JP2013171871A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013171871A
JP2013171871A JP2012033107A JP2012033107A JP2013171871A JP 2013171871 A JP2013171871 A JP 2013171871A JP 2012033107 A JP2012033107 A JP 2012033107A JP 2012033107 A JP2012033107 A JP 2012033107A JP 2013171871 A JP2013171871 A JP 2013171871A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrates
substrate processing
light
transfer arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012033107A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichi Iimuro
俊一 飯室
Hiroki Oka
寛樹 岡
Yoshihide Sakamoto
儀秀 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2012033107A priority Critical patent/JP2013171871A/ja
Priority to PCT/JP2013/052518 priority patent/WO2013121919A1/ja
Priority to TW102104377A priority patent/TW201403730A/zh
Publication of JP2013171871A publication Critical patent/JP2013171871A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】複数の基板を縦並びで搬送アームに搭載する場合に、搬送アームに搭載されている個々の基板を特定して検出することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】２枚の基板を縦並びで搭載して、前記２枚の基板を搬送する搬送アームと、前記搬送アームに搭載されている２枚の基板を検出する２個のセンサとを有することを特徴とする基板処理装置により上記の課題が達成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハやフラットパネルディスプレイ用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
基板を処理する装置（基板処理装置）には、基板待機部に保管されている基板を搬送アームに搭載し、基板を処理する基板処理部に搬送するものがある。また、基板処理装置には、基板の搬送中に、搬送アームに搭載されている基板を検出するセンサを備えるものがある。
特許文献１では、基板処理装置（プラズマ処理システム）の共通搬送部（ハンドリングステーション）のハウジングの上面及び下面の対向する位置に透光性窓部を備え、基板処理部の外部に発光素子及び受光素子並びに発光素子等に配線されたリード線を設けることにより、センサ（発光素子、受光素子及びリード線など）の耐久性を高めることができる技術を開示している。
実開平６−３４２５３号公報
基板処理装置には、複数の基板を縦並びで（一の基板の平板表面が他の基板の平板表面と対向するように配置して）搬送アームに搭載して、複数の基板を一度に搬送するものがある。
上記の場合、基板処理装置は、搬送アームに搭載されている複数の基板を基板ごとに特定して検出する必要がある。
本発明は、このような事情の下に為され、複数の基板を縦並びで搬送アームに搭載する場合に、搬送アームに搭載されている個々の基板を特定して検出することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを課題とする。
本発明の一の態様によれば、２枚の基板を縦並びで搭載して、前記２枚の基板を搬送する搬送アームと、前記搬送アームに搭載されている２枚の基板を検出する２個のセンサとを有することを特徴とする基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、搬送アームに２枚の基板を縦並びで搭載して搬送する基板搬送工程と、前記搬送アームに搭載されている２枚の基板を検出する基板検出工程とを含むことを特徴とする基板処理方法が提供される。
本発明によれば、複数の基板を縦並びで搬送アームに搭載する場合に、搬送アームに搭載されている個々の基板を特定して検出することができる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す概略平面図である。 本発明の実施形態に係る共通搬送部の搬送アームの一例を説明する図である。 本発明の実施形態に係る基板検出部を説明する図である。 本発明の実施形態に係る搬送アームに搭載された基板を検出する動作の一例を説明する図である。
添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきである。
