JP2018049873A - 基板処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】重なるように配置された2枚の基板のそれぞれの位置を正確に特定することができる基板搬送方法を提供する。【解決手段】2枚のウエハWを搬送アーム14aによって重なるように保持する基板処理装置10において、下方ウエハ検出センサ29の発光部29aは、下方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に下方ウエハWが通過する領域に配置され且つ下方ウエハW及び上方ウエハWの間に位置するように配置され、下方ウエハ検出センサ29の受光部29bは下方ウエハWを介して発光部29aと対向するように配置され、上方ウエハ検出センサ30は、上方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に上方ウエハWが通過する領域に配置される。【選択図】図4

Description

本発明は、2枚の基板を1つの処理室へ搬入する基板処理装置及び基板搬送方法に関する。
基板としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)に所定の処理、例えば、COR(Chemical Oxide Removal)処理やPHT(Post Heat Treatment)処理を施す基板処理装置では、共通搬送室であるトランスファモジュールの周りに処理室であるプロセスモジュールが複数配置され、一のウエハを一のプロセスモジュールへ搬送する間に他のプロセスモジュールにおいて他のウエハへCOR処理やPHT処理を施すことにより、処理の効率を向上させる。特に、COR処理やPHT処理は時間を要する処理であるため、各プロセスモジュールは2枚のウエハを収容し、該2枚のウエハへ同時にCOR処理又はPHT処理を施す。
このような基板処理装置では、各プロセスモジュールへ向けて2枚のウエハを同時に搬送する必要があり、トランスファモジュールの内部に配置された搬送アームは先端に設けられたピックにより、2枚のウエハを間に間隔をおいて重なるように保持する。ここで、搬送アームがウエハの受け渡しの失敗等に起因して1枚しかウエハを保持していない場合、各プロセスモジュールへ搬入されるウエハも1枚となるため、COR処理やPHT処理の効率が低下する。したがって、各プロセスモジュールへウエハを搬入する前に搬送アームが2枚のウエハを保持しているか否かを確認する必要がある。
これに対応して、搬送アームが2枚のウエハを保持しているか否かを確認する方法が本出願人によって提案されている。具体的には、トランスファモジュールの内部において各プロセスモジュールの前にレーザ光又は赤色LED光の発光部及び受光部からなるセンサを配置し、発光部から搬送アームが保持する各ウエハへ向けてレーザ光又は赤色LED光を照射し、レーザ光又は赤色LED光がウエハによって遮られるか否かを受光部によって検知することにより、搬送アームが2枚のウエハを保持しているか否かを確認する。このとき、発光部から各ウエハへはレーザ光又は赤色LED光が斜めに照射されるため、搬送アームが2枚のウエハを重なるように保持していても、各ウエハの存在を確認することができる(例えば、特許文献1参照。)。
ところで、各プロセスモジュールは各ウエハを載置するステージを有するが、該ステージに対してウエハが正しい位置に載置されないとエラーと判定され、処理が中断することがあるため、各プロセスモジュールへウエハを搬入する前にウエハの位置を修正する必要がある。通常は、トランスファモジュールに連結する大気搬送室であるローダーモジュールへ位置合わせ装置であるオリエンタを設け、該オリエンタにおいてウエハの位置を修正するが、この場合、ウエハをトランスファモジュール及びローダーモジュールの間において往復移動させる必要があるため、処理の効率が著しく低下する。そこで、ウエハをトランスファモジュールから各プロセスモジュールへ搬入する際にウエハの位置を修正することが強く求められている。
特開2013−171871号公報
しかしながら、特許文献1の方法ではセンサによって各ウエハのエッジを1箇所しか検出していない。エッジが1箇所しか検出できない場合、ウエハの中心位置を特定することができないため、ウエハの位置を修正することができない。
本発明の目的は、重なるように配置された2枚の基板のそれぞれの位置を正確に特定することができる基板処理装置及び基板搬送方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の基板処理装置は、2つの載置台を有する処理室及び搬送室の間において2枚の基板を搬送する搬送アームを備え、前記搬送アームは前記2枚の基板を当該2枚の基板の間に間隔をおいて重なるように保持する基板処理装置において、下方の前記基板が搬送される際、下方の前記基板の縁部を検出する下方基板検出センサと、上方の前記基板が搬送される際、上方の前記基板の縁部を検出する上方基板検出センサとを備え、前記搬送アームは、下方の前記基板を一方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送し、上方の前記基板を他方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送し、前記下方基板検出センサは発光部及び受光部を有する光学式センサからなり、前記発光部及び前記受光部の一方は、下方の前記基板が搬送される際に下方の前記基板が通過する領域に配置され且つ下方の前記基板及び上方の前記基板の間に位置するように配置され、前記発光部及び前記受光部の他方は、下方の前記基板が搬送される際に下方の前記基板を介して前記発光部及び前記受光部の一方と対向するように配置され、前記上方基板検出センサは、上方の前記基板が搬送される際に上方の前記基板が通過する領域に配置されることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の基板搬送方法は、2つの載置台を有する処理室及び搬送室の間において2枚の基板を搬送アームによって搬送する基板搬送方法であって、前記搬送アームによって前記2枚の基板を当該2枚の基板の間に間隔をおいて重なるように保持する保持ステップと、前記搬送アームによって下方の前記基板を一方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送する第1の搬送ステップと、前記搬送アームによって上方の前記基板を他方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送する第2の搬送ステップとを有し、前記第1の搬送ステップにおいて下方の前記基板の縁部を検出する下方基板検出センサと、前記第2の搬送ステップにおいて上方の前記基板の縁部を検出する上方基板検出センサとが配置され、前記下方基板検出センサは発光部及び受光部を有する光学式センサからなり、前記発光部及び前記受光部の一方は、前記第1の搬送ステップにおいて下方の前記基板が通過する領域に配置され且つ下方の前記基板及び上方の前記基板の間に位置するように配置され、前記発光部及び前記受光部の他方は、前記第1の搬送ステップにおいて下方の前記基板を介して前記発光部及び前記受光部の一方と対向するように配置され、前記上方基板検出センサは、前記第2の搬送ステップにおいて上方の前記基板が通過する領域に配置されることを特徴とする。
