TWI637457B - 基板對齊裝置、基板處理裝置、基板排列裝置、基板對齊方法、基板處理方法及基板排列方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板對齊裝置之馬達係使以垂直姿勢藉由基板保持部保持下緣部之預定之複數片基板依次於圓周方向上旋轉。控制部係基於關於複數片基板之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及翹曲-凹口位置資訊而控制馬達，決定複數片基板之凹口之圓周方向之位置。藉此，由基板保持部保持之狀態下之各基板之下緣部與上端之間的厚度方向之距離變小。其結果，可使藉由基板保持部保持之複數片基板之操作容易。

Description

基板對齊裝置、基板處理裝置、基板排列裝置、基板對齊方法、基板處理方法及基板排列方法
本發明係關於一種使周緣部具有凹口之複數片基板對齊之技術。
習知，於半導體基板(以下簡稱為「基板」)之製造步驟中，利用對基板實施各種處理之基板處理裝置。例如，於日本專利特開2010-93230號公報(文獻1)中，揭示有對複數片基板一併實施處理之批次式基板處理裝置。於該基板處理裝置中，藉由批次機械手搬入以水平姿勢沿厚度方向排列之複數片基板。並且，於藉由姿勢轉換機構將複數片基板之姿勢一併轉換成垂直姿勢後，一併移交至推進器。又，於該基板處理裝置中，設置有使以垂直姿勢保持於夾盤之複數片基板之方向對齊的基板方向對齊機構。基板方向對齊機構以設置於各基板之周緣部之凹口之朝向(即，圓周方向之位置)一致的方式使複數片基板對齊。
於日本專利特開2008-78544號公報(文獻2)中揭示有基板對齊裝置之構造之一例。於該基板對齊裝置中，藉由驅動滾輪使垂直姿勢之複數片基板旋轉，使各基板之凹口卡合於沿複數片基板之排列方向延伸之卡合軸而使旋轉停止，藉此進行複數片基板之 對齊。
且說，由基板處理裝置處理之基板有時因於搬入至基板處理裝置之前所進行之處理之影響而產生翹曲。翹曲之基板與未翹曲之平坦基板相比，厚度方向之大小較大。因此，有於文獻1之推進器等中以垂直姿勢保持之基板與鄰接之基板過度接近或接觸之虞。又，上述批次機械手自下側支撐水平姿勢之基板之兩側部，若基板產生翹曲，則難以穩定地支撐及搬送基板。
本發明係針對一種基板對齊裝置，其目的在於使藉由基板保持部保持之複數片基板之操作容易。本發明亦針對一種基板對齊方法。
本發明之一基板對齊裝置使周緣部具有凹口之複數片基板對齊。該基板對齊裝置具備：旋轉部，其使以垂直姿勢藉由基板保持部保持下緣部之預定之複數片基板依次或同時於圓周方向上旋轉；記憶部，其記憶翹曲-凹口位置資訊，該翹曲-凹口位置資訊包含上述複數片基板之翹曲狀態、與上述翹曲狀態之基板由上述基板保持部保持時成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合；及控制部，其控制上述旋轉部。上述控制部基於關於上述複數片基板之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及上述翹曲-凹口位置資訊，控制上述旋轉部，使上述複數片基板依次或同時於上述圓周方向上旋轉而決定上述複數片基板之上述凹口之上述圓周方向之位置，藉此，使由上述基板保持部保持之狀態下之上述各基板之下緣部與上端之間的厚度方向之距離減小。藉由該基板對齊裝置，可使藉由基板保持部保持之複數片基板之操作容易。
本發明亦針對一種基板處理裝置。該基板處理裝置具備：上述基板對齊裝置；上述基板保持部，其保持已藉由上述基板對齊裝置對齊之上述複數片基板；及液處理部，其貯存供由上述基板保持部保持之上述複數片基板浸漬之處理液。本發明亦針對一種基板處理方法。
本發明亦針對一種基板排列裝置。該基板排列裝置具備：上述基板對齊裝置；上述基板保持部，其保持已藉由上述基板對齊裝置對齊之上述複數片基板；及基板排列機構，其將由上述基板保持部保持之上述複數片基板分別配置於由其他基板保持部保持之其他的複數片基板之間。本發明亦針對一種基板排列方法。
本發明之另一基板對齊裝置使周緣部具有凹口之複數片基板對齊。該基板對齊裝置具備：旋轉部，其使以水平姿勢藉由基板保持部支撐下表面之預定之複數片基板依次或同時於圓周方向上旋轉；記憶部，其記憶翹曲-凹口位置資訊，該翹曲-凹口位置資訊包含上述複數片基板之翹曲狀態、與上述翹曲狀態之基板由上述基板保持部保持時成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合；及控制部，其控制上述旋轉部。上述控制部基於關於上述複數片基板之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及上述翹曲-凹口位置資訊，控制上述旋轉部，使上述複數片基板依次或同時於上述圓周方向上旋轉而決定上述複數片基板之上述凹口之上述圓周方向之位置，藉此，使由上述基板保持部保持之狀態下之上述各基板之上端與上述周緣部中抵接於上述基板保持部之抵接部之間的厚度方向之距離減小。根據該基板對齊裝置，可使藉由基板保持部保持之複數片基板之操作容易。
於上述基板對齊裝置中，例如，上述各基板於第1徑向上，向上述厚度方向之一側以第1曲率彎曲，且於與上述第1徑向正交之第2徑向上，向上述厚度方向之上述一側以大於上述第1曲率之第2曲率彎曲。
於上述基板對齊裝置中，例如，上述各基板於第1徑向上，向上述厚度方向之一側彎曲，且於與上述第1徑向正交之第2徑向上，向上述厚度方向之另一側彎曲。
上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點根據以下參照隨附圖式進行之本發明之詳細說明而更加明確。
1‧‧‧晶圓搬送盒保持部
2‧‧‧基板處理部
3‧‧‧主搬送機構
4‧‧‧搬入搬出機構
5‧‧‧姿勢變更機構
6‧‧‧推進器
7‧‧‧交接機構
8‧‧‧基板對齊機構
9‧‧‧基板
10‧‧‧基板處理裝置
21‧‧‧第1藥液槽
22‧‧‧第1清洗液槽
23‧‧‧第2藥液槽
24‧‧‧第2清洗液槽
25‧‧‧乾燥處理部
27‧‧‧第1升降器
28‧‧‧第2升降器
31‧‧‧基板夾盤
41‧‧‧批次機械手
42‧‧‧單片機械手
43‧‧‧機械手元件
51‧‧‧水平保持部
52‧‧‧垂直保持部
53‧‧‧安裝塊
54‧‧‧保持部旋轉機構
61‧‧‧升降保持部
62‧‧‧保持部升降機構
63‧‧‧旋轉軸
71‧‧‧搬入夾盤
72‧‧‧中介夾盤
73‧‧‧交付夾盤
80‧‧‧基板支撐部
81‧‧‧馬達
82‧‧‧感測器
93‧‧‧凹口
95‧‧‧晶圓搬送盒
100‧‧‧控制部
101‧‧‧記憶部
511‧‧‧水平支撐構件
521‧‧‧垂直支撐構件
541‧‧‧旋轉軸
D1、D2‧‧‧距離
K1、K3‧‧‧第1徑向
K2、K4‧‧‧第2徑向
S11~S13、S21、S22、S31、S32‧‧‧步驟
圖1係一實施形態之基板處理裝置之俯視圖。
圖2係表示基板處理裝置之一部分之俯視圖。
圖3係表示基板處理裝置之一部分之側視圖。
圖4係基板之立體圖。
圖5係基板之立體圖。
圖6係表示基板對齊之流程之流程圖。
圖7係表示以垂直姿勢保持之基板之圖。
