定されている。搬送装置１２は、各処理位置に素子本体を順次搬送し、レーザ装置１３は搬送された素子本体を処理する、つまりレーザ光を照射する。処理された素子本体は、搬送装置１２により排出位置へと搬送され、排出される。

ここで、処理対象の素子本体について説明する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、本実施形態の電子部品７０は、直方体状をなし、６つの面を有している。電子部品７０が有する面のうち、後述する保持溝２２（図２（ｂ）参照）に当接される２つの面と、その当接される２つの面とそれぞれ平行な２つの面を側面とし、それら４つの側面と直交する面を端面とする。つまり、電子部品７０は、４つの側面及び２つの端面を有している。なお、本明細書において、「直方体状」には、例えば直方体の角部や稜線部が丸められたものが含まれる。電子部品７０は、例えば、コンデンサ、圧電部品、サーミスタ等である。

電子部品７０は、基板等に面実装される電子部品であり、例えばチップフェライトビーズである。なお、電子部品７０として、例えば、チップインダクタやチップコンデンサを処理するようにしてもよい。

電子部品７０は、処理対象物としての素子本体７１と、素子本体７１の表面に形成された２つの外部電極７２，７３と、を有している。本実施形態の素子本体７１は直方体状に形成され、４つの側面７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，７１ｄと２つの端面７１ｅ，７１ｆを有している。電子部品７０は小型であり、寸法は例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．４ｍｍである。

素子本体７１は、例えば焼結されたセラミック素体である。セラミック素体は、ニッケル（Ｎｉ）と亜鉛（Ｚｎ）を含むフェライト材料から構成されている。フェライト材料としては、例えば、ＮｉとＺｎを主成分として含むＮｉ−Ｚｎ系フェライトや、ＮｉとＺｎと銅（Ｃｕ）を主成分として含むＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いることができる。例えば、素子本体７１は、上記のフェライト材料を圧縮し焼結することによって得られる。

外部電極７２，７３は、素子本体７１の２つの端面７１ｅ，７１ｆをそれぞれ覆うように形成されている。また、外部電極７２，７３は、１つの側面７１ａの一部を覆い、端面７１ｅ，７１ｆから連続するように形成されている。外部電極７２，７３は、めっき処理により形成される。外部電極７２，７３の材料としては、例えばＣｕ，金（Ａｕ），（Ａｇ），（Ｐｄ），Ｎｉ，（Ｓｎ）等が用いられる。なお、外部電極７２，７３を多層のめっき金属により構成してもよい。

外部電極７２，７３は、素子本体７１に対して局所的な加熱処理が行われた後、めっき処理によって形成される。図３（ｂ）には、局所的な加熱処理が行われる部分がハッチングにて示されている。上記のレーザ装置１３は、素子本体７１に対する局所的な加熱処理を行うために用いられる。レーザ装置１３としては、例えばＹＶＯ_４レーザ装置（波長：１０６４ｎｍ）を用いることができる。なお、処理装置として、電子ビーム照射装置、イメージ炉、等を用いてもよい。レーザ装置１３は、素子本体７１における照射位置を素早く変えられる点で好ましい。

レーザ装置１３による局所的な加熱は、素子本体７１の表面において、セラミック素体を変質する。局所的な加熱により、セラミック素体を構成する絶縁材料（フェライト）が変質し、その絶縁材料よりも抵抗値の低い低抵抗部が形成される。これは、局所的な加熱によりフェライトに含まれる鉄（Ｆｅ）又はＣｕの還元によるものと考えられる。低抵抗部の深さや大きさは、レーザ光の照射エネルギに応じて調整できる。

低抵抗部を有する素子本体７１をめっき液に浸漬し、電解めっきを行う。導電性を有する低抵抗部における電流密度は、他の部分より高くなるため、低抵抗部の表面にめっき金属が析出する。このように析出しためっき金属により外部電極７２，７３を形成することができる。

レーザ光を照射した領域におけるめっき金属の成長速度に比べ、レーザ光を照射していない領域のめっき金属の成長速度は遅い。このため、めっき処理時間を厳密に制御しなくても、レーザを照射した領域にめっき金属を選択的に成長させることができる。そして、めっき処理時間、電圧または電流を制御することによって、外部電極の形成時間や厚さを制御することが可能である。さらに、１回目のめっき処理により形成した外部電極の上に追加のめっき処理を行うことにより、多層構造の外部電極を形成することもできる。この場合には、すでに下地となる外部電極が形成されているので、追加のめっき処理時間は短くて済む。

上記したように、本実施形態の処理装置１０は、上記の電子部品７０を構成する素子本体７１を順次搬送し、レーザ装置１３により処理する。以下、素子本体７１の搬送について説明する。

図１に示すように、処理装置１０は、パーツフィーダ１１と搬送装置１２を有している。パーツフィーダ１１は、振動によって上記の素子本体７１（図３（ａ）参照）を整列し、搬送する。本実施形態において、パーツフィーダ１１は、素子本体７１において、処理する側面７１ａが下側を向くように整列する。パーツフィーダ１１により搬送された素子本体７１は、パーツフィーダ１１の先端に配設された無振動部１４を介して搬送装置１２に渡される。

搬送装置１２は、搬送ロータ２０と、搬送ロータ２０を回転駆動する駆動部としてのモータ４０とを有している。搬送ロータ２０の大きさは、例えば直径７０ｍｍである。直径が比較的小さいため、高速（例えば４０００ｒｐｍ）で回転駆動しても搬送ロータ２０の振動による位置のぶれを小さくすることができる。搬送ロータ２０の回転軸２０ａは、ベアリングを有する支持台４１により回転可能に支持されている。回転軸２０ａは、モータ４０の出力軸４０ａとカップリング４２により連結されている。カップリング４２は、搬送ロータ２０の回転軸２０ａと、モータ４０の出力軸４０ａとの間の軸ずれを許容する。

図２（ａ）に示すように、円形に形成された搬送ロータ２０の外周面には、搬送ロータ２０の周方向に沿って延びる支持部２１が形成されている。図２（ｂ）に示すように、支持部２１には、保持溝２２が形成され、この保持溝２２によって素子本体７１を保持する。なお、素子本体７１は、真空吸着によって保持溝２２に保持される。

保持溝２２は、搬送ロータ２０の回転軸と平行な方向に延びるように形成されている。保持溝２２は、搬送ロータ２０の回転軸の方向から視て、搬送する素子本体７１を斜めに保持するようにＶ字状に形成されている。このとき、素子本体７１は、処理対象の側面７１ａを、搬送ロータ２０の径方向外側となるように、保持される。言い換えると、上記のパーツフィーダ１１は、搬送ロータ２０の径方向外側に処理対象の側面７１ａがくるように、素子本体７１を整列する。さらに、パーツフィーダ１１は、処理対象の側面７１ａを一定方向に揃うように、素子本体７１を整列してもよい。

保持溝２２は、搬送ロータ２０の端部において、周方向に等間隔（等中心角度間隔）にて形成されている。例えば、保持溝２２は、３度毎に形成されている。つまり、搬送ロータ２０には、１２０個の保持溝２２が形成されている。これにより、搬送ロータ２０の１回転において、１２０個の素子本体７１に対する処理が行われる。

次に、パーツフィーダ１１から搬送ロータ２０への素子本体７１を受け渡しについて説明する。
図４に示すように、パーツフィーダ１１の先端には、無振動部１４が配設されている。無振動部１４は、素子本体７１を当接させ、位置決めするための当接部材１４ａと、素子本体７１を分離するための分離ピン１４ｂとを有している。分離ピン１４ｂは、後述する分離ピン駆動部によって、図４において上下方向に移動する。当接部材１４ａは、後述する真空ポンプに連結されている。分離ピン１４ｂが下降すると、素子本体７１が当接部材１４ａにより吸着される。そして、分離ピン１４ｂの上昇によって次に搬送される素子本体７１が当接部材１４ａに吸着された素子本体７１から分離される。当接部材１４ａに吸着された素子本体７１は、当接部材１４ａに当接し、この当接部材１４ａによって位置決めされる。そして、素子本体７１は、図２（ｂ）に示す保持溝２２によって保持される。

図５（ａ）〜図５（ｃ）により、搬送ロータ２０に保持された素子本体７１の状態を説明する。図５（ａ）の左側に示すように、素子本体７１は、２つの側面７１ａ，７１ｄが支持部２１の側面（外周面）２１ａから径方向外側（図５（ａ）において上側）に突出するように保持される。また、図５（ａ）の右側に示すように、素子本体７１は、２つの側面７１ａ，７１ｂが突出するように保持される。言い換えると、保持溝２２は、素子本体７１において、隣り合う２つの側面７１ｂ、７１ｃ（又は側面７１ｃ，７１ｄ）の一部が当接され、当接されない２つの側面７１ａ，７１ｄ（又は側面７１ａ，７１ｂ）の全体が保持溝２２の上端から突出するように形成される。図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示すように、支持部２１に対して、素子本体７１の端面が支持部２１の厚さ方向（図５（ｂ）及び図５（ｃ）において上下方向であって、回転軸と平行な方向）に突出するように保持される。言い換えると、支持部２１は、直方体状の素子本体７１の中央部分を保持する。

次に、搬送ロータ２０の構成の一例を説明する。
図６（ａ）に示すように、搬送ロータ２０は、軸方向に積層された３枚の円板３１，３２，３３により構成されている。

第１の円板３１は、板状に形成されている。第２の円板３２には、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔３２ａが形成されている。貫通孔３２ａは、所定の角度毎（本実施形態では３度毎）に形成され、径方向に沿って円板３２の端部まで延びている。円板３２は、貫通孔３２ａの径方向外側端部において、周方向に対して傾斜した傾斜面３２ｂ，３２ｃを有し、これら傾斜面３２ｂ，３２ｃは互いに直角を成すように形成されている。これらの傾斜面３２ｂ，３２ｃにより図２（ｂ）に示す保持溝２２が構成される。第１〜第３の円板３１〜３３を積層した状態において、第１の円板３１と第３の円板３３は、第２の円板３２に形成された貫通孔３２ａの一部を、その第２の円板３２の厚さ方向において覆うように形成されている。図６（ｂ）に示すように、第２の円板３２は、第１，第３の円板３１，３３よりも大きく形成されている。この第２の円板３２が突出した部分により、図２（ｂ）に示す支持部２１が形成される。

第３の円板３３には、周方向に沿って延びる連通溝３３ａが形成されている。図６（ｂ）に示すように、この連通溝３３ａは、第１〜第３の円板３１〜３３を積層した状態において、第２の円板３２に形成された貫通孔３２ａと連通する。連通溝３３ａは、後述する真空ポンプ５５に接続されている。従って、貫通孔３２ａと連通溝３３ａは、保持溝２２の底部に形成されて素子本体７１（図２（ｂ）参照）を吸着する吸着口を構成する。なお、図６（ａ）及び図６（ｂ）は、搬送ロータ２０において、吸着口を形成するために必要な構成要素の概略を示すものである。

このように、第１〜第３の円板３１〜３３により搬送ロータ２０を構成することにより、吸着口を有する搬送ロータ２０の形成を容易とし、製造コストを低減する。つまり、搬送ロータ２０は、径方向に沿って延びる吸着口を有する。微小な素子本体７１を吸着するため、吸着口の内径（直径）は、極めて細い（例えば、０．２５ｍｍ）。このような吸着口を例えばドリルなどによって形成することは極めて困難であり、その加工に長時間を要する。このため、径方向に沿って吸着口を形成することは、搬送ロータの製造は極めて難しく、製造コストが増大する。

これに対し、本実施形態の搬送ロータは、第２の円板３２に厚さ方向に貫通する貫通孔３２ａを形成し、第２の円板３２に積層した第１の円板３１と第３の円板３３とにより貫通孔３２ａの一部を覆うことにより、径方向に延びる吸着口を形成する。第２の円板３２において、その厚さ方向に貫通し径方向に延びる貫通孔３２ａの形成は容易である。また、第３の円板３３において、周方向に延びる連通溝３３ａを形成することも容易である。従って、第１〜第３の円板３１〜３３からなる搬送ロータ２０を容易に形成することができ、製造にかかるコストが低減される。

次に、処理装置の電気的構成を説明する。
図８に示すように、処理装置１０は、制御機構としての制御装置５１、パーツフィーダ１１、分離ピン駆動部５２、モータ４０、撮影機構としてのカメラ５３、照明装置５４、レーザ装置１３、真空ポンプ５５、給気ポンプ５６を有している。