本発明によれば、下方基板検出センサの発光部及び受光部の一方は、下方の基板が一方の載置台及び搬送室の間で搬送される際に下方の基板及び上方の基板の間に位置するように配置され、下方基板検出センサの発光部及び受光部の他方は下方の基板を介して発光部及び受光部の一方と対向するように配置されるので、下方基板検出センサの発光部及び受光部の間を下方の基板のみが通過する。これにより、下方基板検出センサは上方の基板の存在に関係無く下方の基板の縁部を検出することができる。また、下方基板検出センサの発光部及び受光部の一方は、下方の基板が搬送される際に下方の基板が通過する領域に配置されるので、下方の基板の縁部は下方基板検出センサの発光部及び受光部の間を2回通過する。これにより、下方の基板の縁部の2箇所を検出することができる。さらに、上方基板検出センサは、上方の基板が他方の載置台及び搬送室の間で搬送される際に上方の基板が通過する領域に配置されるので、上方基板検出センサの前を上方の基板の縁部が2回通過する。これにより、上方の基板の縁部の2箇所を検出することができる。その結果、重なるように配置された2枚の基板のそれぞれの位置を正確に特定することができる。
本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。 図1における搬送アームの構成を説明するための図であり、図2(A)は搬送アームの全体を示す斜視図であり、図2(B)は搬送アームのピック部の側面図である。 搬送アームによるプロセスモジュールの内部へ向けてのウエハの搬送を説明するための工程図である。 トランスファモジュールの内部とプロセスモジュールの内部を連通させる連通口を説明するための図であり、図4(A)は、図1における線V−Vに沿う断面図であり、図4(B)は図4(A)における線B−Bに沿う断面図である。 図4における下方ウエハ検出センサの構成を概略的に示す拡大断面図である。 下方ウエハ検出センサのフランジへの装着方法を説明するための工程図である。 本発明の実施の形態に係る基板搬送方法を説明するための工程図である。 本発明の実施の形態に係る基板搬送方法を説明するための工程図である。 円の中心位置の特定方法を説明するための図である。 ロードロックモジュールに配置されるハイトセンサを説明するための図である。 図1の基板処理装置が備えるモニタを説明するための図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。なお、図1では理解を容易にするために内部の構成の一部が透過して示される。
図1において、基板処理装置10は、複数のウエハWを保管するウエハ保管部11と、2枚のウエハWを同時に搬送する搬送室としての共通搬送部(トランスファモジュール)12と、トランスファモジュール12から搬送されたウエハWに所定の処理、例えば、COR処理やPHT処理を施す処理室としての複数の基板処理部(プロセスモジュール)13とを備える。プロセスモジュール13及びトランスファモジュール12は内部が真空雰囲気に維持される。
基板処理装置10では、ウエハ保管部11に保管された複数のウエハWのうち選択された2枚のウエハWをトランスファモジュール12が内蔵する搬送アーム14a等によって重なるように保持し、搬送アーム14a等を移動させることによってトランスファモジュール12の内部においてウエハWを搬送し、プロセスモジュール13の内部に配置された2つのステージ15a,15b(載置台)のそれぞれに1枚ずつウエハWを載置する。次いで、基板処理装置10では、ステージ15a,15bに載置された各ウエハWへプロセスモジュール13で所定の処理を施した後に、処理済みの2枚のウエハWを搬送アーム14a等によって重なるように保持し、搬送アーム14a等を移動させることによってウエハ保管部11に搬出する。
ウエハ保管部11は、複数のウエハWを保管する容器であるフープ16a〜16cの載置台であるロードポート17a〜17cと、保管されたウエハWをロードポート(17a等)に載置されたフープ(16a等)から受け取り、若しくは、プロセスモジュール13で所定の処理が施されたウエハWをフープ(16a等)に引き渡すローダーモジュール18と、ローダーモジュール18及びトランスファモジュール12の間においてウエハWを受け渡しするために一時的にウエハWを保持するロードロックモジュール19a,19bとを有する。
ローダーモジュール18は内部が大気圧雰囲気の矩形の筐体からなり、その矩形の長辺を構成する一側面に複数のロードポート(17a等)が並設される。さらに、ローダーモジュール18は、内部においてその矩形の長手方向に移動可能な搬送アーム(不図示)を有する。該搬送アームはロードポート(17a等)に載置されたフープ(16a等)からロードロックモジュール19aにウエハWを搬送し、若しくは、ロードロックモジュール19bからフープ(16a等)にウエハWを搬出する。フープ(16a等)は複数のウエハWを等間隔で多段に重なるようにして収容する。また、ロードポート(17a等)に載置されたフープ(16a等)の内部は、通常、大気で満たされるが、当該内部が窒素ガス等で満たされて密閉される場合もある。