（基板処理装置の構成）
図１に、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略平面図を示す。
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板を縦並びに保管することができる基板待機部１０と、縦並びに搭載した複数の基板を同時に搬送することができる共通搬送部２０と、共通搬送部２０から搬送された複数の基板を横並びに載置することができる基板処理部３０とを有する。また、基板処理装置１００は、基板の搬送時に、複数の基板を一時に（同時に）検出することができる基板検出部４０を有する。
ここで、縦並びとは、複数の略平板形状の基板をその基板同士の平板表面が対向（一の基板の平板表面が他の基板の平板表面と対向）するように配置していることである（以後の説明においても、同様とする。）。また、横並びとは、複数の略平板形状の基板を略同一平面上に配置していることである（以後の説明においても、同様とする。）。
基板処理装置１００は、本実施形態では、基板待機部１０に保管された複数の基板のうち選択した２枚の基板を後述する共通搬送部２０の搬送アームに縦並びで搭載し、共通搬送部２０内部を通過して基板を搬送し、後述する基板処理部３０の複数の基板処理室内の載置台に横並びで１枚ずつ基板を載置する。次に、基板処理装置１００は、載置された基板を基板処理部３０で処理した後に、処理した２枚の基板を搬送アームに縦並びで搭載し、基板待機部１０に搬出する。このとき、基板処理装置１００は、基板検出部４０により、搬送アームにより基板処理室内の載置台に基板を１枚ずつ載置する度及び搬送アームに１枚ずつ基板を搭載する度、並びに、基板処理部３０の基板処理室ごとに、搬送アームに搭載されている２枚の基板について個々の基板を特定して検出する。
なお、本実施形態では２枚の基板を搬送アームで搬送することを説明するが、本発明は２枚の基板に限定するものではない。したがって、本発明は、搬送アーム等を変形又は変更することにより、３枚以上の基板を縦並びに同時に搬送アームに搭載し、３枚以上の基板を基板処理室に横並びに載置することも可能である。
基板待機部１０は、複数の基板を縦並びに保管するものである。基板待機部１０は、本実施形態では、複数の基板を保管する容器（図中の１１ａｃ、１１ｂｃ及び１１ｃｃ）を置く台であるロードポート１１ａ、１１ｂ及び１１ｃと、保管された基板をロードポート（１１ａ等）に置かれた容器（１１ａｃ等）から受け取る及び基板処理部３０で処理された基板を容器（１１ａｃ等）に引き渡しするローダーモジュール１２と、基板待機部１０と共通搬送部２０とで基板を受け渡しするために一時的に基板を保持する第１のロードロック室１３Ａ及び第２のロードロック室１３Ｂと、を有する。
ロードポート（１１ａ等）は、複数の基板を収納する容器（１１ａｃ等）を置く台である。ロードポート（１１ａ等）は、ローダーモジュール１２に並設されている。ロードポート（１１ａ等）は、容器（１１ａｃ等）に複数の基板を等間隔で多段に載置して収容することができる。また、ロードポート（１１ａ等）に置かれた容器（１１ａｃ等）の内部は、窒素ガスなどで満たされた密閉構造とすることができる。なお、ロードポートの形状及び数は、図１に示すものに限定されるものではない。
ローダーモジュール１２は、ロードポート（１１ａ等）に置かれた容器（１１ａｃ等）から第１のロードロック室１３Ａに基板を搬入するものである。また、ローダーモジュール１２は、第２のロードロック室１３Ｂから容器（１１ａｃ等）に基板を搬出するものである。ローダーモジュール１２は、本実施形態では、矩形の筐体を用いることができる。また、ローダーモジュール１２は、その矩形の長辺を構成する一側面に複数のロードポート（１１ａ等）を並設することができる。更に、ローダーモジュール１２は、その矩形の長辺方向に移動可能な基板受け渡し機構（不図示）をその内部に含むことができる。
第１のロードロック室１３Ａは、大気圧雰囲気のロードポート（１１ａ等）に置かれた容器（１１ａｃ等）に保管された基板を真空雰囲気の基板処理部３０に引き渡しするため、基板を一時的に保持するものである。第１のロードロック室１３Ａは、本実施形態では、基板を縦並びに載置することができる上部ストッカ１４Ａｔ及び下部ストッカ１４Ａｂを含む。ここで、上部ストッカ１４Ａｔと下部ストッカ１４Ａｂとは、縦並びに積層した構成とすることができる。これにより、上部ストッカ１４Ａｔ等は、基板を縦並びに支持することができる。
また、第１のロードロック室１３Ａは、ローダーモジュール１２に対して気密性を確保するためのモジュール側ゲートバルブ１５Ａｍと、共通搬送部２０に対して気密性を確保するための共通搬送部側ゲートバルブ１５Ａｃとを有する。更に、第１のロードロック室１３Ａは、図示しないガス導入系及びガス排気系に配管によって接続され、その室内の圧力（雰囲気）を変更することができる。
第２のロードロック室１３Ｂの構成は、上記の第１のロードロック室１３Ａの構成と同様のため、説明を省略する。
