JP2002217255A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
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- JP2002217255A JP2002217255A JP2001008704A JP2001008704A JP2002217255A JP 2002217255 A JP2002217255 A JP 2002217255A JP 2001008704 A JP2001008704 A JP 2001008704A JP 2001008704 A JP2001008704 A JP 2001008704A JP 2002217255 A JP2002217255 A JP 2002217255A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プローブ針の消耗を抑えながら針先の異物を
除去できるクリーニング機構を備えた半導体測定装置を
提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体測定装置は、プロー
ブカード２を用いて半導体ウエハに電気的特性試験を行
うための半導体測定装置であって、プローブカード２の
針に電流を流すことにより、針先の異物を除去するクリ
ーニング機構１を有するものである。
除去できるクリーニング機構を備えた半導体測定装置を
提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体測定装置は、プロー
ブカード２を用いて半導体ウエハに電気的特性試験を行
うための半導体測定装置であって、プローブカード２の
針に電流を流すことにより、針先の異物を除去するクリ
ーニング機構１を有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの電
気的特性試験を行う半導体測定装置に関する。特には、
プローブカードの針先の異物を除去するクリーニング機
構を備えた半導体測定装置に関する。
気的特性試験を行う半導体測定装置に関する。特には、
プローブカードの針先の異物を除去するクリーニング機
構を備えた半導体測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体測定装置には、プ
ローブカードの接触抵抗値を低減させる機構、即ちプロ
ーブカードの針先の接触面を研磨する研磨板が備えられ
ていた。その理由は、特にバンプ品と呼ばれる外部端子
としてバンプを有するウエハに電気的特性試験を行う場
合、プローブカードの針先に異物等が付着し易く、それ
により接触抵抗値が増えるので、プローブカードの針先
の接触面を研磨板により研磨して異物等を除去すること
で接触抵抗値を低下させるためである。
ローブカードの接触抵抗値を低減させる機構、即ちプロ
ーブカードの針先の接触面を研磨する研磨板が備えられ
ていた。その理由は、特にバンプ品と呼ばれる外部端子
としてバンプを有するウエハに電気的特性試験を行う場
合、プローブカードの針先に異物等が付着し易く、それ
により接触抵抗値が増えるので、プローブカードの針先
の接触面を研磨板により研磨して異物等を除去すること
で接触抵抗値を低下させるためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体測定装置では、プローブカードの針先を研磨板で
研磨することにより、該針先の異物を除去しているた
め、研磨回数が増えるにしたがって該針先自体も削られ
ていき、該針先が徐々に短くなっていく。このように針
先がある程度短くなると、プローブカードのプローブ針
は交換しなければならない。従って、研磨板で研磨する
ことで針先の異物を除去するという方法にはプローブ針
の消耗が早いという欠点がある。
半導体測定装置では、プローブカードの針先を研磨板で
研磨することにより、該針先の異物を除去しているた
め、研磨回数が増えるにしたがって該針先自体も削られ
ていき、該針先が徐々に短くなっていく。このように針
先がある程度短くなると、プローブカードのプローブ針
は交換しなければならない。従って、研磨板で研磨する
ことで針先の異物を除去するという方法にはプローブ針
の消耗が早いという欠点がある。
【０００４】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、プローブ針の消耗を抑え
ながら針先の異物を除去できるクリーニング機構を備え
た半導体測定装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、プローブ針の消耗を抑え
ながら針先の異物を除去できるクリーニング機構を備え
た半導体測定装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体測定装置は、プローブカードを
