TW201602599A - 晶片電子零件之電特性的連續性檢查方法 - Google Patents

Abstract

提供不會隨著檢查工程之延長而可以抑制晶片 電子零件之電特性之連續性的檢查方法實施時被發現的檢查精度下降的方法。 屬於使用在表面同心圓狀地形成三列以上 之透孔之列的晶片電子零件搬運圓盤的晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法，其係組入下述操作的方法：藉由在測量被收容在與圓盤之半徑方向鄰接之各透孔的晶片電子零件之內之一個晶片電子零件之電特性之期間，對與其他之一個或其以上之晶片電子零件接觸之電極端子施加直流電流，除去生成在該電極端子之前端的氧化物皮膜。

Description

晶片電子零件之電特性的連續性檢查方法

本發明係關於使用自動化之晶片電子零件檢查分選裝置以高速且連續性地檢查大量之晶片電子零件之電特性的方法。

隨著行動電話、智慧型手機、液晶電視、電子遊戲機等之小型電子產品之生產量的增加，組裝於如此之電子產品之微小的晶片電子零件之生產量顯著增加。晶片電子零件之大部分係由本體部和在本體部之相向的兩端面分別具有的電極所構成。就以如此之構成之晶片電子零件之例而言，可以舉出晶片電容器(也稱為晶片電容)，晶片電阻器(包含晶片變阻器)及晶片電感器。

近年來，因應組裝晶片電子零件之電子產品的更小型化，還有組裝於電子產品之晶片電子零件之數量的增加，晶片電子零件極端地變小。例如，針對晶片電容器，近年來使用極小之尺寸(例如，被稱為0402晶片，0.2mm×0.2mm×0.4mm之尺寸)的電容器。如此之微小之晶片電子零件係藉由大量生產，一批量以數萬~數十萬個 的單位來生產。

在組裝晶片電子零件之電子產品中，為了降低由於晶片電子零件之缺陷所引起的電子產品之不良品率，針對大量製造之晶片電子零件進行全數檢查為一般性。例如，針對晶片電容器，針對其全數，進行靜電電容或洩漏電流等之電特性的檢查。

大量的晶片電子零件之電特性之檢查必須高速進行，就以用以自動性地進行其高速之檢查的裝置而言，近年來，一般使用具備形成有多數透孔之搬運圓盤(晶片電子零件暫時保持板)之晶片電子零件之電特性之檢查和用以分選之自動化裝置(即是，晶片電子零件檢查分選裝置)。該搬運圓盤通常在暫時性地收容保持檢查對象之晶片電子零件之多數透孔沿著圓周以三列以上之複數列被排列的狀態下被形成。而且，於該晶片電子零件檢查分選裝置之使用時，處於旋轉狀態之搬運圓盤之透孔暫時性地收容保持晶片電子零件之後，使在被保持於其搬運圓盤之晶片電子零件，沿著該搬運圓盤之旋轉路徑而被附設的一對電極端子(檢查用接觸子)接觸於晶片電子零件之各電極而測量該晶片電子零件之特定的電特性，接著根據其測量結果，以從搬運圓盤之透孔被收容至特定容器之方式使晶片電子零件排出而實施分選(或分類)之作業。

即是，被自動化之最近的晶片電子零件之檢查分選裝置可以稱為包含有下述構件之電子零件檢查分選裝置：基台、可旋轉地被樞軸支撐於基台之晶片電子零件 搬運圓盤(但是，在該晶片電子零件搬運圓盤，沿著圓周形成有三列以上可以暫時性地收容在相向之端面分別具有電極之晶片電子零件的透孔)，還有沿著該搬運圓盤之旋轉路徑而順序設置之使晶片電子零件供給收容至該搬運圓盤之透孔的晶片電子零件供給收容部(供給收容區域)、進行晶片電子零件之電特性之檢查的晶片電子零件電特性檢查部(檢查區域)，還有根據檢查結果對檢查完之晶片電子零件進行分類之晶片電子零件分類部(分類區域)。