共通搬送部２０は、処理する基板を基板待機部１０から基板処理部３０に搬入し、処理した基板を基板処理部３０から基板待機部１０に搬出するものである。共通搬送部２０は、本実施形態では、２枚の基板を縦並びに搭載（上積み）して移動することができる搬送アーム（図１及び図２（ａ）に示す第１搬送アーム２４ａ及び第２搬送アーム２５ａ）と、搬送アームを回転可能に支持する回転台２１と、回転台２１を搭載した回転載置台２２と、回転載置台２２を共通搬送部２０の長手方向に移動可能に案内する案内レール２３ａ、２３ｂとを含む。また、共通搬送部２０は、ゲートバルブ（１５Ａｃ及び１５Ｂｃ、並びに、３３Ａ〜３３Ｆ）を介して、基板待機部１０の第１のロードロック室１３Ａ及び第２のロードロック室１３Ｂ、並びに、後述する基板処理部３０の複数の基板処理室（３１Ａ〜３３Ｆ）と連通している。これにより、共通搬送部２０は、第１のロードロック室１３Ａに縦並びに支持された２枚の基板を第１搬送アーム２４ａに縦並びで搭載し、基板処理部３０の基板処理室に搬送する。また、共通搬送部２０は、基板処理室で処理した２枚の基板を第２搬送アーム２５ａに縦並びで搭載し、第２のロードロック室１３Ｂに搬出する。
第１搬送アーム２４ａ及び第２搬送アーム２５ａは、２枚の基板を搭載することができるピック部を有する。
図２に、第１搬送アーム２４ａ等の例を示す。図２（ａ）は、第１搬送アーム２４ａ等の斜視図である。図２（ｂ）は、第１搬送アーム２４ａのピック部（第１上部ピック２４ｐｔ及び第１下部ピック２４ｐｂ）の側面図である。なお、第２搬送アーム２５ａの構成は、本実施形態では、第１搬送アーム２４ａの構成と回転台２１の回転軸を含む面を対称面として面対称の構成であるため、その説明を省略する。
図２（ａ）に示すように、第１搬送アーム２４ａは、複数の矩形のリンク（節）部を複数のジョイント（関節）部で回転可能に連結した構成（以下、アームのリンク機構という。）を有する。第１搬送アーム２４ａは、このアームのリンク機構の一端を回転台２１で回転自由に支持されている。また、第１搬送アーム２４ａは、他端を自由端とし、その他端にピック部（２４ｐｔ、２４ｐｂ）を連設している。
図２（ｂ）に示すように、ピック部は、略同形状の第１上部ピック２４ｐｔ及び第１下部ピック２４ｐｂを所定の距離Ｄｐだけ離間して積層した構成である。これにより、ピック部は、第１上部ピック２４ｐｔの上面に１枚の基板を搭載することができ、第１下部ピック２４ｐｂの上面（第１上部ピック２４ｐｔと第１下部ピック２４ｐｂとの間）に更に１枚の基板を搭載することができる。
したがって、第１搬送アーム２４ａ等は、一端の回転及びアームのリンク機構によって他端を移動（以下、伸縮動作という。）することにより、他端（ピック部）に搭載した基板を所望の位置に移動することができる。また、第１搬送アーム２４ａ等は一度に２枚の基板を搭載することができるため、基板処理装置１００は、第１搬送アーム２４ａ及び第２搬送アーム２５ａによって、同時に４枚の基板を支持することができる。
回転台２１は、鉛直方向を回転軸として、第１搬送アーム２４ａ等を回転（以下、回転動作という。）可能に支持する。
回転載置台２２と案内レール２３ａ、２３ｂ（図１）とは、載置した回転台２１を共通搬送部２０内部の所定の方向（例えば長手方向）に移動（以下、スライド動作という。）することができるスライド機構を構成する。
基板処理部３０（図１）は、基板処理室に載置された基板を処理するものである。基板処理部３０は、共通搬送部２０の周囲に配置した複数の基板処理室（３１Ａ〜３１Ｆ）を含む。ここで、基板処理室（３１Ａ〜３１Ｆ）は、共通搬送部側ゲートバルブ（３３Ａ〜３３Ｆ）を介して、共通搬送部２０に連通している。このため、基板処理室３１Ａ等と共通搬送部２０とは共通搬送部側ゲートバルブ３３Ａ等の閉鎖による気密性の確保及び共通搬送部側ゲートバルブ３３Ａ等の開放による連通を可能とする。また、基板処理部３０は、基板処理室３１Ａ等に図示しないガス導入系（処理ガス及びパージガスなどのガス供給源など）及びガス排気系（真空ポンプ、排気制御バルブ及び排気管など）を接続している。
基板処理室（３１Ａ〜３１Ｆ）は、本実施形態では、２枚の基板を横並びで載置することができる第１載置台（３２Ａａ〜３２Ｆａ）及び第２載置台（３２Ａｂ〜３２Ｆｂ）を有する。基板処理室３１Ａ等は、第１載置台３２Ａａ等及び第２載置台３２Ａｂ等に横並びで基板を載置することにより、２枚の基板の表面を均一かつ同時に処理することができる。ここで、基板処理室３１Ａ等は、基板の処理として、成膜処理（プラズマＣＶＤ処理など）やエッチング処理（ドライエッチング処理など）をすることができる。また、基板処理室３１Ａ等は、基板処理室ごとに別々の処理を実施することができる。なお、基板処理室の数及び基板処理室の基板を載置することができる載置台の数は、図１に示す場合に限られるものではない。
基板検出部４０（図１）は、基板を搬送する際に、複数の基板を一時に検出することができるものである。基板検出部４０は、本実施形態では、各基板処理室に対応して、発光部及び受光部で構成されるセンサをそれぞれ備える。また、基板検出部４０は、本実施形態では、搬送アーム（２４ａ、２５ａ）に搭載された２枚の基板を一時に検出することができる。これにより、基板処理装置１００は、共通搬送部２０内部で基板を移動する際に、搬送アーム（２４ａ、２５ａ）に基板を搭載しているか、または、搬送アーム（２４ａ、２５ａ）によって基板を載置できたかを判断することができる。
基板検出部４０の構成を、図３を用いて具体的に説明する。
