JPH09213770A - 半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法 - Google Patents

半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法

Info

Publication number
JPH09213770A
JPH09213770A JP1303496A JP1303496A JPH09213770A JP H09213770 A JPH09213770 A JP H09213770A JP 1303496 A JP1303496 A JP 1303496A JP 1303496 A JP1303496 A JP 1303496A JP H09213770 A JPH09213770 A JP H09213770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
center
wafer
rotating body
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1303496A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Furuya
正明 古矢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1303496A priority Critical patent/JPH09213770A/ja
Publication of JPH09213770A publication Critical patent/JPH09213770A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、アライメント機構と冷却機構との配
置スペースを考慮して省スペース化を図るとともに、保
守作業の簡素化を得られる半導体ウエハ処理装置を提供
する。 【解決手段】真空チャンバ1の挿脱用開口部2aから半
導体ウエハW(以下、ウエハ)を挿脱するロボットハン
ド5と、真空チャンバ上部に設けられウエハを冷却する
冷却ユニット25と、所定位置から位置ずれしたまま支
持して回転するウエハ載せ台6と、ウエハのエッジ位置
を検出して載せ台中心に対するウエハ中心のずれ量とず
れ角度を検出するレーザ変位センサ15と、このセンサ
の検出信号にもとづき載せ台とともに載せ台中心にウエ
ハ中心位置を一致させる回動機能を有する第1のリフト
機構9と、このリフト機構とは干渉しない状態でウエハ
を冷却ユニットに近接して冷却させる第2のリフト機構
20とを具備した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハプロ
セスにおける半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ
処理装置におけるアライメント方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハプロセスにおいて、必要な
処理を真空チャンバで行う場合、大気中にある専用カセ
ットからロボットが半導体ウエハ(以下、単にウエハと
称する)を順次取り出して、ロードロック室を介して真
空チャンバに搬送する構成が通常である。
【0003】上記ロードロック室は、ウエハを真空チャ
ンバに搬入する際に真空雰囲気状態にされ、処理したウ
エハを元のカセット内に収容する際には、真空雰囲気か
ら大気開放される。
【0004】真空チャンバで処理するには、円板状のウ
エハの位置を正確に出す必要があり、そのためにロボッ
トなどが専用の位置決め機器で確実な位置決め(以下、
アライメントと称する)をなしてから、上記ロードロッ
ク室に搬入する。
【0005】アライメント機構として、回転機構と機械
式の爪によるセンタリング機構が用いられているが、機
械式の爪では発塵の原因となるため、センサでウエハの
位置ずれを検出した後、測定用のロボットが位置ずれ量
分だけ補正をかけて取り出す手法も提案されている。
【0006】また、ロボットの作業時間を短縮化するた
め、ロードロック室の中にアライメント機構を収容配置
する場合もある。カセットを真空チャンバ内に配置する
方式では、上記したようなロードロック室で1枚づつの
ウエハに対して大気開放と真空雰囲気に変える必要がな
いため、装置の処理の能力を向上(高スループット化)
できるが、真空中でウエハのアライメントをなす機構を
備えた専用のチャンバを用いなければならない。
【0007】真空チャンバでの処理が、ウエハの化学的
反応を得るための予備加熱など、加熱処理である場合
は、通常、合成樹脂製であるカセットに、処理したあと
の高温化したウエハをそのまま収容することができな
い。
【0008】そのため、上記真空チャンバ内にウエハ冷
却機構を備え、ここに加熱処理されたウエハを一時的に
保管して冷却し、温度を下げる必要がある。その点、ロ
ードロック室を備えたものであれば、ここでガスの切換
え作業をなし、ウエハに対する冷却も行うことができ、
先に述べたような専用の冷却機構が不要となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように、ウエハに
対するアライメント工程と冷却工程として種々の手段が
用いられているが、装置としての処理能力を向上させる
