TWI733972B - 晶圓處理裝置、記錄媒體以及晶圓搬運方法 - Google Patents

晶圓處理裝置、記錄媒體以及晶圓搬運方法 Download PDF

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Abstract

一種晶圓處理裝置，包括連接至第一機器人及第二機器人之控制器。控制器係控制第一機器人，其藉由將晶圓之中心自第一裝載鎖定平台之中心移動了第一位置偏移量的方式而將晶圓放置於第一裝載鎖定平台上，並且其藉由將晶圓之中心自第二裝載鎖定平台之中心移動了第二位置偏移量的方式而將另一晶圓放置於第二裝載鎖定平台上。控制器係控制第二機器人，使得第二機器人係同時搬運位於第一裝載鎖定平台與第一處理平台之間、第二裝載鎖定平台與第二處理平台之間的兩晶圓。

Description

晶圓處理裝置、記錄媒體以及晶圓搬運方法
本發明係有關於一種用於晶圓處理之晶圓處理裝置、一種記錄媒體以及一種晶圓搬運方法。
晶圓處理裝置設有複數腔室模組。舉例而言，腔室模組設有兩反應器腔室。設有兩反應器腔室之腔室模組稱為“雙腔室模組(dual chamber module,DCM)”。設有四反應器腔室之腔室模組稱為“四腔室模組(quad chamber module,QCM)”。各反應器腔室設有處理平台。
美國第US 2012/0325148案揭露利用機械手臂將兩晶圓供應至腔室模組，此機械手臂握持兩晶圓或將兩晶圓自腔室模組進行卸載等。因考量在一腔室模組中之兩處理平台之間之位置關係是自既定位置進行偏移，美國第US 2012/0325148案更揭露先將一晶圓對準而準確地放置在一處理平台上，進而再將另一晶圓對準而準確地放置在另一處理平台上。藉由量測機械手臂上之晶圓的位置是可促成校準作業。在此方式下，兩晶圓安裝在處理平台之既定位置上。
當將晶圓引至腔室模組時，則需快速地搬運晶圓 且準確地將晶圓搬運至處理平台上之既定位置。藉由快速地搬運晶圓可增加生產率。將晶圓搬運至處理平台上之準確位置有助於一致地執行在晶圓上的處理。
然而，根據美國第US 2012/0325148案中所述之技術可知，晶圓位置是在腔室模組中以每次一晶圓的方式進行調整，並且因此而無法快速地對於晶圓進行搬運。再者，由於晶圓位置是經由延伸之機械手臂所調整，機械手臂產生振動，並且要達到振動收斂及晶圓位置達到穩定之前是需要時間的。在此方式下，搬運晶圓是需要時間的。
所實施之本發明係用於解決上述問題，並且本發明之目的在於提供晶圓處理裝置、記錄媒體以及晶圓搬運方法，藉此可同時達成晶圓之快速搬運及晶圓之準確搬運至處理平台之既定位置。
本發明之特徵及優點可總結如下。
根據本發明之一方面，晶圓處理裝置包括：第一機器人，搬運晶圓；裝載鎖定裝置，包括第一裝載鎖定平台及第二裝載鎖定平台且設置於第一機器人之移動範圍內；腔室模組，包括第一處理平台及第二處理平台；第二機器人，同時搬運位於第一裝載鎖定平台與第一處理平台之間、第二裝載鎖定平台與第二處理平台之間的兩晶圓；以及控制器，控制第一機器人將晶圓放置於第一裝載鎖定平台上，以致於晶圓之中心自第一裝載鎖定平台的中心移動了第一位置偏移量，第一位置偏移量係為第一處理平台對應於裝載鎖定裝置的位置偏移，並且將另一晶圓放置於第二裝載鎖定平台上，以致於晶圓之中心自第二裝載鎖定平台的中心移動了第二位置偏移量，第二位置偏移量係為第二處理平台對應於裝載鎖定裝置的位置偏移。
根據本發明之另一方面，電腦可讀取記錄媒體記錄程式，此程式使得電腦執行：檢查第一位置偏移量及第二位置偏移量之檢查步驟，第一位置偏移量係為第一處理平台相對於裝載鎖定裝置的位置偏移，其中裝載鎖定裝置包括第一裝載鎖定平台及第二裝載鎖定平台，第二位置偏移量係為鄰接第一處理平台設置之第二處理平台相對於裝載鎖定裝置的位置偏移；偵測晶圓之中心之晶圓中心偵測步驟；放置晶圓於第一裝載鎖定平台上及放置另一晶圓於第二裝載鎖定平台上之偏移安裝步驟，放置晶圓於第一裝載鎖定平台上，以致於晶圓之中心係自第一裝載鎖定平台之中心移動了第一位置偏移量，放置另一晶圓於第二裝載鎖定平台上，以致於晶圓之中心係自第二裝載鎖定平台之中心移動了第二位置偏移量；以及將位於第一裝載鎖定平台上的晶圓放置於第一處理平台上且同時將位於第二裝載鎖定平台上的晶圓放置於第二處理平台上之安裝步驟。
根據本發明之另一方面，晶圓搬運方法包括：檢查第一位置偏移量及第二位置偏移量之檢查步驟，第一位置偏移量係為第一處理平台相對於裝載鎖定裝置的位置偏移，其中裝載鎖定裝置包括第一裝載鎖定平台及第二裝載鎖定平台，第二位置偏移量係為鄰接第一處理平台設置之第二處理平台相對於裝載鎖定裝置的位置偏移；偵測晶圓之中心之晶圓中心偵 測步驟；放置晶圓於第一裝載鎖定平台上及放置另一晶圓於第二裝載鎖定平台上之偏移安裝步驟，放置晶圓於第一裝載鎖定平台上，以致於晶圓之中心係自第一裝載鎖定平台之中心移動了第一位置偏移量，放置另一晶圓於第二裝載鎖定平台上，以致於晶圓之中心係自第二裝載鎖定平台之中心移動了第二位置偏移量；以及將位於第一裝載鎖定平台上的晶圓放置於第一處理平台上，且同時將位於第二裝載鎖定平台上的晶圓放置於第二處理平台上之安裝步驟。
本發明之其它目的、特徵及優點將經由以下說明更完整地顯示。
1、2、3、4、5、6、7:步驟
10:設備前端模組
12:裝載埠
14:第一機器人
14a:第一末端效應器
14b:第二末端效應器
16:對準器
16a:轉動台
16b:感測器
18:對準器
18a:轉動台
18b:感測器
20:冷卻平台
30:裝載鎖定裝置
31:裝載鎖定裝置
32:第一裝載鎖定平台
34:第二裝載鎖定平台
40:晶圓處理腔室
41:致動器
42:第二機器人
42A:叉型區
42a:接頭
42B:中間區
42b:接頭
