JP2023061293A - 基板搬送装置及び基板搬送方法 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023061293000001
【課題】基板を搬送する搬送体とモジュールとの平面視での位置関係を容易に把握して利用する。
【解決手段】基板搬送領域の底部から磁力によって各々浮上すると共に基板を支持して横方向に移動する第１搬送体及び第２搬送体を用いて前記基板を搬送する基板搬送方法において、前記第１搬送体により、前記基板をモジュールにおける予め決められた基板用の第１基準位置に搬送する搬送工程と、前記第２搬送体により、前記基板用の第１基準位置における前記基板を受け取る受け取り工程と、前記第２搬送体を予め決められた搬送体用の第１基準位置へ移動させて前記基板を検出部へ搬送し、当該基板の位置と前記検出部における予め決められた基板用の第２基準位置との平面視の位置ずれを検出する検出工程と、を行う。
【選択図】図１０

Description

本開示は、基板搬送装置及び基板搬送方法に関する。
半導体デバイスの製造工程において、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が装置内を搬送されて処理される。このウエハの搬送について、特許文献１には、磁気により装置の底部から浮上する搬送機構を用いて行うことが示されている。また特許文献２には、露光装置に設けられるウエハステージを床上で移動させるための車輪について、当該ウエハステージにおける格納状態をリモコン装置（ティーチング・ペンダント）によって制御することが示されている。
特開２０２１－８６９８７号公報 特開２０１８－１４６９８３号公報
本開示は、基板を搬送する搬送体とモジュールとの平面視での位置関係を容易に把握して利用する技術を提供する。
本開示の基板搬送方法は、基板搬送領域の底部から磁力によって各々浮上すると共に基板を支持して横方向に移動する第１搬送体及び第２搬送体を用いて前記基板を搬送する基板搬送方法において、
前記第１搬送体により、前記基板をモジュールにおける予め決められた基板用の第１基準位置に搬送する搬送工程と、
前記第２搬送体により、前記基板用の第１基準位置における前記基板を受け取る受け取り工程と、
前記第２搬送体を予め決められた搬送体用の第１基準位置へ移動させて前記基板を検出部へ搬送し、当該基板の位置と前記検出部における予め決められた基板用の第２基準位置との位置ずれを検出する検出工程と、
を備える。
本開示によれば、基板を搬送する搬送体とモジュールとの平面視での位置関係を容易に把握して利用することができる。
本開示の一実施形態である基板搬送装置が適用された基板処理装置の平面図である。 前記基板処理装置の縦断側面図である。 前記基板処理装置に設けられる搬送体及び筐体の底部の斜視図である。 前記搬送体、基板、当該基板が載置されるステージを各々示す平面図である。 前記搬送体の処理モジュール５に対するティーチングを完了させる各工程を示すチャート図である。 ステップＳ１における、第２搬送体である搬送体４２のロードロックモジュール３Ａの搬送体用の第１基準位置についての位置データの取得を示す説明図である。 ステップＳ２における、第１搬送体である搬送体４１による処理モジュール５の基板用の第１基準位置へのウエハＷの搬送を示す説明図である。 ステップＳ３における、搬送体４２による処理モジュール５からのウエハＷの搬出を示す説明図である。 ステップＳ４における、搬送体４２による前記搬送体用の第１基準位置への移動、ウエハＷと基板用の第２基準位置とのずれ量の検出、及びティーチングを示す説明図である。 前記搬送体のティーチングを説明するための前記基板処理装置の平面図である。 ティーチングで行われる搬送体の位置補正を説明するための当該搬送体の平面図である。 前記ティーチングの変形例を説明するための平面図である。
本開示の一実施形態である基板搬送装置を含む基板処理装置１について図１に示す。基板処理装置１は大気雰囲気に設置されており、ローダーモジュール２、アライメントモジュール２０、ロードロックモジュール３Ａ、３Ｂ、真空搬送モジュール４及び６つの処理モジュール５を備えており、各処理モジュール５において円形の基板であるウエハＷを真空雰囲気で処理する。
ローダーモジュール２はＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）と呼ばれるモジュールであり、ウエハＷを格納するＦＯＵＰ（Front Open Unified Pod）と呼ばれる搬送容器Ｃに対して当該ウエハＷの搬入、搬出を行う。搬送容器Ｃから搬出されたウエハＷが、基板処理装置１に取り込まれる。ローダーモジュール２は横長であり、内部が大気雰囲気且つ常圧雰囲気とされている。以下、ローダーモジュール２の長さ方向をＸ方向、当該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向として説明する。これらのＸ方向及びＹ方向は各々水平方向である。そして、Ｘ方向の一方側、他方側を夫々＋Ｘ側、－Ｘ側として記載し、Ｙ方向の一方側、他方側を夫々＋Ｙ側、－Ｙ側として記載する。
ローダーモジュール２の－Ｙ側には、搬送容器Ｃを各々載置する容器載置部２１が例えば３つ、Ｘ方向に並んで設けられている。そして、ローダーモジュール２内には搬送機構２２が設けられている。搬送機構２２は後述する搬送体４１、４２のように磁気浮上する構成ではない。当該搬送機構２２は、例えば昇降自在且つＸ方向に移動自在な多関節アームによって構成されており、ウエハＷの裏面を支持するエンドエフェクタ２３を備える。搬送機構２２により、容器載置部２１上の搬送容器Ｃと、ロードロックモジュール３Ａ、３Ｂと、アライメントモジュール２０との間でウエハＷが搬送される。
ローダーモジュール２には、－Ｘ側にアライメントモジュール２０が接続されている。このアライメントモジュール２０は、ウエハＷの向き及び中心位置を光学的に検出する。搬送機構２２がアライメントモジュール２０からウエハＷを受け取る際には、ウエハＷが所定の向きとなった状態で、ウエハＷの中心位置がエンドエフェクタ２３上の所定の位置に位置するように、後述の制御部１０によって搬送機構２２の動作が制御される。