図３は、共通搬送部２０の基板処理室３１Ａ（図１）に隣接する部分に配置したセンサを示す。図３（ａ）は、２個のセンサ（２つの発光部４１Ａｐ、４２Ａｐ）の配置を示す平面図の一例である。図３（ｂ）は、２個のセンサ（発光部４１Ａｐ及び受光部４１Ａｎ、並びに、発光部４２Ａｐ及び受光部４２Ａｎ）の配置を示す断面図の一例である。図３（ｃ）は、センサ（発光部４１Ａｐ及び受光部４１Ａｎ）の配置を示す断面図のその他の例である。なお、他の基板処理室３１Ｂ〜３１Ｆ（図１）に配置されるセンサ（４１Ｂｐ〜４１Ｆｐ及び４１Ｂｎ〜４１Ｆｎ並びに４２Ｂｐ〜４２Ｆｐ及び４２Ｂｎ〜４２Ｆｎ）の構成は、基板処理室３１Ａの構成と同様のため、説明を省略する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、基板検出部４０は、基板を検出する２個のセンサとして、第１発光部４１Ａｐ及び第１受光部４１Ａｎ並びに第２発光部４２Ａｐ及び第２受光部４２Ａｎを有する。ここで、第１発光部４１Ａｐ及び第２発光部４２Ａｐは、共通搬送部２０のハウジング２１Ａｈの基板処理室３１Ａに隣接する部分の上部外面に配置されている。また、第１受光部４１Ａｎ及び第２受光部４２Ａｎは、第１発光部４１Ａｐ等と対向する位置の共通搬送部２０のハウジング２１Ａｈの基板処理室３１Ａに隣接する部分の下部外面に配置されている。すなわち、１個の発光部と１個の受光部の対（組合せ）が１個のセンサを構成する。
２個のセンサは、本実施形態では、搬送アーム２４ａ、２５ａ（図２（ａ））に搭載されている２枚の基板のうちの一の基板のみを検出する第１のセンサと、搭載されている２枚の基板のうちの他の基板のみを検出する第２のセンサとすることができる。
すなわち、第１のセンサは、２枚の基板が搬送アーム（２４ａ等）に搭載されているときに２枚の基板のうちの一の基板のみに光を照射するように配置された第１発光部４１Ａｐと、一の基板が搬送アーム（２４ａ等）に搭載されていないときに第１発光部４１Ａｐが照射した光を受光するように配置された第１受光部４１Ａｎとすることができる。また、第２のセンサは、２枚の基板が搬送アーム（２４ａ等）に搭載されているときに２枚の基板のうちの他の基板のみに光を照射するように配置された第２発光部４２Ａｐと、他の基板が搬送アーム（２４ａ等）に搭載されていないときに第２発光部４２Ａｐが照射した光を受光するように配置された第２受光部４２Ａｎとすることができる。
また、第１発光部４１Ａｐ及び第１受光部４１Ａｎは、基板の平面に対して、透光窓４３ｐ（図３（ｂ））を透過する光の入射する角度（以下、入射角という。）が所定の入射角θｓとなるように配置されている。第２発光部４２Ａｐ及び第２受光部４２Ａｎは、第１発光部４１Ａｐ及び第１受光部４１Ａｎと所定の離間距離Ｌｓの位置関係で配置されている。
ここで、所定の入射角θｓ及び所定の離間距離Ｌｓは、検出（搬送）する基板の形状（例えば円形の基板の場合はその直径）、基板と発光部等との離間距離及び搭載する基板同士の離間距離若しくはピック部のピック間距離（図２（ｂ）のＤｐ）に対応する値とすることができる。また、所定の入射角θｓ及び所定の離間距離Ｌｓは、数値計算及び実験等により予め定められる値とすることができる。更に、第１発光部４１Ａｐは０°より大きく９０°より小さい入射角θｓで一の基板（例えば図３（ｂ）のＷ１）に光を照射するように配置し、第２発光部４２Ａｐは０°より大きく９０°より小さい入射角θｓで他の基板（例えば図３（ｂ）のＷ２）に光を照射するように配置することができる。
更に、第１発光部４１Ａｐ等は、ハウジング２１Ａｈの透光窓（４３ｐ、４３ｎａ及び４３ｎｂ）を介して、ハウジング２１Ａｈ内に光を照射する。このため、処理ガス等が基板処理室３１Ａ内からハウジング２１Ａｈ内に流入しても、第１発光部４１Ａｐ等が処理ガス等の影響を受けることがないので、第１発光部４１Ａｐ等の耐久性等を高めることができる。また、第１発光部４１Ａｐ等は、ハウジング２１Ａｈの外部に電源等配線を設けているため、電源等配線がハウジング２１Ａｈ内の処理ガス等により腐食することを防止することができる。
以下に、図３（ｂ）を用いて、基板検出部４０が基板を検出する方法を具体的に説明する。
図３（ｂ）に示すように、基板検出部４０は、発光部（第１発光部４１Ａｐ及び第２発光部４２Ａｐ）が発光した光を受光部（第１受光部４１Ａｎ及び第２受光部４２Ａｎ）で受光する。このとき、基板検出部４０は、受光部の出力値に基づいて、光の光路上の複数の基板の有無を一時に検出することができる。すなわち、基板検出部４０は、第１搬送アーム２４ａの第１下部ピック２４ｐｂが搭載している基板Ｗ１の存在により第１受光部４１Ａｎが受光する光Ｌｔ１の強度が減少して所定の値以下になった場合（例えば、基板Ｗ１により光Ｌｔ１が遮断されて第１受光部４１Ａｎが受光する光Ｌｔ１の強度がゼロになった場合）に、第１搬送アームが第１下部ピック２４ｐｂに基板を搭載していると判断することができる。また、基板検出部４０は、第１搬送アーム２４ａの第１上部ピック２４ｐｔが搭載している基板Ｗ２の存在により第２受光部４２Ａｎが受光する光Ｌｔ２の強度が減少して所定の値以下になった場合（例えば、基板Ｗ２により光Ｌｔ２が遮断されて第２受光部４２Ａｎが受光する光Ｌｔ２の強度がゼロになった場合）に、第１搬送アーム２４ａが第１上部ピック２４ｐｔに基板を搭載していると判断することができる。
ここで、所定の値は、基板の厚さ及び材質並びに発光部及び受光部の諸元などに対応する値とすることができる。また、所定の値を、数値計算及び実験等により予め定められる値とすることができる。