42C:底區
42c:接頭
42d:第一末端效應器
42e:第二末端效應器
44:第二機器人
50、52、54、56:腔室模組
50a:側壁區
50b:平板區
50A:第一處理平台
50B:第二處理平台
50c:升降銷
50d:加熱器
50p:凸區
50q:凸區
52A:第一處理平台
52B:第二處理平台
54A:第一處理平台
54B:第二處理平台
56A:第一處理平台
56B:第二處理平台
57:閘閥
70:控制器
70A:列表檔案
70B:電腦
70C:記錄媒體
72:主控制裝置
72A:配置檔案
80:感測器
81:半導體雷射元件
nt:缺口
OFL:定向平面
t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t9、t10、t11、t12、t13、t14、t15、t16:時間
W5:晶圓
Wa、Wb:晶圓
x1、x2:距離
y:方向
z:方向
第1圖係為根據第一實施例之晶圓處理裝置之平面圖；第2圖係為第二機器人之平面圖；第3圖係為叉型區之立體圖；第4圖係為第一處理平台之剖面圖；第5圖係為晶圓處理裝置之剖面圖；第6圖係為硬體配置圖；第7圖係為說明晶圓搬運方法之流程圖；第8圖係為說明第一末端效應器、第二末端效應器之圖式；第9圖係為說明第一末端效應器、第二末端效應器之圖式；第10圖係為說明晶圓之圖式；第11圖係為各裝置之操作之時間圖；第12圖係為說明根據第二實施例之晶圓處理裝置之圖式；第13圖係為說明根據第三實施例之晶圓處理裝置之圖式；第14圖係為說明感測器或類似物之圖式；第15圖係為根據第三實施例之晶圓處理裝置之硬體配置圖；第16圖係為根據第四實施例之第一處理平台之平面圖；以及第17圖係為根據修正例之第一處理平台之平面圖。
將配合相關所附圖式說明根據本發明之實施例之晶圓處理裝置、記錄媒體及晶圓搬運方法。相同或對應元件將指定相同標號且完全相同的說明可予以省略。
第一實施例
第1圖係為根據第一實施例之晶圓處理裝置之平面圖。此晶圓處理裝置設有設備前端模組(equipment front end module,EFEM)10。設備前端模組10設有裝載埠12及第一機器人14。晶圓傳送盒(FOUP)係放置在裝載埠12上。第一機器人14包括第一末端效應器14a及第二末端效應器14b，其中第一末端效應器14a、第二末端效應器14b係分別為用於吸附晶圓之真空吸附裝置或靜電夾頭。第一機器人14稱為前端機器人“(Front End RoBot,FERB)”。第一機器人14為可個別地移動第一末端效應器14a與第二末端效應器14b之關節型機器人。第一機器人14可搬運一或兩個晶圓。
對準器16、18係附接於設備前端模組10。對準器16設有轉動台16a及感測器16b，感測器16b偵測放置在轉動 台16a上之晶圓。對準器18設有轉動台18a及感測器18b，感測器18b偵測放置在轉動台18a上之晶圓。利用習知方法使得對準器16、18對於晶圓之中心、缺口或定向平面進行偵測。此外，設備前端模組10設有用於冷卻晶圓之冷卻平台20。
裝載鎖定裝置30係附接於設備前端模組10。裝載鎖定裝置30為真空腔室，於執行處理之前或後藉由此真空腔室對於晶圓進行裝載或卸載。閘閥係設置於裝載鎖定裝置30與設備前端模組10之間。裝載鎖定裝置30包括第一裝載鎖定平台(first load lock stage,first LLS)32及第二裝載鎖定平台(second load lock stage,second LLS)34。裝載鎖定裝置30可容納最多兩個晶圓。裝載鎖定裝置30設置於第一機器人14之移動範圍內。
晶圓處理腔室(wafer handling chamber,WHC)40係連接至裝載鎖定裝置30。晶圓處理腔室40在平面圖中具有多邊形，其中晶圓處理腔室40之側面接觸於裝載鎖定裝置30。第二機器人42、44係設置於晶圓處理腔室40中。各第二機器人42、44稱為“後端機器人(Back End RoBot,BERB)”。
第2圖係為第二機器人42、44之平面圖。由於第二機器人42、44具有相同結構，以下將僅對於第二機器人42提出說明。第二機器人42係為可同時搬運兩晶圓之雙臂晶圓處理機器人。第二機器人42設有叉型區42A、中間區42B及底區42C。叉型區42A設有第一末端效應器42d及第二末端效應器42e，其中第一末端效應器42d可握持一晶圓，第二末端效應器42e可握持另一晶圓。叉型區42A與中間區42B係經由 接頭42a而接合在一起。中間區42B與底區42C係經由接頭42b而接合在一起。此外，底區42C與致動器41係經由接頭42c而接合在一起。
第3圖係為叉型區42A之立體圖。第一末端效應器42d與第二末端效應器42e可分別握持一晶圓。第一末端效應器42d之高度相同於第二末端效應器42e。因此，經由第一末端效應器42d所握持之晶圓的高度相同於第二末端效應器42e所握持之另一晶圓的高度。只要第二機器人42、44可同時搬運晶圓，則第二機器人42、44並非特定受限於上述配置。
現在回到第1圖之說明。腔室模組(chamber modules,CMs)50、52、54及56係以一對一對應的方式分別地連接至晶圓處理腔室40之四側面。藉由閘閥自腔室模組50、52、54及56劃分出晶圓處理腔室40。各腔室模組50、52、54及56形成雙腔室模組(dual chamber module,DCM)。腔室模組50包括第一處理平台50A及第二處理平台50B。腔室模組52包括第一處理平台52A及第二處理平台52B，腔室模組54包括第一處理平台54A及第二處理平台54B，以及腔室模組56包括第一處理平台56A及第二處理平台56B。因此，四個不同的腔室模組分別包括兩處理平台。所有處理平台可為基座，其中嵌入加熱器。放置於各處理平台上之晶圓係受到處理之作用，例如膜形成或蝕刻。第1圖說明複數晶圓放置於所有處理平台之情況。