ローダーモジュール２の＋Ｙ側には、ロードロックモジュール３Ａ、３Ｂが設けられており、ロードロックモジュール３Ａ、３ＢはＸ方向に互いに離れている。縦断側面図である図２も参照して、検出部として構成されるロードロックモジュール３Ａについて説明する。ロードロックモジュール３Ａは、筐体３０を備えている。当該筐体３０内に対するＮ２（窒素）ガスの供給と、排気とについて行うことが可能であるようにガス供給機構及び排気機構が設けられており、当該筐体３０内はＮ２ガス雰囲気である常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え可能である。
筐体３０内には平面視で円形のステージ３１が設けられており、ウエハＷは当該ステージ３１の上面に水平に載置される。ステージ３１には、鉛直方向に昇降することで当該ステージ３１の上面を突没自在な３本の昇降ピン３２が設けられている。当該昇降ピン３２を介してステージ３１と、上記の搬送機構２２と、真空搬送モジュール４に設けられる後述の搬送体４１、４２との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
ステージ３１の上方で、筐体３０の天井部にはカメラ３３が設けられている。カメラ３３の視野は下方に向けられており、ステージ３１上に移動する後述の搬送体４１、４２の支持体４７や、当該支持体４７に支持されるウエハＷについての平面視の画像データを取得することができる。その画像データについては制御部１０に送信されて搬送体４１、４２のティーチングに利用されるが、詳細は後述する。ロードロックモジュール３Ｂは、このカメラ３３が設けられていないことを除いて、ロードロックモジュール３Ａと同様に構成されている。ロードロックモジュール３Ａ、３Ｂの各筐体３０と、ローダーモジュール２との間にはドアバルブＧ１が介在し、ローダーモジュール２内の雰囲気と筐体３０内の雰囲気とを分離可能である
ロードロックモジュール３Ａ、３Ｂに対して＋Ｙ側に、真空搬送モジュール４が接続されている。真空搬送モジュール４は筐体４０を備えている。筐体４０内は基板搬送領域であり、図示しない排気機構により排気されることで真空雰囲気とされる。筐体４０内には、ウエハＷを搬送する搬送体４１、４２が設けられるが、後に詳しく述べる。ロードロックモジュール３Ａ、３Ｂの各筐体３０と、真空搬送モジュール４の筐体４０との間にはゲートバルブＧ２が介在し、筐体３０内の雰囲気と筐体４０内の雰囲気とを分離可能である
上記の６つの処理モジュール５について説明する。各処理モジュール５は処理容器５０を備えており、処理容器５０内は図示しない排気機構によって排気されることで真空雰囲気とされる。処理容器５０内にはロードロックモジュール３Ａ、３Ｂと同様にステージ３１が設けられており、ウエハＷを載置する昇降ピン３２を備えている。なお、処理モジュール５における当該ステージ３１は、載置されたウエハＷの温度を所望の温度に調整して処理を行うために、例えばチラーユニットにより温度調整された流体が通流する流路や、ヒーターを温度調整部として備えている。
また、処理容器５０には例えばガスシャワーヘッドなどの図示しないガス供給部が設けられ、真空雰囲気とされた処理容器５０内に処理ガスが供給される。ステージ３１に載置されて温度調整されたウエハＷが、この処理ガスに曝されることで、処理ガスに応じた処理がなされる。この処理としては、例えばエッチング処理、成膜処理あるいはアニール処理などである。なお、処理ガスがプラズマ化されて処理が行われるように、プラズマ形成機構が設けられていてもよい。
本例では処理モジュール５は、真空搬送モジュール４に対して－Ｘ側に３つ＋Ｘ側に３つ各々接続されている。そして－Ｘ側の３つの処理モジュール５、＋Ｘ側の３つの処理モジュール５は各々Ｙ方向に並んで配置されている。各処理モジュール５の処理容器５０と、真空搬送モジュール４の筐体４０との間にはゲートバルブＧ３が介在しており、筐体４０内の雰囲気と処理容器５０内の雰囲気とを分離可能である
以上の説明中のドアバルブＧ１及びゲートバルブＧ２、Ｇ３は、基板処理装置１の稼働中、モジュール間でウエハＷを搬送するために必要な場合、及び後述のティーチングを行う目的で搬送体４１、４２がモジュールへアクセスするために必要な場合を除いて閉じられ、モジュール間の雰囲気が分離される。従って上記したロードロックモジュール３Ａ、３Ｂの筐体３０内の圧力変更は、ドアバルブＧ１及びゲートバルブＧ２が閉じられた状態で行われる。そして、各処理モジュール５における処理は、ゲートバルブＧ３が閉じられて処理容器５０内が真空搬送モジュール４から区画された状態で行われる。
また、排気によって内部に真空雰囲気を形成可能なロードロックモジュール３Ａ、３Ｂ、真空搬送モジュール４、６つの処理モジュール５の各々について、当該排気は互いに独立して行うことができるように構成されている。そのようなモジュール毎の排気によって、処理モジュール５の処理容器５０内が真空雰囲気であると共に真空搬送モジュール４の筐体４０内が大気雰囲気である状態として、後述の運用を行うことができる。
続いて真空搬送モジュール４について、図３の斜視図も参照してさらに詳しく述べる。基板搬送領域をなす筐体４０内に設けられる第１搬送体である搬送体４１、第２搬送体である搬送体４２は、磁力によって筐体４０内の床４９（即ち、基板搬送領域の底部）から浮いた状態で横方向に移動して、ウエハＷを搬送する。そのように浮上して移動することで発塵を防止して真空搬送モジュール４内及び処理モジュール５内をクリーンに保ち、ウエハＷへの異物の付着による処理の異常の発生が抑制されるようにしている。図３に模式的に示すように、床４９には多数のコイル４３が横方向に分散して埋設されている。そして、電力供給部４４から各コイル４３に個別に電力が供給されるように構成されており、コイル４３は供給された電力に応じた強度で磁場を周囲に発生させる。即ち、各コイル４３は電磁石として作用する。
上記の磁場を用いた搬送体４１、４２の移動は、個別に制御される。搬送体４１、４２は同様に構成されており、代表して図３に示す搬送体４１について説明する。搬送体４１は、内部に例えば永久磁石である磁石４５を含む移動本体４６を備えている。この磁石４５と通電されたコイル４３とが磁力により反発し、搬送体４１は床４９から浮上する。電力が供給されるコイル４３の切り替えや、供給する電力量の調整によって床４９上の磁界が制御されることで、搬送体４１については浮上したままで、Ｘ方向及びＹ方向の移動、向きの変更、静止、及び床４９からの浮上高さの変更が可能である。なお、ここでのＸ方向及びＹ方向の移動とは、Ｘ方向、Ｙ方向の移動が別々に行われること、同時に行われることの両方を含む意味である。