用いて半導体ウエハに電気的特性試験を行うための半導
体測定装置であって、プローブカードの針に電流を流す
ことにより、針先の異物を除去するクリーニング機構を
有することを特徴とする。
め、本発明に係る半導体測定装置は、プローブカードを
用いて半導体ウエハに電気的特性試験を行うための半導
体測定装置であって、プローブカードの針に電流を流す
ことにより、針先の異物を除去するクリーニング機構を
有することを特徴とする。
【０００６】上記半導体測定装置によれば、プローブカ
ードの針先に電流を流すことにより、該針先の異物を除
去して該針先の接触抵抗を低下させている。このように
大電流を該針先に流すというクリーニング機構を用いて
いるため、針先のクリーニング回数が増えても、従来の
半導体測定装置のように該針先自体が削られていくこと
を抑制することができる。従って、プローブ針の消耗を
抑えながら針先の異物を除去することができる。
ードの針先に電流を流すことにより、該針先の異物を除
去して該針先の接触抵抗を低下させている。このように
大電流を該針先に流すというクリーニング機構を用いて
いるため、針先のクリーニング回数が増えても、従来の
半導体測定装置のように該針先自体が削られていくこと
を抑制することができる。従って、プローブ針の消耗を
抑えながら針先の異物を除去することができる。
【０００７】また、本発明に係る半導体測定装置におい
て、上記クリーニング機構は、接地電位に接続され、プ
ローブカードの針先を接触させる導電盤と、上記電流を
流す定電流源と、を具備することも可能である。
て、上記クリーニング機構は、接地電位に接続され、プ
ローブカードの針先を接触させる導電盤と、上記電流を
流す定電流源と、を具備することも可能である。
【０００８】また、本発明に係る半導体測定装置におい
て、上記クリーニング機構は上記電流を流す定電流源を
備え、上記半導体ウエハにプローブカードの針先を接触
させた状態で電流を流すことも可能である。
て、上記クリーニング機構は上記電流を流す定電流源を
備え、上記半導体ウエハにプローブカードの針先を接触
させた状態で電流を流すことも可能である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるクリーニング機構を備えた半導体測
定装置を示す構成図である。
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるクリーニング機構を備えた半導体測
定装置を示す構成図である。
【００１０】この半導体測定装置は、半導体ウエハに電
気的特性試験を行うためにプローブを接触させるプロー
バ（図示せず）を有するものである。このプローバは、
プローブカード２の針先に付着した異物を除去するクリ
ーニング機構１を備えている。このクリーニング機構１
は導電性の高い導電盤３を有している。この導電盤３
は、プローブ針をコンタクトするものであり、接地電位
に接続されている。
気的特性試験を行うためにプローブを接触させるプロー
バ（図示せず）を有するものである。このプローバは、
プローブカード２の針先に付着した異物を除去するクリ
ーニング機構１を備えている。このクリーニング機構１
は導電性の高い導電盤３を有している。この導電盤３
は、プローブ針をコンタクトするものであり、接地電位
に接続されている。
【００１１】プローブカード２のプローブ針の基端はテ
スタ／電流印加切換えリレー４に接続されている。この
テスタ／電流印加切換えリレー４は、テスタチャンネル
に接続するか、電流印加ユニット１５に接続するかを切
換えるためのリレーである。この切換えリレー４の一方
側はテスタチャンネルに接続されており、切換えリレー
４の他方側は電流印加ユニット割込みリレー６に接続さ
れている。この電流印加ユニット割込みリレー６は電流
印加ユニット１５における定電流源１２に接続可能とさ
れており、この定電流源１２は接地電位に接続されてい
る。
スタ／電流印加切換えリレー４に接続されている。この
テスタ／電流印加切換えリレー４は、テスタチャンネル
に接続するか、電流印加ユニット１５に接続するかを切
換えるためのリレーである。この切換えリレー４の一方
側はテスタチャンネルに接続されており、切換えリレー
４の他方側は電流印加ユニット割込みリレー６に接続さ
れている。この電流印加ユニット割込みリレー６は電流
印加ユニット１５における定電流源１２に接続可能とさ
れており、この定電流源１２は接地電位に接続されてい
る。
【００１２】次に、上記半導体測定装置を用いて半導体
ウエハの電気的特性試験を行う方法について説明する。
ウエハの電気的特性試験を行う方法について説明する。
【００１３】まず、プローブカード２の基端側の接続を
テスターチャンネル側にしておき、プローブカード２を
被試験用のウエハ（図示せず）上に移動させる。そし
て、そのウエハにプローブカード２の針先を接触させて