一方、図３（ｃ）にその他の例として、１個のセンサで構成される基板検出部４０を示す。
図３（ｃ）に示すように、基板検出部４０は、１個のセンサとして発光部４１Ａｐ及び受光部４１Ａｎを用いて、基板Ｗ１及び基板Ｗ２を検出することができる。具体的には、基板検出部４０は、先ず、第１発光部４１Ａｐ及び第１受光部４１Ａｎによって、第１搬送アーム２４ａの第１下部ピック２４ｐｂが搭載している基板Ｗ１により光Ｌｔ１の強度が減少したときで、その光Ｌｔ１の強度が所定の値以下になった場合に、第１搬送アームが第１下部ピック２４ｐｂに基板を搭載していると判断することができる。次に、基板検出部４０は、第１搬送アーム２４ａによって基板Ｗ１を基板処理室３１Ａに載置した後に、第１搬送アーム２４ａに搭載された基板Ｗ２が最初に検出した基板Ｗ１の位置と同位置になるように、第１搬送アーム２４ａによって基板Ｗ２を移動する。次いで、基板検出部４０は、第１発光部４１Ａｐ及び第１受光部４１Ａｎによって、基板Ｗ１の検出時と同様に、基板Ｗ２を検出することができる。
なお、基板Ｗ１を検出した後に基板Ｗ２を水平方向（図中のｙ方向）に移動し、第１発光部４１Ａｐ等と基板Ｗ２との位置関係が、図３（ｂ）の第２発光部４２Ａｐ等と基板Ｗ２との位置関係と同様になる位置に、基板Ｗ２を移動して基板Ｗ２を検出してもよい。
（基板を検出する動作）
搬送アームに搭載された複数の基板を基板ごとに特定して検出する動作（基板処理方法）を、図４を用いて説明する。図４（ａ）は、２枚の基板（Ｗ１及びＷ２）を基板処理室３１Ａに搬入する直前を示す。図４（ｂ）は、１枚目の基板Ｗ１を第１搬送アーム２４ａによって基板処理室３１Ａの第１載置台３２Ａａに載置することを示す。図４（ｃ）は、１枚目の基板Ｗ１を載置したことを示す。図４（ｄ）は、２枚目の基板Ｗ２を第２載置台３２Ａｂに載置することを示す。図４（ｅ）は、２枚目の基板Ｗ２を載置したことを示す。
先ず、図４（ａ）に示すように、基板処理装置１００は、基板を搬入するときに、共通搬送部２０の第１搬送アーム２４ａ（図１）によって、第１のロードロック室１３Ａ内で支持されている２枚の基板を基板処理部３０の基板処理室３１Ａの手前まで搬送している。ここで、基板処理装置１００は、基板検出部４０（図３）によって、第１搬送アーム２４ａに搭載された２枚の基板を基板ごとに特定して一時に検出する。基板を検出する方法は、前述の図３（ｂ）の内容と同様のため、説明を省略する。次いで、基板処理装置１００は、検出した結果に基づいて、第１搬送アーム２４ａが２枚の基板を搭載していないと判断した場合には、基板の処理を中止又は中断することができる。また、基板処理装置１００は、再度、第１のロードロック室１３Ａから基板を搬送する動作を繰り返すことができる。このため、基板処理装置１００は、不必要な基板処理（基板処理室に基板が載置されていない場合の基板処理）を回避することができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、基板処理装置１００は、２枚の基板うちの第１下部ピック２４ｐｂ（図２（ａ）及び図２（ｂ））で保持している基板Ｗ１を基板処理室の第１載置台３２Ａａ（図４（ａ））に載置するため、第１搬送アーム２４ａを伸張して第１載置台３２Ａａの上方に搬送アーム２４ａの第１下部ピック２４ｐｂを移動する。このとき、第１下部ピック２４ｐｂで保持している基板Ｗ１は、第１載置台３２Ａａの上方に移動される。
次いで、図４（ｃ）に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗ１を第１載置台３２Ａａに載置し、基板処理室３１Ａの手前の位置（図４（ａ）の第１搬送アーム２４ａの位置）に第１搬送アーム２４ａを退避させる。具体的には、基板処理装置１００は、図示しない第１載置台３２Ａａが備える３本のピンで基板Ｗ１を持ち上げ、第１搬送アーム２４ａの第１下部ピック２４ｐｂから基板Ｗ１を離間する。その後、基板処理装置１００は、第１搬送アーム２４ａを基板処理室３１Ａの手前の位置に退避させ、次いで、基板Ｗ１を支持したピンを下降させることで、第１載置台３２Ａａに基板Ｗ１を載置することを完了する。
ここで、基板処理装置１００は、基板検出部４０によって、退避した第１搬送アーム２４ａが搭載している基板Ｗ２のみを検出することができる（図４（ａ）の同様）。これにより、基板処理装置１００は、第１搬送アーム２４ａが２枚の基板を搭載している場合（基板Ｗ１を検出した場合）に、再度、基板Ｗ１を載置する動作を繰り返すことができる。
その後、図４（ｄ）に示すように、基板処理装置１００は、図４（ｂ）と同様の動作を実施し、第１上部ピック２４ｐｔに搭載している基板Ｗ２を第２載置台３２Ａｂ（図４（ａ））に載置する。次いで、基板処理装置１００は、図４（ｅ）に示すように、図４（ｃ）と同様の動作を実施し、第１搬送アーム２４ａに基板が搭載されていないことを検出することができる。これにより、基板処理装置１００は、第１搬送アーム２４ａが基板を搭載している場合（基板Ｗ２を検出した場合）に、再度、基板Ｗ２を載置する動作を繰り返すことができる。