移動本体４６の側方に、ウエハＷを下方から水平に支持する支持体４７が設けられている。上記した移動本体４６の移動によって、支持体４７はロードロックモジュール３Ａ、３Ｂ、処理モジュール５の各ステージ３１上に位置することができる。従って、ステージ３１の昇降ピン３２を利用して、ステージ３１と支持体４７との間でウエハＷを受け渡すことができる。この受け渡しの際に昇降ピン３２に干渉しないように、支持体４７について本例では二股のフォーク状に構成されている。
基板処理装置１におけるウエハＷの搬送経路について述べると、搬送容器Ｃからローダーモジュール２に取り込まれたウエハＷは、アライメントモジュール２０→ローダーモジュール２→ロードロックモジュール３Ａ→真空搬送モジュール４の順で搬送される。そして当該ウエハＷは処理モジュール５で処理された後、真空搬送モジュール４→ロードロックモジュール３Ｂ→ローダーモジュール２→搬送容器Ｃの順で搬送される。真空搬送モジュール４と処理モジュール５との間の搬送についてさらに詳しく述べると、６つのうちの１つの処理モジュール５にのみ搬送されて処理が行われる装置構成であってもよいし、６つのうちの複数の処理モジュール５を順番に搬送されて処理される装置構成であってもよい。真空搬送モジュール４と、処理モジュール５と、ロードロックモジュール３Ａ、３Ｂとの間の搬送については、搬送体４１、４２のうちの任意の搬送体を用いることができる。
このようなウエハＷの搬送及び処理を行うために、当該搬送体４１、４２のティーチング（動作教示）が行われる。以下、このティーチングについて説明する。上記したように搬送体４１、４２がアクセスする各モジュールのステージ３１と、搬送体４１、４２の支持体４７との間で、ウエハＷの受け渡しが行われる。より詳しくは昇降ピン３２を介しての搬送体４１、４２によるステージ３１上へのウエハＷの送り出し、及び昇降ピン３２を介しての搬送体４１、４２によるステージ３１からのウエハＷの受け取りが行われる。概略的に述べると、搬送体４１、４２のティーチングとは、そのようにウエハＷの受け渡しを行う際における搬送体４１、４２の位置を決定する作業である。
図４の平面図も参照してさらに詳しく説明する。図中でウエハＷの中心位置を中心点Ｏ１として示している。また、搬送体４１、４２の支持体４７上の所定の位置について、支持中心点Ｏ２として示している。この支持中心点Ｏ２は、支持体４７にウエハＷが正常に載置された場合における当該ウエハＷの中心点Ｏ１と平面視で重なる点である。そして、ステージ３１の上面の中心を載置中心点Ｏ３とする。
ティーチングにより、平面視で搬送体４１、４２の各支持中心点Ｏ２がステージ３１の載置中心点Ｏ３に一致するように、受け渡しを行う際の搬送体４１、４２の位置を決定する。そのように位置決定をすることで、ウエハＷについては平面視で、中心点Ｏ１が載置中心点Ｏ３に重なるようにステージ３１に載置され、且つ中心点Ｏ１が支持中心点Ｏ２に重なるように支持体４７に受け取られるようにする。従って、処理モジュール５及び真空搬送モジュール４において、Ｘ方向、Ｙ方向に夫々沿ったＸ軸、Ｙ軸からなるＸＹ座標系が設定されるとすると、搬送体４１、４２のティーチングは、そのＸＹ座標系での搬送体４１、４２の支持中心点Ｏ２の座標位置を決定する作業に相当する。全ての処理モジュール５のステージ３１の載置中心点Ｏ３にウエハＷの中心点Ｏ１が重なるように載置されて処理が適切に行われるようにするために、ティーチングについては搬送体４１、４２がアクセスするモジュール毎に行う。
なお、上記したように搬送体４１、４２は互いに同様に構成される。ただし、搬送体４１、４２間においては、製造上の不可避の形状誤差、及び磁石４５の特性の差違が存在する。仮に搬送体４１、４２の下方に同様の磁界が形成されたとした場合、形状誤差が僅かであったとしても磁石４５の特性の違いによって、互いの支持中心点Ｏ２の位置がずれることが考えられる。つまり搬送体４１、４２は磁気浮上する構成を有することによって、搬送体４１、４２間には個体差が生じやすい場合が有ると考えられるため、ティーチングについては搬送体４１、４２の夫々について行う。
ところで、図１、図３に示す制御部１０について説明する。この制御部１０はコンピュータによって構成されており、プログラム及びメモリ１１を備えている。このプログラムは、上記したウエハＷの搬送及び処理、後述する自動のティーチングが行われるように、基板処理装置１の各部に制御信号を出力して、当該各部の動作を制御することができるようにステップ群が組まれている。上記のプログラムについては、例えばハードディスク、コンパクトディスク、ＤＶＤ、メモリーカード等の記憶媒体に格納された状態で、制御部１０に格納される。
メモリ１１には搬送体４１、４２の夫々について、アクセスするモジュール毎に、上記の受け渡しを行う位置を指定するデータ（位置データとする）が記憶される。つまり、搬送体４１、４２がモジュールに対してウエハＷの受け渡しを行うにあたっては、そのモジュールについての位置データに対応する位置へ移動するように、当該搬送体４１、４２の動作が制御される（即ち、床４９上の磁界が制御される）。従って、搬送体４１、４２のティーチングに関してはモジュールに対するウエハＷの受け渡しのための位置の決定として述べてきたが、より具体的には、平面視で支持中心点Ｏ２が載置中心点Ｏ３に一致する位置データを取得して、メモリ１１に記憶させることである。図３で述べたように床４９上の磁界の変化によって搬送体４１、４２の位置が変更されるので、位置データとしては例えば多数のコイル４３のうちのいずれのコイル４３へどれだけの電力を供給するかというデータが含まれる。
この基板処理装置１では搬送体４１、４２のうち、一方の搬送体のティーチングを作業員が行った後、他方の搬送体のティーチングについては自動で実行することができる。そのように自動であるために、基板処理装置１が稼働した状態、即ち、真空搬送モジュール４の筐体４０内及び各処理モジュール５の処理容器５０内が真空雰囲気に保たれた状態で行うことができる。自動のティーチングを行う対象は搬送体４１、４２のうちのいずれであってもよいが、以下、搬送体４２のティーチングを自動で行うものとして、その手順を図５のフローチャート（下記のステップＳ１～Ｓ４を示している）と、図６～図１０の平面図と、を参照しながら説明する。説明にあたって＋Ｘ側の３つの処理モジュール５のうち、最も＋Ｙ側に位置するものを説明の便宜上、処理モジュール５Ａとして記載する。