電気的特性試験を行う。そして、この電気的特性試験を
所定枚数のウエハに施す。
テスターチャンネル側にしておき、プローブカード２を
被試験用のウエハ（図示せず）上に移動させる。そし
て、そのウエハにプローブカード２の針先を接触させて
電気的特性試験を行う。そして、この電気的特性試験を
所定枚数のウエハに施す。
【００１４】その後、テスタ／電流印加切換えリレー
４、電流印加ユニット割込みリレー６を電流印加ユニッ
ト１５の接続側に切換えてプローブカード２を電流印加
ユニット１５の定電流源１２に接続する。次に、図１に
示すように、プローブカード２の針先を導電盤３に接触
させた状態で、該針先に定電流源１２により大電流（一
定電流）を所定時間流す。これにより、プローブカード
２の針先の異物を焼却して除去することができる。その
結果、プローブカードの針先の接触抵抗を下げることが
できる。
４、電流印加ユニット割込みリレー６を電流印加ユニッ
ト１５の接続側に切換えてプローブカード２を電流印加
ユニット１５の定電流源１２に接続する。次に、図１に
示すように、プローブカード２の針先を導電盤３に接触
させた状態で、該針先に定電流源１２により大電流（一
定電流）を所定時間流す。これにより、プローブカード
２の針先の異物を焼却して除去することができる。その
結果、プローブカードの針先の接触抵抗を下げることが
できる。
【００１５】次に、再びプローブカード２の基端側の接
続をリレー４でテスターチャンネル側に切換えて、プロ
ーブカード２を被試験用のウエハ上に移動させる。そし
て、そのウエハにプローブカードの針先を接触させて電
気的特性試験を行う。
続をリレー４でテスターチャンネル側に切換えて、プロ
ーブカード２を被試験用のウエハ上に移動させる。そし
て、そのウエハにプローブカードの針先を接触させて電
気的特性試験を行う。
【００１６】上記第１の実施の形態によれば、プローブ
カード２の針先に大電流を流すことにより、該針先の異
物を除去して該針先の接触抵抗を低下させている。この
ように大電流を該針先に流すというクリーニング機構を
用いているため、針先のクリーニング回数が増えても、
従来の半導体測定装置のように該針先自体が削られてい
くことを抑制することができる。従って、プローブ針の
消耗を遅くしてプローブ針の減りを少なくすることがで
き、プローブ針の寿命を延ばすことが可能となる。
カード２の針先に大電流を流すことにより、該針先の異
物を除去して該針先の接触抵抗を低下させている。この
ように大電流を該針先に流すというクリーニング機構を
用いているため、針先のクリーニング回数が増えても、
従来の半導体測定装置のように該針先自体が削られてい
くことを抑制することができる。従って、プローブ針の
消耗を遅くしてプローブ針の減りを少なくすることがで
き、プローブ針の寿命を延ばすことが可能となる。
【００１７】図２は、本発明に係る第２の実施の形態に
よるクリーニング機構を備えた半導体測定装置を示す構
成図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
よるクリーニング機構を備えた半導体測定装置を示す構
成図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異な
る部分についてのみ説明する。
【００１８】クリーニング機構１０は導電盤を有してな
い。クリーニングのための大電流をプローブ針に流す
際、プローブ針は半導体ウエハ１１にコンタクトする。
この半導体ウエハ１１はウエハテーブル１３上に載置さ
れており、ウエハテーブル１３は接地電位に接続されて
いる。このウエハテーブル１３は、電気的特性試験を行
う際に半導体ウエハ１１を載置するものである。
い。クリーニングのための大電流をプローブ針に流す
際、プローブ針は半導体ウエハ１１にコンタクトする。
この半導体ウエハ１１はウエハテーブル１３上に載置さ
れており、ウエハテーブル１３は接地電位に接続されて
いる。このウエハテーブル１３は、電気的特性試験を行
う際に半導体ウエハ１１を載置するものである。
【００１９】上記半導体測定装置を用いて半導体ウエハ
１１の電気的特性試験を行う場合、まず、ウエハテーブ
ル１３上に半導体ウエハ１１を載置し、プローブカード
２の基端側の接続をテスターチャンネル側にしておき、
半導体ウエハ１１上にプローブカード２の針先を接触さ
せる。そして、この試験を所定枚数のウエハに施す。
１１の電気的特性試験を行う場合、まず、ウエハテーブ
ル１３上に半導体ウエハ１１を載置し、プローブカード
２の基端側の接続をテスターチャンネル側にしておき、
半導体ウエハ１１上にプローブカード２の針先を接触さ
せる。そして、この試験を所定枚数のウエハに施す。
【００２０】その後、テスタ／電流印加切換えリレー
４、電流印加ユニット割込みリレー６を電流印加ユニッ
ト１５の接続側に切換えてプローブカード２を電流印加
ユニット１５の定電流源１２に接続する。次に、図２に