分離ピン駆動部５２は、例えばソレノイドである。制御装置５１は、分離ピン駆動部５２を制御し、図４に示す分離ピン１４ｂを上下動させる。
真空ポンプ５５は、図４に示す当接部材１４ａに接続され、素子本体７１の移載のために利用される。また、真空ポンプ５５は、図６（ｂ）に示す貫通孔３２ａ及び連通溝３３ａにより構成される吸着口によって素子本体７１を保持するために利用される。

給気ポンプ５６は、圧縮空気を供給することにより、素子本体７１を排出するために利用される。
カメラ５３及び照明装置５４は、搬送ロータ２０に保持された素子本体７１の位置を把握し、レーザ装置１３における処理位置を補正するために利用される。また、カメラ５３及び照明装置５４は、素子本体７１において、処理する側面の判定に利用される。処理位置の補正と側面の判定については後述する。

次に、本実施形態の処理装置１０における各種の処理位置を説明する。
図７に示すように、搬送ロータ２０を中心として、パーツフィーダ１１、カメラ５３、照明装置５４、レーザ装置１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄが配設されている。搬送ロータ２０の周上に示す黒丸は、処理位置を示す。処理位置は、受け渡し位置Ｐ０、認識位置（検査位置）Ｐ１、照射位置Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ，Ｐ２ｃ，Ｐ２ｄ、排出位置Ｐ３を含む。各処理位置は、図２（ｂ）に示す保持溝２２が形成された角度に応じて設定されている。本実施形態において、保持溝２２は、３度毎に形成されている。従って、各処理位置は、保持溝２２が形成された角度ステップの整数倍の角度にて設定されている。

詳述すると、搬送ロータ２０の下方にパーツフィーダ１１が配設されている。パーツフィーダ１１により搬送された素子本体７１は、最下点に位置する受け渡し位置Ｐ０において、搬送ロータ２０の保持溝２２（図２（ｂ）参照）により保持される。

図７において、搬送ロータ２０は、矢印にて示す方向に回転駆動される。搬送された素子本体７１は、認識位置Ｐ１において、カメラ５３により撮影される。認識位置Ｐ１に対応して、カメラ５３と照明装置５４が配設されている。照明装置５４は、例えばリング照明装置である。カメラ５３は、搬送ロータ２０の外周側から、素子本体７１と搬送ロータ２０とを撮影する。図５（ｂ）に示すように、素子本体７１は、搬送ロータ２０の支持部２１により保持される。直方体状の素子本体７１は、保持するときに、その長手方向（図５（ｂ）において上下方向であって端面と垂直な方向）において、位置ずれが生じる場合がある。このため、カメラ５３にて素子本体７１と搬送ロータ２０を撮影し、素子本体７１の位置を把握する。詳しくは、制御装置５１は、搬送ロータ２０に対する素子本体７１の位置を把握する。そして、制御装置５１は、把握した素子本体７１の位置に応じて、素子本体７１の側面を処理するレーザ装置１３における処理位置を補正する。本実施形態において、レーザ装置１３はレーザ加工装置であり、制御装置５１は、レーザ装置１３におけるレーザ光の出射角度を補正する。この補正により、各素子本体７１において、側面を精度よく処理することができる。

図７において、搬送ロータ２０の回転方向に沿って、第１〜第４の照射位置Ｐ２ａ〜Ｐ２ｄが設定されている。第１及び第２の照射位置Ｐ２ａ，Ｐ２ｂは、素子本体７１の側面を処理する処理位置である。第３及び第４の照射位置Ｐ２ｃ，Ｐ２ｄは、素子本体７１の２つの端面を順次処理する処理位置である。

第１のレーザ装置１３ａは、第１の照射位置Ｐ２ａに搬送された素子本体７１の表面（側面）を処理する。レーザ光を出射する第１のレーザ装置１３ａは、そのレーザ光の光軸Ｌａが、第１の照射位置Ｐ２ａに搬送された素子本体７１の側面に対して垂直となるように配置されている。

第２のレーザ装置１３ｂは、第２の照射位置Ｐ２ｂに搬送された素子本体７１の表面（側面）を処理する。レーザ光を出射する第２のレーザ装置１３ｂは、そのレーザ光の光軸Ｌｂが、第２の照射位置Ｐ２ｂに搬送された素子本体７１の側面に対して垂直となるように配置されている。

なお、第１のレーザ装置１３ａと第２のレーザ装置１３ｂは、それぞれの光軸が互いに異なる側面に対して垂直となるように配置されている。詳述すると、図５（ａ）に示すように、素子本体７１は、Ｖ字状の保持溝２２によって、隣り合う２つの側面７１ｂ，７１ｃ又は側面７１ｃ，７１ｄが保持される。従って、処理対象の側面７１ａが搬送ロータ２０の回転方向（図５（ａ）では右方向）に向かうように保持された素子本体７１と、側面７１ａが回転方向と逆方向（反回転方向）に向かうように保持された素子本体７１とが混在することになる。

図８に示す制御装置５１は、カメラ５３にて撮影した素子本体７１の画像に基づいて、素子本体７１の側面が回転方向と反回転方向のいずれを向いているかを判定する。そして、制御装置５１は、判定結果に基づいて、素子本体７１の側面７１ａがむかう方向に対応する処理装置を制御し、処理対象の側面７１ａを処理する。

第３のレーザ装置１３ｃは、第３の照射位置Ｐ２ｃに搬送された素子本体７１の表面（側面）を処理する。レーザ光を出射する第３のレーザ装置１３ｃは、そのレーザ光が、第３の照射位置Ｐ２ｃに搬送された素子本体７１の一方の端面に対して略垂直に入射するように配置されている。第４のレーザ装置１３ｄは、第４の照射位置Ｐ２ｄに搬送された素子本体７１の表面（側面）を処理する。レーザ光を出射する第４のレーザ装置１３ｄは、そのレーザ光が、第４の照射位置Ｐ２ｄに搬送された素子本体７１の他方の側面に対して略垂直に入射するように配置されている。なお、第３，第４のレーザ装置１３ｃ，１３ｄは、１枚又は複数枚のミラーを用いて素子本体７１の端面に対して略垂直にレーザ光が入射するように配置されていてもよい。同様に、第１，第２のレーザ装置１３ａ，１３ｂについて、１枚又は複数枚のミラーを用いて素子本体７１の側面に対して光軸が垂直となるように配置されていてもよい。なお、図７に示す第３，第４のレーザ装置１３ｃ，１３ｄは、それぞれの形状を示すものではなく、照射位置Ｐ２ｃ，Ｐ２ｄに対応することを示すものである。

このように、側面及び端面が処理された素子本体７１は、図７に示す排出位置Ｐ３にて排出される。
次に、処理装置における処理の流れを説明する。

図９は、処理装置１０の制御装置５１が実行する処理の流れを示す。
制御装置５１は、図９に示すステップＳ１〜Ｓ５の処理を行い、処理対象としての素子本体７１（図３参照）に対して処理を行う。

ステップＳ１において、素子本体７１を図１に示す搬送ロータ２０に供給する。そして、素子本体７１を吸着した搬送ロータ２０を回転させ、素子本体７１を搬送する。
ステップＳ２において、図７に示すカメラ５３を用いて、素子本体７１の位置を認識する。

ステップＳ３において、素子本体７１の側面を処理する。つまり、図７に示す第１のレーザ装置１３ａ又は第２のレーザ装置１３ｂを用いて、素子本体７１の側面の一部を処理する。素子本体７１の側面上にレーザ光を走査して、所定領域を処理する。例えば、スポット径が４０μｍのレーザ光を往復走査する。このとき、ステップＳ２において認識した素子本体７１の位置に基づいて、素子本体７１の側面７１ａに照射するレーザ光の位置を補正する。この補正により、各素子本体７１に対してレーザ光の照射位置を精度良く行うことができる。

ステップＳ４において、素子本体７１の端面を処理する。つまり、図７に示す第３のレーザ装置１３ｃ及び第４のレーザ装置１３ｄを用いて、素子本体７１の２つの端面全体を処理する。ステップＳ５において、素子本体７１を排出する。

図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は素子本体７１に対する処理を示す。
先ず、図１０（ａ）に示すように、第１のレーザ装置１３ａを用いて、素子本体７１の側面７１ａを処理する。なお、第２のレーザ装置１３ｂを用いた場合も同様である。次に、図１０（ｂ）に示すように、第３のレーザ装置１３ｃを用いて、素子本体７１の一方の端面７１ｅを処理し、第４のレーザ装置１３ｄを用いて、素子本体７１の他方の端面７１ｆを処理する。そして、図１０（ｃ）に示すように、ノズル５６ｃを介して図８に示す給気ポンプ５６から供給される圧縮空気を噴射し、素子本体７１を排出する。

このように、この処理装置１０は、素子本体７１の側面７１ａを処理した後、素子本体７１の２つの端面７１ｅ，７１ｆを順次処理する。レーザ装置１３は、素子本体７１の表面の一部にレーザ光を照射し、そのレーザ光の照射エネルギによって素子本体７１の表面を局所的に加熱する。そのレーザ光の照射によって、素子本体７１の位置がずれる場合がある。この位置ずれは、端面に対するレーザ光の照射にても同様に発生する場合がある。このため、各処理の直前において素子本体７１の位置を認識することが考えられる。

素子本体７１の位置ずれは、側面７１ａに対する処理の精度低下を招く。このため、素子本体７１の位置を認識する処理（図９のステップＳ２）を行った後、その素子本体７１の位置に応じて照射位置を補正して側面を処理する（図９のステップＳ３）ことで、処理の精度低下を抑制する。

一方、素子本体７１は、搬送ロータ２０によって側面が保持されている。従って、素子本体７１の位置ずれは、側面に沿った方向に生じる。このように位置ずれが生じても、端面に沿った方向には素子本体７１の端面の位置、詳しくは搬送ロータ２０に対する素子本体７１の位置にずれは生じない。つまり、図７に示す第３の照射位置Ｐ２ｃと第４の照射位置Ｐ２ｄでは、位置ずれが生じていないことになる。このため、側面に対する処理（図９のステップＳ３）の後、素子本体７１の位置を認識することなく、端面に対する処理（図９のステップＳ４）を行うことができる。

次に、上記の処理装置１０の作用を説明する。
処理装置１０は、搬送装置１２とレーザ装置１３とを有している。搬送装置１２は、搬送ロータ２０と、モータ４０とを有している。搬送ロータ２０は、回転可能に支持され、円形に形成されている。搬送ロータ２０の外周面には、周方向に沿って延びる支持部２１が形成され、その支持部２１には保持溝２２が等角度間隔で形成されている。レーザ装置１３は、処理位置に搬送された素子本体７１の表面を処理する。制御装置５１は、モータ４０を制御し、搬送ロータ２０を所定角度（保持溝２２が形成された角度）毎に搬送ロータ２０を停止させるとともに、処理位置に素子本体７１を搬送する。そして、制御装置５１は、レーザ装置１３を制御し、素子本体７１の表面を処理する。

この構成によれば、円形の搬送ロータ２０にてチップを搬送して所定の処理位置において素子本体７１を処理することで、例えばテーブル上に配列したチップを処理する場合と比べ、効率よく処理を行う、つまり処理における能力の向上を図ることができる。また、搬送ロータ２０を回転駆動して素子本体７１を搬送することで、レーザ装置１３の位置を変更することなく、複数の素子本体７１を処理することができるため、処理能力の向上を図ることができる。

処理装置１０において、制御装置５１は、保持溝２２を形成した角度毎に搬送ロータ２０を停止するとともに、処理位置にて停止した素子本体７１の表面を処理する。このように、保持溝２２を形成した角度毎に搬送ロータ２０を停止することで、処理位置に素子本体７１を確実に停止することができる。そして、処理位置に停止した素子本体７１に対して精度よく処理を行うことができる。

素子本体７１はセラミック素体であり、レーザ装置１３は、セラミック素体の表面を局所的に加熱してセラミック素体の一部を低抵抗化するレーザ加工装置である。従って、セラミック素体である素子本体７１に対してレーザ光を照射することで、微小な素子本体７１の表面における局所的な加熱を精度よく行うことができる。そして、このような局所的な加熱によってセラミック素体を低抵抗化することで、その部分に対してめっきを施して外部電極を形成することができる。

搬送ロータ２０の保持溝２２は、直方体状の素子本体７１の隣り合う２つの側面の一部が当接されるとともに、当接されない２つの側面の全体が保持溝２２から突出するように形成されている。レーザ装置１３は、保持されていない２つの側面に対応する第１のレーザ装置１３ａ及び第２のレーザ装置１３ｂと、２つの端面に対応する第３のレーザ装置１３ｃ及び第４のレーザ装置１３ｄと、を有している。