先ず、例えば真空搬送モジュール４の筐体４０内及び各処理モジュール５の処理容器５０内が装置の外部に開放されて大気雰囲気とされており、基板処理装置１としては非稼働状態となっているものとする。その状態で作業員が、搬送体４１について手動でティーチングを行う。つまり搬送体４１に関して、各処理モジュール５及びロードロックモジュール３Ａ、３Ｂの各々についての既述した位置データ（第２データ）を取得し、メモリ１１に記憶させる。
また作業員は、任意の方法でローダーモジュール２の搬送機構２２についてのティーチングを行い、搬送機構２２がアクセスする各モジュール及び搬送容器Ｃに対して適正にウエハＷが受け渡されるようにしておく。さらに、制御部１０のメモリ１１において、搬送体４２における各モジュールに対する位置データとして、暫定の位置データが記憶された状態としておく。つまり搬送体４２について、ウエハＷの受け渡しを行うにあたっての暫定の位置へと移動できる状態とする。その他に、ロードロックモジュール３Ａのカメラ３３で取得される画像データにおいて、ステージ３１の載置中心点Ｏ３の位置を特定しておく。
続いて、真空搬送モジュール４の筐体４０内、各処理モジュール５の処理容器５０内が各々排気されて真空雰囲気となり、基板処理装置１が稼働する。その後、任意のタイミングでロードロックモジュール３Ａについて記憶されている暫定の位置データに従って、搬送体４２が当該ロードロックモジュール３Ａに対してウエハＷの受け渡しを行う暫定の位置へ移動する。それにより、搬送体４２の支持体４７が当該ロードロックモジュール３Ａのステージ３１上に位置し、カメラ３３による撮像が行われて、当該支持体４７の平面視の画像データが取得される。
制御部１０により、画像データ中の支持体４７の検出、支持中心点Ｏ２の特定、支持中心点Ｏ２とステージ３１の載置中心点Ｏ３とのＸ方向、Ｙ方向の各ずれ量についての算出が順次行われる。そして、そのＸ方向、Ｙ方向の各ずれが補正されるように、メモリ１１におけるロードロックモジュール３Ａについての位置データが更新される（つまり、暫定の位置データから正規の位置データに変更される）。即ち、平面視で支持中心点Ｏ２と載置中心点Ｏ３とが重なるように、ロードロックモジュール３Ａに対するウエハＷの受け渡しの際の搬送体４２の位置が補正され、当該搬送体４２のロードロックモジュール３Ａに対するティーチングが完了する（図６、ステップＳ１）。なお、このステップＳ１は、搬送体用の第１基準位置を決定する第１決定工程に相当し、載置中心点Ｏ３に支持中心点Ｏ２が重なる位置が、当該搬送体用の第１基準位置である。そして、当該ステップＳ１で更新された位置データは第１データである。
続いて、搬送容器Ｃからローダーモジュール２を介して、ロードロックモジュール３Ａ及び３Ｂのうちのいずれかに搬送される。本例ではロードロックモジュール３Ａに搬送されるものとする。既述したように搬送機構２２についてはティーチング済みのため、ウエハＷの中心点Ｏ１はロードロックモジュール３Ａの載置中心点Ｏ３に重なるように搬送される。そのように搬送されたウエハＷを搬送体４１が受け取り、処理モジュール５Ａに搬送する。搬送体４１はティーチング済みであるため、平面視で支持中心点Ｏ２が当該処理モジュール５Ａの載置中心点Ｏ３に重なる位置（搬送体用の第２基準位置）に移動する。
処理モジュール５Ａのステージ３１の昇降ピン３２が上昇し、ウエハＷが搬送体４１に代わって当該昇降ピン３２に支持される（ステップＳ２）。上記したように搬送体４１がティーチング済みであること、及び搬送体４１はロードロックモジュール３Ａで中心点Ｏ１が載置中心点Ｏ３に重なるウエハＷを受け取ることから、昇降ピン３２上に支持されるウエハＷの中心点Ｏ１は、ステージ３１の載置中心点Ｏ３に対して平面視で重なる（図７）。このときのウエハＷの位置は、基板用の第１基準位置である。
搬送体４１が処理モジュール５Ａから退避し、続いて処理モジュール５Ａについて記憶されている暫定の位置データに従って、搬送体４２が当該処理モジュール５Ａに対してウエハＷの受け渡しを行う暫定の位置へ移動し、当該搬送体４２の支持体４７がウエハＷの下方に位置する。そして昇降ピン３２が下降し、ウエハＷは昇降ピン３２に代って当該支持体４７によって支持された状態となる（図８、ステップＳ３）。
その後、ウエハＷを支持した搬送体４２は、当該ロードロックモジュール３Ａの受け渡しを行う位置に移動する。具体的には、ステップＳ１でロードロックモジュール３Ａに対してのティーチングが完了しているので、支持中心点Ｏ２とステージ３１の載置中心点Ｏ３とが平面視で重なる位置（搬送体用の第１基準位置）に搬送体４２が位置することになる（図９）。そして、カメラ３３による撮像が行われて、支持体４７に支持されるウエハＷの平面視の画像データが取得される。
制御部１０により、画像データにおけるウエハＷの中心点Ｏ１が算出され、例えばステージ３１の載置中心点Ｏ３に対する当該中心点Ｏ１のＸ方向、Ｙ方向の各ずれ量が算出される。平面視で載置中心点Ｏ３に中心点Ｏ１が重なるウエハＷの位置を基板用の第２基準位置とすると、仮に搬送体４２が処理モジュール５Ａに対してティーチングがなされているとした場合には、ウエハＷはその第２基準位置に重なる。そのため、この画像データを用いた載置中心点Ｏ３に対するウエハＷの中心点Ｏ１のずれ量の算出は、予め決められた第２基準位置のウエハＷと、実際の位置のウエハＷとのずれ量の算出である。
このように画像データから算出されるずれ量（ウエハＷのずれ量とする）は、ステップＳ３実行時の平面視におけるウエハＷの中心点Ｏ１に対する搬送体４２の支持中心点Ｏ２のずれ量に対応している。上記したように処理モジュール５ＡにおいてウエハＷの中心点Ｏ１は載置中心点Ｏ３に重なっているので、当該ウエハＷのずれ量は、平面視における当該載置中心点Ｏ３に対する搬送体４２の支持中心点Ｏ２のずれ量に対応する。この載置中心点Ｏ３と支持中心点Ｏ２とのずれ量を受け渡し位置のずれ量とすると、制御部１０により当該受け渡し位置のずれ量が算出される。
この受け渡し位置のずれ量の算出について、図１１に具体例を示して説明する。図１１は、ステップＳ３で処理モジュール５ＡからウエハＷの受け取る際の搬送体４２と、ステップＳ４でロードロックモジュール３Ａにて画像データを取得する際の搬送体４２と、を共に示した平面図である。図１１に示すように、画像データから得られるウエハＷのずれ量（ロードロックモジュール３Ａの載置中心点Ｏ３に対するウエハＷの中心点Ｏ１のずれ量）は、－Ｘ方向にＬ１、－Ｙ方向にＬ２であるとする。