圖8係表示姿勢變更機構及推進器之動作之側視圖。
圖9係表示姿勢變更機構及推進器之動作之側視圖。
圖10係表示將基板朝處理液浸漬之流程之流程圖。
圖11係表示批次組裝之流程之流程圖。
圖12係表示批次機械手及基板之俯視圖。
圖13係表示以水平姿勢保持之基板之剖面圖。
圖14係表示以水平姿勢保持之基板之剖面圖。
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置10的俯視圖。基板處理裝置10於俯視下為大致長方形。基板處理裝置10係對複數片半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)一併進行處理之批次式基板處理裝置。基板9為大致圓板狀之基板。基板9於周緣部具有表示結晶方向之凹口93(參照圖4及圖5)。再者，自基板9之外周緣起之凹口93之深度為約1mm。
基板處理裝置10具備：晶圓搬送盒(前開式晶圓傳送盒(FOUP，Front Opening Unified Pod))保持部1、基板處理部2、主搬送機構3、搬入搬出機構4、姿勢變更機構5、推進器6、交接機構7、基板對齊機構8、控制部100、及記憶部101。控制部100對基板處理裝置10之各構成之動作等進行控制。控制部100係包含進行各種運算處理之中央處理單元(CPU，Central Processing Unit)、記憶基本程式之唯讀記憶體(ROM，Read Only Memory)、及記憶各種資訊之隨機存取記憶體(RAM，Random Access Memory)等的一般之電腦系統。晶圓搬送盒保持部1配置於基板處理裝置10之一角部。晶圓搬送盒保持部1保持晶圓搬送盒95。晶圓搬送盒95係將水平姿勢之複數片(例如25片)基板9以於Z方向上層積之狀態收容的收容器。
圖1中之Z方向為與重力方向平行之方向，亦稱為上下方向。又，圖1中之X方向為與Z方向垂直之方向。Y方向為與X方向及Z方向垂直之方向。所謂基板9之水平姿勢，係指基板9之主面之法線方向朝向大致Z方向的姿勢。又，所謂下述基板9之 垂直姿勢，係指基板9之主面之法線方向朝向與Z方向大致垂直之方向的姿勢。於基板處理裝置10中，複數片基板9以水平姿勢或垂直姿勢沿與基板9之主面大致垂直之方向層積。換言之，水平姿勢或垂直姿勢之複數片基板9沿基板9之厚度方向排列。
圖2係放大表示基板處理裝置10之(-Y)側之部位的俯視圖。圖3係表示基板處理裝置10之(-Y)側之部位的側視圖。如圖2所示，於基板處理裝置10中，於晶圓搬送盒保持部1之(+Y)側配置有搬入搬出機構4，與晶圓搬送盒保持部1於Y方向上對向。又，於搬入搬出機構4之(+Y)側配置有基板對齊機構8。圖3中省略晶圓搬送盒保持部1及基板對齊機構8之圖示。
如圖2及圖3所示，於搬入搬出機構4之(+x)側配置有姿勢變更機構5。於姿勢變更機構5之(+X)側配置有推進器6。於推進器6之(+X)側配置有交接機構7、及主搬送機構3。於圖3所示之狀態下，主搬送機構3位於交接機構7之(+Z)側(即，上方)。於主搬送機構3之(+Y)側，如圖1所示，配置有基板處理部2。
基板處理部2具備第1藥液槽21、第1清洗液槽22、第2藥液槽23、第2清洗液槽24、乾燥處理部25、第1升降器27、及第2升降器28。第1藥液槽21、第1清洗液槽22、第2藥液槽23、第2清洗液槽24及乾燥處理部25沿Y方向自(+Y)側向(-Y)側依序排列。第1藥液槽21及第2藥液槽23分別貯存同種或不同種之藥液。第1清洗液槽22及第2清洗液槽24分別貯存清洗液(例如純水)。
於基板處理裝置10中進行基板9之處理時，首先，準備將複數片(例如25片)基板9以水平姿勢收容之晶圓搬送盒 95。然後，藉由圖2及圖3所示之搬入搬出機構4之單片機械手42自晶圓搬送盒95所收容之複數片(例如25片)基板9中保持1片基板9，並自晶圓搬送盒95搬出。單片機械手42將1片基板9以水平姿勢保持。搬入搬出機構4亦具備將以水平姿勢沿Z方向排列之狀態之複數片基板9一併保持的批次機械手41。
繼而，單片機械手42於水平方向上旋轉，並且單片機械手42向基板對齊機構8前進，藉此將1片基板9自搬入搬出機構4移交至基板對齊機構8。基板對齊機構8使基板9於圓周方向上旋轉而變更圓周方向之朝向，決定基板9之圓周方向之位置。
基板對齊機構8具備基板支撐部80、馬達81、及感測器82。基板支撐部80旋轉自如地支撐水平姿勢之基板9。馬達81係使基板9與基板支撐部80一同旋轉之旋轉部。感測器82藉由光學地檢測由基板支撐部80支撐之基板9之凹口93，而獲取旋轉中之基板9之角度位置(即，基板9之圓周方向之朝向)。於基板對齊機構8，藉由馬達81，使由基板支撐部80支撐之基板9於圓周方向上旋轉，而變更基板9之圓周方向之朝向。並且，藉由感測器82，檢測旋轉中之基板9之凹口93，並於檢測後之既定之時間點(即，自凹口93之檢測起經過既定時間後)使馬達81停止。再者，該既定時間亦可為零。藉此，於基板9之凹口93位於既定位置之狀態下，停止基板9之旋轉。即，進行圓周方向上之基板9之凹口93的位置對準。基板對齊機構8係變更基板9之凹口93之圓周方向之位置的凹口位置變更機構。
當於基板對齊機構8中，基板9之圓周方向之位置決定時，該基板9藉由單片機械手42自基板對齊機構8搬出，並返 回至晶圓搬送盒保持部1上之晶圓搬送盒95。之後同樣地，自晶圓搬送盒95取出下一基板9，藉由基板對齊機構8決定該基板9之圓周方向之位置(即，進行圓周方向之凹口93之位置對準)，並返回至晶圓搬送盒95。藉由對晶圓搬送盒95內之所有基板9重複該動作，而變更晶圓搬送盒95內之複數片基板9之圓周方向之朝向，決定複數片基板9之圓周方向之位置。換言之，該複數片基板9於圓周方向上對齊。
再者，於基板9之圓周方向之位置決定時，收容於晶圓搬送盒95之所有基板9之凹口93可位於圓周方向之相同位置，亦可位於不同位置。例如，亦可針對複數片基板9之排列方向上之奇數號之各基板9，將凹口93之圓周方向之位置設為第1既定位置，針對該排列方向上之偶數號之各基板9，將凹口93之圓周方向之位置設為與上述第1既定位置不同之第2既定位置。
當利用基板對齊機構8進行之複數片基板9之對齊(即，凹口93之圓周方向之位置對準)結束時，藉由搬入搬出機構4之批次機械手41，自晶圓搬送盒95搬出複數片基板9。其次，批次機械手41於水平方向上旋轉，並向姿勢變更機構5前進，藉此將複數片基板9自搬入搬出機構4移交至姿勢變更機構5。姿勢變更機構5藉由水平保持部51將以水平姿勢沿Z方向層積之狀態之複數片基板9一併保持。姿勢變更機構5藉由保持部旋轉機構54，使該複數片基板9與水平保持部51、垂直保持部52及安裝塊53一同以朝向Y方向之旋轉軸541為中心沿圖3中之逆時針方向旋轉90度。藉此，將複數片基板9之姿勢自水平姿勢一併變更為垂直姿勢。垂直姿勢之複數片基板9一併由垂直保持部52保持。