例如，於進行晶片電容器之靜電電容之檢查時，在電特性檢查部，從晶片電子零件檢查分選裝置所具備之檢查器(電特性測量裝置)經檢查用電極端子，對晶片電容器施加持有特定頻率之檢查用電壓。而且，藉由該檢查用電壓之施加，以檢查器檢測出在晶片電容器產生之電流的電流值，根據該檢測電流值和檢查用電壓之電壓值，進行檢查對象之晶片電容器之靜電電容之檢查。

就以晶片電子零件檢查分選裝置之例而言，可以舉出記載於專利文獻1之裝置。即是，在專利文獻1中，記載著連續性檢查晶片電子零件之電特性的方法之改良方法，其包含下述工程：使用上述構成之晶片電子零件檢查分選裝置，在使分別根據相同規格而被製造成表示特定之相同電特性的檢查對象之晶片電子零件互相接近配置之狀態下，收容保持於搬運圓盤之透孔，接著，將檢查器分別電性連接於晶片電子零件，然後從該檢查器分別對晶片電子零件施加檢查用電壓，藉由該檢查用電壓之施加， 以檢查器檢測出在各晶片電子零件上產生的電流值。

另外，在專利文獻2揭示有為了除去於進行電子零件之電阻測量時引起其電阻測量之精度下降的生成於電子零件之電極面的氧化皮膜等之高電阻之雜質，將電壓以直流電流施加至其氧化皮膜之方法為具有效果。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]WO2014/010623A1

[專利文獻2]日本特開2006-30131號公報

於實施使用持有上述各種構成之晶片電子零件檢查分選裝置之晶片電子零件之檢查、分類操作時，首先使晶片電子零件搬運圓盤(以下，也單稱為搬運圓盤)間歇性地旋轉，在該搬運圓盤之旋轉停止之期間，在晶片電子零件供給收容部，將晶片電子零件收容在該搬運圓盤之各列之透孔，接著，藉由該搬運圓盤之間歇性的旋轉，使被收容在各列之透孔的晶片電子零件移動至電特性檢查部，並在該電特性檢查部，使電性連接於電特性測量裝置(檢查器)之電極端子接觸於被收容於各列之透孔的各晶片電子零件，在該接觸狀態下，自動性地進行順序測量與該圓盤之半徑方向鄰接之透孔的晶片電子零件之電特性的 操作，之後，重覆實施該搬運圓盤之旋轉和在停止狀態下將晶片電子零件收容至透孔還有電特性之測量的操作。

本發明之發明者在進行研究使用至此所敘述的檢查分選裝置之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法的期間，注意到當在長期間持續如此之檢查時，有出現電特性之測量值之精度下降之情形，而進行用以調查其原因之研究。而且，根據其研究之結果，本發明者發現該電特性之測量值之精度下降的原因係為了進行測量，在與數量龐大的晶片電子零件高速且重覆接觸的電極端子(探針)之前端生成氧化物皮膜，產生了藉由其氧化物皮膜之生成而產生的電極端子之前端和晶片電子零件之電極面的接觸不良。

一般而言，為了除去生成在電子零件之電極面的氧化物皮膜，可以利用將電壓以直流電流施加至其氧化物皮膜之方法，揭示於上述專利文獻2。因此，本發明者係針對藉由對該電極端子以直流電流施加電壓來除去生成在電極端子(探針)之前端的氧化物皮膜。即是，研究有加追下述工程的改良方法：於進行檢查對象之晶片電子零件之電特性之測量之前，或是測量之後，在使電極端子接觸於晶片電子零件之電極面之狀態下，施加電壓，依此除去電極端子之前端之氧化物皮膜。而且，本發明者根據其研究之結果，確認出藉由追加用以除去如此之電極端子之前端的氧化物皮膜的工程，可以除去生成在期待之電極端子之前端的氧化物皮膜。

但是，同時也證明在晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法之工程中組入上述氧化物皮膜之除去工程會產生問題。即是，使用如上述之檢查分選裝置之晶片電子零件之電特性之連續性的檢查方法因係以高速實施數量龐大的晶片電子零件之檢查為目的而被開發出的方法，故在其檢查作業追加上述電極端子之氧化物皮膜之除去工程，必然地會引起檢查所需之時間的延長，因此對晶片電子零件之自動化檢查的工業性實施不利。