真空搬送モジュール４に対するロードロックモジュール３Ａ、処理モジュール５Ａの各々の位置関係より、ウエハＷの受け取り時と撮像時とで搬送体４２の向きは９０°異なっている。この搬送体４２の向きの違いと、上記の画像データから得られるウエハＷのずれ量とから、処理モジュール５ＡからウエハＷを受け取る際に、搬送体４２の支持中心点Ｏ２は、載置中心点Ｏ３（＝ウエハＷの中心点Ｏ１）に対して、－Ｘ方向にＬ２、＋Ｙ方向にＬ１ずれていることになる。この－Ｘ方向にＬ２、＋Ｙ方向にＬ１という値が、受け渡し位置のずれ量として算出される。
上記の受け渡し位置のずれ量が解消されるように、処理モジュール５Ａについての位置データが更新される。つまりウエハＷのずれ量に基づいて、暫定の位置データから正規の位置データに変更されて、処理モジュール５Ａに対するティーチングが完了する（ステップＳ４）。具体的には例えば、図１０に示したように受け渡し位置のずれ量が－Ｘ方向にＬ２、＋Ｙ方向にＬ１である場合は、受け渡し時における搬送体４２の支持中心点Ｏ２が＋Ｘ方向にＬ２、－Ｙ方向にＬ１夫々ずれて、処理モジュール５Ａの載置中心点Ｏ３と重なるように位置データが更新される。
その後はステップＳ２～Ｓ４が、搬送体４２がアクセスする５Ａ以外の他の処理モジュール５、ロードロックモジュール３Ｂに対しても行われ、モジュールに対するティーチングが順次行われる。なお、ティーチング対象のモジュールによっては、ステップＳ３のウエハＷの受け取り時とステップＳ４の撮像時との搬送体４２の向きの関係について、図１１で説明した処理モジュール５Ａのものとは異なる場合が有る。その場合は、当該向きの関係の違いを加味してステップＳ４の受け渡し位置のずれ量の算出が行われて、ティーチングがなされるものとする。
搬送体４２がアクセスする全てのモジュールに対してステップＳ２～Ｓ４が実行されて位置データが更新されると、搬送体４２のティーチングについて完了する。このティーチング完了後は、搬送体４２が各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うにあたり、平面視でウエハＷの中心点Ｏ１が各モジュールの載置中心点Ｏ３に一致する。図１０では処理モジュール５Ａに対して、そのようにウエハＷの受け渡しが行われている状態を示している。
なお、上記のステップＳ２、Ｓ３は、夫々搬送工程、受け取り工程に相当する。ステップＳ４での受け渡し位置のずれ量の算出に至るまでの各工程が検出工程、その後の位置データの更新が補正工程に夫々相当する。また、ステップＳ４において取得されるウエハＷのずれ量及び受け渡し位置のずれ量の各々は、受け取り工程を行う際における基板用の第１基準位置と第２搬送体との平面視での位置関係を示すデータである。
既述したように搬送体４１、４２の各々についてティーチングを行うことが求められるが、基板処理装置１によれば、搬送体４１、４２のうち一方のティーチングが自動で実行されるので、作業員がティーチングに要する工数や時間を抑えることができる。なお、基板処理装置１の構成については適宜変更することができ、真空搬送モジュールに接続されるモジュールの数について適宜増減してよい。ティーチングは搬送体４１、４２がアクセスするモジュール毎に行われることになるが、作業員は搬送体４１、４２のうちの一方のみについて手作業でのティーチングを行えばよいので、当該モジュールの数が比較的多くても、作業員の負担を抑えることができる
なお、ステップＳ２でモジュールの昇降ピン３２上に支持されたウエハＷはステージ３１に載置されずにステップＳ３で搬送体４２に受け取られるように述べたが、当該昇降ピン３２は下降して、ウエハＷが一旦ステージ３１に載置されてもよい。つまりステップＳ３では、ステージ３１に載置されることで当該処理モジュール５にて処理済みとなったウエハＷを受け取るようにしてもよい。即ち、ステップＳ１～Ｓ４が行われる過程でウエハＷの処理が行われるようにしてもよい。また、ステップＳ１～Ｓ４について半導体装置製造用の基板であるウエハＷを用いることには限られず、ダミーウエハなどの平面視の形状がウエハＷと同じで、半導体装置の製造を目的としない基板を用いて実施してもよい。
また、処理モジュール５Ａに対するティーチングについて、ステップＳ１～Ｓ４を順番に行うように述べたが、ステップＳ１のロードロックモジュール３Ａに対する搬送体４２のティーチングは、ステップＳ３の搬送体４２が処理モジュール５ＡからウエハＷを受け取るまでの間に実行されればよい。そのため、ステップＳ１よりも先にステップＳ２が行われてもよい。
なお、上記したようにステップＳ１～Ｓ４の全てのステップが自動で行われることが好ましい。ただし、例えばステップＳ１のロードロックモジュール３Ａに対する搬送体４２のティーチングについて、搬送体４１のティーチングの実行時において、搬送体４１のティーチングと同じく作業員が手作業で行うようにしてもよい。そのようにステップＳ１を手作業で行うとしても、手作業のティーチング対象となるモジュールの数は１つのみ増えることになるので、作業員の負担を十分に抑えることができる。
基板処理装置１の稼働開始時に行われるティーチングについて説明したが、当該基板処理装置１の稼働後のメンテナンス時にも同様のティーチングが行われる。以下、このメンテナンスとして、装置の稼働中に搬送体４２を交換する場合を例に挙げて、ティーチングを含む各作業の流れについて説明する。
先ず、ゲートバルブＧ２、Ｇ３を閉じた状態で、真空搬送モジュール４の筐体４０内の排気を停止し、筐体４０内の圧力を、ウエハＷの搬送を行うための予め設定された真空圧力（以下、搬送用真空圧力と記載する）から大気圧に戻す。作業員が筐体４０を構成する隔壁の一部を取り外して装置の外部から筐体４０内にアクセスし、搬送体４２を交換する。その後、筐体４０内を排気して再度、搬送用真空圧力とする。上記したように搬送体間には個体差が有るので、新規に用いる搬送体４２についてはティーチングが必要になるため、以降は既述した装置の稼働開始時と同様にステップＳ１～Ｓ４が行われて、ティーチングがなされる。
上記の搬送体４２の交換及びステップＳ１～Ｓ４の実行による、処理モジュール５についての動作停止及び各処理モジュール５の処理容器５０内の大気雰囲気への開放は行われず、搬送用真空圧力が解除されてから搬送用真空圧力に戻るまでの間も、処理モジュール５は稼働している。処理モジュール５が稼働するとは、具体的には処理容器５０内のステージ３１の温度がウエハＷの処理時と同様の温度に維持されたり、処理容器５０内が真空圧力に保たれたりすることである。そのように処理モジュール５を稼働させておき、処理容器５０内におけるウエハＷの処理環境を保存することで、真空搬送モジュール４を搬送用真空圧力に戻した後、速やかにウエハＷを処理モジュール５に搬送して、処理を再開することができる。なお、搬送用真空圧力を解除する際に、処理容器５０内でウエハＷを処理中であれば処理を継続して行い、搬送用真空圧力に復帰したら処理済みとなった当該ウエハＷを処理容器５０から取り出すようにしてもよい。