然後，藉由推進器6之保持部升降機構62驅動而使升降保持部61上升，自圖3中二點鏈線所示之垂直保持部52接收並保持複數片基板9。即，於垂直保持部52與推進器6之間進行垂直姿勢之複數片基板9之交接。升降保持部61將以垂直姿勢沿大致X方向排列之狀態(即，層積之狀態)之複數片基板9一併保持。當姿勢變更機構5之水平保持部51及垂直保持部52沿圖3中之順時針方向旋轉90度而自保持部升降機構62之上方退避時，升降保持部61以朝向Z方向之旋轉軸63為中心而水平旋轉180度後，藉由保持部升降機構62而下降。藉此，複數片基板9之層積方向之位置與旋轉前相比，僅移動基板9之間距之一半(即，於層積方向上鄰接之2片基板9間之距離的一半，以下稱為「半間距」)。
其後，以與上述相同之順序，藉由基板對齊機構8將收容於晶圓搬送盒95之新的複數片(例如25片)基板9於圓周方向上依次對齊後，藉由搬入搬出機構4移交至姿勢變更機構5。在姿勢變更機構5中將該新的複數片基板9之姿勢自水平姿勢一併變更為垂直姿勢。然後，推進器6之升降保持部61再次上升，而自姿勢變更機構5接收並保持該新的複數片基板9。此時，將已保持於升降保持部61之複數片基板9(以下稱為「第1基板群組」)自下方插入於新的複數片基板9(以下稱為「第2基板群組」)之間。如此，藉由姿勢變更機構5及推進器6，進行將第1基板群組與第2基板群組組合而形成批次之批次組裝。
如上所述，第1基板群組之複數片基板9(以下亦稱為「第1基板9」)於插入第2基板群組之間以前旋轉180度(即，翻轉)。因此，第1基板群組之複數片第1基板9係以與複數片第2基板9 正背相反之朝向分別配置於第2基板群組之複數片基板9(以下亦稱為「第2基板9」)之間。換言之，由升降保持部61保持之複數片(例如50片)基板9中，鄰接之各一對基板9為正面彼此或背面彼此對向之狀態(即，面對面狀態)。再者，所謂基板9之正面，係指例如形成電路圖案之主面，所謂基板9之背面，係指與該正面為相反側之主面。
亦可為，於推進器6，保持有第1基板群組之升降保持部61於接收第2基板群組前不旋轉180度，而於基板9之排列方向上僅水平移動半間距，藉此，以鄰接之各一對基板9為正面與背面對向之狀態(即，面對背狀態)進行批次組裝。
於升降保持部61上經批次組裝之複數片基板9自升降保持部61移交至交接機構7之搬入夾盤71。搬入夾盤71係於將所接收之複數片基板9以垂直姿勢保持之狀態下，自保持部升降機構62之上方朝(+X)方向移動。繼而，交接機構7之中介夾盤72下降，自搬入夾盤71接收複數片基板9並上升。然後，主搬送機構3之基板夾盤31自中介夾盤72接收複數片基板9。基板夾盤31保持以垂直姿勢沿X方向排列之複數片基板9。
主搬送機構3將由基板夾盤31保持之未處理之複數片基板9向(+Y)方向搬送，並使其等位於圖1所示之基板處理部2之第1升降器27的上方。第1升降器27將以垂直姿勢沿X方向排列之複數片基板9自基板夾盤31一併接收。第1升降器27使該複數片基板9朝第1藥液槽21下降，並一併浸漬於第1藥液槽21內之藥液中。然後，將複數片基板9於該藥液中浸漬既定時間，藉此，複數片基板9之藥液處理結束。
繼而，第1升降器27使複數片基板9自第1藥液槽21提升，並向(-Y)方向移動。第1升降器27使複數片基板9朝第1清洗液槽22下降，並一併浸漬於第1清洗液槽22內之清洗液中。然後，將複數片基板9於該清洗液中浸漬既定時間，藉此，複數片基板9之清洗處理結束。當清洗處理結束時，第1升降器27使複數片基板9自第1清洗液槽22提升。主搬送機構3之基板夾盤31自第1升降器27將複數片基板9一併接收，並向第2升降器28之上方移動。
第2升降器28與第1升降器27同樣地，自基板夾盤31將複數片基板9一併接收，並使其等一併浸漬於第2藥液槽23內之藥液中。當複數片基板9之藥液處理結束時，第2升降器28使複數片基板9自第2藥液槽23提升，並一併浸漬於第2清洗液槽24內之清洗液中。當複數片基板9之清洗處理結束時，第2升降器28使複數片基板9自第2清洗液槽24提升。主搬送機構3之基板夾盤31自第2升降器28將複數片基板9一併接收，並向乾燥處理部25之上方移動。
乾燥處理部25自基板夾盤31將複數片基板9一併接收，並對複數片基板9一併進行乾燥處理。於該乾燥處理中，例如，於減壓環境中對基板9供給有機溶劑(例如，異丙醇)，並使基板9旋轉，藉此，藉由離心力將基板9上之液體去除。當複數片基板9之乾燥處理結束時，主搬送機構3之基板夾盤31自乾燥處理部25將已處理過之複數片基板9一併接收，並向(-Y)方向移動。
繼而，圖2及圖3所示之交接機構7之交付夾盤73自主搬送機構3之基板夾盤31將複數片基板9一併接收，向(-X) 方向移動並位於推進器6之升降保持部61之上方。推進器6之升降保持部61上升，而自交付夾盤73接收複數片基板9。升降保持部61保持以垂直姿勢沿X方向排列之複數片(例如50片)基板9。
其次，升降保持部61下降，於推進器6與垂直保持部52之間進行垂直姿勢之複數片基板9之交接。具體而言，該複數片基板9中，第2基板群組之複數片(例如25片)基板9被移交至圖3中二點鏈線所示之垂直保持部52。換言之，解除由第1基板群組與第2基板群組所構成之批次，而第1基板群組與第2基板群組分離。姿勢變更機構5之水平保持部51及垂直保持部52沿圖3中之順時針方向旋轉90度。藉此，將第2基板群組之複數片基板9之姿勢自垂直姿勢一併變更為水平姿勢。該複數片基板9以呈水平姿勢沿Z方向層積之狀態由水平保持部51一併保持。然後，搬入搬出機構4之批次機械手41自水平保持部51接收複數片基板9，並搬入至晶圓搬送盒95。將搬入有已處理過之複數片基板9之晶圓搬送盒95更換成新的晶圓搬送盒95。
如上所述，當姿勢變更機構5中第2基板群組之複數片基板9之姿勢自垂直姿勢變更為水平姿勢時，保持有第1基板群組之複數片(例如25片)基板9之升降保持部61上升。又，已將第2基板群組之複數片基板9移交至搬入搬出機構4之水平保持部51及垂直保持部52沿圖3中之逆時針方向旋轉90度。
然後，升降保持部61再次下降，而於推進器6與垂直保持部52之間進行垂直姿勢之複數片基板9的交接。具體而言，將第1基板群組之複數片基板9移交至圖3中二點鏈線所示之垂直保持部52。水平保持部51及垂直保持部52沿圖3中之順時針方向 再次旋轉90度。藉此，將第1基板群組之複數片基板9之姿勢自垂直姿勢一併變更為水平姿勢。該複數片基板9以呈水平姿勢沿Z方向層積之狀態由水平保持部51一併保持。然後，搬入搬出機構4之批次機械手41自水平保持部51接收複數片基板9，並搬入至晶圓搬送盒95。再者，於基板9自推進器6向姿勢變更機構5移動時，亦可先利用姿勢變更機構5進行第1基板群組之接收，之後再進行第2基板群組之接收。
姿勢變更機構5及推進器6由控制部100控制，藉此，如上所述，將基板9之姿勢自水平姿勢變更為垂直姿勢，又，自垂直姿勢變更為水平姿勢。換言之，姿勢變更機構5、推進器6及控制部100係將基板9之姿勢自水平姿勢及垂直姿勢中之一姿勢變更為另一姿勢的姿勢變更裝置。
於圖1至圖3所示之基板處理裝置10中，如上所述，進行大致圓板狀之基板9之處理，但基板9有時因搬入至基板處理裝置10之前所進行之處理(即，前處理)之影響而產生翹曲。基板9之翹曲存在各種類型，但收容於一個晶圓搬送盒95之複數片基板9中，通常翹曲狀態共通。具體而言，該複數片基板9中，以凹口93之位置為基準之情形時的翹曲狀態共通。所謂基板9之翹曲狀態，係指包含基板9之翹曲之朝向(例如，於正面側凸出之朝向)、及基板9之翹曲之大小等的資訊。