搬送ロータ２０に保持した素子本体７１において、その素子本体７１の端面と側面とを処理することができる。そして、保持溝２２に当接されていない２つの側面が保持溝２２から突出するように素子本体７１が保持されることで、レーザ装置１３における処理が搬送ロータ２０に影響することを抑制することができる。

制御装置５１は、第１のレーザ装置１３ａと第２のレーザ装置１３ｂのいずれか一方と、第３のレーザ装置１３ｃと、第４のレーザ装置１３ｄとを制御して素子本体７１の１つの側面及び２つの端面を処理する。第３及び第４のレーザ装置１３ｃ，１３ｄにより、素子本体７１の１つの側面と２つの端面とを処理することができる。そして、保持溝２２に当接しない２つの側面のうちの一方が処理対象の面である場合、保持溝２２に保持された素子本体７１の状態（姿勢）に応じて第１のレーザ装置１３ａまたは第２のレーザ装置１３ｂを制御して処理する。これにより、素子本体７１の状態に影響されることなく、搬送される素子本体７１の側面に処理を行うことができる。

制御装置５１は、カメラ５３における撮影結果に基づいて、第１のレーザ装置１３ａ又は第２のレーザ装置１３ｂを制御し、制御したレーザ装置１３に対応する側面を処理する。保持溝２２に当接しない２つの側面のうち、処理対象の面を把握してその処理対象の面に対応する第１のレーザ装置１３ａまたは第２のレーザ装置１３ｂを制御して処理することで、素子本体７１の状態に影響されることなく、搬送される素子本体７１の側面に処理を行うことができる。

搬送ロータ２０の回転方向に従って第１〜第４のレーザ装置１３ａ〜１３ｄが素子本体７１を処理する処理位置が設定されている。素子本体７１は保持溝２２に側面が当接して保持される。素子本体７１の表面に対する処理によって、素子本体７１に位置ずれが生じる場合がある。素子本体７１の位置ずれは、保持溝２２に保持された側面に沿って生じる。しかし、素子本体７１の端面は、その素子本体７１の側面に沿った方向から見た場合に、位置ずれは生じない。従って、側面を処理した後、端面を処理することで、それぞれの面に対して精度の高い処理を行うことができる。

ここで、本実施形態に対する比較例を説明する。
図１１（ａ）に示す搬送ロータ５０１では、矩形状の保持溝５０２が形成され、その保持溝５０２に素子本体７１が収容されている。この場合、素子本体７１の１つの側面と２つの端面に対してレーザ光が照射される。このため、素子本体７１が正確に整列されていないと、側面に対する処理を行うことができない。また、側面を処理するレーザ光が搬送ロータ５０１に照射されてしまう場合がある。照射されたレーザ光は、搬送ロータ５０１を劣化させるため、搬送ロータ５０１の使用期間、つまり寿命を短くする。

また図１１（ｂ）に示す搬送ロータ５１１では、素子本体７１の大きさに比べて保持溝５１２が大きい。この場合、素子本体７１の側面のうち、保持溝５１２に当接しない２つの側面７１ａ，７１ｄの全体が保持溝５１２から突出しない。このため、側面７１ａを処理するレーザ光が搬送ロータ５１１に照射されてしまう場合がある。照射されたレーザ光は、搬送ロータ５１１を劣化させるため、搬送ロータ５１１を使用可能な期間、つまり寿命を短くする。

上述の比較例に対し、本実施形態の処理装置１０において、搬送ロータ２０は、水平に支持された回転軸を有して垂直回転可能に支持され、外周面に周方向に沿って延びる支持部２１を有している。保持溝２２は、支持部２１の外周面に配設されるとともに搬送ロータ２０の厚さ方向に沿って延びるように形成されている。支持部２１は、保持溝２２に保持された素子本体７１の両端面が支持部２１から搬送ロータ２０の回転軸と平行な方向に突出するように形成されている。

水平に支持された回転軸により搬送ロータ２０は垂直回転（縦回転）する。素子本体７１は、このように垂直回転する搬送ロータ２０の支持部２１によって端面が回転軸と平行な方向に突出するように保持される。このため、素子本体７１の端面に対して処理を容易に行うことができる。そして、支持部２１から端面が突出するように素子本体７１が保持されることで、レーザ装置１３における処理が支持部２１つまり搬送ロータ２０に影響することを抑制することができる。

制御装置５１は、カメラ５３の撮影結果に基づいて素子本体７１の位置を把握し、把握した素子本体７１の位置に応じてレーザ装置１３が素子本体７１に施す処理の位置を補正する。

パーツフィーダ１１から搬送ロータ２０へ素子本体７１を移載する場合に、素子本体７１に位置ずれが生じる場合がある。このため、搬送ロータ２０に保持された素子本体７１をカメラ５３にて撮影して素子本体７１の位置を把握し、その位置に応じて処理する位置を補正することで、精度の高い処理が可能となる。

以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）処理装置１０は、搬送装置１２とレーザ装置１３とを有している。搬送装置１２は、搬送ロータ２０と、モータ４０とを有している。搬送ロータ２０は、回転可能に支持され、円形に形成されている。搬送ロータ２０の外周面には、周方向に沿って延びる支持部２１が形成され、その支持部２１には保持溝２２が等角度間隔で形成されている。レーザ装置１３は、処理位置に搬送された素子本体７１の表面を処理する。制御装置５１は、モータ４０を制御し、搬送ロータ２０を所定角度（保持溝２２が形成された角度）毎に搬送ロータ２０を停止させるとともに、処理位置に素子本体７１を搬送する。そして、制御装置５１は、レーザ装置１３を制御し、素子本体７１の表面を処理する。

この構成によれば、円形の搬送ロータ２０にてチップを搬送して所定の処理位置において素子本体７１を処理することで、例えばテーブル上に配列したチップを処理する場合と比べ、効率よく処理を行う、つまり処理における能力の向上を図ることができる。また、搬送ロータ２０を回転駆動して素子本体７１を搬送することで、レーザ装置１３の位置を変更することなく、複数の素子本体７１を処理することができるため、処理能力の向上を図ることができる。

（１−２）処理装置１０において、制御装置５１は、保持溝２２を形成した角度毎に搬送ロータ２０を停止するとともに、処理位置にて停止した素子本体７１の表面を処理する。このように、保持溝２２を形成した角度毎に搬送ロータ２０を停止することで、処理位置に素子本体７１を確実に停止することができる。そして、処理位置に停止した素子本体７１に対して精度よく処理を行うことができる。

（１−３）素子本体７１はセラミック素体であり、レーザ装置１３は、セラミック素体の表面を局所的に加熱してセラミック素体の一部を低抵抗化するレーザ加工装置である。従って、セラミック素体である素子本体７１に対してレーザ光を照射することで、微小な素子本体７１の表面における局所的な加熱を精度よく行うことができる。そして、このような局所的な加熱によってセラミック素体を低抵抗化することで、その部分に対してめっきを施して外部電極を形成することができる。

（１−４）搬送ロータ２０の保持溝２２は、直方体状の素子本体７１の隣り合う２つの側面の一部が当接されるとともに、当接されない２つの側面の全体が保持溝２２から突出するように形成されている。レーザ装置１３は、保持されていない２つの側面に対応する第１のレーザ装置１３ａ及び第２のレーザ装置１３ｂと、２つの端面に対応する第３のレーザ装置１３ｃ及び第４のレーザ装置１３ｄと、を有している。

搬送ロータ２０に保持した素子本体７１において、その素子本体７１の端面と側面とを処理することができる。そして、保持溝２２に当接されていない２つの側面が保持溝２２から突出するように素子本体７１が保持されることで、レーザ装置１３における処理が搬送ロータ２０に影響することを抑制することができる。

（１−５）制御装置５１は、第１のレーザ装置１３ａと第２のレーザ装置１３ｂのいずれか一方と、第３のレーザ装置１３ｃと、第４のレーザ装置１３ｄとを制御して素子本体７１の１つの側面及び２つの端面を処理する。第３及び第４のレーザ装置１３ｃ，１３ｄにより、素子本体７１の１つの側面と２つの端面とを処理することができる。そして、保持溝２２に当接しない２つの側面のうちの一方が処理対象の面である場合、保持溝２２に保持された素子本体７１の状態（姿勢）に応じて第１のレーザ装置１３ａまたは第２のレーザ装置１３ｂを制御して処理することで、素子本体７１の状態に影響されることなく、搬送される素子本体７１の側面に処理を行うことができる。

（１−６）制御装置５１は、カメラ５３における撮影結果に基づいて、第１のレーザ装置１３ａ又は第２のレーザ装置１３ｂを制御し、制御したレーザ装置１３に対応する側面を処理する。保持溝２２に当接しない２つの側面のうち、処理対象の面を把握してその処理対象の面に対応する第１のレーザ装置１３ａまたは第２のレーザ装置１３ｂを制御して処理することで、素子本体７１の状態に影響されることなく、搬送される素子本体７１の側面の処理を行うことができる。

第１のレーザ装置１３ａまたは第２のレーザ装置１３ｂにより素子本体７１の側面を処理する際に素子本体７１に位置ずれが生じる場合がある。この位置ずれは、素子本体７１の側面に沿った方向、つまり端面と直交する方向に生じる。そして、この素子本体７１に生じる位置ずれの量は、端面を処理する第３、第４のレーザ装置１３ｃ，１３ｄから照射されるレーザ光の焦点範囲より小さい。このため、素子本体７１の端面を高い精度にて処理することができる。

（１−７）搬送ロータ２０は、水平に支持された回転軸を有して垂直回転可能に支持され、外周面に周方向に沿って延びる支持部２１を有している。保持溝２２は、支持部２１の外周面に配設されるとともに搬送ロータ２０の厚さ方向に沿って延びるように形成されている。そして、支持部２１は、保持溝２２に保持された素子本体７１の両端面が支持部２１から搬送ロータ２０の回転軸と平行な方向に突出するように形成されている。

水平に支持された回転軸により搬送ロータ２０は垂直回転（縦回転）する。素子本体７１は、このように垂直回転する搬送ロータ２０の支持部２１によって端面が回転軸と平行な方向に突出するように保持される。このため、素子本体７１の端面に対して処理を容易に行うことができる。そして、支持部２１から端面が突出するように素子本体７１が保持されることで、レーザ装置１３における処理が支持部２１つまり搬送ロータ２０に影響することを抑制することができる。

（１−８）制御装置５１は、カメラ５３の撮影結果に基づいて素子本体７１の位置を把握し、把握した素子本体７１の位置に応じてレーザ装置１３が素子本体７１に施す処理の位置を補正する。

パーツフィーダ１１から搬送ロータ２０へ素子本体７１を移載する場合に、素子本体７１に位置ずれが生じる場合がある。このため、搬送ロータ２０に保持された素子本体７１をカメラ５３にて撮影して素子本体７１の位置を把握し、その位置に応じて処理する位置を補正することで、精度の高い処理が可能となる。

（第２実施形態）
以下、第２実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する。

図１３（ａ）に示すように、処理装置１００は、パーツフィーダ１１、搬送装置１１２、処理装置としてのレーザ装置１３を有している。図１３（ａ）では、３つのレーザ装置１３を示している。なお、レーザ装置１３と搬送装置１１２を結ぶ直線は、レーザ装置１３と搬送装置１１２との関係を示すものであり、レーザ装置１３による処理位置を示すものではない。

搬送装置１１２は、搬送ロータ１２０と、搬送ロータ１２０を支持する回転軸１２０ａとを有している。本実施形態において、回転軸１２０ａは、搬送装置１１２の本体部分１１２ａに、垂直に支持されている。従って、搬送ロータ１２０は、水平方向（横方向）に回転する。

図１３（ｂ）に示すように、円形に形成された搬送ロータ１２０の上面１２０ｂには、搬送ロータ１２０の周方向に沿って延びる支持部１２１が形成されている。支持部１２１には、保持溝１２２が形成され、その保持溝１２２に素子本体７１が保持される。なお、図１３（ｂ）は、素子本体７１の保持状態をわかり易くするため、素子本体７１を拡大して示しているため、実際に保持される数より少ない数の素子本体７１を示している。

保持溝１２２は、搬送ロータ１２０の径方向に沿って延びるように形成されている。保持溝１２２は、搬送ロータ１２０の径方向から視て、搬送する素子本体７１を斜めに保持するようにＶ字状に形成されている。

このとき、素子本体７１は、処理対象の側面７１ａを、搬送ロータ１２０の上面側となるように、保持される。言い換えると、上記のパーツフィーダ１１は、搬送ロータ１２０の上面側に処理対象の側面７１ａがくるように、素子本体７１を整列する。

保持溝１２２は、搬送ロータ１２０の端部において、等間隔（等角度間隔）にて形成されている。保持溝１２２の底部には図示しない吸着口が形成されている。第１実施形態と同様に、素子本体７１は、真空ポンプによって保持溝１２２に吸着保持される。