一方、載置した基板を処理した後では、基板処理装置１００は、図４（ａ）乃至図４（ｅ）と同様でその逆手順の動作を実施し、処理後の基板を搬出することができる。具体的には、基板処理装置１００は、第２搬送アーム２５ａ（図４（ａ））に処理した２枚の基板を搭載し、第２のロードロック室１３Ｂに基板を搬出する。また、基板処理装置１００は、基板検出部４０（図３）によって、基板を搬送する際に第２搬送アーム２５ａに搭載されている基板を適宜検出することができる。
なお、基板処理装置１００は、第１搬送アーム２４ａと第２搬送アーム２５ａのうちの一方でロードロック室から基板処理室へ２枚の基板を搬送し、第１搬送アーム２４ａと第２搬送アーム２５ａのうちの他方で基板処理室からロードロック室へ２枚の基板を搬送してもよい。この場合、基板処理装置１００は、（１）一方が第１のロードロック室１３Ａまたは第２のロードロック室１３Ｂから２枚の基板を搬出し、（２）他方が（（１）より前の時点で基板処理室３１Ａ等から搬出した）２枚の基板を第１のロードロック室１３Ａまたは第２のロードロック室１３Ｂに搬入し、（３）両方がロードロック室（１３Ａ、１３Ｂ）の近傍から基板処理室３１Ａ等の近傍へ移動し、（４）他方が基板処理室３１Ａ等から２枚の基板を搬出し、（５）一方が（（１）で第１のロードロック室１３Ａまたは第２のロードロック室１３Ｂから搬出した）２枚の基板を基板処理室３１Ａ等に搬入し、（６）両方が基板処理室３１Ａ等の近傍からロードロック室（１３Ａ、１３Ｂ）の近傍へ移動する、ことができる。また、基板処理装置１００は、上記（１）〜（６）の動作を繰返すことができる。
以上により、基板処理装置１００は、基板検出部４０によって、搬送アームで複数の基板を搬送する際に、その搬送アームに搭載されている基板を特定して一時に検出することができる。また、基板処理装置１００は、基板検出部４０によって搬送アームに搭載されている基板を特定することで、搬送アームに基板を搭載する動作又は搬送アームによって基板を載置する動作が正しく実施されているかを判断することができる。
なお、発光部及び受光部の数は、一時に搬送する基板の枚数に対応する数としてもよい。また、発光部及び受光部のセンサの数は、１個または３個以上としてもよい。更に、センサを１個とした場合では、基板の位置を段階的に移動することにより、搭載されている複数の基板を順次検出することができる構成としてもよい。
以上、実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明はこれに限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更することが可能である。
１００ ：基板処理装置
１０ ：基板待機部
１１ａ〜１１ｃ：ロードポート
１２ ：ローダーモジュール
１３Ａ ：第１のロードロック室、１３Ｂ：第２のロードロック室
１４Ａｔ：上部ストッカ（第１のロードロック室１３Ａ用）
１４Ａｂ：下部ストッカ（第１のロードロック室１３Ａ用）
１４Ｂｔ：上部ストッカ（第２のロードロック室１３Ｂ用）
１４Ｂｂ：下部ストッカ（第２のロードロック室１３Ｂ用）
１５Ａｍ：モジュール側ゲートバルブ（第１のロードロック室１３Ａ用）
１５Ａｃ：共通搬送部側ゲートバルブ（第１のロードロック室１３Ａ用）
１５Ｂｍ：モジュール側ゲートバルブ（第２のロードロック室１３Ｂ用）
１５Ｂｃ：共通搬送部側ゲートバルブ（第２のロードロック室１３Ｂ用）
２０ ：共通搬送部
２１ ：回転台
２２ ：回転載置台
２３ａ、２３ｂ：案内レール
２４ａ ：第１搬送アーム
２４ｐｔ及び２４ｐｂ：第１上部ピック及び第１下部ピック
２５ａ ：第２搬送アーム
２５ｐｔ及び２５ｐｂ：第２上部ピック及び第２下部ピック
３０ ：基板処理部
３１Ａ〜３１Ｆ：基板処理室
３２Ａａ〜３２Ｆａ：第１載置台（基板処理室３１Ａ〜３１Ｆ）
３２Ａｂ〜３２Ｆｂ：第２載置台（基板処理室３１Ａ〜３１Ｆ）
３３Ａ〜３３Ｆ：共通搬送部側ゲートバルブ（基板処理室３１Ａ〜３１Ｆ）
４０ ：基板検出部
４１Ａｐ〜４１Ｆｐ及び４１Ａｎ〜４１Ｆｎ：第１発光部及び第１受光部
４２Ａｐ〜４２Ｆｐ及び４２Ａｎ〜４２Ｆｎ：第２発光部及び第２受光部
４３ｐ、４３ｎａ、４３ｎｂ：透光窓
Ｗ、Ｗ１、Ｗ２：基板

Claims (8)

  1. ２枚の基板を縦並びで搭載して、前記２枚の基板を搬送する搬送アームと、
    前記搬送アームに搭載されている２枚の基板を検出する２個のセンサと
    を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記２個のセンサは、前記搭載されている２枚の基板のうちの一の基板のみを検出する第１のセンサと、前記搭載されている２枚の基板のうちの他の基板のみを検出する第２のセンサとであることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１のセンサは、前記２枚の基板が前記搬送アームに搭載されているときに前記２枚の基板のうちの前記一の基板のみに光を照射するように配置された第１発光部と、前記一の基板が前記搬送アームに搭載されていないときに前記第１発光部が照射した光を受光するように配置された第１受光部とを有し、
    前記第２のセンサは、前記２枚の基板が前記搬送アームに搭載されているときに前記２枚の基板のうちの前記他の基板のみに光を照射するように配置された第２発光部と、前記他の基板が前記搬送アームに搭載されていないときに前記第２発光部が照射した光を受光するように配置された第２受光部とを有する、