ロードロックモジュール19aは、大気圧雰囲気のロードポート(17a等)に載置されたフープ(16a等)に収容されたウエハWを、内部が真空雰囲気のプロセスモジュール13に引き渡すため、ウエハWを一時的に保持する。ロードロックモジュール19aは、2枚のウエハWを重なるように保持する上部ストッカ20a及び下部ストッカ20bを有する。また、ロードロックモジュール19aは、ローダーモジュール18に対して気密性を確保するためのゲートバルブ21aと、トランスファモジュール12に対して気密性を確保するためのゲートバルブ21bとを有する。さらに、ロードロックモジュール19aには図示しないガス導入系及びガス排気系が配管によって接続され、ガス導入系及びガス排気系によって内部が大気圧雰囲気又は真空雰囲気に制御される。なお、ロードロックモジュール19bもロードロックモジュール19aと同様の構成を有する。
トランスファモジュール12は未処理のウエハWをウエハ保管部11からプロセスモジュール13に搬送し、処理済みのウエハWをプロセスモジュール13からウエハ保管部11に搬出する。トランスファモジュール12は内部が真空雰囲気の矩形の筐体からなり、それぞれ、2枚のウエハWを重なるように保持して移動する搬送アーム14a,14bと、搬送アーム14a,14bを回転可能に支持する回転台22と、回転台22を搭載した回転載置台23と、回転載置台23をトランスファモジュール12の長手方向に移動可能に案内する案内レール24とを含む。また、トランスファモジュール12は、ゲートバルブ21a,21b、さらに後述するゲートバルブ25a〜25fを介して、ウエハ保管部11のロードロックモジュール19a,19b、並びに、各プロセスモジュール13と連通する。トランスファモジュール12では、ロードロックモジュール19aにおいて重なるように上部ストッカ20a及び下部ストッカ20bによって保持された2枚のウエハWを、搬送アーム14aも重なるように保持して受け取り、各プロセスモジュール13へ搬送する。また、プロセスモジュール13で処理が施された2枚のウエハWを、搬送アーム14bが重なるように保持し、ロードロックモジュール19bに搬出する。
図2は、図1における搬送アームの構成を説明するための図であり、図2(A)は搬送アームの全体を示す斜視図であり、図2(B)は搬送アームのピック部の側面図である。
図2において、搬送アーム14a及び搬送アーム14bは、それぞれ先端において2枚のウエハWを搭載するピック部24a,24bを有する。搬送アーム14aは、複数の矩形のリンク(節)部を複数のジョイント(関節)部で回転可能に連結したリンク機構を有する。搬送アーム14aのリンク機構の一端は回転台22によって回転自由に支持される。また、搬送アーム14aのリンク機構の他端は自由端であり、他端にピック部24aが連接される(図2(A))。
ピック部24aは、二股フォーク状の上部ピック24at及び下部ピック24abを所定の距離tだけ離間して積層した構成からなる(図2(B))。ピック部24aは、上部ピック24atの上面に1枚のウエハWを搭載し、下部ピック24abの上面(上部ピック24atと下部ピック24abとの間)にさらに1枚のウエハWを搭載する。すなわち、搬送アーム14aは、ピック部24aによって2枚のウエハWを間に間隔をおいて重なるように保持する。
また、搬送アーム14aは、リンク機構の一端の回転及びリンク機構による他端の移動により、他端のピック部24aに搭載した各ウエハWを所望の位置に移動する。なお、搬送アーム14bは搬送アーム14aと同様の構成を有する。搬送アーム14a等は一度に2枚のウエハWを搭載するため、基板処理装置10は、搬送アーム14a及び搬送アーム14bによって同時に4枚のウエハWを搬送可能である。回転台22は、鉛直方向を回転軸とし、搬送アーム14a等を回転可能に支持する。
図1に戻り、回転載置台23及び案内レール24は、載置した回転台22をトランスファモジュール12の内部におい長手方向に移させるスライド機構を構成する。
各プロセスモジュール13は、ゲートバルブ25a〜25fを介してトランスファモジュール12に連通する。したがって、ゲートバルブ25a〜25fにより、各プロセスモジュール13及びトランスファモジュール12の間の気密性の確保及び互いの連通を両立する。また、プロセスモジュール13には、図示しないガス導入系(処理ガス及びパージガス等のガス供給源等)及びガス排気系(真空ポンプ、排気制御バルブ及び排気管等)が接続される。
一のプロセスモジュール13は、2枚のウエハWを水平方向に並べて載置するステージ15a及びステージ15b(2つの載置台)を内部に有する。各プロセスモジュール13は、ステージ15a及びステージ15bにウエハWを並べて載置することにより、2枚のウエハWの表面を均一且つ同時に処理する。本実施の形態では、複数のプロセスモジュール13の各々はCOR処理及びPHT処理のいずれかを実行する。
なお、基板処理装置10は制御部としてコントローラ26をさらに備え、コントローラ26は内蔵するメモリ等に格納されたプログラム等を実行することにより、基板処理装置10の各構成要素の動作を制御する。
図3は、搬送アームによるプロセスモジュールの内部へ向けてのウエハの搬送を説明するための工程図である。
まず、2枚のウエハWを重なるように保持する搬送アーム14aが一のプロセスモジュール13の前まで移動し(図3(A))、搬送アーム14aはリンク機構を伸長させてピック部24aを一のプロセスモジュール13の内部へ進入させ、下部ピック24abに載置されたウエハW(以下、「下方ウエハW」という。)をステージ15aに対向させる(図3(B))。このとき、ステージ15aは図示しないリフトピン等によって下方ウエハWを受け取って上面に載置する(第1の搬送ステップ)。その後、搬送アーム14aはリンク機構の収縮により、ピック部24aを一のプロセスモジュール13の内部から退出させる(図3(C))。このとき、ピック部24aは、上部ピック24atに搭載されたウエハW(以下、「上方ウエハW」という。)のみを保持する。
次いで、搬送アーム14aはリンク機構を伸長させてピック部24aを再度一のプロセスモジュール13の内部へ進入させ、上方ウエハWをステージ15bに対向させる(図3(D))。このとき、ステージ15bは図示しないリフトピン等によってウエハWを受け取って上面に載置する(第2の搬送ステップ)。その後、搬送アーム14aはリンク機構の収縮により、ピック部24aを一のプロセスモジュール13の内部から退出させる(図3(E))。このとき、ピック部24aはウエハWを保持していない。