そして、素子本体７１は、第１実施形態と同様に、長手方向の中央において、支持部１２１の保持溝１２２に保持される。保持溝１２２は、搬送ロータ１２０の径方向に沿って延びるように形成されている。従って、素子本体７１は、支持部１２１に対して、径方向の内側と外側とに端面が突出するように保持される。

図１４に示すように、搬送ロータ１２０に支持された素子本体７１に対して、搬送ロータ１２０の内側に配設されたミラー１５０によって、レーザ光Ｌｃ（一点鎖線にて示す）が素子本体７１の端面７１ｅに照射される。また、素子本体７１の端面７１ｆには、搬送ロータ１２０の外側から、直接的にレーザ光Ｌｄが照射される。

以上記述したように、本実施形態によれば、上述した第１実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（２−１）本実施形態の処理装置１００において、搬送ロータ１２０は、垂直に支持された回転軸を有して水平回転可能に支持され、上面に周方向に沿って延びる円環状の支持部１２１を有している。保持溝１２２は、支持部１２１の上面に配設されるとともに搬送ロータ１２０の径方向に沿って延びるように形成される。そして、支持部１２１は、保持溝１２２に保持された素子本体７１の両端面が支持部１２１から径方向内側と径方向外側とにそれぞれ突出するように形成される。

このように、垂直に支持された回転軸により搬送ロータ１２０は水平回転（横回転）する。素子本体７１は、このように水平回転する搬送ロータ１２０の支持部１２１によって保持されるため、素子本体７１を安定した状態で搬送することができる。そして、支持部１２１から端面が突出するように素子本体７１が保持されることで、レーザ装置１３における処理が支持部１２１つまり搬送ロータ１２０に影響することを抑制することができる。

尚、上記第１及び第２実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記第１及び第２実施形態では、素子本体７１の側面と端面とを処理する処理装置１０，１００としたが、処理対象である素子本体７１の形状や処理する面は、上記実施形態に限定されない。例えば、素子本体７１の一方の側面のみを処理してもよい。また、素子本体７１の端面のみを処理してもよい。

図１２に示す電子部品８０は、素子本体８１の側面８１ａ，８１ｂにかかる外部電極８２と、側面８１ａ，８１ｃにかかる外部電極８３を有している。この素子本体８１の外部電極８２，８３を形成するにあたって、素子本体８１の側面８１ａ，８１ｂ，８１ｃの一部を処理する処理装置としてもよい。なお、この素子本体８１では、２つの側面（例えば、側面８１ａ，８１ｂ）に対して処理を行って排出し、再度処理装置１０に投入することで、残りの側面（例えば、側面８１ｃ）に対する処理を行うことで、３つの側面に対する処理を行うことができる。

・上記第１及び第２実施形態では、図３（ａ）に示す外部電極７２，７３の形成のために素子本体７１の表面を局所的に加熱するレーザ装置１３を有する処理装置１０，１００としたが、その他の処理を行うシステムに具体化してもよい。例えば、表面に形成した電極を例えばレーザ照射によって所望の形状に成形してチップインダクタを形成する場合にその処理を行うシステムとすることができる。また、チップトランジスタ等の表面に型番等の文字表示を行うシステムとすることができる。また、レーザ装置１３としてレーザ加工装置以外の装置を用いて素子本体７１に対して処理を行う処理装置１０，１００としてもよい。例えば、ジェットディスペンサで液体や樹脂を塗布する装置を用いてもよい。

・上記第１及び第２実施形態において、搬送ロータ２０，１２０によって搬送されている素子本体７１に対する処理は、レーザ装置１３からのレーザ光を素子本体７１の表面に照射する処理以外の任意の処理であってもよい。例えば、こうした処理としては、処理位置に達した素子本体７１の外観を検査する処理、及び、処理位置に達した素子本体７１の性能を検査する処理を挙げることができる。このような場合、検査する装置が、処理機構に相当する。

（第３実施形態）
以下、第３実施形態を説明する。この実施形態で処理するチップ状の電子部品は、第１及び第２実施形態で処理した電子部品７０とは形状が異なっている。

図１５に示すように、処理装置２１０は、供給機構としてのパーツフィーダ２１１と、搬送機構としての搬送装置２１２と、処理機構としてのレーザ装置２１３とを有している。処理装置１０は、複数のレーザ装置２１３を有している。なお、図１５では、２つのレーザ装置２１３を示しているが、処理に応じた数の処理機構が設けられる。なお、以下の説明において、レーザ装置を個々に説明する場合にはそれぞれに対して符号を付し、レーザ装置として共通の説明を行う場合には、符号として「２１３」を用いる。また、本実施形態では、パーツフィーダ２１１及び搬送装置２１２により、「部品搬送装置」の一例が構成されている。

パーツフィーダ２１１は、レーザ装置２１３によって処理する対象物を振動により搬送装置２１２に順次供給する。処理の対象物は、電子部品を構成する素子本体である。搬送装置２１２は、供給される素子本体を処理位置へ搬送する。本実施形態において、処理装置２１０は、複数のレーザ装置２１３を有し、レーザ装置２１３毎に処理位置が設定されている。搬送装置２１２は、各処理位置に素子本体を順次搬送し、レーザ装置２１３は搬送された素子本体を処理する、つまりレーザ光を照射する。処理された素子本体は、搬送装置２１２により排出位置へと搬送され、排出される。

ここで、処理対象の素子本体について説明する。
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、本実施形態の電子部品２７０は、基板等に面実装される電子部品であり、例えばチップフェライトビーズである。なお、電子部品２７０として、例えば、チップインダクタやチップコンデンサであってもよい。

電子部品２７０は、処理対象物としての素子本体２７１と、素子本体２７１の表面に形成された４つの外部電極２７２，２７３，２７４，２７５とを有している。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、素子本体２７１は、直方体状をなす軸部２８０と、軸部２８０の一端に接続されている第１の鍔部２８１と、軸部２８０の他端に接続されている第２の鍔部２８２とを有している。なお、図示はしていないが、軸部２８０には複数本（例えば２本）のコイルが巻き付けられる。また、各外部電極２７２〜２７５にはコイルの端部が固定される。

各鍔部２８１，２８２は、平面視略直方体状をなしている。すなわち、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、各鍔部２８１，２８２は、第１の側面２７１ａと、第１の側面２７１ａの一端に接続されている第２の側面２７１ｂと、第１の側面２７１ａの他端に接続されている第３の側面２７１ｃと、第２の側面２７１ｂ及び第３の側面２７１ｃに接続されている第４の側面２７１ｄとをそれぞれ有している。第２の側面２７１ｂの両端のうち、第１の側面２７１ａに接続されている端を一端とした場合、第４の側面２７１ｄは、第２の側面２７１ｂの他端に接続されている。第３の側面２７１ｃの両端のうち、第１の側面２７１ａに接続されている端を一端とした場合、第４の側面２７１ｄは、第３の側面２７１ｃの他端に接続されている。また、各鍔部２８１，２８２には、第１の側面２７１ａ及び第２の側面２７１ｂ及び第３の側面２７１ｃ及び第４の側面２７１ｄに接続されている端面２７１ｅがそれぞれ設けられている。

鍔部２８１，２８２の各側面２７１ａ〜２７１ｄのうち、第１の側面２７１ａ及び第２の側面２７１ｂの双方は平面である。一方、第４の側面２７１ｄの長手方向における中央には凹部２８１ａ，２８２ａが形成されている。

なお、電子部品２７０、すなわち素子本体２７１は、非常に小さい部品である。例えば、軸部２８０の寸法は、例えば１．４ｍｍ×０．８ｍｍ×２．０ｍｍである。また、各鍔部２８１，２８２の寸法は、例えば２．５ｍｍ×１．３ｍｍ×０．６ｍｍである。この場合、第１の側面２７１ａの長手方向における長さが２．５ｍｍに該当し、第２の側面２７１ｂ及び第３の側面２７１ｃの長手方向における長さが１．３ｍｍに該当する。つまり、本実施形態では、第１の側面２７１ａは第２の側面２７１ｂ及び第３の側面２７１ｃよりも長い。

素子本体２７１は、例えば焼結されたセラミック素体である。セラミック素体は、ニッケル（Ｎｉ）と亜鉛（Ｚｎ）を含むフェライト材料から構成されている。フェライト材料としては、例えば、ＮｉとＺｎを主成分として含むＮｉ−Ｚｎ系フェライトや、ＮｉとＺｎと銅（Ｃｕ）を主成分として含むＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いることができる。例えば、素子本体２７１は、上記のフェライト材料を圧縮し焼結することによって得られる。

図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、外部電極２７２〜２７５のうち、外部電極２７２，２７３は、第１の鍔部２８１に間隔を空けて形成されている。一方、残りの外部電極２７４，２７５は、第２の鍔部２８２に間隔を空けて形成されている。各外部電極２７２〜２７５は、めっき処理によりそれぞれ形成される。外部電極２７２〜２７５の材料としては、例えばＣｕ，金（Ａｕ），（Ａｇ），（Ｐｄ），Ｎｉ，（Ｓｎ）等が用いられる。なお、外部電極２７２〜２７５を多層のめっき金属により構成してもよい。

外部電極２７２〜２７５は、素子本体７１の鍔部２８１，２８２に対して局所的な加熱処理が行われた後、めっき処理によって形成される。上記のレーザ装置２１３は、鍔部２８１，２８２に対する局所的な加熱処理を行うために用いられる。レーザ装置１３としては、例えばＹＶＯ_４レーザ装置（波長：１０６４ｎｍ）を用いることができる。なお、処理装置として、電子ビーム照射装置、イメージ炉、等を用いてもよい。レーザ装置２１３は、素子本体７１における照射位置を素早く変えられる点で好ましい。

レーザ装置２１３による局所的な加熱は、素子本体２７１の鍔部２８１，２８２の表面において、セラミック素体を変質する。局所的な加熱により、セラミック素体を構成する絶縁材料（フェライト）が変質し、その絶縁材料よりも抵抗値の低い低抵抗部が形成される。

低抵抗部を有する素子本体２７１をめっき液に浸漬し、電解めっきを行う。導電性を有する低抵抗部における電流密度は、他の部分より高くなるため、低抵抗部の表面にめっき金属が析出する。このように析出しためっき金属により外部電極２７２〜２７５を形成することができる。

上記したように、本実施形態の処理装置２１０は、上記の電子部品２７０を構成する素子本体２７１を順次搬送し、レーザ装置２１３により処理する。以下、素子本体２７１の搬送について説明する。

図１５に示すように、処理装置２１０は、パーツフィーダ２１１と搬送装置２１２とを有している。パーツフィーダ２１１は、振動によって上記の素子本体２７１（図１７（ａ）参照）を整列し、搬送する。本実施形態において、パーツフィーダ２１１は、素子本体２７１において、各鍔部２８１，２８２の各側面２７１ａ〜２７１ｄのうち、処理する側面である第４の側面２７１ｄが下側を向くように整列する。パーツフィーダ２１１により搬送された素子本体２７１は、パーツフィーダ２１１の先端に配設された無振動部２１４を介して搬送装置２１２に渡される。

搬送装置２１２は、搬送ロータ２２０と、搬送ロータ２２０を回転駆動する駆動部としてのモータ２４０とを有している。搬送ロータ２２０の大きさは、例えば直径７０ｍｍである。直径が比較的小さいため、高速（例えば４０００ｒｐｍ）で回転駆動しても搬送ロータ２２０の振動による位置のぶれを小さくすることができる。搬送ロータ２２０の回転軸２２０ａは、ベアリングを有する支持台２４１により回転可能に支持されている。回転軸２２０ａは、モータ２４０の出力軸２４０ａとカップリング２４２とにより連結されている。カップリング２４２は、搬送ロータ２２０の回転軸２２０ａと、モータ２４０の出力軸２４０ａとの間の軸ずれを許容する。

図１８に示すように、円形に形成された搬送ロータ２２０の外周側には、搬送ロータ２２０の周方向に沿って複数の保持溝２２２が設けられている。搬送ロータ２２０は、これら保持溝２２２によって素子本体２７１を保持することができる。なお、詳しくは後述するが、素子本体２７１は、真空吸着によって保持溝２２２で保持される。また、図１８では、保持溝２２２の形状、及び、保持溝２２２での素子本体２７１の保持態様を分かりやすくするために、保持溝２２２及び素子本体２７１を誇張して図示している。