第4圖係為第一處理平台50A之剖面圖。第一處理平台50A設有側壁區50a及平板區50b。側壁區50a在平面 圖中為環狀且圍繞平板區50b。稱為“凹穴”之凹區係設置於第一處理平台50A中，並包括側壁區50a、平板區50b。晶圓Wa係容納於此凹區中。第4圖說明了晶圓Wa之左端與側壁區50a之間的距離為x1且晶圓Wa之右端與側壁區50a之間的距離為x2。於第4圖中之單點虛線指示晶圓Wa之中心位置及第一處理平台50A之中心位置。藉由將晶圓Wa之中心位置重疊於第一處理平台50A之中心位置，如此使得距離x1與距離x2一致。在晶圓Wa之中心位置重疊於第一處理平台50A之中心位置之下，使得晶圓Wa之邊緣至側壁區50a之距離是一致的。需注意的是，第一處理平台52A、54A、56A及第二處理平台50B、52B、54B、56B具有與第一處理平台50A相同之形狀。
處理平台之凹區的直徑係為側壁區之內緣的直徑。通常是將凹區的直徑設定為大於晶圓的直徑約4毫米。因此，當晶圓之中心呈現重疊於處理平台之中心時，晶圓邊緣與側壁之距離大約為2毫米。相對地，根據本發明之第一實施例之凹區的直徑係較佳地以1毫米至2毫米大於晶圓的直徑。在本例子中，當晶圓之中心呈現重疊於處理平台之中心時，晶圓邊緣與側壁之距離為0.5毫米至1毫米。當晶圓的直徑為300毫米時，於第一處理平台50A、52A、54A、56A及第二處理平台50B、52B、54B、56B內形成了具有直徑為301毫米至302毫米之凹區。
第5圖係為根據第一實施例之晶圓處理裝置之剖面圖。裝載鎖定裝置31係設置於裝載鎖定裝置30下方，裝載鎖定裝置30係疊置於裝載鎖定裝置31之上。裝載鎖定裝置31之配置係相同於裝載鎖定裝置30。因此，裝載鎖定裝置30具有第一裝載鎖定平台32及第二裝載鎖定平台34，並且裝載鎖定裝置31亦具有第一裝載鎖定平台及第二裝載鎖定平台。
第二機器人42、44同時搬運位於第一裝載鎖定平台與第一處理平台之間、第二裝載鎖定平台與第二處理平台之間的兩晶圓。舉例而言，第二機器人42、44將容置於裝載鎖定裝置30之兩晶圓搬運至腔室模組50、52、54及56中之任一者，並且將腔室模組內已經完成處理之兩晶圓搬運至裝載鎖定裝置31。
第6圖係為根據第一實施例之硬體配置圖。上述裝載埠12、第一機器人14、對準器16與18、裝載鎖定裝置30與31、第二機器人42與44、腔室模組50、52、54與56以及閘閥57係經由裝置網(DEVICE NET)而連接至控制器70。此外，其它裝置可連接至控制器70。控制器70稱為"製程模組控制器(process module controller,PMC)"或"傳輸模組控制器(transfer module controller,TMC)"。控制器70設有列表檔案70A、電腦70B及記錄媒體70C。
主控制裝置72係連接至控制器70。主控制裝置72具有配置檔案72A。配置檔案72A對於個別裝置(例如：連接至控制器70之第二機器人42、44)上之識別資訊、通訊資料大小資訊及類型資訊進行記錄。識別資訊係指分配至各裝置之“媒體存取控制位址”("MAC address")。通訊資料大小資訊係指於某裝置之輸入或輸出期間之資料大小上的資訊。類型資訊係指用於確認裝置之類型的資訊。
列表檔案70A係經由配置檔案72A轉換至控制器70(電腦)可讀取格式而獲得。基於來自主控制裝置72之指令，控制器70之電腦70B對於列表檔案70A中所述之裝置進行控制。這些“裝置”係指所有連接至裝置網(Device Net)之裝置。控制器70設有記錄媒體70C，此記錄媒體70C係記錄電腦可讀取程式。主控制裝置72係判定晶圓處理順序及程式庫，利用其自身排程器功能來處理各晶圓。根據主控制裝置72中所判定基底之處理順序及程式庫，控制器70係使得列表檔案70A中所述之裝置對於基底進行處理。
第7圖係為說明利用了根據第一實施例之使用晶圓處理裝置之晶圓搬運方法的流程圖。首先，於步驟1中對於晶圓處理裝置進行啟動。“啟動”表示對於因定期保養或故障之原因而關閉的晶圓處理裝置進行電力開啟。
其次，處理前進至步驟2。於步驟2中對於第一位置偏移量及第二位置偏移量進行檢查，此第一位置偏移量係為第一處理平台50A、52A、54A、56A相對於裝載鎖定裝置30、31的位置偏移，此第二位置偏移量係為第二處理平台50B、52B、54B、56B相對於裝載鎖定裝置30、31的位置偏移。此步驟稱為“檢查步驟”。當晶圓處理裝置完全依照所設計之相同尺寸進行製作時，第一位置偏移量與第二位置偏移量均為零。然而，實際上會在晶圓處理裝置的零件中產生些微尺寸誤差，並且尺寸誤差會使第一位置偏移量與第二位置偏移量變為顯著的數值。舉例而言，當腔室模組中之兩處理平台之間的距離偏離了設計值時，第一位置偏移量與第二位置偏移量變為顯著的數值。
舉例而言，於正交座標系統中，藉由在相對於裝載鎖定裝置30、31之參考位置下、計算第一處理平台50A、52A、54A、56A及第二處理平台50B、52B、54B、56B之位置偏移量，如此可求得第一位置偏移量與第二位置偏移量。裝載鎖定裝置30、31之參考位置係為裝載鎖定裝置30、31之任一已知位置。舉例而言，可行的方式是將第一裝載鎖定平台32之中心指定為參考位置或是將第二裝載鎖定平台34之中心指定為參考位置，或是將第一裝載鎖定平台32中心與第二裝載鎖定平台34中心之間之中間位置指定為參考位置。需注意的是，除了可適用在正交座標系統之外，並且也可適用於極座標系統。