ところで、基板処理装置10では、各ウエハWがステージ15aやステージ15bに対して正しい位置に搭載されないとエラーと判定され、各プロセスモジュール13における各処理が中断する。したがって、各プロセスモジュール13へウエハWを搬送する前にウエハWの位置を正確に特定し、ウエハWの位置が所望の位置からずれていた場合、ウエハWの位置を修正する必要がある。特に、スループット低下防止の観点から、ウエハWの位置の特定、及びウエハWの位置の修正は、搬送アーム14a等によるウエハWの搬送時(特に、図3(B)や図3(D)に示す工程)で行われるのが好ましい。これに対応して本実施の形態では、後述するように、各プロセスモジュール13の前にウエハWの縁部(エッジ)を検出するセンサを設け、搬送アーム14a等によるプロセスモジュール13の内部へのウエハWの搬送時に、上記センサにより、ウエハWの縁部の2箇所を検出して位置を特定する。
図4は、トランスファモジュールの内部とプロセスモジュールの内部を連通させる連通口を説明するための図であり、図4(A)は、図1における線V−Vに沿う断面図であり、図4(B)は図4(A)における線B−Bに沿う断面図である。具体的には、図4(A)はトランスファモジュール12の壁部に設けられた連通口27の垂直断面を示し、図4(B)は連通口27の水平断面を示す。
図1において、トランスファモジュール12の壁部には、トランスファモジュール12の内部と各プロセスモジュール13の内部を連通させる連通口27(間口)が設けられる。なお、各連通口27及び各プロセスモジュール13の間にはゲートバルブ25a〜25fが介在するが、各連通口27及びトランスファモジュール12の内部は連通するため、連通口27の内部は真空雰囲気に維持される。
連通口27は断面がトランスファモジュール12の長手方向(以下、「水平方向」という。)に沿って延伸する長穴であり、トランスファモジュール12の壁部から突出する筒状のフランジ28によって囲われる。連通口27の幅Lは2枚のウエハWを水平方向に並べたときの2枚のウエハWの合計幅2Dよりも小さい。したがって、2枚のウエハWを水平方向に並べたまま、プロセスモジュール13の内部へ搬送することは不可能である。
フランジ28には下方ウエハWのエッジ(縁部)を検出するための下方ウエハ検出センサ29と、上方ウエハWの縁部を検出するための上方ウエハ検出センサ30とが配置される。下方ウエハ検出センサ29は、一対の発光部29a及び受光部29bを有する光学式センサであり、受光部29bは発光部29aが照射するレーザ光又は赤色LED光を受光する。フランジ28では、下方ウエハW及び上方ウエハWが重ねられた方向(以下、「重畳方向」という。)に沿って上方から眺めたとき、発光部29aが、下方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に下方ウエハWが通過する領域に配置され、さらに、発光部29aが、下方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に下方ウエハW及び上方ウエハWの間に位置するように配置されるとともに、受光部29bが下方ウエハWを介して発光部29aと対向するように配置される。したがって、下方ウエハ検出センサ29では、下方ウエハWのみが発光部29a及び受光部29bの間を通過し、上方ウエハWは発光部29a及び受光部29bの間を通過しない。下方ウエハ検出センサ29では、発光部29a及び受光部29bの間を下方ウエハWの縁部が通過する際のレーザ光又は赤色LED光の遮断を検知することにより、下方ウエハWの縁部が発光部29a及び受光部29bの間を通過したことを検出し、このときの搬送アーム14aのモータのエンコーダ値や下方ウエハ検出センサ29の位置に基づいてレーザ光又は赤色LED光を遮断した下方ウエハWの縁部の位置を特定する。
上方ウエハ検出センサ30も、一対の発光部30a及び受光部30bを有する光学式センサである。フランジ28では、重畳方向に沿って上方から眺めたとき、上方ウエハ検出センサ30が、上方ウエハWがステージ15bへ向けて搬送される際に上方ウエハWが通過する領域に配置される。また、発光部30a及び受光部30bは間に連通口27を介して対向するようにフランジ28へ取り付けられる。したがって、上方ウエハ検出センサ30では、上方ウエハWが発光部30a及び受光部30bの間を通過する。なお、上方ウエハWがステージ15bへ向けて搬送される際には搬送アーム14aのピック部24aが下方ウエハWを保持していないため、下方ウエハWが発光部30a及び受光部30bの間を通過することはない。上方ウエハ検出センサ30では、発光部30a及び受光部30bの間を上方ウエハWの縁部が通過する際のレーザ光又は赤色LED光の遮断を検知することにより、上方ウエハWの縁部が発光部30a及び受光部30bの間を通過したことを検出し、このときの搬送アーム14aのモータのエンコーダ値や上方ウエハ検出センサ30の位置に基づいてレーザ光又は赤色LED光を遮断した上方ウエハWの縁部の位置を特定する。
フランジ28では、受光部29b、発光部30a及び受光部30bが連通口27の外部に配置され、フランジ28や後述のブラケット32に設けられた各センサ窓31を介して連通口27の内部を指向するが、発光部29aは、下方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に下方ウエハW及び上方ウエハWの間に位置するため、連通口27の内部、すなわち、真空雰囲気に配置される。
図5は、図4における下方ウエハ検出センサの構成を概略的に示す拡大断面図である。
図5において、下方ウエハ検出センサ29は、カップ状のブラケット32と、側面視において逆L字状に屈曲し、先端から図中下方に向けてレーザ光(又は赤色LED光)lを照射する発光部29aと、ブラケット32の外側において当該ブラケット32の底部に取り付けられ、センサ窓31を介して発光部29aの先端と対向する受光部29bと、発光部29aを保持するアセンブリ部材33とを有する。アセンブリ部材33は、ブラケット32の内側において当該ブラケット32へシム34を介して取り付けられる。すなわち、発光部29aはブラケット32からシム34及びアセンブリ部材33によって持ち上げられて保持されるため、発光部29aはブラケット32から上方へ向けて突出する。ブラケット32の開口32aの大きさは、フランジ28の下側に設けられたセンサ口28aの大きさに対応し、開口32a及びセンサ口28aを対向させるようにブラケット32をフランジ28の下側に取り付けて下方ウエハ検出センサ29をフランジ28へ装着する。上述したように、発光部29aはブラケット32から上方へ向けて突出するため、下方ウエハ検出センサ29がフランジ28へ装着されると、発光部29aは連通口27の内部へ突出する。これにより、発光部29aは下方ウエハW及び上方ウエハWの間に位置するように配置される。