保持溝２２２は、搬送ロータ２２０の回転軸と平行な方向に延びるように形成されている。保持溝２２２は、搬送ロータ２２０の回転軸の方向から視て、搬送する素子本体２７１を斜めに保持するようにＶ字状に形成されている。このとき、素子本体２７１は、各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄ、すなわち処理対象の側が搬送ロータ２２０の径方向外側に位置するように保持される。言い換えると、上記のパーツフィーダ２１１は、搬送ロータ２２０の径方向外側に各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄが向くように、素子本体２７１を整列する。さらに、パーツフィーダ２１１は、各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄが一定方向に揃うように、素子本体２７１を整列してもよい。

保持溝２２２は、搬送ロータ２２０の径方向外側の周縁において、周方向に等間隔（等中心角度間隔）にて形成されている。例えば、保持溝２２２は、３度毎に形成されている。つまり、搬送ロータ２２０には、１２０個の保持溝２２２が形成されている。これにより、搬送ロータ２２０の１回転において、１２０個の素子本体２７１に対する処理が行われる。

次に、パーツフィーダ２１１から搬送ロータ２２０への素子本体２７１を受け渡しについて説明する。
図１９に示すように、パーツフィーダ２１１の先端には、無振動部２１４が配設されている。無振動部２１４は、素子本体２７１を当接させ、位置決めするための当接部材２１４ａと、素子本体２７１を分離するための分離ピン２１４ｂとを有している。分離ピン２１４ｂは、後述する分離ピン駆動部によって、図１９において上下方向に移動する。当接部材２１４ａは、後述する真空ポンプに連結されている。分離ピン２１４ｂが下降すると、素子本体２７１が当接部材２１４ａにより吸着される。そして、分離ピン２１４ｂの上昇によって次に搬送される素子本体２７１が当接部材２１４ａに吸着された素子本体２７１から分離される。当接部材２１４ａに吸着された素子本体２７１は、当接部材２１４ａに当接し、この当接部材２１４ａによって位置決めされる。そして、素子本体２７１は、図１８に示す保持溝２２２によって保持される。

図２０（ａ）及び図２０（ｂ）により、搬送ロータ２２０に保持された素子本体２７１の状態を説明する。図２０（ａ）に示すように、素子本体７１は、各鍔部２８１，２８２の第１の側面２７１ａ及び第２の側面２７１ｂが支持される態様で保持溝２２２に保持される。また、図２０（ｂ）に示すように、素子本体７１は、回転軸２２０ａの延伸方向において、搬送ロータ２２０の第１の面２２０ｂの位置と第１の鍔部２８１の端面２７１ｅの位置とが同じとなるとともに、搬送ロータ２２０の第２の面２２０ｃの位置と第２の鍔部２８２の端面２７１ｅの位置とが同じとなるように、保持溝２２２に保持される。

次に、搬送ロータ２２０の構成の一例を説明する。
図２１及び図２２に示すように、搬送ロータ２２０は、回転軸２２０ａの延伸方向である軸方向に積層された３枚の円板２３１，２３２，２３３により構成されている。各円板２３１〜２３３のうち、真ん中に位置する第２の円板２３２の厚みは、残りの２つの円板、すなわち第１の円板２３１及び第３の円板２３３の厚みよりも厚い。また、第１の円板２３１及び第３の円板２３３の厚みは、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の厚みよりも薄い。

本実施形態では、第２の円板２３２の直径は、第１の円板２３１及び第３の円板２３３の直径と同じである。そして、搬送ロータ２２０の径方向外側の縁部に設けられている各保持溝２２２は、各鍔部２８１，２８２の第１の側面２７１ａに面接触する第１の保持面２２２ａと、各鍔部２８１，２８２の第２の側面２７１ｂに面接触する第２の保持面２２２ｂとをそれぞれ有している。各保持溝２２２は、保持溝２２２で保持する素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の形状に応じた形状にそれぞれ構成されている。本実施形態では、各鍔部２８１，２８２において、第１の側面２７１ａは第２の側面２７１ｂよりも長い。そのため、各保持溝２２２は、第１の保持面２２２ａのほうが第２の保持面２２２ｂよりも長くなるようにそれぞれ構成されている。例えば、第１の保持面２２２ａの長手方向における長さ寸法は、第１の側面２７１ａの長手方向における長さ寸法と同じであるとともに、第２の保持面２２２ｂの長手方向における長さ寸法は、第２の側面２７１ｂの長手方向における長さ寸法と同じである。また、第１の保持面２２２ａの長手方向における長さ寸法は、第１の側面２７１ａの長手方向における長さ寸法よりも僅かに大きくてもよく、第２の保持面２２２ｂの長手方向における長さ寸法は、第２の側面２７１ｂの長手方向における長さ寸法よりも僅かに大きくてもよい。また、第１の保持面２２２ａと第２の保持面２２２ｂとのなす角は、各鍔部２８１，２８２における第１の側面２７１ａと第２の側面２７１ｂとのなす角と等しい。これにより、各鍔部２８１，２８２の第１の側面２７１ａの全体を第１の保持面２２２ａに面接触させることができるとともに、各鍔部２８１，２８２の第２の側面２７１ｂの全体を第２の保持面２２２ｂに面接触させることができる。

また、図２２及び図２３に示すように、搬送ロータ２２０には、第２の円板２３２及び第３の円板２３３を軸方向、すなわち円板２３２，２３３の厚さ方向に貫通する複数の吸引孔２６０が形成されている。各吸引孔２６０は、搬送ロータ２２０の周方向に沿って等角度間隔でそれぞれ配置されている。吸引孔２６０の数は、保持溝２２２の数と同じである。吸引孔２６０は、対応する保持溝２２２と同じ周方向位置に配置されている。各吸引孔２６０は、真空ポンプ２５５に接続されている。なお、図２３では誇張して図示しているが、吸引孔２６０における第２の円板２３２に設けられている部分の直径は、軸方向において第３の円板２３３に近づくにつれて次第に小さくなっている。

また、図２１及び図２３に示すように、搬送ロータ２２０には、吸引孔２６０から搬送ロータ２２０の径方向外側に延伸する第１の吸引通路２６１及び第２の吸引通路２６２が設けられている。第１の吸引通路２６１の搬送ロータ２２０の周方向の位置は、第２の吸引通路２６２の搬送ロータ２２０の周方向の位置と同じである。また、第１の吸引通路２６１は搬送ロータ２２０の軸方向における中央よりも第１の円板２３１側に位置し、第２の吸引通路２６２は搬送ロータ２２０の軸方向における中央よりも第３の円板２３３側に位置している。そして、第１の吸引通路２６１は、保持溝２２２の第１の保持面２２２ａ及び第２の保持面２２２ｂの双方に跨るようにして開口している。同様に、第２の吸引通路２６２は、保持溝２２２の第１の保持面２２２ａ及び第２の保持面２２２ｂの双方に跨るようにして開口している。本実施形態では、第１の吸引通路２６１の開口のことを「第１の吸着口２６１ａ」といい、第２の吸引通路２６２の開口のことを「第２の吸着口２６２ａ」というものとする。

なお、図２２に示すように、第２の円板２３２における第１の円板２３１側の面には、径方向に延伸する吸引溝２３２ａが設けられている。そして、この吸引溝２３２ａの周壁と第１の円板２３１とによって、第１の吸引通路２６１が形成されている。また、第２の円板２３２における第３の円板２３３側の面にも、径方向に延伸する吸引溝２３２ｂが設けられている。そして、この吸引溝２３２ｂの周壁と第３の円板２３３とによって、第２の吸引通路２６２が形成されている。

そして、保持溝２２２で素子本体２７１を保持している場合、第１の吸着口２６１ａが第１の鍔部２８１における第１の側面２７１ａ及び第２の側面２７１ｂによって閉塞される。同様に、第２の吸着口２６２ａが第２の鍔部２８２における第１の側面２７１ａ及び第２の側面２７１ｂによって閉塞される。従って、本実施形態では、搬送ロータ２２０は、第１の鍔部２８１及び第２の鍔部２８２の双方を吸着している素子本体２７１を保持溝２２２で保持するようになっている。

本実施形態では、吸引孔２６０に繋がる貫通孔を各円板２３１〜２３３の何れか１つの円板に設けることなく、１つの保持溝２２２に対して２つの吸引通路２６１，２６２を設けることができる。すなわち、本実施形態では、第２の円板２３２に吸引溝２３２ａ，２３２ｂを形成し、第２の円板２３２を第１の円板２３１及び第３の円板２３３で挟み込むことで、１つの保持溝２２２に対して２つの吸引通路２６１，２６２を設けることができる。従って、極めて細い貫通孔を円板（例えば、第２の円板２３２）に設ける場合と比較し、吸引通路２６１，２６２を容易に形成することができる。

次に、処理装置の電気的構成を説明する。
図２４に示すように、処理装置２１０は、制御機構としての制御装置２５１、パーツフィーダ２１１、分離ピン駆動部２５２、モータ２４０、撮影機構としてのカメラ２５３、照明装置２５４、レーザ装置２１３、真空ポンプ２５５及び給気ポンプ２５６を有している。

分離ピン駆動部２５２は、例えばソレノイドである。制御装置２５１は、分離ピン駆動部２５２を制御し、図１９に示す分離ピン１４ｂを上下動させる。
真空ポンプ２５５は、図１９に示す当接部材２１４ａに接続され、素子本体２７１の移載のために利用される。また、真空ポンプ２５５は、図２１に示す第１の吸着口２６１ａ及び第２の吸着口２６２ａによって素子本体７１の各鍔部２８１，２８２を吸引するために利用される。

給気ポンプ２５６は、圧縮空気を供給することにより、素子本体２７１を排出するために利用される。
カメラ２５３及び照明装置２５４は、搬送ロータ２２０に保持された素子本体２７１の位置を把握し、レーザ装置２１３における処理位置を補正するために利用される。また、カメラ２５３及び照明装置２５４は、素子本体２７１において、処理する側面の判定に利用される。処理位置の補正と側面の判定については後述する。

次に、本実施形態の処理装置１０における各種の処理位置を説明する。
図２５に示すように、搬送ロータ２２０を中心として、パーツフィーダ２１１、カメラ２５３、照明装置２５４、レーザ装置２１３ａ，２１３ｂ，２１３ｃが配設されている。搬送ロータ２２０の周上に示す黒丸は、処理位置を示す。処理位置は、受け渡し位置Ｐ２０、認識位置（検査位置）Ｐ２１、照射位置Ｐ２２ａ，Ｐ２２ｂ，Ｐ２２ｃ、排出位置Ｐ２３を含む。各処理位置は、図１８に示す保持溝２２２が形成された角度に応じて設定されている。本実施形態において、保持溝２２２は、３度毎に形成されている。従って、各処理位置は、保持溝２２２が形成された角度ステップの整数倍の角度にて設定されている。

詳述すると、搬送ロータ２２０の下方にパーツフィーダ２１１が配設されている。パーツフィーダ２１１により搬送された素子本体２７１は、最下点に位置する受け渡し位置Ｐ２０において、搬送ロータ２２０の保持溝２２２（図１８参照）により保持される。

図２５において、搬送ロータ２２０は、矢印にて示す方向に回転駆動される。搬送された素子本体２７１は、認識位置Ｐ２１において、カメラ２５３により撮影される。認識位置Ｐ２１に対応して、カメラ２５３と照明装置２５４が配設されている。照明装置２５４は、例えばリング照明装置である。カメラ２５３は、搬送ロータ２２０の外周側から、素子本体２７１と搬送ロータ２２０とを撮影する。図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すようなかたちで素子本体２７１は搬送ロータ２２０に保持される。素子本体７１を保持溝２２２で保持するとき、素子本体７１の軸方向（図２０（ｂ）において上下方向であって端面と垂直な方向）において、位置ずれが生じる場合がある。このため、カメラ２５３にて素子本体２７１と搬送ロータ２２０を撮影し、素子本体２７１の位置を把握する。詳しくは、制御装置２５１は、搬送ロータ２２０に対する素子本体２７１の位置を把握する。そして、制御装置２５１は、把握した素子本体２７１の位置に応じて、素子本体２７１の表面を処理するレーザ装置２１３における処理位置を補正する。本実施形態において、レーザ装置２１３はレーザ加工装置であり、制御装置２５１は、レーザ装置２１３におけるレーザ光の出射角度を補正する。この補正により、各素子本体２７１において、側面を精度よく処理することができる。

図２５において、搬送ロータ２２０の回転方向に沿って、第１〜第３の照射位置Ｐ２２ａ〜Ｐ２２ｃが設定されている。第１の照射位置Ｐ２２ａは、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理する処理位置である。第２及び第３の照射位置Ｐ２２ｂ，Ｐ２２ｃは、素子本体７１の各鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅを順次処理する処理位置である。