以下為用於檢查第一位置偏移量及第二位置偏移量之特定方式的一例子。首先，當晶圓進行處理時，晶圓處理裝置係被加熱至與晶圓具有相同的溫度。舉例而言，對於八個處理平台之所有加熱器進行加熱，藉此將處理平台加熱至大約350℃。藉由所加熱之晶圓處理裝置的作用下，具有直徑符合於處理平台之凹穴直徑之專用晶圓係進入凹穴中。也就是說，八個專用晶圓係設置於第一處理平台50A、52A、54A、56A及第二處理平台50B、52B、54B、56B。隨後，專用晶圓之邊緣接觸於處理平台之側壁或是藉此手段與其接觸。在此狀態下，各專用晶圓之中心係重疊於各處理平台之中心。
此專用晶圓係藉由第二機器人42或第二機器人44而移動至裝載鎖定裝置30或裝載鎖定裝置31。於特定例子 中，第一處理平台50A與第二處理平台50B係相對於升降銷50c而降低，並且升降銷50c因此而凸出且支承晶圓。在此狀態下，第二機器人42之第一末端效應器42d吸附一晶圓Wa之後側，並且第二末端效應器42e吸附另一晶圓Wb之後側。隨後，第二機器人42係移動且將兩晶圓Wa、Wb放置在裝載鎖定裝置31之第一裝載鎖定平台32及第二裝載鎖定平台34之上。
接著，藉由第一機器人14將裝載鎖定裝置31之兩晶圓Wa、Wb移動至對準器16。在利用對準器16偵測轉動台16a之中心及專用晶圓之中心之間的偏移下，如此亦可偵測出第一、第二處理平台50A、50B之凹穴的中心與凹穴的設計中心之間的偏移量。在使用類似於此之程序下，如此可求得第一處理平台52A、54A、56A之第一位置偏移量及第二處理平台52B、54B、56B之第二位置偏移量，藉此可計算出四個第一位置偏移量及四個第二位置偏移量。
舉例而言，藉由步驟2之檢查步驟可獲得以下資料。單位為毫米。
第一處理平台50A之中心座標相對於參考位置：(0.1,-0.2)之位置偏移量。
第一處理平台52A之中心座標相對於參考位置：(0.1,0)之位置偏移量。
第一處理平台54A之中心座標相對於參考位置：(0.3,0.3)之位置偏移量。
第一處理平台56A之中心座標相對於參考位置： (-0.3,-0.5)之位置偏移量。
第二處理平台50B之中心座標相對於參考位置：(0.2,-0.1)之位置偏移量。
第二處理平台52B之中心座標相對於參考位置：(0,-0.1)之位置偏移量。
第二處理平台54B之中心座標相對於參考位置：(0.2,0.2)之位置偏移量。
第二處理平台56B之中心座標相對於參考位置：(-0.1,-0.3)之位置偏移量。
晶圓處理裝置之尺寸係依溫度而略為變動。舉例而言，相較於正常溫度期間之晶圓處理裝置之尺寸，當由鋁(Al)所形成之晶圓處理裝置被加熱至數百度時，晶圓處理裝置之尺寸會增加大約0.1毫米。因此，藉由當晶圓處理裝置被加熱時進行第一、第二位置偏移量的偵測下，如此可在晶圓處理期間得到在相同溫度環境中之第一、第二位置偏移量。
其次，處理前進至步驟3。步驟3的處理係有關對於成品晶圓之處理。於步驟3中，控制器70係首先參照晶圓處理排程、確認晶圓會被搬運至處理平台且偵測晶圓應被移動至例如第一處理平台50A。控制器70係控制第一機器人14，並且所確認晶圓係自裝載埠12移動至對準器16或對準器18。對準器16或對準器18偵測晶圓之中心以及缺口或定向平面。於特定例中，轉動台16a進行轉動，並且當晶圓進行轉動時，利用感測器16b對於晶圓進行偵測，藉以偵測對晶圓之中心以及缺口或定向平面。當然也可以利用對準器18。本步驟稱為“偵測步驟”。
其次，處理前進至步驟4。於步驟4中，第一機器人14將位於對準器16上之晶圓搬運至第一裝載鎖定平台32或第二裝載鎖定平台34。舉例而言，此例子是假定晶圓放置在第一裝載鎖定平台32上。於此例子中，第一機器人14將晶圓放置在第一裝載鎖定平台32上，其方式是以與第一處理平台50A相關之第一位置偏移量對於晶圓中心偵測步驟中所偵測的晶圓之中心自第一裝載鎖定平台32之中心進行偏移。更特別的是，晶圓是放置在第一裝載鎖定平台32上，如此晶圓之中心自第一裝載鎖定平台32之中心而偏移了(0.1,-0.2)。
在使用相同於將晶圓放置在第一裝載鎖定平台32上之程序下，同樣地將一晶圓放置在第二裝載鎖定平台34。更特別的是，控制器70係參照晶圓處理排程、確認晶圓會被搬運至處理平台且偵測晶圓會被移動至例如第二處理平台50B。所確認的晶圓係藉由第一機器人14而自裝載埠12移動至對準器16或對準器18。在對準器16或18偵測晶圓之中心、以及缺口或定向平面後，晶圓係藉由第一機器人14而放置在第二裝載鎖定平台34上。於此例子中，利用第一機器人14將晶圓放置在第二裝載鎖定平台34上，藉由與第二處理平台50B相關之第二位置偏移量對於晶圓中心偵測步驟中所偵測的晶圓之中心自第二裝載鎖定平台34中心進行偏移。更特別的是，第一機器人14將晶圓放置在第二裝載鎖定平台34上，如此晶圓之中心自第二裝載鎖定平台34之中心而偏移了(0.2,-0.1)。
因此，基於可知道晶圓是前往哪一個處理平台之目的地資訊，採用與目的處理平台相關之位置偏移量將晶圓自裝載鎖定平台之中心進行偏移後放置。因此，將晶圓中心自第一或第二裝載鎖定平台之中心偏移的晶圓搬運至第一或第二裝載鎖定平台中心的步驟稱為“偏移安裝步驟”。
其次，處理前進至步驟5。於步驟5中，第二機器人42或44用於拾取放置在第一裝載鎖定平台32上之晶圓及第二裝載鎖定平台34之晶圓，位於第一裝載鎖定平台32之上的晶圓是放置在第一處理平台50A上，並且位於第二裝載鎖定平台34之上的晶圓是同時放置在第二處理平台50B上。第二機器人係基於裝載鎖定裝置30、第一處理平台50A及第二處理平台50B之設計座標對於兩晶圓進行搬運，不需考量第一位置偏移量及第二位置偏移量。因為這個理由，藉由第二機器人的搬運變得非常簡單，亦即，如同設計可將裝載鎖定裝置30之晶圓移動至腔室模組50。