因此，本發明者更進一步研究之結果，找出在測量被收容在與搬運圓盤之半徑方向鄰接之各透孔的晶片電子零件和處於接觸狀態之電極端子內之一個晶片電子零件之電特性之期間，對與其他之一個或其以上之晶片電子零件(為了進行電特性之測量而待機的晶片電子零件)接觸之電極端子施加直流電流，進行該電極端子之前端之氧化物皮膜之除去，依此不會引起晶片電子零件之檢查作業時間之延長，在晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法組入電極端子之前端之氧化物皮膜之除去工程。本發明係根據藉由如此本發明者發現的新見解而完成的發明。

因此，本發明係以在表面同心圓狀地形成至少三列之透孔之列的圓盤可進行間歇性旋轉之方式，使在同心圓之中心被樞軸支撐於基台而所構成之晶片電子零件搬運圓盤間歇性旋轉，且在該搬運圓盤之旋轉停止之期間，在晶片電子零件供給收容部，將晶片電子零件收容在該搬運圓盤之各列之透孔，接著藉由該搬運圓盤之間歇性 旋轉，使被收容在各列之透孔的晶片電子零件移動至電特性檢查部，且在該電特性檢查部，使電性連接於電特性測量裝置之電極端子接觸於被收容於各列之透孔的各晶片電子零件，在其接觸狀態下，順序測量被收容在與該圓盤之半徑方向鄰接之透孔的晶片電子零件之電特性，之後，重覆實施在該搬運圓盤之旋轉和停止狀態下將晶片電子零件收容至透孔還有電特性之測量，該晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法之特徵在於：藉由在測量被收容在與該圓盤之半徑方向鄰接之各透孔的晶片電子零件之內之一個的晶片電子零件之電特性之期間，對與其他之一個或其以上之晶片電子零件接觸之電極端子施加直流電流，除去生成在該電極端子之前端的氧化物皮膜。

本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法之最佳實施態樣如同下述。

(1)晶片電子零件為在頂部和底部各具備電極面之柱狀的晶片電子零件，電極端子係由分別與該晶片電子零件之頂部之電極面和底部之電極面接觸之至少一對探針所構成。

(2)電極端子係由分別電性連接於電特性測量裝置之Hcur、Hpot、Lcur、Lpot之各端子的四根探針所構成。

因藉由使用本發明之晶片電子零件之電特性之連續檢查方法，可自動性迴避成為引起電特性之測量精度下降之原因的電極端子之前端的氧化物皮膜等之汙染物之蓄積，故提升大量之微小晶片電子零件之電特性之高速且高精度之檢查分選功能。

10‧‧‧晶片電子零件檢查分選裝置

11‧‧‧晶片電子零件搬運圓盤

11a‧‧‧透孔

12a、12b、12c、12d、12e、12f‧‧‧一方之電極端子

13a、13b、13c、13d、13e、13f‧‧‧另一方之電極端子

14a、14b‧‧‧檢查器(電容計)

15‧‧‧控制器

19‧‧‧晶片電子零件(晶片電容器)

19a、19b、19c‧‧‧晶片電子零件(晶片電容器)

19d、19e、19f‧‧‧晶片電子零件(晶片電容器)

21‧‧‧電容器本體

22a、22b‧‧‧電極

31‧‧‧晶片電子零件供給口

32‧‧‧料斗

33‧‧‧區隔壁

41‧‧‧基台

42‧‧‧中心軸

43‧‧‧旋轉驅動裝置

45‧‧‧基板(基準台)

101‧‧‧晶片電子零件供給收容部(供給收容區域)

102‧‧‧晶片電子零件電特性檢查部(檢查區域)

103‧‧‧晶片電子零件電子零件分類部(分類區域)

圖1為以晶片電容器之例表示檢查對象之晶片電子零件之構成的斜視圖。

圖2為表示晶片電子零件檢查分選裝置之全體構成之例的前視圖。

圖3表示晶片電子零件檢查分選裝置之晶片電子零件搬運圓盤和在該搬運圓盤之旋轉路徑沿著其旋轉方向依序被配置之晶片電子零件供給收容部(供給收容區域)、晶片電子零件電特性檢查部(檢查區域)還有晶片電子零件分類部(分類區域)。