圖4及圖5係表示具有不同翹曲狀態之基板9之例的立體圖。圖4所示之基板9於第1徑向K1上，向厚度方向之一側(即，圖中之朝上凸出之方向)以第1曲率彎曲。圖4之基板9於與第1徑向K1正交之第2徑向K2上，向厚度方向之上述一側(即， 與第1徑向K1上之彎曲方向相同之方向)以大於第1曲率之第2曲率彎曲。
圖5所示之基板9於第1徑向K3上向厚度方向之一側(即，圖中之朝上凸出之方向)彎曲。第1徑向K3可不為與圖4中所示之第1徑向K1相同之方向。圖5之基板9於與第1徑向K3正交之第2徑向K4上，向厚度方向之另一側(即，與第1徑向K3上之彎曲方向相反之方向)彎曲。
於以下說明中，亦將圖4及圖5所示之基板9之翹曲狀態分別稱為「第1翹曲狀態」及「第2翹曲狀態」。又，將翹曲之基板9為水平姿勢之情形時的厚度方向上之最下點與最上點之間的厚度方向之距離稱為基板9之「厚度方向之大小」。於該基板9以垂直姿勢保持之情形時，基板9之厚度方向之大小為位於基板9之厚度方向之最靠一側之點與位於最靠另一側之點之間的厚度方向之距離。於基板9未翹曲而平坦之情形時，基板9之厚度方向之大小與基板9之厚度相同。翹曲之基板9之厚度方向之大小例如較基板9為平坦之情形時之厚度約大0.5mm。
其次，一面參照圖6之流程圖，一面對利用基板對齊機構8之基板9之對齊之流程進行說明。於圖1所示之基板處理裝置10中，首先，於將複數片基板9依次搬入至基板對齊機構8之前，預先輸入「翹曲-凹口位置資訊」並記憶於記憶部101(步驟S11)。翹曲-凹口位置資訊包含複數片基板9共通之翹曲狀態、與保持有該翹曲狀態之基板9時基板9成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合。所謂該凹口位置，係指基板9之圓周方向上之凹口93之位置。凹口位置例如將於垂直姿勢之基板9中凹口93位於最上端 之狀態設為基準位置(即，凹口位置為0°之位置)。並且，於凹口93於圓周方向上偏離基準位置之情形時，將自正面側觀察基板9時之基準位置與凹口93之間的順時針方向之角度稱為凹口位置。
翹曲-凹口位置資訊中包含之翹曲狀態與凹口位置之組合例如為表示圖4或圖5所示之基板9之翹曲狀態的符號(數字或記號等)、與表示凹口位置之角度之組合。該凹口位置例如係於圖4或圖5所示之翹曲狀態之基板9以垂直姿勢由升降保持部61保持下緣部之狀態下，基板9之該下緣部與上端之間之厚度方向之距離成為最小(即，基板9相對於上下方向之傾斜成為最小)的凹口93之位置。又，翹曲-凹口位置資訊中包含之上述組合之凹口位置例如係於圖4或圖5所示之翹曲狀態之基板9以垂直姿勢由第1升降器27或第2升降器28保持下緣部之狀態下，基板9之該下緣部與上端之間之厚度方向之距離成為最小的凹口93之位置。
圖7係表示圖4所示之翹曲狀態之基板9以垂直姿勢由升降保持部61保持下緣部之狀態的側視圖。於圖4所示之基板9中，凹口93位於第2徑向K2上。圖7係假設凹口位置各不相同之3片基板9同時保持於升降保持部61之情形時的圖。圖7中之最左側之基板9表示凹口93位於基準位置之狀態(即，凹口位置為0°之狀態)。圖7中之中央之基板9表示凹口位置為45°之狀態。圖7中之最右側之基板9表示凹口位置為90°之狀態。
於圖7所示之例中，於凹口位置為45°之情形時，垂直姿勢之基板9與上下方向(即，Z方向)大致平行地被保持，所保持之基板9之下緣部與上端之間的厚度方向之距離D1最小。又，於凹口位置為90°之情形時，距離D1僅次於凹口位置為45°之情形 而為次小，於凹口位置為0°之情形時，距離D1最大。翹曲-凹口位置資訊中例如包含表示圖4所示之基板9之翹曲狀態之符號與凹口位置45°之組合。再者，翹曲-凹口位置資訊中包含之該組合之凹口位置並非必須為距離D1成為最小之凹口93之位置，只要為與凹口93位於其他位置之情形相比距離D1變小之位置即可。因此，翹曲-凹口位置資訊亦可包含表示圖4所示之基板9之翹曲狀態之符號與凹口位置90°之組合。
於圖1所示之基板處理裝置10中，於步驟S11之後，輸入搬入至基板處理裝置10之複數片基板9共通之翹曲狀態，並作為與翹曲狀態相關之輸入資訊而記憶於記憶部101。該輸入資訊例如為表示複數片基板9之翹曲狀態之符號。
繼而，藉由控制部100(參照圖1)如上述般對搬入搬出機構4之單片機械手42進行控制，藉此將晶圓搬送盒保持部1上之晶圓搬送盒95中收容之第1片基板9搬入至基板對齊機構8，於基板對齊機構8中開始該基板9之旋轉(步驟S12)。繼而，控制部100基於藉由感測器82檢測之凹口93之位置、以及上述輸入資訊及翹曲-凹口位置資訊，控制馬達81。藉此，變更基板9之凹口93之圓周方向之位置並決定為所期望之位置。
具體而言，根據翹曲-凹口位置資訊中包含之複數個上述組合，藉由控制部100擷取與輸入資訊所表示之基板9之翹曲狀態相對應之凹口位置。並且，使基板9旋轉直至基板9之凹口93之位置與所擷取之凹口位置一致為止。當凹口93之位置與該凹口位置一致時，使基板9之旋轉停止，而決定基板9之凹口93之圓周方向之位置(步驟S13)。凹口93之位置經決定之基板9藉由單片 機械手42而返回至晶圓搬送盒保持部1上之晶圓搬送盒95。藉由對晶圓搬送盒保持部1上之晶圓搬送盒95中收容之所有基板9重複執行上述步驟S12、S13的處理，而該晶圓搬送盒95中收容之所有基板9以各基板9之凹口93之位置與由控制部100所擷取之凹口位置一致的狀態依次對齊。於基板處理裝置10中，基板對齊機構8、記憶部101及控制部100係使周緣部具有凹口93之複數片基板9對齊之基板對齊裝置。再者，亦可理解為晶圓搬送盒95及搬入搬出機構4亦包含於該基板對齊裝置。
已藉由該基板對齊裝置對齊之複數片基板9經由上述姿勢變更部，以水平姿勢移交至圖1所示之搬入搬出機構4。複數片基板9自搬入搬出機構4移交至姿勢變更機構5。於姿勢變更機構5中，如上所述，將複數片基板9之姿勢自水平姿勢一併變更為垂直姿勢。並且，垂直姿勢之複數片基板9自姿勢變更機構5移交至推進器6，並由推進器6之升降保持部61保持。又，於姿勢變更機構5及推進器6，如上所述，進行藉由保持有第1基板群組之升降保持部61接收由姿勢變更機構5保持之第2基板群組的批次組裝。
圖8及圖9係表示批次組裝時之姿勢變更機構5及推進器6之動作的側視圖。於圖8及圖9中，為了容易理解圖，而將複數片基板9之片數描繪得較實際少。於圖8所示之狀態下，已自姿勢變更機構5移交至推進器6之複數片基板9(即，第1基板群組之複數片第1基板9)由作為基板保持部之升降保持部61以垂直姿勢保持。又，其他之複數片基板9(即，第2基板群組之複數片第2基板9)由作為其他基板保持部之垂直保持部52以垂直姿勢保持。 複數片第1基板9、及複數片第2基板9於由姿勢變更機構5及推進器6保持之前，藉由上述基板對齊裝置而對齊。