於偏移安裝步驟中，採用關於第一處理平台50A之第一位置偏移量將晶圓中心自第一裝載鎖定平台32之中心進行偏移以對於晶圓進行搬運，並且採用關於第二處理平台50B之第二位置偏移量將晶圓中心自第二裝載鎖定平台34之中心進行偏移以對於晶圓進行搬運。因此，利用第二機器人僅搬運兩晶圓至腔室模組50下，如此可使得放置在第一處理平台50A之晶圓的中心重疊於第一處理平台50A之中心，並且可使得放置在第二處理平台50B之晶圓的中心重疊於第二處理平台50B之中心。藉此可使得晶圓之邊緣與處理平台的側壁區之間的距離一致。因此，拾取放置在第一裝載鎖定平台32 上之晶圓及放置在第二裝載鎖定平台34之晶圓、同時將一晶圓放置在第一處理平台50A及另一晶圓放置在第二處理平台50B之步驟稱為“安裝步驟”。需注意的是，晶圓之中心與處理平台之中心之間的“重疊”不僅包括了字面上嚴格意義的“重疊”，並且就晶圓處理之觀點而言這些例子實質上可視為“重疊”。
第8至10圖係為說明在安裝步驟中之第二機器人42之運動之圖式。第8至10圖均說明在安裝步驟中之腔室模組50之內部之剖面圖。第8圖係為說明握持晶圓Wa之第一末端效應器42d被放置在第一處理平台50A上、握持晶圓Wb之第二末端效應器42e被放置在第二處理平台50B上之圖式。升降銷50c自第一處理平台50A垂直地延伸，且升降銷50c自第二處理平台50B垂直地延伸。舉例而言，第一處理平台50A、第二處理平台50B係分別設有三個升降銷50c。
其次，藉由使得第二機器人42降低，因此使得第一末端效應器42d及第二末端效應器42e降低。第9圖係為說明使得第一末端效應器42d及第二末端效應器42e降低、藉由升降銷50c握持晶圓Wa、Wb之圖式。當藉由升降銷50c握持晶圓Wa、Wb時，第一末端效應器42d係與晶圓Wa分離，並且第二末端效應器42e係與晶圓Wb分離。
其次，第一末端效應器42d及第二末端效應器42e係自腔室模組50退出且使得升降銷50c降低。隨後，如第10圖所示，晶圓Wa係放置在第一處理平台50A之凹穴中，並且晶圓Wb係放置在第二處理平台50B之凹穴中。由於兩晶圓係 藉由此方式而同時在安裝步驟中被放置在處理平台上，安裝步驟可快速地完成。再者，如上所述，由於藉由將晶圓自其個別位置進行偏移而放置在第一裝載鎖定平台32、第二裝載鎖定平台34上，如此可使得晶圓Wa之中心重疊於第一處理平台50A之中心，且使得晶圓Wb之中心重疊於第二處理平台50B之中心。
其次，處理前進至步驟6。舉例而言，於步驟6中，膜形成過程係適用於腔室模組50中之兩晶圓。由於在安裝步驟中係已經將晶圓之中心重疊於處理平台之中心，晶圓之邊緣與處理平台之側壁區之間的距離是一致的。因此，可以增加相對於晶圓之膜形成之一致性。
其次，處理前進至步驟7。於步驟7中，第二機器人42或第二機器人44將腔室模組50中之兩晶圓移動至裝載鎖定裝置31。再者，第一機器人14將裝載鎖定裝置31之兩晶圓回傳至裝載埠12之晶圓傳送盒。
步驟1至7中所述之一連串步驟係依序在腔室模組50、52、54及56上執行。第11圖係為各裝置之操作之時間圖。當第二機器人42或44具有高的波形時，第二機器人42或44將晶圓裝載於腔室模組50、52、54及56之中任一者上，而當第二機器人42或44具有低的波形時，第二機器人42或44將晶圓自腔室模組50、52、54及56之中任一者進行卸載。當腔室模組50、52、54或56具有高的波形時，晶圓處理是在腔室模組內進行。
於時間t1至t2期間，第二機器人42將兩晶圓同 時搬運至腔室模組50。腔室模組50內之晶圓處理於時間t2進行啟動，搬運終止於時間t2。於時間t3至t4期間，第二機器人42將兩晶圓同時搬運至腔室模組52，並且於時間t5至t6期間，第二機器人42將兩晶圓同時搬運至腔室模組54。於時間t7至t8期間，第二機器人42將兩晶圓同時搬運至腔室模組56。
於偏移安裝步驟中，預定搬運至第一處理平台52A之晶圓是被放置在第一裝載鎖定平台32上，如此將晶圓中心以(0.1,0)自第一裝載鎖定平台32之中心進行偏移；準備搬運至第二處理平台52B之晶圓是被放置在第二裝載鎖定平台34上，如此將晶圓中心以(0,-0.1)自第二裝載鎖定平台34之中心進行偏移。因此，於時間t3至t4期間，在不針對晶圓執行定心下僅簡單地將兩晶圓搬運至腔室模組52之下，藉由第二機器人42使得各晶圓的中心重疊於處理平台之中心。
於偏移安裝步驟中，預定搬運至第一處理平台54A之晶圓是被放置在第一裝載鎖定平台32上，如此將晶圓中心以(0.3,0.3)自第一裝載鎖定平台32之中心進行偏移；準備搬運至第二處理平台54B之晶圓是被放置在第二裝載鎖定平台34上，如此將晶圓中心以(0.2,0.2)自第二裝載鎖定平台34之中心進行偏移。因此，於時間t5至t6期間，在不針對晶圓執行定心下僅簡單地將兩晶圓搬運至腔室模組54之下，藉由第二機器人42使得各晶圓的中心重疊於處理平台之中心。
於偏移安裝步驟中，預定搬運至第一處理平台56A之晶圓是被放置在第一裝載鎖定平台32上，如此將晶圓中心 以(-0.3,-0.5)自第一裝載鎖定平台32之中心進行偏移；準備搬運至第二處理平台56B之晶圓是被放置在第二裝載鎖定平台34上，如此將晶圓中心以(-0.1,-0.3)自第二裝載鎖定平台34之中心進行偏移。因此，於時間t7至t8期間，在不針對晶圓執行定心下僅簡單地將兩晶圓搬運至腔室模組56之下，藉由第二機器人42使得各晶圓的中心重疊於處理平台之中心。
在藉由腔室模組50進行晶圓處理期間，直到時間t8時便完成了處理。一旦對於晶圓進行搬運，腔室模組52、54、56便開始進行晶圓處理。較佳的方式是同時利用第二機器人42、44連續對於晶圓進行搬運。在此方式下，當在一腔室模組中執行處理時，藉由對於另一腔室模組進行裝載或卸載是可增加生產率。