また、下方ウエハ検出センサ29の取付方向(図中上下方向)に沿って眺めたとき、発光部29aは、ブラケット32の開口32a、換言すれば、フランジ28のセンサ口28aからはみ出さないように大きさが設定される。これにより、下方ウエハ検出センサ29をフランジ28へ装着する際、発光部29aがフランジ28へ干渉することがない。
下方ウエハ検出センサ29では、構成要素の接合に低脱ガスの接着剤が設けられ、さらに、アセンブリ部材33やシム34が低炭素の金蔵、例えば、SUS316Lで構成される。これにより、下方ウエハ検出センサ29からガスや炭素が放出されて処理済みのウエハWへ悪影響を与えるのを防止することができる。また、発光部29aの先端は耐熱部材、例えば、耐熱温度が300℃以上の部材で構成される。これにより、下方ウエハWや上方ウエハWからの輻射熱によって発光部29aの先端が熱変形してレーザ光(又は赤色LED光)lを受光部29bへ向けて照射できなくなるのを防止することができる。さらに、受光部29bにはレーザ光(又は赤色LED光)lの受光量を測定する受光量モニタ35が接続される。受光量モニタ35は、発光部29aや受光部29bへのデポ付着等によってレーザ光(又は赤色LED光)lの受光量が低下し、所定の閾値を下回った場合、コントローラ26へユーザに向けてのクリーニングに関する注意喚起を促す警告を発し、又は、下方ウエハWの搬送の中断を要請する信号を発する。なお、下方ウエハ検出センサ29では、発光部29aが上方に配置され且つ受光部29bが下方に配置されたが、発光部29a及び受光部29bの上下関係は特に制約が無く、例えば、発光部29aが下方に配置され且つ受光部29bが上方に配置されてもよい。
図6は、下方ウエハ検出センサのフランジへの装着方法を説明するための工程図である。
まず、ブラケット32へ発光部29aを取り付けた後、シム34をアセンブリ部材33及びブラケット32の間に配置しない状態で発光部29aの高さを測定し(図6(A))、必要な厚さのシム34を選定する。次いで、選定されたシム34を介してアセンブリ部材33をブラケット32へ取り付ける(図6(B))。その後、開口32a及びセンサ口28aを対向させるようにブラケット32をフランジ28の下側に取り付けて下方ウエハ検出センサ29をフランジ28へ装着する(図6(C))。上述したように、下方ウエハ検出センサ29の取付方向に沿って眺めたとき、発光部29aはフランジ28のセンサ口28aからはみ出さないように大きさが設定され、さらに、ブラケット32に発光部29a及び受光部29bが取り付けられた状態で、当該ブラケット32をフランジ28へ取り付けるので、下方ウエハ検出センサ29をフランジ28へ容易且つ簡素な工程で装着することができる。
図7及び図8は、本実施の形態に係る基板搬送方法を説明するための工程図である。なお、本図では、ウエハWとステージ15a,15bを明確に区別するために、ステージ15a,15bにはクロスハッチングが付される。なお、本図において、搬送アーム14a、プロセスモジュール13やトランスファモジュール12は図示を省略される。
また、本図における細破線で示された曲線C,Cは、下方ウエハW及び上方ウエハWのプロセスモジュール13の内部への搬送時における各ウエハWの搬送軌道である。スループット向上の観点からは各ウエハWを直線的に移動させるのが好ましいが、本実施の形態では、プロセスモジュール13の内部に配置された構成要素等との干渉を避けつつ、最短距離でステージ15a,15bへ向けて搬送するために、各ウエハWは曲線軌道に沿って移動する。
まず、下方ウエハW及び上方ウエハWを搬送アーム14aによって重ねて保持し(保持ステップ)、さらに搬送アーム14aが一のプロセスモジュール13の前まで移動する(図7(A))。次いで、搬送アーム14aはリンク機構を伸長させ、連通口27を介してステージ15a(一方の載置台)へ向けてピック部24aが保持する下方ウエハW及び上方ウエハWを移動させる(第1の搬送ステップ)。本実施の形態では、下方ウエハ検出センサ29の発光部29aが下方ウエハW及び上方ウエハWの間に位置するように配置されるとともに、受光部29bが下方ウエハWを介して発光部29aと対向するように配置されるため、まず、下方ウエハ検出センサ29の発光部29a及び受光部29bの間を下方ウエハWの縁部の1箇所が通過する(図7(B))。このとき、当該通過が検出され、通過した下方ウエハWの縁部の1箇所の位置が特定される。
その後、下方ウエハWの搬送を継続すると、発光部29aは下方ウエハWが通過する領域に配置されるため、発光部29a及び受光部29bの間を下方ウエハWの縁部の他の1箇所が通過する(図7(C))。このときも、当該通過が検出され、通過した下方ウエハWの縁部の他の1箇所の位置が特定される。これにより、下方ウエハWの縁部の2箇所の位置が特定される。一般に、円において円周上の2点の位置が特定され、当該円の半径rが既知の場合、図9に示すように、位置が特定された2点(図中の白点)を結ぶ線分lを底辺とし、半径rを斜辺とする二等辺三角形の頂点(図中の黒点)が当該円の中心となる。したがって、本実施の形態においても、特定された下方ウエハWの縁部の2箇所の位置及び下方ウエハWの半径に基づいて下方ウエハWの中心位置を特定することができる。その後、下方ウエハWの特定された中心位置と、下方ウエハWの所望の中心位置とのずれに基づいて下方ウエハWの位置を修正する。具体的には、下方ウエハWの縁部の2箇所の位置が特定された後も、下方ウエハWはステージ15aへ向けて搬送され続けるが(図7(D))、このとき、下方ウエハWの位置が修正される。その後、下方ウエハWはステージ15aの上面に載置される。
次いで、搬送アーム14aはリンク機構の収縮により、ピック部24aを一のプロセスモジュール13の内部から退出させる。このとき、ピック部24aは上方ウエハWのみを保持する(図8(A))。その後、搬送アーム14aはリンク機構を伸長させ、連通口27を介してステージ15bへ向けて上方ウエハWを移動させる(第2の搬送ステップ)。本実施の形態では、上方ウエハ検出センサ30が、重畳方向に沿って上方から眺めたとき、上方ウエハWが通過する領域に配置されるため、まず、上方ウエハ検出センサ30の発光部30a及び受光部30bの間を上方ウエハWの縁部の1箇所が通過する(図8(B))。このとき、当該通過が検出され、上方ウエハWの縁部の1箇所の位置が特定される。