於基板處理裝置10中，藉由控制部100(參照圖1)控制保持部升降機構62(參照圖3)，藉此升降保持部61向上方移動。升降保持部61通過垂直保持部52之一對垂直支撐構件521及水平保持部51之一對水平支撐構件511之間而上升時，自垂直保持部52接收垂直姿勢之複數片基板9，並如圖9所示般保持。藉此，進行上述批次組裝，藉由推進器6之升降保持部61保持第1基板群組及第2基板群組。於該批次組裝時，將第1基板群組自下方插入至第2基板群組之間，將第1基板群組之複數片第1基板9分別配置於第2基板群組之複數片第2基板9之間。於基板處理裝置10中，使升降保持部61上升之保持部升降機構62係將複數片第1基板9分別配置於複數片第2基板9之間的基板排列機構。又，上述基板對齊裝置、升降保持部61以及保持部升降機構62係對複數片基板9進行排列之基板排列裝置。
如上所述，由升降保持部61保持之複數片第1基板9係以基板9之下緣部與上端之間之厚度方向之距離D1(參照圖7)變小的方式，藉由上述基板對齊裝置而預先對齊。因此，進行批次組裝時，可防止或抑制複數片第1基板9與由垂直保持部52保持之複數片第2基板9接觸。又，亦可防止或抑制複數片第1基板9與垂直保持部52及水平保持部51接觸。
進而，由垂直保持部52保持之複數片第2基板9亦以基板9之下緣部與上端之間之厚度方向之距離D1變小的方式，藉由基板對齊裝置而預先對齊。因此，進行批次組裝時，可更佳地 防止或進一步抑制複數片第1基板9與複數片第2基板9接觸。再者，若能夠防止或抑制複數片第1基板9與複數片第2基板9之接觸，則複數片第2基板9亦可不藉由基板對齊裝置對齊便由姿勢變更機構5保持。
藉由上述基板排列裝置進行批次組裝後之複數片基板9(即，第1基板群組及第2基板群組)經由圖1所示之交接機構7及主搬送機構3而搬送至基板處理部2。於基板處理部2，如上所述，藉由第1升降器27將以垂直姿勢保持之複數片基板9浸漬於第1藥液槽21中所貯存之作為處理液之藥液中，並浸漬於第1清洗液槽22中所貯存之作為處理液之清洗液中。又，藉由第2升降器28將以垂直姿勢保持之複數片基板9浸漬於第2藥液槽23中所貯存之作為處理液之藥液中，並浸漬於第2清洗液槽24中所貯存之作為處理液之清洗液中。
於基板處理裝置10中，第1升降器27及第2升降器28係將已藉由上述基板對齊裝置對齊之複數片基板9以垂直姿勢保持的基板保持部。又，第1藥液槽21、第1清洗液槽22、第2藥液槽23及第2清洗液槽24係貯存浸漬藉由該基板保持部(即，第1升降器27或第2升降器28)所保持之複數片基板9之處理液的液處理部。
如上所述，由第1升降器27保持之複數片基板9係以基板9之下緣部與上端之間之厚度方向之距離D1(參照圖7)變小的方式，藉由基板對齊裝置而預先對齊。因此，可於第1藥液槽21及第1清洗液槽22中使存在於鄰接之基板9間之處理液之量、及鄰接之基板9間之處理液之動作等與各基板9未翹曲之情形接近。 換言之，可使第1藥液槽21及第1清洗液槽22中之處理狀態接近設計上之處理狀態。其結果，於第1藥液槽21及第1清洗液槽22中，較佳地對複數片基板9利用處理液實施處理。
又，由於在第2升降器28亦保持預先對齊之複數片基板9，故而可於第2藥液槽23及第2清洗液槽24中使存在於鄰接之基板9間之處理液之量、及鄰接之基板9間之處理液之動作等與各基板9未翹曲之情形接近。換言之，可使第2藥液槽23及第2清洗液槽24中之處理狀態接近設計上之處理狀態。其結果，於第2藥液槽23及第2清洗液槽24中，亦較佳地對複數片基板9利用處理液實施處理。
如以上所說明般，上述基板對齊裝置具備馬達81、記憶部101、及控制部100。馬達81係使以垂直姿勢由基板保持部(例如，升降保持部61、第1升降器27或第2升降器28)保持下緣部之預定之複數片基板9依次於圓周方向上旋轉的旋轉部。記憶部101記憶翹曲-凹口位置資訊。翹曲-凹口位置資訊包含複數片基板9之翹曲狀態、與該翹曲狀態之基板9由上述基板保持部保持時成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合。控制部100控制馬達81。
控制部100係基於關於複數片基板9之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及翹曲-凹口位置資訊而控制馬達81，使該複數片基板9依次於圓周方向上旋轉，而決定複數片基板9之凹口93之圓周方向之位置。藉此，由上述基板保持部保持之狀態下之各基板9的下緣部與上端之間之厚度方向之距離D1變小。換言之，由基板保持部保持之狀態下之各基板9之傾斜變小。其結果，可使藉由該基板保持部所保持之複數片基板9之操作(例如，複數片基板9 之保持、搬送、交接或利用處理液之處理)容易。
如上所述，基板處理裝置10具備上述基板對齊裝置、基板保持部(例如，第1升降器27或第2升降器28)、及液處理部(例如，第1藥液槽21、第1清洗液槽22、第2藥液槽23或第2清洗液槽24)。該基板保持部保持已藉由基板對齊裝置對齊之複數片基板9。液處理部貯存供由該基板保持部保持之複數片基板9浸漬之處理液。於基板處理裝置10中，由於可減小由基板保持部保持之各基板9之上述距離D1(即，可減小各基板9之傾斜)，故而可使存在於鄰接之基板9間之處理液之量、及鄰接之基板9間之處理液之動作等與各基板9未翹曲之情形接近。其結果，可較佳地對複數片基板9利用處理液實施處理。
若著眼於基板9之朝處理液中之浸漬，則作為對於基板9之處理之流程，於藉由圖6所示之步驟S11~S13之基板對齊方法將複數片基板9對齊後，進行圖10所示之步驟S21、S22。具體而言，藉由基板保持部(例如，第1升降器27或第2升降器28)保持已藉由該基板對齊方法對齊之複數片基板9(步驟S21)。然後，將由該基板保持部保持之複數片基板9浸漬於處理液中(步驟S22)。藉此，如上所述，可較佳地對複數片基板9利用處理液實施處理。
上述基板排列裝置具備上述基板對齊裝置、作為基板保持部之升降保持部61、及作為基板排列機構之保持部升降機構62。升降保持部61保持已藉由基板對齊裝置對齊之複數片基板9。保持部升降機構62將由升降保持部61保持之複數片基板9分別配置於由作為其他基板保持部之垂直保持部52保持的其他之複數片 基板9之間。
如上所述，於基板排列裝置中，可減小由升降保持部61保持之各基板9之上述距離D1(即，可減小各基板9之傾斜)，故而進行批次組裝時，可防止或抑制由升降保持部61保持之複數片基板9與由垂直保持部52保持之其他的複數片基板9接觸。又，進行批次組裝時，亦可防止或抑制由升降保持部61保持之複數片基板9與垂直保持部52及水平保持部51等接觸。其結果，可較佳地進行複數片基板9之批次組裝。可防止或抑制基板9彼此接觸之該基板排列裝置尤其適用於複數片基板9以鄰接之基板9之傾斜相反之面對面狀態保持於基板保持部的情形。
若著眼於基板9之排列動作，則作為對於基板9之處理之流程，於藉由圖6所示之步驟S11~S13之基板對齊方法將複數片基板9對齊後，進行圖11所示之步驟S31、S32。具體而言，藉由作為基板保持部之升降保持部61保持已藉由該基板對齊方法對齊之複數片基板9(步驟S31)。繼而，將由升降保持部61保持之複數片基板9分別配置於由作為其他基板保持部之垂直保持部52保持的其他之複數片基板9之間(步驟S32)。藉此，如上所述，可較佳地進行複數片基板9之批次組裝。