當腔室模組50內之晶圓處理終止於時間t9時，第二機器人42在時間t9至t10期間係將腔室模組50內之兩晶圓移動至裝載鎖定裝置31。接著，在時間t11至t12期間、完成偏移安裝步驟之下，藉由第二機器人將放置於裝載鎖定裝置30之兩晶圓同時搬運至腔室模組50。由於在時間t9至t12期間之腔室模組50內的處理是停止的，因此縮短時間t9至t12期間是有助於提高生產率。如上所述，本發明之第一實施例中之第二機器人僅用於將裝載鎖定裝置30之兩晶圓同時搬運至腔室模組，並且第二機器人並未對兩晶圓執行定心。由於第二機器人具有簡易的運動，如此可縮短時間t9至t12之所需時間。
在腔室模組52內之晶圓處理終止於時間t13。於時間t13至t14期間，第二機器人將腔室模組52之兩晶圓搬運 至裝載鎖定裝置31。接著，在時間t15至t16期間、完成偏移安裝步驟之下，藉由第二機器人將放置於裝載鎖定裝置30之兩晶圓同時搬運至腔室模組52。第二機器人僅用於將裝載鎖定裝置30之兩晶圓同時搬運至腔室模組52，並且第二機器人並未對兩晶圓執行定心。因此，藉由具有簡易運動之第二機器人可以縮短時間t13至t16之所需時間。在下文中採用類似方式將晶圓裝載於腔室模組或自腔室模組進行卸載。
在此，於時間t9至t12期間，於第二機器人42自腔室模組50進行兩晶圓之卸載時，第二機器人44搬運兩未處理晶圓至腔室模組50，藉此更可縮短時間t9至t12之期間。
在此一連串步驟中，由控制器70對於第一機器人14進行控制是重要的，在晶圓放置在第一裝載鎖定平台時可採用第一位置偏移量將晶圓之中心自第一裝載鎖定平台之中心進行偏移，並且在晶圓放置在第二裝載鎖定平台時可採用第二位置偏移量將晶圓之中心自第二裝載鎖定平台之中心進行偏移。藉由將程式記錄在電腦可讀取記錄媒體70C之中是可執行此一連串晶圓搬運順序，使得電腦70B對於程式進行讀取及執行。藉由程式使得電腦執行用於檢查第一位置偏移量與第二位置偏移量之檢查步驟、偵測晶圓之中心之晶圓中心偵測步驟、偏移安裝步驟及安裝步驟。
記錄媒體70C之例子包括非揮發性或揮發性半導體記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、快閃式記憶體、可抹除可規劃唯讀記憶體(EPROM)、電子可抹除可規劃唯讀記憶體(EEPROM)或磁碟片、軟性磁碟片、光學 碟片、光碟、迷你光碟或數位多功能光碟(DVD)。記錄媒體70C是以非暫態記錄媒體為佳。
根據本發明之第一實施例之晶圓處理裝置之重要特點為：晶圓安裝於裝載鎖定平台之上的位置是藉由對應於位置位移之數量進行偏移，處理平台係依照設計而以位置位移進行偏移，並且在不需利用第二機器人執行校準作業下是可使得處理平台之中心重疊於晶圓之中心。只要保有此一特點，上述配置及處理順序是可以進行各種不同的修正例。舉例而言，第一機器人14及第二機器人42、44之配置及操作方案是可以變更的。只要第二機器人42、44可同時搬運複數晶圓，第二機器人42、44並不會受到特定限制。舉例而言，一第二機器人可以同時搬運三個晶圓。在此例子中係針對一腔室模組提供了三處理平台。於本發明之第一實施例中提供了八個反應器，而反應器之數量可根據需求而變更。對準器的數量可為一或三或更多。腔室模組50、52、54及56並不受限於雙腔室模組(DCMs)。舉例而言，腔室模組50、52、54及56可為四腔室模組(quad chamber modules,QCMs)。於此例子中，針對一腔室模組是必須對於四位置偏移量進行檢查。
第二機器人42、44在裝載鎖定裝置30或裝載鎖定裝置31與一腔室模組之間進行往復式運動。除了此往復式運動之外，亦可增加將晶圓自一腔室模組搬運至另一腔室模組之操作。在本例子中，當兩晶圓自一腔室模組移動至另一腔室模組時，定心是需要逐一進行的。
由腔室模組50、52、54及56所執行的處理並非特定受到限制。藉由腔室模組50、52、54及56可執行電漿化學氣相沈積(plasma CVD)、熱化學氣相沈積(thermal CVD)、電漿原子層沈積(plasma ALD)、熱原子層沈積(thermal ALD)、蝕刻或紫外光硬化(UV cure)。腔室模組50、52、54及56可為蝕刻器。當腔室模組用以作為蝕刻器時，處理平台之直徑可製成小於晶圓之直徑，如此藉由晶圓覆蓋處理平台。此方式可避免電漿直接衝擊處理平台。於本例子中，處理平台之部分具有缺口，於此是預期提供缺口或定向平面，如此處理平台可藉由缺口或定向平面而不會被曝光。於晶圓中心偵測步驟中，晶圓之缺口或定向平面受到偵測，並且在偏移安裝步驟中之晶圓是放置在第一裝載鎖定平台及第二裝載鎖定平台之上，如此缺口或定向平面朝向既定方向。藉此使得處理平台之缺口的位置重疊於缺口或定向平面的位置。
這些修正例適用於根據以下實施例之晶圓處理裝置、記錄媒體或晶圓搬運方法。需注意的是，根據以下實施例之晶圓處理裝置、記錄媒體或晶圓搬運方法具有許多要點相同於第一實施例，因此說明將會聚焦於與第一實施例差異之處。
第二實施例
第12圖係為說明根據第二實施例之晶圓處理裝置之圖式。除了對準器18被移除之外，此晶圓處理裝置對應於第1圖中之晶圓處理裝置。當然，使用兩對準器之處理是比使用一對準器之處理更快。然而，當處理(例如在腔室模組50、52、54及56內之膜形成)需要很長時間時，即使是當第一機器人14將晶圓放置於裝載鎖定裝置或自裝載鎖定裝置對於晶圓進行卸載之操作需要很長時間，這些對於整體生產率並不會有影響。再者，根本不需要藉由對準器來加速處理。在本例子中，僅採用單一對準器可簡化配置。
第三實施例
第13圖係為說明根據第三實施例之晶圓處理裝置之圖式。感測器80附接於裝載鎖定裝置30。兩感測器80係沿著在設備前端模組10與第一裝載鎖定平台32之間之閘閥進行設置，並且兩感測器80係沿著在設備前端模組10與第二裝載鎖定平台34之間之閘閥進行設置。感測器80係沿著第一機器人14將晶圓自設備前端模組10裝載於裝載鎖定裝置30之上的路徑上進行設置。