第１のレーザ装置２１３ａは、第１の照射位置Ｐ２２ａに搬送された素子本体７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理する。レーザ光を出射する第１のレーザ装置２１３ａは、そのレーザ光の光軸Ｌａが、第１の照射位置Ｐ２ａに搬送された素子本体７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄに対して垂直となるように配置されている。

第２のレーザ装置２１３ｂは、第２の照射位置Ｐ２２ｂに搬送された素子本体２７１の第１の鍔部２８１の端面２７１ｅを処理する。レーザ光を出射する第２のレーザ装置２１３ｂは、そのレーザ光が、第２の照射位置Ｐ２２ｂに搬送された素子本体２７１の第１の鍔部２８１の端面２７１ｅに対して略垂直に入射するように配置されている。第３のレーザ装置２１３ｃは、第３の照射位置Ｐ２２ｃに搬送された素子本体２７１の第２の鍔部２８２の端面２７１ｅを処理する。レーザ光を出射する第３のレーザ装置２１３ｃは、そのレーザ光が、第３の照射位置Ｐ２２ｃに搬送された素子本体２７１の第２の鍔部２８２の端面２７１ｅに対して略垂直に入射するように配置されている。なお、第２及び第３のレーザ装置２１３ｂ，２１３ｃは、１枚又は複数枚のミラーを用いて素子本体２７１の鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅに対して略垂直にレーザ光が入射するように配置されていてもよい。同様に、第１のレーザ装置２１３ａについて、１枚又は複数枚のミラーを用いて素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄに対して光軸が垂直となるように配置されていてもよい。なお、図２５に示す第２及び第３のレーザ装置２１３ｂ，２１３ｃは、それぞれの形状を示すものではなく、照射位置Ｐ２２ｂ，Ｐ２２ｃに対応することを示すものである。

このように、側面及び端面が処理された素子本体７１は、図２５に示す排出位置Ｐ３にて排出される。
次に、処理装置における処理の流れを説明する。

図２６は、処理装置２１０の制御装置２５１が実行する処理の流れを示す。
制御装置２５１は、図２６に示すステップＳ２１〜Ｓ２５の処理を行い、処理対象としての素子本体２７１（図１７（ａ）参照）に対して処理を行う。

ステップＳ２１において、素子本体２７１を図１８に示す搬送ロータ２２０に供給する。そして、素子本体２７１を吸着した搬送ロータ２２０を回転させ、素子本体２７１を搬送する。

ステップＳ２２において、図２５に示すカメラ２５３を用いて、素子本体２７１の位置を認識する。
ステップＳ２３において、素子本体７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理する。つまり、図２５に示す第１のレーザ装置２１３ａを用いて、各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄの一部を処理する。各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄ上にレーザ光を走査して、所定領域を処理する。例えば、スポット径が４０μｍのレーザ光を往復走査する。このとき、ステップＳ２２において認識した素子本体２７１の位置に基づいて、各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄに照射するレーザ光の位置を補正する。この補正により、各素子本体２７１に対してレーザ光の照射位置を精度良く行うことができる。

ステップＳ２４において、素子本体７１の各鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅを処理する。つまり、図２５に示す第２のレーザ装置２１３ｂ及び第３のレーザ装置２１３ｃを用いて、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅの一部を処理する。ステップＳ２５において、素子本体２７１を排出する。

図２７（ａ）、図２７（ｂ）及び図２７（ｃ）は素子本体２７１に対する処理を示す。
先ず、図２７（ａ）に示すように、第１のレーザ装置２１３ａを用いて、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理する。次に、図２７（ｂ）に示すように、第２のレーザ装置２１３ｂを用いて、素子本体２７１の第１の鍔部２８１の端面２７１ｅを処理し、第３のレーザ装置２１３ｃを用いて、素子本体２７１の第２の鍔部２８２の端面２７１ｅを処理する。そして、図２７（ｃ）に示すように、ノズル２５６ｃを介して図２４に示す給気ポンプ２５６から供給される圧縮空気を噴射し、素子本体２７１を排出する。

このように、この処理装置２１０は、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理した後、各鍔部２８１，２８２の２つの端面２７１ｅを順次処理する。レーザ装置２１３は、素子本体２７１の表面の一部にレーザ光を照射し、そのレーザ光の照射エネルギによって素子本体２７１の表面を局所的に加熱する。そのレーザ光の照射によって、素子本体２７１の位置がずれる場合がある。この位置ずれは、鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅに対するレーザ光の照射にても同様に発生する場合がある。このため、各処理の直前において素子本体２７１の位置を認識することが考えられる。

素子本体２７１の位置ずれは、各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄに対する処理の精度低下を招く。このため、素子本体２７１の位置を認識する処理（図２６のステップＳ２２）を行った後、その素子本体２７１の位置に応じて照射位置を補正して側面を処理する（図２６のステップＳ２３）ことで、処理の精度低下を抑制する。

一方、素子本体２７１は、搬送ロータ２２０によって各鍔部２８１，２８２の側面が保持されている。従って、素子本体２７１の位置ずれは、素子本体２７１の軸方向に生じる。このように位置ずれが生じても、端面２７１ｅに沿う方向のうち、素子本体２７１の軸方向に直交する方向には搬送ロータ２２０に対する素子本体２７１の位置にずれは生じない。つまり、図２５に示す第２の照射位置Ｐ２２ｂと第３の照射位置Ｐ２２ｃでは、位置ずれが生じていないことになる。このため、側面に対する処理（図２６のステップＳ２３）の後、素子本体２７１の位置を認識することなく、端面に対する処理（図２６のステップＳ２４）を行うことができる。

次に、上記の処理装置２１０の作用を説明する。
処理装置２１０は、搬送装置２１２とレーザ装置２１３とを有している。搬送装置２１２は、搬送ロータ２２０と、モータ２４０とを有している。搬送ロータ２２０は、回転可能に支持され、円形に形成されている。搬送ロータ２２０の径方向外側の縁部には、保持溝２２２が等角度間隔で形成されている。レーザ装置１３は、処理位置に搬送された素子本体２７１の表面を処理する。制御装置２５１は、モータ２４０を制御し、搬送ロータ２２０を所定角度（保持溝２２２が形成された角度）毎に搬送ロータ２２０を停止させるとともに、処理位置に素子本体２７１を搬送する。そして、制御装置２５１は、レーザ装置２１３を制御し、素子本体２７１の表面を処理する。

この構成によれば、円形の搬送ロータ２２０にてチップを搬送して所定の処理位置において素子本体２７１を処理することで、例えばテーブル上に配列したチップを処理する場合と比べ、効率よく処理を行う、つまり処理における能力の向上を図ることができる。また、搬送ロータ２２０を回転駆動して素子本体２７１を搬送することで、レーザ装置２１３の位置を変更することなく、複数の素子本体２７１を処理することができるため、処理能力の向上を図ることができる。

処理装置２１０において、制御装置２５１は、保持溝２２２を形成した角度毎に搬送ロータ２２０を停止するとともに、処理位置にて停止した素子本体２７１の表面を処理する。このように、保持溝２２２を形成した角度毎に搬送ロータ２２０を停止することで、処理位置に素子本体２７１を確実に停止することができる。そして、処理位置に停止した素子本体２７１に対して精度よく処理を行うことができる。

素子本体２７１はセラミック素体であり、レーザ装置２１３は、セラミック素体の表面を局所的に加熱してセラミック素体の一部を低抵抗化するレーザ加工装置である。従って、セラミック素体である素子本体２７１に対してレーザ光を照射することで、微小な素子本体２７１の表面における局所的な加熱を精度よく行うことができる。そして、このような局所的な加熱によってセラミック素体を低抵抗化することで、その部分に対してめっきを施して外部電極を形成することができる。

搬送ロータ２２０の保持溝２２２は、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２において互いに隣り合う２つの側面全体が面接触するように形成されている。レーザ装置２１３は、各鍔部２８１，２８２の側面２７１ａ〜２７１ｄのうち、保持されていない第４の側面２７１ｄに対応する第１のレーザ装置２１３ａと、鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅに対応する第２のレーザ装置２１３ｂ及び第３のレーザ装置２１３ｃと、を有している。

そして、保持溝２２２の第１の保持面２２２ａ及び第２の保持面２２２ｂの双方に跨るように１つの保持溝２２２に対して２つの吸着口２６１ａ，２６２ａが設けられている。そして、これら２つの吸着口２６１ａ，２６２ａによって素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２を各保持面２２２ａ，２２２ｂに真空吸着させている。これにより、回転している搬送ロータ２２０で素子本体２７１を保持することができる。

なお、図２３に示すように、吸引孔２６０における第２の吸引通路２６２の接続部分は、吸引孔２６０における第２の吸引通路２６２の接続部分よりも真空ポンプ２５５に近い。そのため、吸引孔２６０における第２の吸引通路２６２の接続部分の通路断面積が、吸引孔２６０における第２の吸引通路２６２の接続部分の通路断面積よりも広くなっている。そのため、素子本体２７１の第１の鍔部２８１を吸引する力と、第２の鍔部２８２を吸引する力とのバラツキが抑えられる。

搬送ロータ２２０に保持した素子本体２７１において、その各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄと端面２７１ｅとを処理することができる。
制御装置２５１は、第１のレーザ装置２１３ａと第２のレーザ装置２１３ｂと第３のレーザ装置２１３ｃとを制御して素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄ及び端面２７１ｅを処理する。具体的には、制御装置２５１は、カメラ２５３における撮影結果に基づいて、第１のレーザ装置２１３ａを制御し、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理する。その後、制御装置２５１は、第２のレーザ装置２１３ｂを制御し、素子本体２７１の第１の鍔部２８１の端面２７１ｅを処理し、続いて、第３のレーザ装置２１３ｃを制御し、素子本体２７１の第２の鍔部２８２の端面２７１ｅを処理する。

搬送ロータ２２０の回転方向に従って第１〜第３のレーザ装置２１３ａ〜２１３ｃが素子本体２７１を処理する処理位置が設定されている。素子本体２７１は保持溝２２２で保持される。素子本体２７１の表面に対する処理によって、素子本体２７１に位置ずれが生じる場合がある。素子本体２７１の位置ずれは、保持溝２２２に保持された素子本体２７１の軸方向に生じる。しかし、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅは、端面２７１ｅに沿う方向に位置ずれしない。従って、第４の側面２７１ｄを処理した後、端面２７１ｅを処理することで、それぞれの面に対して精度の高い処理を行うことができる。

以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（３−１）処理装置２１０は、搬送装置２１２とレーザ装置２１３とを有している。搬送装置２１２は、搬送ロータ２２０と、モータ２４０とを有している。搬送ロータ２２０は、回転可能に支持され、円形に形成されている。搬送ロータ２２０の径方向外側の縁部には、保持溝２２２が等角度間隔で形成されている。レーザ装置２１３は、処理位置に搬送された素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の表面を処理する。制御装置２５１は、モータ２４０を制御し、搬送ロータ２２０を所定角度（保持溝２２２が形成された角度）毎に搬送ロータ２２０を停止させるとともに、処理位置に素子本体２７１を搬送する。そして、制御装置２５１は、レーザ装置２１３を制御し、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の表面を処理する。

この構成によれば、円形の搬送ロータ２２０にてチップを搬送して所定の処理位置において素子本体２７１を処理することで、例えばテーブル上に配列したチップを処理する場合と比べ、効率よく処理を行う、つまり処理における能力の向上を図ることができる。また、搬送ロータ２２０を回転駆動して素子本体２７１を搬送することで、レーザ装置２１３の位置を変更することなく、複数の素子本体２７１を処理することができるため、処理能力の向上を図ることができる。

（３−２）処理装置２１０において、制御装置２５１は、保持溝２２２を形成した角度毎に搬送ロータ２２０を停止するとともに、処理位置にて停止した素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の表面を処理する。このように、保持溝２２２を形成した角度毎に搬送ロータ２２０を停止することで、処理位置に素子本体２７１を確実に停止することができる。そして、処理位置に停止した素子本体２７１に対して精度よく処理を行うことができる。

（３−３）素子本体２７１はセラミック素体であり、レーザ装置２１３は、セラミック素体の表面を局所的に加熱してセラミック素体の一部を低抵抗化するレーザ加工装置である。従って、セラミック素体である素子本体２７１に対してレーザ光を照射することで、微小な素子本体２７１の表面における局所的な加熱を精度よく行うことができる。そして、このような局所的な加熱によってセラミック素体を低抵抗化することで、その部分に対してめっきを施して外部電極を形成することができる。