には、やはりカセットを真空チャンバ内に収納すること
が望ましい。
【0010】ただし、ウエハの位置決め機構のチャンバ
と、冷却機構のチャンバを配置すると、装置構成が複雑
化してしまう。そればかりか、真空搬送ロボットの周辺
には、これらのチャンバの他に、成膜チャンバやカセッ
トチャンバなどが配置されているので、これらロボット
やチャンバに対する保守が困難化する。
【0011】この対策として、位置決め機構と冷却機構
とを、カセットチャンバとロボットとの間に介設する構
成も提案されている。この場合は、ロボットのリーチが
極端に大きくなって、カセット内とそれらのチャンバと
の間でウエハを搬送する専用搬送機構が必要になり、装
置の大型化が避けられない。
【0012】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その第1の目的とするところは、アライメント機
構と冷却機構との配置スペースを考慮して省スペース化
を図るとともに保守作業の簡素化を得られる半導体ウエ
ハ処理装置を提供しようとするものである。
【0013】第2の目的とするところは、ロボットなど
を用いることなく、半導体ウエハの中心位置ずれと、角
度ずれを容易に補正して、処理精度の向上を図れる半導
体ウエハ処理装置におけるアライメント方法を提供しよ
うとするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を満足す
るための第1の発明の半導体ウエハ処理装置は、請求項
1として、半導体ウエハを搬送する搬送路と、この搬送
路の下方部位に配置され、搬送された半導体ウエハを支
持して、ウエハの位置ずれと角度ずれを補正するアライ
メント手段と、上記搬送路の上方部位で、かつ上記アラ
イメント手段の対向位置に配置され、上記半導体ウエハ
を冷却する冷却手段とを具備したことを特徴とする。
【0015】請求項2として、請求項1記載の上記アラ
イメント手段は、上記搬送路から搬送された半導体ウエ
ハを、その中心位置と支持方向が位置ずれしたまま支持
して回転する回転体と、この回転体の回転にもとづいて
半導体ウエハのエッジ位置を検出し、半導体ウエハの回
転体中心に対するウエハ中心位置のずれ量と、所定支持
方向とのずれ角度を検出する検出手段と、この検出手段
の検出信号にもとづき、上記回転体とともに半導体ウエ
ハを回動変位して、回転体中心に半導体ウエハ中心位置
を一致させる、回動機能を有するリフト手段とを具備し
たことを特徴とする。
【0016】請求項3として、請求項1記載の上記冷却
手段は、上記半導体ウエハに対して冷熱である輻射熱を
放出する冷却板と、この冷却板に設けられ、半導体ウエ
ハに対して冷却ガスを吹出し案内する冷却用ガス導通路
とを具備したことを特徴とする。
【0017】上記第1の目的を満足するための第2の発
明の半導体ウエハ処理装置は、請求項4として、側部に
挿脱用開口部を備えた真空チャンバと、この真空チャン
バの挿脱用開口部から、処理される半導体ウエハを挿脱
する搬送体と、上記真空チャンバの上部に設けられ、半
導体ウエハが所定の間隔を存して移載された状態で半導
体ウエハを冷却する冷却ユニットと、上記搬送路から搬
送された半導体ウエハを、所定位置から位置ずれしたま
ま支持して回転する回転体と、この回転体の回転にもと
づいて半導体ウエハのエッジ位置を検出し、半導体ウエ
ハの回転体中心に対するウエハ中心位置のずれ量と、ず
れ角度を検出する検出手段と、この検出手段の検出信号
にもとづき半導体ウエハを回動変位して、上記回転体と
ともに回転体中心に半導体ウエハ中心位置を一致させ
る、回動機能を有する第1のリフト機構と、この第1の
リフト機構とは干渉しない状態で配置され、上記搬送体
から半導体ウエハを上記冷却ユニットに近接して冷却さ
せ、再び搬送体に戻す第2のリフト機構とを具備したこ
とを特徴とする。
【0018】上記第2の目的を満足するための第3の発
明の半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法
は、請求項5として、半導体ウエハを中心位置と中心角
度がずれた状態の回転体に支持して1回転する工程と、
この半導体ウエハの回転にともなって半導体ウエハのエ
ッジを検出し、その正弦波曲線の大きさから、回転体中
心Oと補正体中心Ot とを結ぶ基準軸lに対するウエハ
中心のずれ角度αおよび、回転体中心Oとウエハ中心O
w との距離(ずれ量)δを算出する工程と、この回転体
中心Oとウエハ中心Ow との距離δを半径とし、かつ回
転体中心Oを中心とした円Eaと、あらかじめ設定され
る回転体中心Oと補正体中心Ot との距離を半径とし、
かつ補正体中心Ot を中心とした円Ebとの交点pを求
め、この交点pの基準軸lに対する角度βを算出する工
程と、上記角度βと角度αとの差を算出し、その角度
(β−α)だけ回転体を円Eaに沿って回動して、半導
体ウエハ中心Ow を上記交点pに一致させる工程と、補
正体を上昇駆動して回転体から半導体ウエハをリフト
し、しかる後、補正体を角度βだけ円Ebに沿って回動
して、半導体ウエハ中心が回転体中心と一致した位置で
下降し、半導体ウエハを回転体ウエハに支持する工程と
を有することを特徴とする。
【0019】以上のような課題を解決するための手段を
備えることにより、請求項1の発明では、搬送路を挟ん
でアライメント手段と冷却手段を上下に備えることにな