その後、上方ウエハWの搬送を継続すると、発光部30aは上方ウエハWが通過する領域に配置されるため、発光部30a及び受光部30bの間を上方ウエハWの縁部の他の1箇所が通過する(図8(C))。このときも、当該通過が検出され、上方ウエハWの縁部の他の1箇所の位置が特定される。これにより、上方ウエハWの縁部の2箇所の位置が特定される。その後、下方ウエハWの中心位置と同様に、特定された上方ウエハWの縁部の2箇所の位置及び上方ウエハWの半径に基づいて、上方ウエハWの中心位置を特定することができる。次いで、上方ウエハWの特定された中心位置と、上方ウエハWの所望の中心位置とのずれに基づいて上方ウエハWの位置を修正する。具体的には、上方ウエハWの縁部の2箇所の位置が特定された後も、上方ウエハWはステージ15aへ向けて搬送され続けるが(図8(D))、このとき、上方ウエハWの位置が修正される。その後、上方ウエハWはステージ15bの上面に載置される。
次いで、搬送アーム14aはリンク機構の収縮により、ピック部24aを一のプロセスモジュール13の内部から退出させ、その後、本方法を終了する。
上述した基板処理装置10によれば、下方ウエハ検出センサ29の発光部29aは、下方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に下方ウエハW及び上方ウエハWの間に位置するように配置され、下方ウエハ検出センサ29の受光部29bは下方ウエハWを介して発光部29aと対向するように配置されるので、発光部29a及び受光部29bの間を下方ウエハWのみが通過する。これにより、下方ウエハ検出センサ29は上方ウエハWの存在に関係無く下方ウエハWの縁部を検出することができる。また、発光部29aは、下方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に下方ウエハWが通過する領域に配置されるので、下方ウエハWの縁部は発光部29a及び受光部29bの間を2回通過する。これにより、下方ウエハWの縁部の2箇所の位置を特定することができる。さらに、上方ウエハ検出センサ30は、上方ウエハWがプロセスモジュール13の内部へ向けて搬送される際に上方ウエハWが通過する領域に配置されるので、上方ウエハWの縁部が上方ウエハ検出センサ30の発光部30a及び受光部30bの間を2回通過する。これにより、上方ウエハWの縁部の2箇所の位置を特定することができる。その結果、図9に示される円の中心位置の特定方法を用いて重なるように配置された2枚のウエハWのそれぞれの位置を正確に特定することができる。
また、基板処理装置10では、上方ウエハ検出センサ30の受光部29bが受光するレーザ光(又は赤色LED光)lの受光量が所定の閾値を下回ると、コントローラ26へユーザに向けてのクリーニングに関する注意喚起を促す警告を発し、又は、下方ウエハWの搬送の中断を要請する信号を発するので、レーザ光(又は赤色LED光)lの光量低下によって下方ウエハWの縁部の位置の特定に失敗するのを未然に防止することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
例えば、本発明の実施の形態では、下方ウエハW及び上方ウエハWをトランスファモジュール12からプロセスモジュール13の内部への搬送する際の下方ウエハWの中心位置の特定方法及び上方ウエハWの中心位置の特定方法(図7、図8)について説明したが、下方ウエハW及び上方ウエハWをプロセスモジュール13の内部からトランスファモジュール12へ搬送する際も、図7及び図8の基板搬送方法と同様な方法を用いて下方ウエハWの中心位置及び上方ウエハWの中心位置を特定することができる。この場合も、先に下方ウエハWを搬送し、その後、上方ウエハWを搬送する。
また、基板処理装置10では、下方ウエハWの縁部が発光部29a及び受光部29bの間を通過する際や、上方ウエハWの縁部が発光部30a及び受光部30bの間を通過する際、下方ウエハWや上方ウエハWの移動速度を低下させてもよい。これにより、各ウエハWの縁部の通過の検出感度を向上させることができる。また、下方ウエハWに熱処理であるPHT処理が施された後、下方ウエハWが下方ウエハ検出センサ29の発光部29a及び受光部29bの間を通過する際、下方ウエハWの搬送速度を低下させるのが好ましい。これにより、PHT処理によって加熱された下方ウエハWからの輻射熱によって発光部29aや受光部29bに付着したデポを気化させることができ、もって、下方ウエハWの縁部の通過の検出感度を維持することができる。特に、上述したようなレーザ光(又は赤色LED光)lの受光量が所定の閾値を下回るような場合には、PHT処理が施された下方ウエハWが発光部29a及び受光部29bの間を通過する際、下方ウエハWを一旦停止させてもよい。これにより、発光部29aや受光部29bに付着したデポへ十分に輻射熱を伝達することができ、当該デポを確実に気化させて除去することができる。
また、ロードロックモジュール19aに、搬送アーム14aのピック部24aの高さ、特に、ピック部24aに搭載されたウエハWの高さを測定するハイトセンサ36が配置されてもよい(図10)。これにより、例えば、経年劣化やアクシデントによって搬送アーム14aのピック部24aの位置が下がり、上方ウエハWやピック部24aの上部ピック24atが下方ウエハ検出センサ29の発光部29aと干渉するおそれがあるか否かを判別することでき、もって、上方ウエハW等と発光部29aの干渉を防止することができる。
さらに、基板処理装置10がユーザに各ウエハWの特定された位置を示すためのモニタ37を備えていてもよい(図11)。モニタ37は、例えば、各ウエハWの理想位置からの位置ずれを重ねて表示するグラフ37aや各ウエハWの理想位置からの位置ずれの量を時系列で示すグラフ37bを有する。これにより、ユーザは位置ずれの傾向を把握して位置ずれの発生要因を大まかに推定することができ、その後の位置ずれ修正を素早く行うことができる。
また、基板処理装置10では、下方ウエハ検出センサ29が下方ウエハWの2箇所の位置を特定し、上方ウエハ検出センサ30が上方ウエハWの2箇所の位置を特定したが、例えば、下方ウエハWが通過する領域に下方ウエハ検出センサ29とは別の縁部検出センサを配置し、下方ウエハ検出センサ29及び別の縁部検出センサがそれぞれ下方ウエハWの1箇所の位置を特定してもよく、上方ウエハWが通過する領域に上方ウエハ検出センサ30とは別の縁部検出センサを配置し、上方ウエハ検出センサ30及び別の縁部検出センサがそれぞれ上方ウエハWの1箇所の位置を特定してもよい。