（３−４）保持溝２２２は、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第１の側面２７１ａに面接触する第１の保持面２２２ａと、各鍔部２８１，２８２の第２の側面２７１ｂに面接触する第２の保持面２２２ｂとを有している。この構成によれば、保持溝２２２の第１の保持面２２２ａに鍔部２８１，２８２の第１の側面２７１ａを接触させるとともに、保持溝２２２の第２の保持面２２２ｂに鍔部２８１，２８２の第２の側面２７１ｂに接触させることで、搬送ロータ２２０は保持溝２２２で素子本体２７１を安定して保持することができる。そして、保持溝２２２に保持した素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２において、保持溝２２２の第１の保持面２２２ａ及び第２の保持面２２２ｂに接触していない面である第４の側面２７１ｄと、端面２７１ｅをレーザ装置２１３によって処理することができる。

（３−５）搬送装置２１２は、保持溝２２２で保持される素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２を吸着するように構成されている。これにより、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２を第１の保持面２２２ａ及び第２の保持面２２２ｂに吸着させることで、保持溝２２２で素子本体２７１を保持することができる。すなわち、軸部２８０を吸着させる場合とは異なり、各吸着口２６１ａ，２６２ａを鍔部２８１，２８２によって閉塞することができる。そのため、保持溝２２２で素子本体２７１を適切に保持することができる。

（３−６）また、各鍔部２８１，２８２を保持する第１の保持面２２２ａ及び第２の保持面２２２ｂは、平面であり、凸部が設けられていない。そのため、パーツフィーダ２１１を搬送ロータ２２０に接近させることができる。従って、パーツフィーダ２１１から搬送ロータ２２０への素子本体２７１に受け渡しに要する時間を短縮することができる。

（３−７）保持溝２２２は、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の形状に応じた形状に構成されている。そのため、保持溝２２２の第１の保持面２２２ａ及び第２の保持面２２２ｂに各鍔部２８１，２８２が面接触する。その結果、保持溝２２２で素子本体２７１を保持しやすくなる。

（３−８）素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２は、第１の側面２７１ａが第２の側面２７１ｂよりも長くなるようにそれぞれ構成されているため、保持溝２２２では、第１の保持面２２２ａが第２の保持面２２２ｂよりも長い。そのため、第１の保持面２２２ａに接触する鍔部２８１，２８２の第１の側面２７１ａと、第１の保持面２２２ａとの接触面積を極力広くすることができる。そのため、保持溝２２２で素子本体２７１を保持する際における安定性をより高めることができる。

（３−９）制御装置２５１は、第１のレーザ装置２１３ａと第２のレーザ装置２１３ｂと第３のレーザ装置２１３ｃとを制御して素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の表面を処理する。そして、鍔部２８１，２８２の各側面２７１ａ〜２７１ｄのうち、保持溝２２２に当接しない第４の側面２７１ｄが処理対象の面である場合、保持溝２２２に保持された素子本体２７１の状態（姿勢）に応じて第１のレーザ装置２１３ａを制御して処理することで、素子本体２７１の状態に影響されることなく、搬送される素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄに処理を行うことができる。

（３−１０）制御装置２５１は、カメラ２５３における撮影結果に基づいて、第１のレーザ装置２１３ａを制御し、素子本体２７１の鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理する。鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを把握して第１のレーザ装置２１３ａを制御して処理することで、素子本体２７１の状態に影響されることなく、搬送される素子本体２７１の鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄの処理を行うことができる。

第１のレーザ装置２１３ａにより素子本体２７１の鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを処理する際に素子本体２７１に位置ずれが生じる場合がある。この位置ずれは、鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅと直交する方向に生じる。そして、この素子本体２７１に生じる位置ずれの量は、端面２７１ｅを処理する第２及び第３のレーザ装置２１３ｂ，２１３ｃから照射されるレーザ光の焦点範囲より小さい。このため、鍔部２８１，２８２の端面２７１ｅを高い精度にて処理することができる。

（３−１１）制御装置２５１は、カメラ２５３の撮影結果に基づいて素子本体２７１の位置を把握し、把握した素子本体２７１の位置に応じてレーザ装置２１３が素子本体２７１に施す処理の位置を補正する。

パーツフィーダ２１１から搬送ロータ２２０へ素子本体２７１を移載する場合に、素子本体２７１に位置ずれが生じる場合がある。このため、搬送ロータ２２０に保持された素子本体２７１をカメラ２５３にて撮影して素子本体２７１の位置を把握し、その位置に応じて処理する位置を補正することで、精度の高い処理が可能となる。

（第４実施形態）
以下、第４実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記第３実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略する。

図２８（ａ）に示すように、処理装置３００は、パーツフィーダ２１１、搬送装置３１２及びレーザ装置２１３を有している。図２８（ａ）では、３つのレーザ装置２１３を示している。なお、レーザ装置２１３と搬送装置３１２を結ぶ直線は、レーザ装置２１３と搬送装置３１２との関係を示すものであり、レーザ装置２１３による処理位置を示すものではない。

搬送装置３１２は、搬送ロータ３２０と、搬送ロータ３２０を支持する回転軸３２０ａとを有している。本実施形態において、回転軸３２０ａは、搬送装置２１２の本体部分３１２ａに、垂直に支持されている。従って、搬送ロータ３２０は、水平方向（横方向）に回転する。

図２８（ｂ）に示すように、円形に形成された搬送ロータ３２０の上面３２０ｂには、搬送ロータ３２０の周方向に沿って延びる円環状の支持部３２１が形成されている。支持部３２１には、その周方向に沿って等間隔に配置されている複数の保持溝３２２が形成されており、各保持溝３２２に素子本体２７１がそれぞれ保持される。なお、図２８（ｂ）は、素子本体２７１の保持状態をわかり易くするため、素子本体２７１を拡大して示しているため、実際に保持される数より少ない数の素子本体２７１を示している。

保持溝３２２は、搬送ロータ３２０の径方向に沿って延びるように形成されている。保持溝３２２は、搬送ロータ３２０の径方向から視て、搬送する素子本体２７１を斜めに保持するようにＶ字状に形成されている。

このとき、素子本体２７１は、処理対象の側面、つまり鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄを、搬送ロータ３２０の上面側となるように、保持される。言い換えると、上記のパーツフィーダ２１１は、搬送ロータ３２０の上面側に第４の側面２７１ｄが位置するように、素子本体２７１を整列する。

保持溝３２２は、搬送ロータ３２０の端部において、等間隔（等角度間隔）にて形成されている。保持溝３２２の第１の保持面３２２ａ及び第２の保持面３２２ｂの双方に跨るように図示しない２つの吸着口が形成されている。第１の保持面３２２ａには、素子本体２７１の各鍔部２８１，２８２の第１の側面２７１ａが面接触し、第２の保持面３２２ｂには、各鍔部２８１，２８２の第２の側面２７１ｂが面接触する。そして、第３実施形態と同様に、素子本体２７１は、真空ポンプによって保持溝３２２に吸着保持される。

そして、第３実施形態と同様に、素子本体２７１の第１の側面２７１ａ全体が第１の保持面２２２ａに面接触し、第２の側面２７１ｂ全体が第２の保持面２２２ｂに面接触する。なお、支持部３２１の径方向における長さは、素子本体２７１の軸方向における長さと等しい。

図２９に示すように、搬送ロータ３２０に支持された素子本体２７１に対して、搬送ロータ３２０の内側に配設されたミラー３５０によって、レーザ光Ｌｃ（一点鎖線にて示す）が素子本体２７１の第２の鍔部２８２の端面２７１ｅに照射される。また、素子本体２７１の第１の鍔部２８１の端面２７１ｅには、搬送ロータ３２０の外側から、直接的にレーザ光Ｌｄが照射される。

以上記述したように、本実施形態によれば、上述した第３実施形態の効果に加え、以下の効果を奏する。
（４−１）本実施形態の処理装置３００において、搬送ロータ３２０は、垂直に支持された回転軸３２０ａを有して水平回転可能に支持され、上面３２０ｂに周方向に沿って延びる円環状の支持部３２１を有している。保持溝３２２は、支持部３２１の上面に配設されるとともに搬送ロータ３２０の径方向に沿って延びるように形成される。

このように、垂直に支持された回転軸３２０ａにより搬送ロータ３２０は水平回転（横回転）する。素子本体２７１は、このように水平回転する搬送ロータ３２０の支持部３２１によって保持されるため、素子本体２７１を安定した状態で搬送することができる。

尚、上記第３及び第４実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記第３実施形態において、搬送ロータ２２０を構成する第２の円板２３２には、図３０（ａ）及び図３０（ｂ）に示すような凸部２３５を設けてもよい。この凸部２３５は、保持溝２２２で保持されている素子本体２７１の第１の鍔部２８１と第２の鍔部２８２との間に位置するようになっている。これにより、第１の鍔部２８１、軸部２８０、第２の鍔部２８２の並ぶ方向、つまり回転軸２２０ａの延伸方向を軸方向とした場合、保持溝２２２で保持されている素子本体２７１の軸方向への変位を凸部２３５によって抑制することができる。すなわち、保持溝２２２で保持する素子本体２７１の位置ずれを抑制することができる。

なお、凸部２３５は、その先端２３５ａが素子本体２７１の軸部２８０の側面に当接する形状であってもよい。この場合、図３０（ａ）及び図３０（ｂ）に示すように、第２の円板２３２には、その径方向に延伸するとともに吸引孔２６０に連通する第３の吸引通路２６３を形成してもよい。この第３の吸引通路２６３を凸部２３５の先端２３５ａに開口させることにより、凸部２３５には、保持溝２２２で保持される素子本体２７１の軸部２８０を吸引する第３の吸着口２６３ａを設けることができる。この構成によれば、保持溝２２２で保持する素子本体２７１を、各鍔部２８１，２８２に加え、軸部２８０をも吸引することができる。そのため、保持溝２２２で保持する素子本体２７１の保持位置がずれることの抑制精度を高めることができる。

図３０（ａ）及び図３０（ｂ）に示す例では、第１の保持面２２２ａに凸部２３５が設けられているが、第２の保持面２２２ｂに凸部２３５を設けるようにしてもよい。
なお、このように第３の吸引通路２６３を搬送ロータ２２０に設ける場合、軸部２８０を吸引する力によって保持溝２２２で安定して素子本体２７１を保持することができるのであれば、第１の吸引通路２６１及び第２の吸引通路２６２の少なくとも一方を省略してもよい。

・上記第３及び第４実施形態において、第１の鍔部２８１及び第２の鍔部２８２の少なくとも一方の鍔部を吸引することによって、保持溝２２２で安定して素子本体２７１を保持することができるのであれば、第１の吸引通路２６１及び第２の吸引通路２６２のいずれか一方を省略してもよい。

・上記第３及び第４実施形態では、素子本体２７１における各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄと端面２７１ｅとを処理する処理装置２１０，３００としたが、処理対象である素子本体２７１において処理する面は、上記実施形態に限定されない。例えば、各鍔部２８１，２８２の少なくとも一方の鍔部の第４の側面２７１ｄのみを処理してもよい。また、各鍔部２８１，２８２の少なくとも一方の鍔部の端面２７１ｅのみを処理してもよい。さらに、各鍔部２８１，２８２の第４の側面２７１ｄと、少なくとも一方の鍔部の端面２７１ｅのみを処理してもよい。

・上記第３及び第４実施形態では、第１の照射位置Ｐ２２ａに位置する素子本体２７１に対するレーザ装置２１３ａは１つのみである。しかし、第１の照射位置Ｐ２２ａに位置する素子本体２７１に対するレーザ装置は、複数（２つや４つ）のレーザ装置２１３ａを有するようにしてもよい。

・上記第３及び第４実施形態では、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示す外部電極２７２〜２７５の形成のために素子本体２７１の鍔部２８１，２８２の表面を局所的に加熱するレーザ装置１３を有する処理装置２１０，３００としたが、その他の処理を行うシステムに具体化してもよい。また、レーザ装置２１３としてレーザ加工装置以外の装置を用いて素子本体２７１に対して処理を行う処理装置２１０，３００としてもよい。例えば、ジェットディスペンサで液体や樹脂を塗布する装置を用いてもよい。

・上記第３及び第４実施形態において、搬送ロータ２２０，３２０によって搬送されている素子本体８１に対する処理は、レーザ装置２１３からのレーザ光を素子本体２７１の鍔部２８１，２８２の表面に照射する処理以外の任意の処理であってもよい。例えば、こうした処理としては、処理位置に達した素子本体２７１の外観を検査する処理、及び、処理位置に達した素子本体２７１の性能を検査する処理を挙げることができる。このような場合、検査する装置が、処理機構に相当する。

次に、上記各実施形態及び別の実施形態から把握できる技術的思想を以下に追記する。
（イ）前記制御機構は、前記搬送機構を制御して前記保持溝を形成した角度毎に前記搬送ロータを停止するとともに、前記処理機構を制御して前記処理位置にて停止した前記素子本体の前記第１の鍔部及び前記第２の鍔部の少なくとも一方を構成する面を処理することが好ましい。