於基板處理裝置10中，記憶部101中記憶之上述翹曲-凹口位置資訊包含翹曲狀態與凹口位置之除上述以外的各種組合。例如，翹曲-凹口位置資訊中包含之上述組合之凹口位置亦可為於圖4或圖5所示之翹曲狀態之基板9由作為基板保持部之批次機械手41(參照圖1)以水平姿勢保持之狀態下，基板9之上端與基板9之周緣部中抵接於批次機械手41之抵接部之間的厚度方向之 距離成為最小之凹口93之位置。
圖12係表示藉由批次機械手41以水平姿勢保持之基板9之俯視圖。於圖12中，圖示出水平姿勢之1片基板9、及自下側支撐該基板9之下表面之批次機械手41的2根機械手元件43。各機械手元件43係沿大致X方向延伸之構件。具體而言，各機械手元件43係於俯視下為大致帶狀之板狀構件。2根機械手元件43於Y方向排列配置。
水平姿勢之基板9之凹口位置例如將如圖12所示般凹口93位於在(+Y)側最遠離2根機械手元件43之位置的狀態設為基準位置(即，凹口位置為0°之位置)。並且，於凹口93於圓周方向上偏離基準位置之情形時，將自上側(即，(+Z)側)觀察基板9時之基準位置與凹口93之間的逆時針方向之角度稱為凹口位置。
圖13及圖14係表示圖4所示之翹曲狀態之基板9以水平姿勢由批次機械手41自下側支撐之狀態的剖面圖。圖13及圖14分別表示圖12中之XIII-XIII之位置、及XIV-XIV之位置的剖面。圖13及圖14係假設凹口位置各不相同之3片基板9同時保持於批次機械手41之情形時的圖。圖13及圖14中之最上側之基板9表示凹口93位於基準位置之狀態(即，凹口位置為0°之狀態)。圖13及圖14中之中央之基板9表示凹口位置為45°之狀態。圖13及圖14中之最下側之基板9表示凹口位置為90°之狀態。
於圖13及圖14所示之例中，於凹口位置為90°之情形時，水平姿勢之基板9之上端、與基板9之周緣部中抵接於批次機械手41之抵接部之間的厚度方向之距離D2最小。又，於凹口位置為0°之情形時，距離D2僅次於凹口位置為90°之情形而為次小， 於凹口位置為45°之情形時，距離D2最大。於凹口位置為45°之情形時，基板9之與機械手元件43之抵接部的數量相較其他凹口位置之情形變少，故而於利用搬入搬出機構4進行搬送時等難以穩定地保持基板9。
翹曲-凹口位置資訊例如包含表示圖4所示之基板9之翹曲狀態之符號與凹口位置90°的組合。再者，翹曲-凹口位置資訊中包含之該組合之凹口位置並非必須為距離D2成為最小之凹口93之位置，只要為與凹口93位於其他位置之情形相比距離D2變小之位置即可。因此，翹曲-凹口位置資訊亦可包含表示圖4所示之基板9之翹曲狀態之符號與凹口位置0°的組合。
如以上所說明般，於上述基板對齊裝置中，馬達81使以水平姿勢由基板保持部(例如，批次機械手41)支撐下表面之預定之複數片基板9依次於圓周方向上旋轉。並且，控制部100係基於關於複數片基板9之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及翹曲-凹口位置資訊而控制馬達81，決定複數片基板9之凹口93之圓周方向之位置，藉此，由上述基板保持部保持之狀態下之各基板9之上端與基板9之周緣部中抵接於基板保持部之抵接部之間的厚度方向之距離D2變小。其結果，可使藉由該基板保持部保持之複數片基板9之操作(例如，複數片基板9之保持、搬送或交接)容易。又，各基板9之距離D2變小，藉此，於藉由計數部對由該基板保持部保持之複數片基板9進行計數之情形時，可精度良好地獲取複數片基板9之數量。
上述基板對齊裝置、基板排列裝置及基板處理裝置10可進行各種變更。
基板對齊機構8只要為使周緣部具有凹口93之複數片基板9對齊者，則可為具有各種構造之裝置。例如，基板對齊機構8亦可為使複數片基板9同時於圓周方向上旋轉而分別決定複數片基板9之凹口93之圓周方向之位置的機構。即，基板對齊機構8之馬達81係使複數片基板9依次或同時於圓周方向上旋轉之旋轉部。於任一情形時，均可與上述同樣地使藉由基板保持部保持之複數片基板9之操作容易。又，基板對齊機構8亦可為使垂直姿勢之基板9依次或同時於圓周方向上旋轉而變更圓周方向之朝向的機構。進而，於基板對齊機構8，亦可藉由基板9之凹口93與既定之卡合軸卡合而使基板9之旋轉停止。
保持已藉由上述基板對齊裝置對齊之複數片基板9之基板保持部並不限定於推進器6之升降保持部61、基板處理部2之第1升降器27及第2升降器28、以及搬入搬出機構4之批次機械手41，亦可為基板處理裝置10之其他部位。
上述基板對齊裝置並非必須包含於基板處理裝置10，亦可獨立於基板處理裝置10而設置於基板處理裝置10之外部。於此情形時，基板對齊裝置之控制部100及記憶部101可獨立於基板處理裝置10之控制部及記憶部而設置。已藉由基板對齊裝置對齊之複數片基板9例如收容於晶圓搬送盒95，被搬入至基板處理裝置10而實施處理。上述基板排列裝置亦可與基板對齊裝置同樣地，設置於基板處理裝置10之外部。於此情形時，基板排列裝置之控制部100及記憶部101亦可獨立於基板處理裝置10之控制部及記憶部而設置。基板對齊裝置及基板排列裝置亦可組入至上述基板處理裝置10以外之各種裝置而使用。
基板處理裝置10除半導體基板以外，亦可用於液晶顯示裝置、電漿顯示器、場發射顯示器(FED，field emission display)等顯示裝置所使用之玻璃基板之處理。或者，基板處理裝置10亦可用於光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽能電池用基板等之處理。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾即可適當組合。
詳細描述地對發明進行了說明，但已述之說明為例示性者而並非限定性者。因此，可認為只要不脫離本發明之範圍，則可進行多種變形或態樣。

Claims (12)

  1. 一種基板對齊裝置，其係使在周緣部具有凹口之複數片基板對齊者，其具備：旋轉部，其使以垂直姿勢藉由基板保持部保持下緣部之預定之複數片基板，依次或同時於圓周方向上旋轉；記憶部，其記憶翹曲-凹口位置資訊，該翹曲-凹口位置資訊包含上述複數片基板之翹曲狀態、與上述翹曲狀態之基板由上述基板保持部保持時成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合；及控制部，其控制上述旋轉部；上述控制部基於關於上述複數片基板之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及上述翹曲-凹口位置資訊，控制上述旋轉部，使上述複數片基板依次或同時於上述圓周方向上旋轉而決定上述複數片基板之上述凹口之上述圓周方向的位置，藉此，使由上述基板保持部保持之狀態下之上述複數片基板之各基板之下緣部與上端之間的厚度方向之距離減小。
  2. 如請求項1之基板對齊裝置，其中，上述各基板係：於第1徑向上，向上述厚度方向之一側以第1曲率彎曲，於與上述第1徑向正交之第2徑向上，向上述厚度方向之上述一側以大於上述第1曲率之第2曲率彎曲。
  3. 如請求項1之基板對齊裝置，其中，上述各基板係：於第1徑向上，向上述厚度方向之一側彎曲，於與上述第1徑向正交之第2徑向上，向上述厚度方向之另一側 彎曲。