    ことを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１発光部は０°より大きく９０°より小さい所定の入射角で前記一の基板に光を照射するように配置され、
    前記第２発光部は０°より大きく９０°より小さい所定の入射角で前記他の基板に光を照射するように配置される、
    ことを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 搬送アームに２枚の基板を縦並びで搭載して搬送する基板搬送工程と、
    前記搬送アームに搭載されている２枚の基板を検出する基板検出工程と
    を含むことを特徴とする基板処理方法。
  6. 前記基板検出工程は、前記搭載されている２枚の基板のうちの一の基板のみに光を照射して前記一の基板を特定して検出し、前記搭載されている２枚の基板のうちの他の基板のみに光を照射して前記他の基板を特定して検出することを特徴とする、請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 前記基板検出工程は、前記一の基板に対して光を照射して前記一の基板を検出すると同時に、前記他の基板に対して光を照射して前記他の基板を検出することを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
  8. 前記基板検出工程は、前記一の基板に対して光を照射して前記一の基板のみを検出した後に、前記搬送アームにより前記他の基板を移動して、前記他の基板に対して光を照射して前記他の基板のみを検出することを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
JP2012033107A 2012-02-17 2012-02-17 基板処理装置及び基板処理方法 Pending JP2013171871A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012033107A JP2013171871A (ja) 2012-02-17 2012-02-17 基板処理装置及び基板処理方法
PCT/JP2013/052518 WO2013121919A1 (ja) 2012-02-17 2013-02-04 基板処理装置及び基板処理方法
TW102104377A TW201403730A (zh) 2012-02-17 2013-02-05 基板處理裝置及基板處理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012033107A JP2013171871A (ja) 2012-02-17 2012-02-17 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013171871A true JP2013171871A (ja) 2013-09-02

Family

ID=48984033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012033107A Pending JP2013171871A (ja) 2012-02-17 2012-02-17 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2013171871A (ja)
TW (1) TW201403730A (ja)
WO (1) WO2013121919A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107845588A (zh) * 2016-09-20 2018-03-27 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板搬送方法
WO2018207616A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
KR20210104933A (ko) * 2019-12-05 2021-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 교체 가능 계면 플레이트를 갖는 재구성 가능 메인프레임

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
JP7137408B2 (ja) * 2017-09-29 2022-09-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3947761B2 (ja) * 1996-09-26 2007-07-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法
US5855681A (en) * 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
JPH11214481A (ja) * 1998-01-20 1999-08-06 Kokusai Electric Co Ltd 固体デバイス製造装置