搬送体４２の処理モジュール５に対するティーチングが処理容器５０内を大気雰囲気とせずに行えることから、以上のようにステップＳ１～Ｓ４を行うにあたって各処理モジュール５の稼働を停止させずに済む。従って、仮に搬送体４１、４２の交換頻度が比較的高くなるような装置構成としても、各処理モジュール５における処理が行えない時間が長くなることが防止される。また、基板処理装置１に設ける処理モジュール５の数については適宜増減可能であるが、処理モジュール５の数が比較的多い場合には、このように各処理モジュール５の稼働を停止させない運用にできることが、装置の生産性を担保する上で特に有効である。
以下、既述したステップＳ１～Ｓ４の各ステップの変形例について述べるが、特に記載無い限りティーチング対象の搬送体は既述の例と同じく搬送体４２であるものとする。図６で説明したステップＳ１（ロードロックモジュール３Ａに対する搬送体４２のティーチング）に関しての変形例を述べる。このステップＳ１は、カメラ３３を用いることには限られない。具体例としては、センサウエハを用いることが挙げられる。このセンサウエハは、平面視の形状がウエハＷと同様の形状である基板本体と、当該基板本体において上方を撮像できるように設けられたカメラとを備えた機器である。そして、例えばこのカメラにより取得した画像データが、無線あるいは有線で制御部１０に送信される。
搬送機構２２により、上記のセンサウエハを搬送容器Ｃからロードロックモジュール３Ａに搬送し、当該ロードロックモジュール３Ａのステージ３１に載置する。なお、この搬送を行う搬送機構２２についてはティーチング済みとし、そのようにステージ３１に載置されるセンサウエハによって取得される画像データ中の所定の点（Ｏ４とする）が、当該ステージ３１の載置中心点Ｏ３の直上の位置である。
そのようにセンサウエハをロードロックモジュール３Ａへ搬送した後、図６で述べたように暫定の位置データを用いて、搬送体４２を受け渡し位置に移動させる。その後、センサウエハにより搬送体４２の支持体４７を撮像し、画像データを取得する。この画像データ中の支持体４７の位置から特定される支持中心点Ｏ２と上記の点Ｏ４とのずれが制御部１０によって検出され、このずれが解消されるように位置データが更新されることで、ステップＳ１が完了する。
なお、仮にこのセンサウエハを処理モジュール５に搬送し、ロードロックモジュール３Ａに対するティーチングを行う場合と同様にティーチングを行うとする。その場合、センサウエハが真空搬送モジュール４内を通過する際に磁界の影響を受けて、正常な動作が行えなくなってしまうおそれが有る。また、基板処理装置１では既述したように、例えば処理モジュール５を稼働させたままでティーチングが行われるが、その稼働中の処理モジュール５内に搬送されることで、処理モジュール内のガスにセンサウエハが曝されるおそれが有る。そうなると、センサウエハの構成部材の腐食が懸念される。従ってこれまでに説明した手法によって、処理モジュール５に対してティーチングを行うことが有効である。
その他のステップＳ１の実施例を述べる。ドアバルブＧ１を開放し、大気雰囲気であるローダーモジュール２内に立ち入った作業員が、そのドアバルブＧ１の開口を介してロードロックモジュール３Ａ内を目視する。その状態でロードロックモジュール３Ａ内の搬送体４２の支持体４７の位置を確認することで、ティーチングを行うようにしてもよい。なお、搬送体４２のロードロックモジュール３Ａへの進入時には、真空搬送モジュール４内とロードロックモジュール３Ａ内とは連通するので、上記の目視が行えるように、真空搬送モジュール４内及びロードロックモジュール３Ａ内は大気雰囲気としておくものとする。
さらにその他の例として、ロードロックモジュール３Ａの筐体３０の側壁に距離センサを複数設けることで、当該ステップＳ１のティーチングを行ってもよい。この距離センサとしては例えば、暫定の位置データにより受け渡し位置に移動した搬送体４２の支持体４７に対して、Ｘ方向の距離を検出するものと、Ｙ方向の距離を検出するものとを含むようにする。そのように設けた各距離センサによる検出結果から、制御部１０は支持中心点Ｏ２の位置を算出し、平面視での支持中心点Ｏ２と載置中心点Ｏ３とのＸ方向、Ｙ方向の各ずれ量を算出し、ティーチングを行う。
なお、そのようにステップＳ１をカメラ３３の代わりに距離センサを用いて行う場合、ステップＳ４についてもカメラ３３の代わりに、当該距離センサを用いて行うことができる。具体的には、例えばステップＳ４において、各距離センサを用いてウエハＷに対する距離を検出する。そして、制御部１０はその検出結果からウエハＷの中心点Ｏ１の位置を算出し、この中心点Ｏ１から上記のウエハＷのずれ量、受け渡し位置のずれ量を算出してティーチングを行えばよい。なお、このようにステップＳ１、Ｓ４が同じモジュール内に設けられる同じ検出機器（カメラ３３や距離センサ）を用いて行われることで、ステップＳ１、Ｓ４夫々を行うための検出機器を個別に用意する必要が無いので好ましい。
上記したカメラ３３や距離センサを備えてステップＳ１、Ｓ４を行うための検出部としては、搬送体４１、４２がアクセス可能な場所であればよい。従って、ロードロックモジュール３Ｂを検出部としてもよいし、真空搬送モジュール４に対してアライメントモジュール２０や接続モジュールが接続されるように基板処理装置を構成した場合は、それらのモジュールを検出部としてもよい。上記の接続モジュールは、真空搬送モジュール４を複数設ける装置構成とした場合に、真空搬送モジュール４同士を互いに接続するモジュールであり、内部が真空雰囲気とされる筐体と、筐体内に設けられるステージとを備える。真空搬送モジュール４と異なり、当該筐体内の床上に磁界は形成されない。この接続モジュールのステージ上には固定されたピンが設けられ、搬送体４１、４２の昇降動作によりウエハＷが受け渡されることで、２つの真空搬送モジュール４間でのウエハＷの搬送が仲介される。