示すように、プローブカード２の針先を半導体ウエハ１
１に接触させた状態で、該針先に定電流源１２により第
１の実施の形態より低い電流、例えば１００ｍＡ〜２０
０ｍＡ程度の一定電流を所定時間流す。これにより、プ
ローブカード２の針先の異物を焼却して除去することが
できる。その結果、プローブカードの針先の接触抵抗を
下げることができる。
４、電流印加ユニット割込みリレー６を電流印加ユニッ
ト１５の接続側に切換えてプローブカード２を電流印加
ユニット１５の定電流源１２に接続する。次に、図２に
示すように、プローブカード２の針先を半導体ウエハ１
１に接触させた状態で、該針先に定電流源１２により第
１の実施の形態より低い電流、例えば１００ｍＡ〜２０
０ｍＡ程度の一定電流を所定時間流す。これにより、プ
ローブカード２の針先の異物を焼却して除去することが
できる。その結果、プローブカードの針先の接触抵抗を
下げることができる。
【００２１】なお、プローブ針に流す電流を第１の実施
の形態より低い電流としたのは、製品ウエハ１１に大電
流を流すことは製品にとってストレスとなり、品質面で
悪影響を及ぼす可能性があるから、品質面で悪影響を及
ぼさない程度の電流としたためである。
の形態より低い電流としたのは、製品ウエハ１１に大電
流を流すことは製品にとってストレスとなり、品質面で
悪影響を及ぼす可能性があるから、品質面で悪影響を及
ぼさない程度の電流としたためである。
【００２２】上記第２の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、
プローブカード２の針先に電流を流すことにより、該針
先の異物を除去して該針先の接触抵抗を低下させてい
る。このように電流を該針先に流すというクリーニング
機構を用いているため、針先のクリーニング回数が増え
ても、従来の半導体測定装置のように該針先自体が削ら
れていくことを抑制することができる。従って、プロー
ブ針の消耗を遅くしてプローブ針の減りを少なくするこ
とができ、プローブ針の寿命を延ばすことが可能とな
る。
施の形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、
プローブカード２の針先に電流を流すことにより、該針
先の異物を除去して該針先の接触抵抗を低下させてい
る。このように電流を該針先に流すというクリーニング
機構を用いているため、針先のクリーニング回数が増え
ても、従来の半導体測定装置のように該針先自体が削ら
れていくことを抑制することができる。従って、プロー
ブ針の消耗を遅くしてプローブ針の減りを少なくするこ
とができ、プローブ針の寿命を延ばすことが可能とな
る。
【００２３】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
プローブカードの全ての針先において接触抵抗を測定す
る必要は必ずしも無く、厳格な接触抵抗の制御が要求さ
れる針先の接触抵抗のみを測定することも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
プローブカードの全ての針先において接触抵抗を測定す
る必要は必ずしも無く、厳格な接触抵抗の制御が要求さ
れる針先の接触抵抗のみを測定することも可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
ローブカードの針先に電流を流すことにより、該針先の
異物を除去している。したがって、プローブ針の消耗を
抑えながら針先の異物を除去できるクリーニング機構を
備えた半導体測定装置を提供することができる。
ローブカードの針先に電流を流すことにより、該針先の
異物を除去している。したがって、プローブ針の消耗を
抑えながら針先の異物を除去できるクリーニング機構を
備えた半導体測定装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態によるクリーニ
ング機構を備えた半導体測定装置を示す構成図である。
ング機構を備えた半導体測定装置を示す構成図である。
【図２】本発明に係る第２の実施の形態によるクリーニ
ング機構を備えた半導体測定装置を示す構成図である。
ング機構を備えた半導体測定装置を示す構成図である。
１，１０…クリーニング機構 ２…プローブカード ３…導電盤 ４…テスタ／電流印加切換えリレー ６…電流印加ユニット割込みリレー １１…半導体ウエハ １２…定電流源 １３…ウエハテーブル １５…電流印加ユニット
Claims (3)
- 【請求項１】 プローブカードを用いて半導体ウエハに
電気的特性試験を行うための半導体測定装置であって、 プローブカードの針に電流を流すことにより、針先の異
物を除去するクリーニング機構を有することを特徴とす
る半導体測定装置。 - 【請求項２】 上記クリーニング機構は、接地電位に接
続され、プローブカードの針先を接触させる導電盤と、