（ロ）前記搬送ロータは、水平に支持された回転軸を有して垂直回転可能に支持され、外周面に周方向に沿って延びる支持部を有し、前記保持溝は、前記支持部の外周面に配設されるとともに前記搬送ロータの回転軸と平行な方向に沿って延びるように形成されており、
前記供給機構は、前記回転軸の延伸方向に沿って前記素子本体を前記搬送機構に向けて搬送するように構成されることが好ましい。

（ハ）前記搬送ロータは、垂直に支持された回転軸を有して水平回転可能に支持され、上面に周方向に沿って延びる円環状の支持部を有し、前記保持溝は、前記支持部の上面に配設されるとともに前記搬送ロータの径方向に沿って延びるように形成され、
前記供給機構は、前記搬送ロータの径方向に沿って前記素子本体を前記搬送機構に向けて搬送するように構成されることが好ましい。

（ニ）所定の検査位置において、前記素子本体と前記搬送ロータを撮影する撮影機構を有し、
前記制御機構は、前記撮影機構の撮影結果に基づいて前記素子本体の位置を把握し、把握した前記素子本体の位置に応じて前記処理機構が前記素子本体に施す処理の位置を補正することが好ましい。

（ホ）前記電子部品は、セラミック素体からなる前記素子本体と、前記素子本体の前記第１の鍔部及び前記第２の鍔部の少なくとも一方の鍔部の面に形成された外部電極とを含むものであり、
前記処理機構は、前記一方の鍔部の面を局所的に加熱して前記セラミック素体の一部を低抵抗化するレーザ加工装置であることが好ましい。

（ヘ）前記処理機構は、
前記第１の鍔部及び前記第２の鍔部の少なくとも一方の鍔部の前記第３の側面を処理するための第１の処理機構と、
前記第１の鍔部の前記端面を処理するための第２の処理機構と、
前記第２の鍔部の前記端面を処理するための第３の処理機構と、を有することが好ましい。

（ト）前記制御機構は、前記第１の処理機構と、前記第２の処理機構及び前記第３の処理機構の少なくとも一方を制御して前記素子本体の前記第１の鍔部及び前記第２の鍔部の少なくとも一方の鍔部の面を処理することが好ましい。

（チ）前記制御機構は、撮影機構における撮影結果に基づいて、前記第１の処理機構及び前記第２の処理機構及び前記第３の処理機構の少なくとも１つを制御し、制御した処理機構に対応する面を処理することが好ましい。

（リ）前記搬送ロータの回転方向に従って前記第１〜前記第３の処理機構が前記素子本体を処理する処理位置が設定されていることが好ましい。

１０，１００，２１０，３００…処理装置、１１，２１０…パーツフィーダ（供給機構）、１２，１１２，２１２，３１２…搬送装置（搬送機構）、１３，１３ａ〜１３ｄ，２１３，２１３ａ〜２１３ｃ…レーザ装置（処理機構）、２０，１２０，２２０，３２０…搬送ロータ、２０ａ，１２０ａ，２２０ａ，３２０ａ…回転軸、２１，１２１…支持部、２２，１２２，２２２，３２２…保持溝、２２２ａ，３２２ａ…第１の保持面、２２２ｂ，３２２ｂ…第２の保持面、２３５…凸部、５１，２５１…制御装置（制御機構）、５３，２５３…カメラ（撮影機構）、７０，２７０…電子部品、７１，２７１…素子本体、７１ａ…側面、７１ｅ，７１ｆ…端面、７２，７３，２７２〜２７５…外部電極、２７１ａ…第１の側面、２７１ｂ…第２の側面、２７１ｃ…第３の側面、２７１ｄ…第４の側面、２７１ｅ…端面、２８０…軸部、２８１…第１の鍔部、２８２…第２の鍔部、Ｐ１，Ｐ２１…認識位置（検査位置、処理位置）、Ｐ２ａ〜Ｐ２ｄ，Ｐ２２ａ〜Ｐ２２ｃ…第１〜第４の照射位置（処理位置）。

Claims (18)

1. 電子部品を構成する素子本体を処理する処理装置であって、
   回転可能に支持された搬送ロータと、前記搬送ロータの端部に周方向に沿って等角度間隔で配設されて前記素子本体を保持する複数の保持溝と、前記搬送ロータを回転駆動する駆動部とを有し、前記保持溝に保持した前記素子本体を搬送する搬送機構と、
   複数の前記保持溝に前記素子本体を供給する供給機構と、
   処理位置の前記素子本体を処理するための処理機構と、
   前記搬送ロータを回転駆動して前記素子本体を前記処理位置に搬送するために前記搬送機構を制御し、搬送された前記素子本体を処理するために前記処理機構を制御する制御機構と、
   を有し、
   前記保持溝は、前記素子本体の隣り合う２つの面の一部が当接されて前記素子本体を保持するとともに、当接される面と平行な２つの面の全体が前記保持溝から突出するように形成され、
   前記素子本体は直方体状であり、前記素子本体の面のうち、前記保持溝に当接された２つの面と平行な面を側面とし、前記当接された２つの面と２つの前記側面とに直交する２つの面を端面とし、
   前記制御機構は、前記処理機構を制御して、前記保持溝に当接されていない２つの側面のうちの一方の側面と２つの端面とのうちの少なくとも１つの面を処理すること、
   を特徴とする処理装置。
2. 前記制御機構は、前記搬送機構を制御して前記保持溝を形成した角度毎に前記搬送ロータを停止するとともに、前記処理機構を制御して前記処理位置にて停止した前記素子本体を処理すること、
   を特徴とする請求項１に記載の処理装置。
3. 前記搬送ロータは、水平に支持された回転軸を有して垂直回転可能に支持され、外周面に周方向に沿って延びる支持部を有し、前記保持溝は、前記支持部の外周面に配設されるとともに前記搬送ロータの回転軸と平行な方向に沿って延びるように形成され、
   前記支持部は、前記保持溝に保持された前記素子本体の両端面が前記支持部から前記搬送ロータの回転軸と平行な方向に突出するように形成されること、
   を特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
4. 前記搬送ロータは、垂直に支持された回転軸を有して水平回転可能に支持され、上面に周方向に沿って延びる円環状の支持部を有し、前記保持溝は、前記支持部の上面に配設されるとともに前記搬送ロータの径方向に沿って延びるように形成され、
   前記支持部は、前記保持溝に保持された前記素子本体の両端面のうちの一方の端面が前記支持部から径方向内側に突出し、前記素子本体の両端面のうちの他方の端面が径方向外側に突出するように形成されること、
   を特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
5. 所定の検査位置において、前記素子本体と前記搬送ロータを撮影する撮影機構を有し、
   前記制御機構は、前記撮影機構の撮影結果に基づいて前記素子本体の位置を把握し、把握した前記素子本体の位置に応じて前記処理機構が前記素子本体に施す処理の位置を補正すること、
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の処理装置。
6. 前記電子部品は、セラミック素体からなる前記素子本体と、前記素子本体の表面に形成された外部電極とを含むものであり、
   前記処理機構は、前記セラミック素体の表面を局所的に加熱して前記セラミック素体の一部を低抵抗化するレーザ加工装置であること、
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理装置。
7. 処理機構は、
   ２つの前記側面のうちの一方の側面を処理するための第１の処理機構と、
   ２つの前記側面のうちの他方の側面を処理するための第２の処理機構と、
   ２つの前記端面をそれぞれ処理するための第３の処理機構及び第４の処理機構と、
   を有すること、
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理装置。
8. 前記制御機構は、前記第１の処理機構と前記第２の処理機構のいずれか一方と、前記第３の処理機構と、前記第４の処理機構とを制御して前記素子本体の１つの側面及び２つの端面を処理することを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
9. 前記制御機構は、撮影機構における撮影結果に基づいて、前記第１の処理機構又は前記第２の処理機構を制御し、制御した処理機構に対応する側面を処理することを特徴とする請求項７又は８に記載の処理装置。
10. 前記搬送ロータの回転方向に従って前記第１〜前記第４の処理機構が前記素子本体を処理する処理位置が設定されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の処理装置。
11. 電子部品を構成する素子本体を処理する処理装置であって、
    回転可能に支持された搬送ロータと、前記搬送ロータの端部に周方向に沿って等角度間隔で配設されて前記素子本体を保持する複数の保持溝と、前記搬送ロータを回転駆動する駆動部とを有し、前記保持溝に保持した前記素子本体を搬送する搬送機構と、
    複数の前記保持溝に前記素子本体を供給する供給機構と、
    処理位置の前記素子本体を処理するための処理機構と、
    前記搬送ロータを回転駆動して前記素子本体を前記処理位置に搬送するために前記搬送機構を制御し、搬送された前記素子本体を処理するために前記処理機構を制御する制御機構と、を有し、
    前記素子本体は、軸部と、前記軸部の一端に接続されている第１の鍔部と、前記軸部の他端に接続されている第２の鍔部とを有し、
    前記各鍔部は、第１の側面と、前記第１の側面の一端に一端が接続されている第２の側面と、前記第１の側面の他端に一端が接続されている第３の側面と、前記第２の側面の他端及び前記第３の側面の他端の双方に接続されている第４の側面と、前記第１の側面及び前記第２の側面及び前記第３の側面及び前記第４の側面の全てに接続されている端面とをそれぞれ有しており、
    前記保持溝は、前記各鍔部の前記第１の側面に接触する第１の保持面と、前記各鍔部の前記第２の側面に接触する第２の保持面とを有し、
    前記制御機構は、前記処理機構を制御して、前記各鍔部のうち少なくとも一方の鍔部を構成する面のうち、前記第１の保持面及び前記第２の保持面に接触しない面を処理すること、
    を特徴とする処理装置。
12. 前記搬送機構は、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記各鍔部の少なくとも一方の鍔部を吸着するように構成されること、
    を特徴とする請求項１１に記載の処理装置。
13. 前記搬送ロータは、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記第１の鍔部と前記第２の鍔部との間で前記第１の保持面から突出する凸部を有すること、
    を特徴とする請求項１１又は１２に記載の処理装置。
14. 前記搬送ロータは、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記第１の鍔部と前記第２の鍔部との間で前記第１の保持面から突出する凸部を有し、
    前記凸部には、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記軸部を吸引する吸着口が設けられること、
    を特徴とする請求項１２に記載の処理装置。
15. 前記保持溝は、該保持溝で保持する前記素子本体の前記各鍔部の形状に応じた形状に構成されること、
    を特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の処理装置。
16. 前記素子本体の前記各鍔部は、前記第１の側面が前記第２の側面よりも長くなるようにそれぞれ構成されており、
    前記保持溝は、前記第１の保持面が前記第２の保持面よりも長くなるように構成されること、
    を特徴とする請求項１５に記載の処理装置。
17. 電子部品を構成する素子本体を搬送する部品搬送装置であって、
    前記素子本体は、軸部と、前記軸部の一端に接続されている第１の鍔部と、前記軸部の他端に接続されている第２の鍔部とを有し、
    前記各鍔部は、第１の側面と、前記第１の側面の一端に一端が接続されている第２の側面と、前記第１の側面の他端に一端が接続されている第３の側面と、前記第２の側面の他端及び前記第３の側面の他端の双方に接続されている第４の側面と、前記第１の側面及び前記第２の側面及び前記第３の側面及び前記第４の側面の全てに接続されている端面とをそれぞれ有しており、
    回転可能に支持された搬送ロータと、前記搬送ロータの端部に周方向に沿って等角度間隔で配設されて前記素子本体を保持する複数の保持溝と、前記搬送ロータを回転駆動する駆動部とを有し、前記保持溝に保持した前記素子本体を搬送する搬送機構と、
    複数の前記保持溝に前記素子本体を供給する供給機構とを有しており、
    前記保持溝は、前記各鍔部の前記第１の側面に接触する第１の保持面と、前記各鍔部の前記第２の側面に接触する第２の保持面とを有し、
    前記搬送機構は、前記保持溝で保持される前記素子本体の前記各鍔部の少なくとも一方の鍔部を吸着するように構成されること、
    を特徴とする部品搬送装置。
18. 電子部品を構成する素子本体を処理する処理方法であって、
    回転可能に支持された搬送ロータの端部に周方向に沿って等角度間隔で配設された複数の保持溝に前記素子本体を保持する工程と、
    前記搬送ロータを回転駆動して前記素子本体を、前記搬送ロータの回転方向において設定された処理位置に搬送する工程と、
    前記処理位置の前記素子本体を処理する工程と、
    を有する処理方法。