本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、基板処理装置10が備えるコントローラ26に供給し、コントローラ26のCPUが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、RAM、NV−RAM、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、CD−RW、DVD(DVD−ROM、DVD−RAM、DVD−RW、DVD+RW)等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のROM等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコントローラ26に供給されてもよい。
また、コントローラ26が読み出したプログラムコードを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、CPU上で稼動しているOS(オペレーティングシステム)等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コントローラ26に挿入された機能拡張ボードやコントローラ26に接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、OSに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
W ウエハ
10 基板処理装置
13 プロセスモジュール
14 搬送アーム
15a,15b ステージ
27 連通口
29 下方ウエハ検出センサ
29a,30a 発光部
29b,30b 受光部
30 上方ウエハ検出センサ
36 ハイトセンサ

Claims (9)

  1. 2つの載置台を有する処理室及び搬送室の間において2枚の基板を搬送する搬送アームを備え、前記搬送アームは前記2枚の基板を当該2枚の基板の間に間隔をおいて重なるように保持する基板処理装置において、
    下方の前記基板が搬送される際、下方の前記基板の縁部を検出する下方基板検出センサと、
    上方の前記基板が搬送される際、上方の前記基板の縁部を検出する上方基板検出センサとを備え、
    前記搬送アームは、下方の前記基板を一方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送し、上方の前記基板を他方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送し、
    前記下方基板検出センサは発光部及び受光部を有する光学式センサからなり、
    前記発光部及び前記受光部の一方は、下方の前記基板が搬送される際に下方の前記基板が通過する領域に配置され且つ下方の前記基板及び上方の前記基板の間に位置するように配置され、
    前記発光部及び前記受光部の他方は、下方の前記基板が搬送される際に下方の前記基板を介して前記発光部及び前記受光部の一方と対向するように配置され、
    前記上方基板検出センサは、上方の前記基板が搬送される際に上方の前記基板が通過する領域に配置されることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記発光部及び前記受光部の一方は減圧雰囲気に配置されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記搬送アームの高さを測定するハイトセンサをさらに備えることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理装置。
  4. 前記搬送アームは、2枚の前記基板を前記処理室及び前記搬送室の間に設けられる間口を介して搬送し、前記間口の幅は2枚の前記基板を水平に並べたときの2枚の前記基板の合計幅よりも小さいことを特徴とする請求項請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
  5. 前記搬送アームは、2枚の前記基板の各々を曲線軌道に沿って移動させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
  6. 2つの載置台を有する処理室及び搬送室の間において2枚の基板を搬送アームによって搬送する基板搬送方法であって、
    前記搬送アームによって前記2枚の基板を当該2枚の基板の間に間隔をおいて重なるように保持する保持ステップと、
    前記搬送アームによって下方の前記基板を一方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送する第1の搬送ステップと、
    前記搬送アームによって上方の前記基板を他方の前記載置台及び前記搬送室の間で搬送する第2の搬送ステップとを有し、
    前記第1の搬送ステップにおいて下方の前記基板の縁部を検出する下方基板検出センサと、前記第2の搬送ステップにおいて上方の前記基板の縁部を検出する上方基板検出センサとが配置され、
    前記下方基板検出センサは発光部及び受光部を有する光学式センサからなり、
    前記発光部及び前記受光部の一方は、前記第1の搬送ステップにおいて下方の前記基板が通過する領域に配置され且つ下方の前記基板及び上方の前記基板の間に位置するように配置され、
    前記発光部及び前記受光部の他方は、前記第1の搬送ステップにおいて下方の前記基板を介して前記発光部及び前記受光部の一方と対向するように配置され、
    前記上方基板検出センサは、前記第2の搬送ステップにおいて上方の前記基板が通過する領域に配置されることを特徴とする基板搬送方法。
  7. 前記上方基板検出センサの前記受光部が受光する光量が閾値を下回ると、警告を発し、又は上方の前記基板の搬送を中断することを特徴とする請求項6記載の基板搬送方法。
  8. 下方の前記基板に熱処理が施された後、下方の前記基板が下方基板検出センサの発光部及び受光部の間を通過する際、下方の前記基板の搬送速度を低下させることを特徴とする請求項6又は7記載の基板搬送方法。
  9. 下方の前記基板に熱処理が施された後、下方の前記基板が下方基板検出センサの発光部及び受光部の間を通過する際、下方の前記基板を一旦停止させることを特徴とする請求項8記載の基板搬送方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190115864A (ko) * 2018-04-04 2019-10-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2022202626A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