  4. 一種基板處理裝置，其具備：請求項1至3中任一項之基板對齊裝置；上述基板保持部，其保持已藉由上述基板對齊裝置對齊之上述複數片基板；及液處理部，其貯存供由上述基板保持部保持之上述複數片基板浸漬之處理液。
  5. 一種基板排列裝置，其具備：請求項1至3中任一項之基板對齊裝置；上述基板保持部，其保持已藉由上述基板對齊裝置對齊之上述複數片基板；及基板排列機構，其將由上述基板保持部保持之上述複數片基板分別配置於由其他基板保持部保持之其他之複數片基板之間。
  6. 一種基板對齊裝置，其係使在周緣部具有凹口之複數片基板對齊者，其具備：旋轉部，其使以水平姿勢藉由基板保持部支撐下表面之預定之複數片基板，依次或同時於圓周方向上旋轉；記憶部，其記憶翹曲-凹口位置資訊，該翹曲-凹口位置資訊包含上述複數片基板之翹曲狀態、與上述翹曲狀態之基板由上述基板保持部保持時成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合；及控制部，其控制上述旋轉部；上述控制部基於關於上述複數片基板之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及上述翹曲-凹口位置資訊，控制上述旋轉部，使上述複數片基板依次或同時於上述圓周方向上旋轉而決定上述複數片基板 之上述凹口之上述圓周方向之位置，藉此，使由上述基板保持部保持之狀態下之上述複數片基板之各基板之上端與上述周緣部中抵接於上述基板保持部之抵接部之間的厚度方向之距離減小。
  7. 如請求項6之基板對齊裝置，其中，上述各基板係：於第1徑向上，向上述厚度方向之一側以第1曲率彎曲，於與上述第1徑向正交之第2徑向上，向上述厚度方向之上述一側以大於上述第1曲率之第2曲率彎曲。
  8. 如請求項6之基板對齊裝置，其中，上述各基板係：於第1徑向上，向上述厚度方向之一側彎曲，於與上述第1徑向正交之第2徑向上，向上述厚度方向之另一側彎曲。
  9. 一種基板對齊方法，其係使在周緣部具有凹口之複數片基板對齊者，其具備如下步驟：a)記憶翹曲-凹口位置資訊之步驟，該翹曲-凹口位置資訊包含以垂直姿勢藉由基板保持部保持下緣部之預定之複數片基板之翹曲狀態、與上述翹曲狀態之基板由上述基板保持部保持時成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合；b)使上述複數片基板依次或同時於圓周方向上旋轉之步驟；及c)於上述b)步驟之後，依次或同時決定對齊後之上述複數片基板之凹口的上述圓周方向之位置之步驟；於上述c)步驟中，基於關於上述複數片基板之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及上述翹曲-凹口位置資訊，決定上述複數片基板之各 基板之上述凹口的上述圓周方向之位置，藉此，使由上述基板保持部保持之狀態下之上述各基板之下緣部與上端之間的厚度方向之距離減小。
  10. 一種基板處理方法，其具備如下步驟：藉由請求項9之基板對齊方法將上述複數片基板對齊之步驟；藉由上述基板保持部保持已藉由上述基板對齊方法對齊之上述複數片基板之步驟；及將由上述基板保持部保持之上述複數片基板浸漬於處理液中之步驟。
  11. 一種基板排列方法，其具備如下步驟：藉由請求項9之基板對齊方法將上述複數片基板對齊之步驟；藉由上述基板保持部保持已藉由上述基板對齊方法對齊之上述複數片基板之步驟；及將由上述基板保持部保持之上述複數片基板分別配置於由其他基板保持部保持之其他的複數片基板之間之步驟。
  12. 一種基板對齊方法，其係使在周緣部具有凹口之複數片基板對齊者，其具備如下步驟：a)記憶翹曲-凹口位置資訊之步驟，該翹曲-凹口位置資訊包含以水平姿勢藉由基板保持部支撐下表面之預定之複數片基板之翹曲狀態、與上述翹曲狀態之基板由上述基板保持部保持時成為恰當姿勢之凹口位置的複數個組合之步驟；b)使上述複數片基板依次或同時於圓周方向上旋轉之步驟；及c)於上述b)步驟之後，依次或同時決定對齊後之上述複數片基板之凹口的上述圓周方向之位置之步驟； 於上述c)步驟中，基於關於上述複數片基板之翹曲狀態所輸入之輸入資訊、及上述翹曲-凹口位置資訊，決定上述複數片基板之上述凹口之上述圓周方向之位置，藉此，使由上述基板保持部保持之狀態下之上述複數片基板之各基板之上端與上述周緣部中抵接於上述基板保持部之抵接部之間的厚度方向之距離減小。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6688714B2 (ja) * 2016-09-29 2020-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板配列装置および基板配列方法
JP6862163B2 (ja) * 2016-12-09 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6751735B2 (ja) * 2018-07-25 2020-09-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7466996B2 (ja) 2020-06-01 2024-04-15 株式会社ディスコ 被加工物の搬送方法
JP2024044508A (ja) * 2022-09-21 2024-04-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2024046370A (ja) * 2022-09-22 2024-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2024047292A (ja) * 2022-09-26 2024-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060137726A1 (en) * 2004-12-24 2006-06-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP2008078544A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板整列装置
TW200836287A (en) * 2006-12-06 2008-09-01 Axcelis Tech Inc High throughput wafer notch aligner
JP2010093230A (ja) * 2008-09-12 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20120089251A1 (en) * 2003-09-10 2012-04-12 Brooks Automation, Inc. Substrate handling system for aligning and orienting substrates during a transfer operation