なお、真空搬送モジュール４にカメラ３３や距離センサを設けることで、真空搬送モジュール４の一部の領域を検出部としてもよい。その場合は、当該領域における特定の点を上記したロードロックモジュール３Ａの載置中心点Ｏ３と同様に扱えばよい。つまり、ステップＳ１では当該特定の点に対して搬送体４２の支持中心点Ｏ２が重なるようにティーチングを行い、ステップＳ４では当該特定の点に対して支持中心点Ｏ２が重なるように搬送体４２を移動させて、ウエハＷのずれ量を検出すればよい。ただしそのように真空搬送モジュール４を検出部とする場合は、磁界の影響によるカメラ３３等の誤動作を防ぐように、そのカメラ３３等については磁界に対して遮蔽するように構成することが好ましい。それを考慮すると、装置構成を簡素化する上で、床上に磁界が形成されない上記した各モジュールにカメラ３３等を設けて検出部とすることが、装置構成を簡素にする上で好ましい。
ところで図８で説明したステップＳ３では、暫定の位置データに従って未ティーチングの搬送体４２をモジュールに進入させてウエハＷを受け取る。例えば真空搬送モジュール４においてティーチングを行う各モジュールの付近に検出機器としてカメラ５２を設けて画像データを取得し、その画像データに基づいて搬送体４２の当該進入の際における位置調整を行う。つまり、画像データによって搬送体４２のモジュールに対する進路が変更される。そのように位置調整を行うことで、モジュールの入口をなすゲートバルブＧ２、Ｇ３との干渉がより確実に回避される装置構成としてもよい。カメラ５２の代わりに検出機器として距離センサを設けて、モジュールへの進入前の搬送体４２の位置を検出することで、同様に干渉の回避を行ってもよい。その他、検出機器としては、例えばファイバセンサやエリアセンサなどの光電センサを用いてもよい。
続いて、図１０で説明したステップＳ４の変形例について図１２を用いて説明する。なお、図１２中、搬送機構２２のエンドエフェクタ２３の支持中心点についても、搬送体４２、４３の支持中心点と同様にＯ２として示している。ステップＳ４が開始されて、搬送体４２が処理モジュール５ＡからウエハＷをロードロックモジュール３Ａへ搬送し、このウエハＷがステージ３１に載置される。この際にステージ３１の載置中心点Ｏ３と、ウエハＷの中心点Ｏ１とがずれている（図１２上段）。そのウエハＷをローダーモジュール２の搬送機構２２が受け取る。搬送機構２２はティーチング済みであるので、このウエハＷの受け取りの際には、当該搬送機構２２の支持中心点Ｏ２が載置中心点Ｏ３上に位置する。そのため平面視において、ウエハＷの中心点Ｏ１と搬送機構２２の支持中心点Ｏ２とが、上記のロードロックモジュール３Ａの載置中心点Ｏ３とウエハＷの中心点Ｏ１とのずれに相当する分だけずれる。
そして搬送機構２２の支持中心点Ｏ２がアライメントモジュール２０のステージ３１の載置中心点Ｏ３に重なるようにウエハＷが搬送されて（図１２下段）、当該ステージ３１に載置される。そのようにウエハＷが搬送されるので、平面視での当該載置中心点Ｏ３に対するウエハＷの中心点Ｏ１のずれは、図１０で説明した受け渡し位置のずれ（搬送体４２の支持中心点Ｏ２と処理モジュール５Ａの載置中心点Ｏ３とのずれ量）に対応している。
アライメントモジュール２０の構成について述べておく。ウエハＷの径よりも小さい径を有するように形成されたステージ３１が当該ウエハＷと共に鉛直軸回りに１回転する間に、ウエハＷの周端部の上方及び下方のうちの一方に設けられた投光部から、当該周端部の上方及び下方のうちの他方に設けられた受光部に光照射される。ウエハＷの側方を通過した光を受光部が受光する。その受光状態から制御部１０がウエハＷの中心点Ｏ１の位置を検出し、さらに当該中心点Ｏ１とアライメントモジュール２０の載置中心点Ｏ３とのずれ量を算出する。従って、上記の受け渡し位置のずれ量の算出及びティーチングを行うことが可能である。
従ってこの図１２の例では、アライメントモジュール２０が検出部であり、当該検出部の位置と、搬送体４２がウエハＷを受け取って搬送するように予め決められる搬送体用の第１基準位置（ロードロックモジュール３Ａ内の位置）とが異なる。搬送体用の第１基準位置に移動した搬送体４２とウエハＷとのずれが保存されるように当該ウエハＷが他の部材（図１２の例では搬送機構２２）に受け渡される場合、当該他の部材による搬送先を検出部としてウエハＷの位置を検出することでティーチングを行うことができる。ただし、搬送体４２と他の部材との間での受け渡しの際にウエハＷの位置ずれが生じるおそれがあることを考慮すれば、検出部における位置を搬送体用の第１基準位置とし、当該基準位置にてウエハＷの位置検出を行うことでティーチングを行うことが好ましい。
ところで図１０等で、基板処理装置１のステップＳ４においては例えば画像データに基づいてウエハＷのずれ量、さらには受け渡し位置のずれ量を算出し、その受け渡し位置のずれ量を用いてティーチングが行われると説明してきた。当該ティーチングが行われない装置構成としてもよい。例えば制御部１０については、ウエハＷのずれ量及び／または受け渡し位置のずれ量を表示する表示部を備えるように構成する。そして、基板処理装置１のメンテナンスとしてステップＳ１～Ｓ４を実行する。但し、ステップＳ４ではティーチング（即ち、メモリ１１の位置データの更新）が行われず、取得されたウエハＷのずれ量及び／または受け渡し位置のずれ量が表示部に表示される。作業員はその表示を見て、ずれ量が大きいと判断した場合には、例えば真空搬送モジュール４及び処理モジュール５についての真空雰囲気の形成を解除して検査を行うなどの任意の対処を行うようにすればよい。このようにティーチングを行わない構成とする場合であっても、ウエハＷのずれ量及び受け渡し位置のずれ量については容易に取得されるので、作業員が装置の状態を把握するにあたっての負荷が抑えられるため好ましい。
なお搬送体４１、４２について、各モジュールに対して受け渡し（モジュールからのウエハＷの受け取り、モジュールへのウエハＷの送り出しの両方）を行うように述べてきた。しかし一つのモジュールに対して、搬送体４１、４２のうちの一方のみがウエハＷを送り出し、他方のみがウエハＷを受け取るような運用としてもよく、真空搬送モジュール４にて、どのように搬送体４１、４２を用いてウエハＷを搬送するかは任意である。従って、ステップＳ４により決定される搬送体４１、４２の位置について、モジュールに対しての受け取りのみ、あるいは送り出しのみを行う位置として利用してもよい。そのように受け取りのみ、あるいは送り出しのみを行う位置として用いたとしても、当該位置はモジュールに対して受け取り、送り出しの両方を行える位置であるため、ステップＳ４は受け渡し位置、即ち受け取り位置及び送り出し位置の両方を決定していることになる。