圖4為晶片電子零件搬運圓盤之前視圖，還有搬運圓盤和其背後之支撐構造的剖面圖。

圖5表示晶片電子零件供給收容部之前視圖和側面圖。並且，虛線係為了表示晶片電子零件供給收容部之內部構造而描繪。

圖6為表示晶片電子零件供給收容部所具備之料斗之內部構造的圖示，(a)為表示料斗之內部構造的前視 圖，(b)表示料斗之側面剖面圖。並且，在後者之料斗之側面剖面圖，也表示搬運圓盤和搬運圓盤之背後所具備之基板(基準台)之側面的剖面。

圖7為表示在晶片電子零件供給收容部對搬運圓盤的透孔供給和收容晶片電子零件之狀態的剖面圖，表示在搬運圓盤上沿著圓周而被圓弧狀排列配置的透孔收容晶片電子零件，且被搬運狀態的圖示。箭號表示搬運圓盤之旋轉方向(透孔之移動方向)。

圖8表示在檢查部檢查被收容在搬運圓盤之透孔的晶片電子零件之電特性之狀態的剖面圖。

圖9表示被收容在搬運圓盤之透孔，以分類部排出在檢查部的檢查結束之晶片電子零件之狀態的圖示。

圖10表示本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法中所採用的從檢查器(電容計)連接至電極端子(四端子)之電性系統之例的電路圖。

圖11表示本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法中所採用的從檢查器(電容計)連接至電極端子(二端子)之電性系統之例的電路圖。

最初，針對有利於本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法之實施而使用的晶片電子零件檢查分選裝置之構成例，一面參照附件圖面一面進行說明。

圖1為表示以一般的晶片電容器為例表示檢 查對象之晶片電子零件之構成的斜視圖，晶片電子零件(晶片電容器)19係由以介電體所構成之電容器本體21和與其兩端相向而被設置之一對電極22a、22b所構成。通常之晶片電容器19係使用陶瓷當作介電體的晶片陶磁電容器。並且，通常之晶片電子零件之電極之表面附設有用以將晶片電子零件安裝至各種基板之焊接層。

以在本發明之晶片電子零件檢查分選裝置被檢查之晶片電子零件之代表例而言，可舉出晶片電容器、晶片電阻器(包含晶片變阻器)及晶片電感器。

檢查對象之晶片電子零件係以表示特定之相同電特性之方式，按照相同之規格而製造出。

因此，上述檢查對象之晶片電子零件雖然為相同之製造批量者為多，但是即使為在如此之相同之製造批量之晶片電子零件中混合另外的批量的晶片電子零件者亦可。但是，兩者之製造批量之晶片電子零件係以表示互相相同之電特性之方式，按照相同之規格而製造出者(通常，係以販賣互相相同之製品為目的而製造出者)為一般。

圖2表示晶片電子零件檢查分選裝置之構成例的前視圖，圖3表示晶片電子零件檢查分選裝置之晶片電子零件搬運圓盤和在該搬運圓盤之旋轉路徑沿著其旋轉方向依序被配置之晶片電子零件供給收容部(供給收容區域)、晶片電子零件電特性檢查部(檢查區域)還有晶片電子零件分類部(分類區域)。圖2之晶片電子零件檢查 分選裝置係在搬運圓盤沿著其圓周排列6列多數之透孔的配置之裝置。並且，圖3之搬運圓盤為了簡化，將搬運圓盤以排列3列沿著其圓周的多數之透孔來表示。圖4(a)為圖3所示之晶片電子零件搬運圓盤之前視圖，還有圖4(b)為表示搬運圓盤和其背後之支撐構造的剖面圖。