JP5102717B2 (ja) * 2008-08-13 2012-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置およびこれを備えた基板処理装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107845588A (zh) * 2016-09-20 2018-03-27 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板搬送方法
KR20180031604A (ko) 2016-09-20 2018-03-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR102101538B1 (ko) * 2016-09-20 2020-04-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
US10720356B2 (en) 2016-09-20 2020-07-21 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and method of transferring substrate
CN107845588B (zh) * 2016-09-20 2021-09-03 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板搬送方法
WO2018207616A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP2018190939A (ja) * 2017-05-11 2018-11-29 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US11776828B2 (en) 2017-05-11 2023-10-03 Tokyo Electron Limited Vacuum processing device
KR20210104933A (ko) * 2019-12-05 2021-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 교체 가능 계면 플레이트를 갖는 재구성 가능 메인프레임
KR102384220B1 (ko) 2019-12-05 2022-04-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 교체 가능 계면 플레이트를 갖는 재구성 가능 메인프레임

Also Published As

Publication number Publication date
TW201403730A (zh) 2014-01-16
WO2013121919A1 (ja) 2013-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013171872A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN107845588B (zh) 基板处理装置和基板搬送方法
WO2013121919A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US9230845B2 (en) Article storage facility and article storage method
JP2014229730A (ja) 基板搬送ロボット、基板搬送システムおよび基板の配置状態の検出方法
JP2008311303A (ja) 位置ずれ検出装置及びこれを用いた処理システム
KR102274732B1 (ko) 기판 반송 장치
KR20100085128A (ko) 기판반송장치, 기판반송방법 및 진공처리장치
JP6409579B2 (ja) パージストッカ、及びパージストッカの稼働方法
JP2018198305A (ja) 真空搬送モジュール及び基板処理装置
JP2010283334A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
TWI533392B (zh) 基板中繼裝置、基板中繼方法及基板處理裝置
KR101969599B1 (ko) 기판 처리 장치, 조정 방법 및 기억 매체
JP3965131B2 (ja) 基板処理装置
KR20130022025A (ko) 기판수납용기 로더
TW202015155A (zh) 基板載體裝置與方法
KR102512865B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP2023061293A (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP2017108063A (ja) 基板搬入方法、基板処理装置及び基板保持方法
KR102602412B1 (ko) 반송 장치 및 반송 방법
JP2018060823A (ja) キャリア搬送装置及びキャリア搬送方法
KR101574202B1 (ko) 기판 감지 장치 및 이를 이용한 기판 처리 장치
JP2024048171A (ja) リフターピンの制御方法及び搬送アーム
KR100654772B1 (ko) 패널이송장치
JP2013247302A (ja) 基板バッファ並びに有機ｅｌデバイス製造装置及び同製造方法