第14圖係為說明感測器80或類似物之圖式。半導體雷射元件81位於感測器80下方。半導體雷射元件81沿著正z方向發射雷射光，並且藉由感測器80接收雷射光。當第一末端效應器14a沿著正y方向移動而將晶圓W5搬運至裝載鎖定裝置30時，晶圓W5阻斷由半導體雷射元件81所發射的雷射光。雷射光被晶圓所阻斷是經由雷射光未輸入感測器80所偵測。晶圓W5之中心位置可經由雷射光被晶圓阻斷時之時序所辨識。控制器70係作用為中心計算區，此中心計算區經由感測器80之資訊而計算晶圓之中心。
在此方式下，經由設備前端模組10可計算出裝載於裝載鎖定裝置之上之晶圓的中心。第15圖係為根據第三實施例之晶圓處理裝置之硬體配置圖。感測器80及半導體雷射元件81係由控制器70所控制。控制器70偵測位在一晶圓之 路徑上之兩感測器80之資訊。控制器70經由輸入感測器80之雷射光降至既定值之下之時序來計算晶圓中心。在計算晶圓中心之後的處理係在第一實施例中說明。在藉由感測器80所獲得之晶圓之中心位置的資訊的作用下，控制器70可使得第一機器人14對於晶圓進行搬運。
於第一、第二實施例中，在藉由對準器所偵測之晶圓中心的作用下，控制器70使得第一機器人14對於晶圓進行搬運。然而，第三實施例是利用感測器80取代對準器下對於晶圓中心進行偵測。相較於利用對準器計算晶圓中心，利用感測器80計算晶圓中心是可以加速處理。
在沒有對準器的情況下是無法對於晶圓之缺口或定向平面進行偵測。然而，當腔室模組作為膜形成裝置時，即使當缺口或定向平面之位置自處理平台之既定位置進行偏移，於實質上不會影響處理品質。因此，在省略對準器下，當腔室模組作為膜形成裝置時，利用感測器80可以增加生產率的情況是可預期的。
第四實施例
第16圖係為根據第四實施例之第一處理平台50A之平面圖。第一處理平台50A設有平板區50b及側壁區50a，側壁區50a係連接平板區50b且圍繞平板區50b上方之空間。因此，用於容納晶圓之凹區係在第一處理平台50A內形成。凸區50p係形成在凹區之內壁內。在平面圖中，凸區50p係在第一處理平台50A之中心而凸出。所有處理平台具有相同於第一處理平台50A之形狀為佳。
控制器70係控制第二機器人42、44，並且當晶圓被放置在第一處理平台50A之上時，控制器70使得晶圓之缺口朝向凸區50p。更特別的是，於晶圓中心偵測步驟中，控制器70首先偵測晶圓之缺口位置。藉由對準器可偵測晶圓之缺口位置。接著，於安裝步驟中，控制器70使得晶圓中心偵測步驟中所偵測之晶圓之缺口朝向凸區50p。第16圖表示晶圓Wa之缺口nt朝向凸區50p。
當被加熱之第一處理平台50A對於晶圓進行加熱及處理時，較佳的方式是將晶圓均勻加熱。然而，自環狀側壁區50a至缺口nt之距離係大於環狀側壁區50a至晶圓之非缺口部分之距離。因為這個理由，在缺口nt部分之溫度可能低於非缺口部分之溫度。
因此，於本發明之第四實施例中，凸區50p係設於第一處理平台50A中且使得凸區50p朝向缺口nt。藉此可使得自凸區50p至缺口nt的距離實質上與自側壁區50a至晶圓之非缺口部分的距離一致。上述偏移安裝步驟及安裝步驟使得晶圓之中心重疊於處理平台之中心，並且藉此可使得晶圓之溫度於實質上均勻，以及藉由將凸區50p朝向缺口nt更可增加晶圓之溫度的均勻度。當晶圓被安裝在所有處理平台時，將凸區朝向缺口是較佳的。
第17圖係為根據修正例之第一處理平台50A之平面圖。凸區50q係為凸出於第一處理平台50A之中心的部分，此凸區50q的凸出程度比環狀側壁區50a更多。凸區50q具有平面內壁。具有定向平面OFL之晶圓Wa係放置在第一處理平 台50A上。當晶圓Wa放置在第一處理平台50A上時，控制器70係控制第二機器人42、44使得晶圓之定向平面OFL朝向凸區50q。特別的是，控制器70係在晶圓中心偵測步驟中首先對於晶圓之定向平面位置進行偵測。藉由對準器亦可偵測晶圓之定向平面位置。接著，在一安裝步驟中，將晶圓中心偵測步驟中所偵測之晶圓之定向平面朝向凸區50q。第17圖係說明晶圓Wa之定向平面OFL朝向凸區50q。
至目前為止，於實施例中所述之晶圓處理裝置、記錄媒體、晶圓搬運方法之特點是可以結合以增加本發明之功效。
明顯地，根據上述教導是可以達成本發明之許多修正例及變化例。因此，除了特別地說明之外，應了解的是本發明在所附申請專利範圍之範圍內是可以實施的。
10‧‧‧設備前端模組
12‧‧‧裝載埠
14‧‧‧第一機器人
14a‧‧‧第一末端效應器
14b‧‧‧第二末端效應器
16‧‧‧對準器
16a‧‧‧轉動台
16b‧‧‧感測器
18‧‧‧對準器
18a‧‧‧轉動台
18b‧‧‧感測器
20‧‧‧冷卻平台
30‧‧‧裝載鎖定裝置
32‧‧‧第一裝載鎖定平台
34‧‧‧第二裝載鎖定平台
40‧‧‧晶圓處理腔室
42‧‧‧第二機器人
44‧‧‧第二機器人
50、52、54、56‧‧‧腔室模組
50A、52A、54A、56A‧‧‧第一處理平台
50B、52B、54B、56B‧‧‧第二處理平台
57‧‧‧閘閥
W1‧‧‧晶圓
W2‧‧‧晶圓
W3‧‧‧晶圓
W4‧‧‧晶圓
W5‧‧‧晶圓
W6‧‧‧晶圓
Wa、Wb‧‧‧晶圓

Claims (16)