JP7511380B2 (ja) 2020-05-01 2024-07-05 東京エレクトロン株式会社 処理システム

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10103046B2 (en) * 2015-04-20 2018-10-16 Applied Materials, Inc. Buffer chamber wafer heating mechanism and supporting robot
KR102498492B1 (ko) * 2016-10-18 2023-02-10 매슨 테크놀로지 인크 워크피스 처리를 위한 시스템 및 방법
US11482434B2 (en) 2016-10-18 2022-10-25 Belting E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd Systems and methods for workpiece processing
US10943805B2 (en) 2018-05-18 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Multi-blade robot apparatus, electronic device manufacturing apparatus, and methods adapted to transport multiple substrates in electronic device manufacturing
JP7065204B2 (ja) * 2018-11-14 2022-05-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
US11414748B2 (en) * 2019-09-25 2022-08-16 Intevac, Inc. System with dual-motion substrate carriers
JP7162521B2 (ja) * 2018-12-21 2022-10-28 株式会社ダイヘン 多段式ハンドおよびこれを備える搬送ロボット
JP7357453B2 (ja) * 2019-03-07 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板の搬送方法
CN112470249B (zh) 2019-05-14 2022-05-27 玛特森技术公司 具有聚焦环调整组件的等离子处理设备
TWI797461B (zh) * 2019-07-26 2023-04-01 日商新川股份有限公司 封裝裝置
TWI837441B (zh) * 2019-12-06 2024-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
KR20230146648A (ko) * 2021-03-03 2023-10-19 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 워크피스 프로세싱을 위한 시스템 및 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4674705B2 (ja) * 1998-10-27 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び搬送システム
JP4354039B2 (ja) * 1999-04-02 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 駆動装置
CN100342519C (zh) * 2003-07-16 2007-10-10 东京毅力科创株式会社 搬送装置及驱动机构
JP2005142245A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR20060035071A (ko) * 2004-10-21 2006-04-26 삼성전자주식회사 반도체 기판 이송 로봇
CN101768731B (zh) * 2008-12-29 2012-10-17 K.C.科技股份有限公司 原子层沉积装置
JP2013171871A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR101947178B1 (ko) * 2012-03-30 2019-02-12 현대중공업지주 주식회사 기판 반송 로봇 핸드의 성능 테스트 장치 및 방법
JP6079200B2 (ja) * 2012-05-16 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 クーリング機構及び処理システム
JP6063716B2 (ja) 2012-11-14 2017-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
TWI672760B (zh) * 2013-03-15 2019-09-21 美商應用材料股份有限公司 用於小批次基板傳送系統的溫度控制系統與方法
JP6415220B2 (ja) * 2014-09-29 2018-10-31 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190115864A (ko) * 2018-04-04 2019-10-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102081056B1 (ko) 2018-04-04 2020-02-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7511380B2 (ja) 2020-05-01 2024-07-05 東京エレクトロン株式会社 処理システム
WO2022202626A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法

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