在圖2所示之晶片電子零件檢查分選裝置10中，以在圓盤狀材料之表面上沿著圓周排列配置而形成可以暫時性地收容晶片電子零件(例如，晶片電容器)之兩個以上之透孔11a的晶片電子零件搬運圓盤(以下，單稱為搬運圓盤)11，以可進行沿著圓盤之平面的旋轉之方式，被樞軸支撐於基台41。搬運圓盤11之旋轉路徑係如圖3所示般，設置有晶片電子零件之供給收容部(供給收容區域)101、晶片電子零件電特性之檢查部(檢查區域)102、還有晶片電子零件之分類部(分類區域)103。在檢查部102中，在接近搬運圓盤11之各列之各透孔11a之兩開口部的位置具備有電特性測量用之電極端子。在電極端子電性連接有檢查器14a、14b，而且具備有以對檢查器供給與檢查處理有關之訊號之方式被電性連接於檢查器之控制器15。並且，檢查對象之晶片電子零件被放入至漏斗47，從晶片電子零件供給口31經料斗(參照圖5、6)而被供給至搬運圓盤11之透孔。

晶片電子零件搬運圓盤11之透孔11a通常在搬運圓盤之表面，以複數之同心圓狀，被配置在將該同心 圓予以等分割的位置上。

在附件圖面所示之裝置10中，在搬運圓盤11之中心和周緣之間設置有在直徑方向排列的合計6個的透孔，對被收容在各透孔之合計6個的每個晶片電子零件，進行晶片電子零件之電特性的檢查。在搬運圓盤11之中心和周緣之間排列在直徑方向之透孔的數量以在3~20個之範圍內為佳，以在3~12個之範圍內為更佳。

搬運圓盤11係透過例如基板(基準台)45，還有中心軸42而可旋轉地被設置(固定)在基台41，藉由使被配設在其背面側之旋轉驅動裝置43動作，使中心軸42之周圍間歇性地旋轉。

在搬運圓盤11之透孔11a，因在晶片電子零件供給收容部101檢查對象之晶片電子零件進行其電特性之檢查，故暫時性被收容。

晶片電子零件供給收容部101之詳細構成表示在圖5和圖6。晶片電子零件供給收容部101被稱為料斗部，為用以將從外部由晶片電子零件供給口31被供給之晶片電子零件經料斗32而收容至搬運圓盤11之透孔11a的區域。在圖5和圖6中，料斗32藉由區隔壁33使用以使晶片電子零件以3列圓弧狀地下降之3列的溝部分離而形成，以作為對被設置在搬運圓盤11之3列(為了簡化成與圖3相同，以3列表示)之透孔群供給晶片電子零件的構成。藉由晶片電子零件供給口31被供給，在料斗32之內部沿著區隔壁33下降的晶片電子零件係在料斗 32之底部附近，經被形成在基板(基準台)45之氣體吸引通路45a藉由也對搬運圓盤11之透孔11a帶來強烈的吸引力而被吸引收容至透孔11a。並且，該晶片電子零件往搬運圓盤11之透孔11a的吸引收容通常係在使搬運圓盤成為靜止狀態之下進行。

圖7表示晶片電子零件朝搬運圓盤11之透孔11a被吸引收容之狀態。即是，積體在料斗32之底部附近的晶片電子零件19係經被形成在基板(基準台)45之氣體吸引通路45a而藉由也對搬運圓盤11之透孔11a帶來強烈的吸引力，被吸引收容在透孔11a。並且，積體在該料斗32之底部附近的晶片電子零件19朝透孔11a吸引收容之時，在料斗32之底部附近從外部吹入空氣而生成氣流，使晶片電子零件19在攪拌狀態下浮游，因順暢地進行晶片電子零件之吸引收容故為佳。如此從外部吹入空氣至料斗32之底部附近例如可以利用圖6所示之空氣吹出37而進行。

如上述般，在晶片電子零件搬運圓盤11之背側或裝置之後方側(在圖7之右側)配設有基板45。在基板45形成有分別在搬運圓盤11之側的表面開口的複數氣體吸引通路45a。各個的氣體吸引通路係被連接對透孔供給強烈吸引力的氣體吸引裝置46。當使氣體吸引裝置46動作時，氣體吸引通路45a內之氣體被強烈吸引力吸引，被形成在搬運圓盤11和基板45之間的間隙成為減壓狀態。