  1. 一種晶圓處理裝置，包括：一第一機器人，搬運一晶圓；一裝載鎖定裝置，包括一第一裝載鎖定平台及一第二裝載鎖定平台，且設置於該第一機器人之一移動範圍內；一腔室模組，包括一第一處理平台及一第二處理平台；一第二機器人，同時搬運位於該第一裝載鎖定平台與該第一處理平台之間以及該第二裝載鎖定平台與該第二處理平台之間的兩晶圓；以及一控制器，控制該第一機器人將該晶圓放置於該第一裝載鎖定平台上，以致於該晶圓之一中心自該第一裝載鎖定平台之一中心移動了一第一位置偏移量，該第一位置偏移量係為該第一處理平台對應於該裝載鎖定裝置之一位置偏移，並且將另一晶圓放置於該第二裝載鎖定平台上，以致於該另一晶圓之一中心自該第二裝載鎖定平台之一中心移動了一第二位置偏移量，該第二位置偏移量係為該第二處理平台對應於該裝載鎖定裝置之一位置偏移。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓處理裝置，更包括一對準器，偵測該晶圓之該中心，其中該控制器係利用該對準器所偵測之該晶圓之該中心而使得該第一機器人搬運該晶圓。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述之晶圓處理裝置，更包括複數個對準器。
  4. 根據申請專利範圍第2或3項所述之晶圓處理裝置，其中 該腔室模組為一蝕刻器。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述之晶圓處理裝置，更包括：一感測器，附接於該裝載鎖定裝置，該感測器偵測裝載於該裝載鎖定裝置之上之一晶圓；以及一中心計算區，由該感測器之資訊而計算該晶圓之一中心；其中該控制器係利用該中心計算區所計算之該晶圓之該中心而使得該第一機器人搬運該晶圓。
  6. 根據申請專利範圍第5項所述之晶圓處理裝置，其中該腔室模組係為一膜形成裝置。
  7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述之晶圓處理裝置，其中該腔室模組係為雙腔室模組或四腔室模組。
  8. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述之晶圓處理裝置，其中該第二機器人包括一第一末端效應器及一第二末端效應器，該第一末端效應器及該第二末端效應器係分別握持一晶圓，以及該第一末端效應器之高度係相同於該第二末端效應器之高度。
  9. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述之晶圓處理裝置，其中具有一直徑以1毫米至2毫米大於該晶圓之一直徑之一凹區係在該第一處理平台及該第二處理平台內形成。
  10. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述之晶圓處理裝置，其中具有一直徑為301毫米至302毫米之一凹區係在該第一處理平台及該第二處理平台內形成。
  11. 根據申請專利範圍第2或3項所述之晶圓處理裝置，其中容納一晶圓之一凹區係在該第一處理平台及該第二處理平台內形成，且一凸區係形成在該凹區之一內壁內，以及當該晶圓放置在該第一處理平台及該第二處理平台上時，該控制器控制該第二機器人而使得該晶圓之一缺口或定向平面朝向該凸區。
  12. 一種電腦可讀取記錄媒體，記錄一程式，該程式使得一電腦執行：檢查一第一位置偏移量及一第二位置偏移量之一檢查步驟，該第一位置偏移量係為一第一處理平台相對於一裝載鎖定裝置的一位置偏移，其中該裝載鎖定裝置包括一第一裝載鎖定平台及一第二裝載鎖定平台，該第二位置偏移量係為鄰接該第一處理平台設置之一第二處理平台相對於該裝載鎖定裝置的一位置偏移；偵測該晶圓之一中心之一晶圓中心偵測步驟；放置一晶圓於該第一裝載鎖定平台上及放置另一晶圓於該第二裝載鎖定平台上之一偏移安裝步驟，放置該晶圓於該第一裝載鎖定平台上，以致於該晶圓之一中心係自該第一裝載鎖定平台之一中心移動了該第一位置偏移量，放置該另一晶圓於該第二裝載鎖定平台上，以致於該另一晶圓之一中心係自該第二裝載鎖定平台之一中心移動了該第二位置偏移量；以及將位於該第一裝載鎖定平台上的該晶圓放置於該第一處理平台上且同時將位於該第二裝載鎖定平台上的該另一晶圓 放置於該第二處理平台上之一安裝步驟。
  13. 一種晶圓搬運方法，包括：檢查一第一位置偏移量及一第二位置偏移量之一檢查步驟，該第一位置偏移量係為一第一處理平台相對於一裝載鎖定裝置的一位置偏移，其中該裝載鎖定裝置包括一第一裝載鎖定平台及一第二裝載鎖定平台，該第二位置偏移量係為鄰接該第一處理平台設置之一第二處理平台相對於該裝載鎖定裝置的一位置偏移；偵測該晶圓之一中心之一晶圓中心偵測步驟；放置一晶圓於該第一裝載鎖定平台上及放置另一晶圓於該第二裝載鎖定平台上之一偏移安裝步驟，放置該晶圓於該第一裝載鎖定平台上，以致於該晶圓之一中心係自該第一裝載鎖定平台之一中心移動了該第一位置偏移量，放置該另一晶圓於該第二裝載鎖定平台上，以致於該另一晶圓之一中心係自該第二裝載鎖定平台之一中心移動了該第二位置偏移量；以及將位於該第一裝載鎖定平台上的該晶圓放置於該第一處理平台上且同時將位於該第二裝載鎖定平台上的該另一晶圓放置於該第二處理平台上之一安裝步驟。
  14. 根據申請專利範圍第13項之晶圓搬運方法，其中設置複數腔室模組，各該腔室模組包括該第一處理平台及該第二處理平台，並且當該等腔室模組中之一腔室模組於進行處理時，一晶圓係裝載於該等腔室模組中之另一腔室模組之上或自該等腔室模組中之另一腔室模組卸載。
  15. 根據申請專利範圍第13或14項之晶圓搬運方法，其中在該安裝步驟中，放置在該第一處理平台上之該晶圓之該中心係重疊於該第一處理平台之該中心，並且放置在該第二處理平台上之該另一晶圓之該中心係重疊於該第二處理平台之該中心。
  16. 根據申請專利範圍第13項之晶圓搬運方法，其中在該晶圓中心偵測步驟中偵測出該晶圓之一缺口位置或定向平面位置；以及在該安裝步驟中使得在該晶圓中心偵測步驟中所偵測之該晶圓之該缺口或定向平面朝向形成於該第一處理平台之一內壁上及該第二處理平台之一內壁上之凸區。
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