上記電流を流す定電流源と、を具備することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体測定装置。 - 【請求項３】 上記クリーニング機構は上記電流を流す
定電流源を備え、上記半導体ウエハにプローブカードの
針先を接触させた状態で電流を流すことを特徴とする請
求項１に記載の半導体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008704A JP2002217255A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008704A JP2002217255A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217255A true JP2002217255A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18876283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001008704A Withdrawn JP2002217255A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217255A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005524855A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 半導体ウェハを試験するための高性能プローブシステム |
| US7764075B2 (en) | 2002-05-08 | 2010-07-27 | Formfactor, Inc. | High performance probe system |
| CN105044586A (zh) * | 2014-05-02 | 2015-11-11 | 慧萌高新科技有限公司 | 芯片电子部件的电特性的连续检查方法 |
| JP2018037502A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の検査方法 |
-
2001
- 2001-01-17 JP JP2001008704A patent/JP2002217255A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005524855A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 半導体ウェハを試験するための高性能プローブシステム |
| US7764075B2 (en) | 2002-05-08 | 2010-07-27 | Formfactor, Inc. | High performance probe system |
| JP4688095B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2011-05-25 | フォームファクター， インコーポレイテッド | 半導体ウェハを試験するための高性能プローブシステム |
| US8614590B2 (en) | 2002-05-08 | 2013-12-24 | Charles A. Miller | High performance probe system |
| CN105044586A (zh) * | 2014-05-02 | 2015-11-11 | 慧萌高新科技有限公司 | 芯片电子部件的电特性的连续检查方法 |
| JP2015213121A (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-26 | 株式会社ヒューモラボラトリー | チップ電子部品の電気特性の連続的な検査方法 |
| TWI649569B (zh) * | 2014-05-02 | 2019-02-01 | 日商慧萌高新科技有限公司 | Method for checking the continuity of electrical characteristics of electronic components of wafers |
| CN105044586B (zh) * | 2014-05-02 | 2019-06-14 | 慧萌高新科技有限公司 | 芯片电子部件的电特性的连续检查方法 |
| JP2018037502A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の検査方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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