一面使搬運圓盤11朝記載在圖7中之箭號所示之方向做間歇性旋轉，一面將晶片電子零件經晶片電子零件供給口31和料斗32而供給至搬運圓盤之表面，使氣體吸引裝置46動作而使搬運圓盤11和基板45之間的間隙成為減壓狀態時，在搬運圓盤11之各透孔11a吸引收容晶片電子零件19。

藉由上述搬運圓盤11之間歇性之旋轉移動，被收容在搬運圓盤11之透孔11a之晶片電子零件19接著被送至圖2及圖3所示之檢查部102。並且，搬運圓盤11和基板45之間的間隙係於晶片電子零件19朝透孔11a內收容完成之後，搬運圓盤11旋轉，被收容在透孔11a之晶片電子零件19移動至檢查部102，又到達至分類部103為止，處於弱的減壓狀態。因此，在晶片電子零件供給收容部101被收容在搬運圓盤11之透孔11a之晶片電子零件19，藉由搬運圓盤11之後的旋轉，經由檢查部102而到達至分類部103為止，不會從透孔11a脫落。

檢查部係如圖8所示般，為了將晶片電子零件電性連接於其電特性之檢查器，在接近搬運圓盤11之透孔11a之兩開口部的位置，配置有分別以一對所構成的電極端子12a、13a、12b、13b、12c、13c、12d、13d、12e、13e、12f、13f。

一方之電極端子(12a、其他)係經被配設在其周圍的電性絕緣性的筒體，而被固定在基板45。電極端子及基板45之搬運圓盤側之表面通常藉由研磨加工等 成為平滑的平面。

另一方之電極端子(13a、其他)被固定在電極端子支撐板53。

藉由使電極端子支撐板53移動至搬運圓盤11之側，被支撐於電極端子支撐板53的電極端子(13a、其他)也移動搬運圓盤11之側。藉由該電極端子(13a，其他)之移動，晶片電子零件被夾在成為一對的電極端子(12a、13a、其他)之間而成為接觸狀態。因此，晶片電子零件之電極22a電性連接於電極端子(12a、其他)，而且電極22b被電性連接於電極端子(13a、其他)。依此，晶片電子零件經成為一對之電極端子(12a、13a、其他)，而被電性連接於檢查器。

並且，與配置有成為一對之電極端子的搬運圓盤之各透孔之兩開口部「接近的位置」係指於在各透孔收容有晶片電子零件之時，各電極端子電性連接於各晶片電子零件之電極的位置，或是成為各電極端子可移動之構成之時，藉由使各電極端子移動，電性連接於晶片電子零件之電極的位置之意。

而且，在檢查部102中，針對被收容配置在搬運圓盤11之直徑方向排列一列的6個的各晶片電子零件19a、19b、19c、19d、19e、19f，進行特定之電特性檢查。

檢查電特性的晶片電子零件接著藉由搬運圓盤11之間歇性旋轉移動，被送往圖2及圖3所示之晶片 電子零件之分類部103。

如圖9所示般，在分類部103於搬運圓盤11之表側或裝置之前面側(在圖9中為左側)配設有形成有複數個透孔61a之管件支撐蓋61。在管件支撐蓋61之各透孔61a連接有構成晶片電子零件19a之排出通路的管件62。並且，在圖2中，僅表示被連接於管件支撐蓋61之各透孔61a的管件62中之一部的管件。

再者，配置在搬運圓盤11之背側或裝置之後方側(在圖9中之右側)的基板45，係在分類部103之區域，形成有分別在搬運圓盤11之側之表面開口的複數氣體供給通路45b。各個氣體供給通路45b被連接於加壓氣體供給裝置63。

當使加壓氣體供給裝置63動作時，加壓氣體被供給至氣體供給通路45b，且加壓氣體被噴射至收容在搬運圓盤11之透孔11a之晶片電子零件19a。依此，晶片電子零件被排出至管件62。

晶片電子零件19a係通過例如圖2所示被形成在管件支撐蓋61之複數個透孔61a中，位於最外周側之合計10個透孔61a。該10個透孔61a分別經管件62而連接於晶片電子零件收容容器64。