真空搬送モジュール４において、搬送体については４１、４２の２つのみを設けることには限られず、より多くの搬送体を設けてもよい。そのように搬送体の数が３個以上であっても、１つの搬送体を作業員が手作業でティーチングした後は、他の搬送体については自動でティーチングすることができる。補足して説明すると、当該他の搬送体（即ち、複数の第２搬送体）についてステップＳ１、Ｓ３、Ｓ４の動作を各々行ってモジュールに対するティーチングを行えばよい。なお、第１搬送体により行うステップＳ２（基板用の第１基準位置へのウエハＷの搬送）については、そのステップＳ２を行う時点でのモジュールに対してティーチング済みの搬送体を用いればよい。即ち、手作業でティーチングした搬送体を用いてもよいし、上記の他の搬送体のうち自動でのティーチングが完了されたものがあれば、その搬送体を用いてもよい。つまり、本例では第２搬送体である搬送体が、第１搬送体の役割も果たす場合が有る。
なお、ティーチングの対象となるモジュールとしては、処理モジュール５やロードロックモジュール３Ａ、３Ｂに限られず、例えば上記した接続モジュールであってもよい。さらに基板処理装置１では、搬送体４１、４２は真空雰囲気である筐体４０内を移動するが、大気雰囲気の筐体４０内を移動する装置構成であってもよい。そのように筐体４０内が大気雰囲気である場合には、当該筐体４０に接続されて搬送体４１、４２によってウエハＷが受け渡される処理モジュール５内の雰囲気についても、例えば大気雰囲気としてよい。また、本技術で搬送される基板としては円形であるものに限られず、矩形であってもよい。
今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び／または組み合わせがなされてもよい。
Ｗ ウエハ
３Ａ ロードロックモジュール
４ 真空搬送モジュール
４０ 筐体
４１、４２ 搬送体
５ 処理モジュール

Claims (11)

  1. 基板搬送領域の底部から磁力によって各々浮上すると共に基板を支持して横方向に移動する第１搬送体及び第２搬送体を用いて前記基板を搬送する基板搬送方法において、
    前記第１搬送体により、前記基板をモジュールにおける予め決められた基板用の第１基準位置に搬送する搬送工程と、
    前記第２搬送体により、前記基板用の第１基準位置における前記基板を受け取る受け取り工程と、
    前記第２搬送体を予め決められた搬送体用の第１基準位置へ移動させて前記基板を検出部へ搬送し、当該基板の位置と前記検出部における予め決められた基板用の第２基準位置との平面視の位置ずれを検出する検出工程と、
    を備える基板搬送方法。
  2. 前記位置ずれに基づいて、前記第２搬送体が前記モジュールに対して前記基板の受け渡しを行う位置を補正する補正工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
  3. 前記第２搬送体は複数であり、その各々について前記受け取り工程、前記検出工程及び前記補正工程が行われる請求項２記載の基板搬送方法。
  4. 前記搬送体用の第１基準位置は、前記検出部における位置である請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板搬送方法。
  5. 前記受け取り工程を行う前に、前記搬送体用の第１基準位置に前記第２搬送体を位置させるための第１データを取得する工程を行う請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板搬送方法。
  6. 前記第１データを取得する工程は、
    前記検出部によって前記第２搬送体の位置を検出し、当該位置の検出結果に基づいて前記第１データを取得する工程である請求項５記載の基板搬送方法。
  7. 前記受け取り工程は、検出機器により前記第２搬送体の位置を検出する工程と、
    前記前記第２搬送体の位置の検出結果に基づいて、当該第２搬送体の当該モジュールに対する進路を変更する工程と、
    を含む請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板搬送方法。
  8. 前記基板搬送領域は真空雰囲気が形成される真空搬送モジュール内の領域であり、
    前記モジュールは、前記基板を処理するために内部に真空雰囲気が形成されると共に前記真空搬送モジュールに接続される処理モジュールであり、
    前記搬送工程、前記受け取り工程及び前記検出工程は、前記真空搬送モジュール内及び処理モジュール内が真空雰囲気の状態で行われる請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板搬送方法。
  9. 前記処理モジュール内が真空雰囲気とされた状態で、前記基板搬送領域を大気雰囲気から真空雰囲気に変更し、
    続いて、当該処理モジュール内及び当該基板搬送領域が真空雰囲気の状態で、
    前記搬送工程、前記受け取り工程、前記検出工程、及び前記受け取り工程を行う前に前記搬送体用の第１基準位置に前記第２搬送体を位置させるための第１データを取得する工程を行う請求項８記載の基板搬送方法。
  10. 前記搬送工程を行う前に、前記基板搬送領域及び前記処理モジュールが大気雰囲気の状態で、前記基板用の第１基準位置へ前記基板を搬送するための搬送体用の第２基準位置に前記第１搬送体を位置させる第２データを取得する工程を含む請求項８または９記載の基板搬送方法。
  11. 基板搬送領域の底部から磁力によって各々浮上すると共に、基板を支持して横方向に移動する第１搬送体及び第２搬送体と、
    前記第１搬送体及び前記第２搬送体により、前記基板搬送領域に対する前記基板の搬送が行われるモジュールと、
    前記第１搬送体により、前記基板をモジュールにおける予め決められた基板用の第１基準位置に搬送するステップと、前記第２搬送体により、前記基板用の第１基準位置における前記基板を受け取るステップと、前記第２搬送体を予め決められた搬送体用の第１基準位置へ移動させて前記基板を検出部へ搬送し、当該基板の位置と前記検出部における予め決められた基板用の第２基準位置との平面視の位置ずれを検出するステップと、が実行されるように制御信号を出力する制御部と、
    を備える基板搬送装置。
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