TW201523760A (zh) * 2013-12-02 2015-06-16 Daihen Corp 工件處理裝置、工件輸送系統

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3058289B2 (ja) * 1991-03-19 2000-07-04 日立電子エンジニアリング株式会社 ウエハのプリアライメント方式
US5511005A (en) * 1994-02-16 1996-04-23 Ade Corporation Wafer handling and processing system
TW319751B (zh) * 1995-05-18 1997-11-11 Toshiba Co Ltd
JP2001127136A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Applied Materials Inc 基板搬送ロボットの検査装置
US6591160B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-08 Asyst Technologies, Inc. Self teaching robot
TW550651B (en) * 2001-08-08 2003-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate conveying apparatus, substrate processing system, and substrate conveying method
DE60226512D1 (de) * 2002-11-26 2008-06-19 Disco Corp Kassette zum speichern mehrerer halbleiterwaferlagen
US7453160B2 (en) * 2004-04-23 2008-11-18 Axcelis Technologies, Inc. Simplified wafer alignment
JP4688637B2 (ja) * 2005-10-28 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
JP4451854B2 (ja) * 2006-03-20 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置における移載機構の制御方法
JP4863985B2 (ja) * 2007-12-20 2012-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101181560B1 (ko) 2008-09-12 2012-09-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 그것에 사용되는 기판반송장치
JP5226443B2 (ja) 2008-09-22 2013-07-03 株式会社ウインズ 半導体ウエーハ搬送用ハンド
JP5324231B2 (ja) * 2009-01-08 2013-10-23 日東電工株式会社 半導体ウエハのアライメント装置
JP2010165998A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Rorze Corp 円盤状物把持装置並びに搬送機、移載装置及び搬送方法。
CN102741993B (zh) * 2009-12-16 2016-06-22 株式会社尼康 基板支承构件、基板搬送装置、基板搬送方法、曝光装置及元件制造方法
JP5516482B2 (ja) * 2011-04-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、基板搬送装置、及び塗布現像装置
JP6208419B2 (ja) * 2012-09-19 2017-10-04 株式会社ダイヘン 算出装置、搬送ロボットシステム、及び算出方法
TWI569349B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6316082B2 (ja) * 2014-04-30 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6432458B2 (ja) * 2015-07-07 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6509103B2 (ja) * 2015-12-17 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理システム
JP6723131B2 (ja) * 2016-09-29 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120089251A1 (en) * 2003-09-10 2012-04-12 Brooks Automation, Inc. Substrate handling system for aligning and orienting substrates during a transfer operation
US20060137726A1 (en) * 2004-12-24 2006-06-29 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus
JP2008078544A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板整列装置
TW200836287A (en) * 2006-12-06 2008-09-01 Axcelis Tech Inc High throughput wafer notch aligner
JP2010093230A (ja) * 2008-09-12 2010-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW201523760A (zh) * 2013-12-02 2015-06-16 Daihen Corp 工件處理裝置、工件輸送系統

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Publication number Publication date
CN107887297A (zh) 2018-04-06
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US20180090360A1 (en) 2018-03-29
TW201814814A (zh) 2018-04-16
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