因此，在分類部103藉由透孔被排出之晶片電子零件係經連接於管件支撐蓋61之10個透孔61a的合計10根管件62中之任一者，根據檢查之結果證明的電特性，收容在事先決定的晶片電子零件收容容器64。

接著，針對本發明之晶片電子零件之電特性的連續檢查方法中之特徵性操作的電極端子之前端的氧化物皮膜之除去操作，一面參照圖10一面予以詳細說明。

圖10表示本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法中所採用的從檢查器連接至電極端子之電性系統(利用四端子法)之例的電路圖。圖10之電路圖係對圖2所示之檢查器(例如，電容計)14a進行直流電流之施加的電路圖，該直流電流之施加係用以進行被收容在圖8所示之搬運圓盤之透孔的晶片電子零件之內的三組19a、19b、19c(在搬運圓盤之半徑方向排列的狀態下被收容的透孔)之晶片電子零件之檢查(電特性之測量)和與各晶片電子零件之電極接觸的電極端子之前端的氧化物皮膜之除去，該電路所示係可以在各晶片電子零件19a、19b、19c接觸二對電極端子(即是，四端子)之狀態下順序實施直流電流之施加的電性電路，該直流電流之施加係用以進行晶片電子零件之電特性之測量和電極端子之前端的氧化物皮膜之除去。即是，該電性電路可以如藉由晶片電子零件之四端子法的電特性之測量電路，在各晶片電子零件之測量電路中，被設置成可以經連接切換開關連接直流電流施加用的電路(連結往外部電源的端子+DCV和端子-DCV的電路)。

在圖10中，檢查器(電容計)14a具備有可以經連接切換開關而與晶片電子零件接觸之四個電極端子電性連接的四個端子(Hcur、Hpot、Lcur、Lpot)。

接著說明使用圖10所示之電性電路而進行的晶片電子零件之電特性測量之操作和除去電極端子之前端的氧化物皮膜之操作的例。在圓盤之半徑方向排列而被收容在搬運圓盤之透孔之各晶片電子零件19a、19b、19c接觸電極端子之狀態下，首先連接切換開關動作，與晶片電子零件19a接觸之四個電極端子和檢查器14a電性連接，測量晶片電子零件19a之電特性。另外，在進行該晶片電子零件19a之電特性之測量之期間，直流電路(連接端子+DCV和端子-DCV的電路)藉由連接切換開關之動作，被連接於與晶片電子零件19b還有晶片電子零件19c之雙方或其中之任一方連接的電極端子，進行直流電流之施加。藉由該直流電流之施加，除去與晶片電子零件19b還有晶片電子零件19c之雙方或其中之任一方連接之電極端子之前端之氧化物皮膜。

接著，藉由連接切換開關之動作，與晶片電子零件19b接觸之四個電極端子和檢查器14a電性連接，測量晶片電子零件19b之電特性。另外，在進行該晶片電子零件19b之電特性之測量之期間，直流電路(連接端子+DCV和端子-DCV的電路)藉由連接切換開關之動作，被連接於與晶片電子零件19c還有晶片電子零件19a之雙方或其中之任一方連接的電極端子，進行直流電流之施加。藉由該直流電流之施加，除去與晶片電子零件19c還有晶片電子零件19a之雙方或其中之任一方連接之電極端子之前端之氧化物皮膜。並且，針對已進行了上述晶片電 子零件19a之電特性之測量和在同時期所實施的藉由對與其他的晶片電子零件接觸之電極端子施加直流電流而除去氧化物皮膜之操作的電極端子，亦可以省略重新施加直流電流。

又接著，藉由連接切換開關之動作，與晶片電子零件19c接觸之四個電極端子和檢查器14a電性連接，測量晶片電子零件19c之電特性。另外，在進行該晶片電子零件19c之電特性之測量之期間，直流電路(連接端子+DCV和端子-DCV的電路)藉由連接切換開關之動作，被連接於與晶片電子零件19a還有晶片電子零件19b之雙方或其中之任一方連接的電極端子，進行直流電流之施加。藉由該直流電流之施加，除去生成在與晶片電子零件19a還有晶片電子零件19b之雙方或其中之任一方連接之電極端子之前端之氧化物皮膜。並且，針對已進行了上述晶片電子零件19a或晶片電子零件19b之電特性之測量和在同時期所實施的藉由對與其他的晶片電子零件接觸之電極端子施加直流電流而除去氧化物皮膜之操作的電極端子，亦可以省略重新施加直流電流。

如上述說明般，若藉由本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法時，被收容在搬運圓盤之半徑方向排列之透孔的一個晶片電子零件之電特性之測量中，藉由對與其他之一個或兩個以上之晶片電子零件之電極接觸的電極端子施加供給直流電流進行除去生成在電極端子之前端的氧化物皮膜。因此，可以不會引起檢查時間 之延長地實施用以除去生成在電極端子之前端的氧化物皮膜的直流電流的施加操作。

並且，在本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法中除去電極端子前端部之氧化物皮膜，即使於使用其電極端子測量晶片電子零件之電特性後，藉由對該電極端子施加直流電流來實施亦可。即是，本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法因使用被自動化之檢查裝置而高速並且連續地進行，故被使用於一個晶片電子零件之電特性之測量，接著藉由施加直流電流被進行氧化物皮膜之除去的電極端子，原樣地被使用於收容在相同列之透孔的下一個晶片電子零件之電特性的測量。

在圖10中，表示用以實施利用四端子法測量晶片電子零件之電特性，並且進行除去電極端子之前端之氧化物皮膜之方法的電路圖，按照本發明進行除去電極端子之前端之氧化物皮膜的方法亦可以利用在藉由二端子法測量晶片電子零件之電特性之電路中附加直流電流施加用之電路的電路來實施。圖11表示實施如此之方法所使用的電路之例。

並且，在本說明書中，雖然晶片電子零件檢查分選裝置之構成的說明，還有本發明所提供之改良構成的晶片電子零件氧化物皮膜除去手段之說明，係以專利文獻1所記載之在垂直方向配置晶片電子零件搬運圓盤而動作的裝置為例而進行說明，但是在本發明之晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法中所使用之晶片電子零件檢查 分選裝置即使為在晶片電子零件搬運圓盤以傾斜之狀態被樞軸支撐於基台的裝置當然亦可。

14a‧‧‧檢查器(電容計)

19a、19b、19c‧‧‧晶片電子零件(晶片電容器)

Claims (3)

1. 一種晶片電子零件之電特性的連續性檢查方法，係以在表面同心圓狀地形成至少三列之透孔之列的圓盤可進行間歇性旋轉之方式，使在同心圓之中心被樞軸支撐於基台而所構成之晶片電子零件搬運圓盤間歇性旋轉，且在該搬運圓盤之旋轉停止之期間，在晶片電子零件供給收容部，將晶片電子零件收容在該搬運圓盤之各列之透孔，接著藉由該搬運圓盤之間歇性旋轉，使被收容在各列之透孔的晶片電子零件移動至電特性檢查部，且在該電特性檢查部，使電性連接於電特性測量裝置之電極端子接觸於被收容於各列之透孔的各晶片電子零件，在其接觸狀態下，順序測量被收容在與該圓盤之半徑方向鄰接之透孔的晶片電子零件之電特性，之後，重覆實施在該搬運圓盤之旋轉和停止狀態下將晶片電子零件收容至透孔還有電特性之測量，該晶片電子零件之電特性之連續性檢查方法之特徵在於：藉由在測量被收容在與該圓盤之半徑方向鄰接之各透孔的晶片電子零件之內之一個的晶片電子零件之電特性之期間，對與其他之一個或其以上之晶片電子零件接觸之電極端子施加直流電流，除去生成在該電極端子之前端的氧化物皮膜。
2. 如請求項1所記載之晶片電子零件之電特性的連續性檢查方法，其中晶片電子零件為在頂部和底部各具備電極面之柱狀的 晶片電子零件，電極端子係由分別與該晶片電子零件之頂部之電極面和底部之電極面接觸之至少一對探針所構成。
3. 如請求項2所記載之晶片電子零件之電特性的連續性檢查方法，其中電極端子係由分別電性連接於電特性測量裝置之Hcur、Hpot、Lcur、Lpot之各端子的四根探針所構成。