り、スペースの有効利用を図れる。
【0020】請求項2の発明では、ロボットなどを必要
とせず、回転体と、検出手段および回動機能を有するリ
フト手段との組み合わせで半導体ウエハのアライメント
補正をなす。
【0021】請求項3の発明では、加熱処理された半導
体ウエハに対して輻射熱による冷却と、冷却ガスによる
冷却を同時に、もしくは個々に行うことで、環境に適合
した有効な冷却をなす。
【0022】請求項4の発明では、真空チャンバ内に搬
送される半導体ウエハを、位置ずれと角度ずれを補正す
るアライメント補正をなし、かつこのアライメント補正
に干渉することなく半導体ウエハの冷却をなす。請求項
5の発明では、真空チャンバ内に搬送される半導体ウエ
ハを、位置ずれと角度ずれを補正するアライメント補正
をなす。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。図1は、半導体ウエハ(以下、
単にウエハと称する)Wに対する処理装置を示す。
【0024】図中1は、内部を真空化する機能を備えた
真空チャンバであり、図における左右に開口部2a,2
bを備えたフランジ3a,3bが設けられ、ここでは図
示しない他のチャンバに接続可能である。
【0025】そして、いずれか一方の開口部2aもしく
は2bを閉塞することにより、1つの開口部を備えた真
空チャンバとしても使用可能である。ここでは、それぞ
れの開口部2a,2bを介して真空チャンバ1内にウエ
ハ搬送路4が形成される。上記ウエハ搬送路4に沿って
搬送体であるロボットハンド5が用いられ、このロボッ
トハンド5が上記開口部2a,2bを搬送口として真空
チャンバ1内に出入り自在である。
【0026】すなわち、ロボットハンド5は真空チャン
バ1外部で半導体ウエハWの供給を受け、この上面にウ
エハWを支持した状態で上記開口部2a,2bから真空
チャンバ1内に挿脱自在となっている。
【0027】真空チャンバ1内には回転体を構成する円
板からなるウエハ載せ台6が配置されている。このウエ
ハ載せ台6下面部には回転軸7が連結され、この回転軸
7は真空チャンバ1の下面部1aを介して下方に突出さ
れる。回転軸7の端部には、回転駆動源8が連結され
る。
【0028】なお、上記ウエハ載せ台6の位置は、上記
ロボットハンド5の位置よりも下方部位にあり、かつ回
転軸7の真空チャンバ下面部1a貫通部は気密を保つ手
段が採用されている。上記回転駆動源8は、回転軸7の
回動角度を検出する計測機能を備えている。
【0029】真空チャンバ1内には、上記ロボットハン
ド5に支持されるウエハWを差し上げ、かつロボットハ
ンド5が真空チャンバ1から抜け出た状態で上記ウエハ
載せ台6よりも降下して、ウエハWをウエハ載せ台6に
移載する第1のリフト機構9が備えられる。
【0030】この第1のリフト機構9は、真空チャンバ
1内に位置し、その上面部に少なくとも3本以上の突き
上げピン10…が突設されるリフト板11と、このリフ
ト板11の下面部に連結され、真空チャンバ下面部1a
を貫通してチャンバ外部に突出する支軸12と、この支
軸12端部に設けられる回動源13およびエアーシリン
ダなどの伸縮駆動源14とから構成される。
【0031】すなわち、伸縮駆動源14が作動して、支
軸12およびリフト板11と突き上げピン10…を一体
に上昇駆動して、ロボットハンド5に支持されるウエハ
Wを差し上げ、再び降下駆動してウエハ載せ台6に載せ
てから載せ台よりも下方に変位するようになっている。
【0032】支軸12の真空チャンバ下面部1aを貫通
する部位は気密を保つ手段が採用されている。上記回動
源13は、上記エアーシリンダ14が支軸12などを昇
降駆動している状態で何らの関わりあいもないが、支軸
12などを周方向に回動可能である。
【0033】一方、上記真空チャンバ1は、一方の開口
部2aを挟んで、検出手段を構成する透過形のレーザ変
位センサ15が配置される。すなわち、開口部2aの上
部にレーザ発光部16が設けられ、これと開口部を介し
て配置される開口部の下部に受光部17が設けられる。
【0034】上記ウエハ載せ台11に支持されるウエハ
Wの周端部は、レーザ発光部16が発光するレーザ光を
受光部17が受光する以前に遮ぎる位置にある。そして
受光部17は、ウエハWによる遮光量を検出するように
なっている。
【0035】このようなレーザ変位センサ15は制御回
路18に電気的に接続される。上記制御回路18には、
先に説明したウエハ載せ台6の回転駆動源8や、第1の
リフト機構16の回動源13とエアーシリンダ14およ
び後述する第2のリフト機構20のエアーシリンダ21
などと電気的に接続されていて、レーザ変位センサ15
のセンサ信号にもとづく制御信号をそれぞれ送信する。
【0036】このようなウエハ載せ台6および回転軸7
を回転駆動する回転駆動源8と、第1のリフト機構9の
構成部品は、制御回路18との組み合わせでアライメン
ト手段を構成する。
【0037】上記第2のリフト機構20は、真空チャン
バ1内に位置し、その上面部に少なくとも3本以上の突
き上げピン22…が突設されるリフト板23と、このリ
フト板23の下面部に連結され、真空チャンバ下面部1
aを貫通してチャンバ外部に突出する支軸24と、この
支軸24端部に連結される上記エアーシリンダ21とか
ら構成される。
【0038】すなわち、上記突き上げピン22…がロボ
ットハンド5に支持されるウエハWを差し上げて後述す
る冷却ユニット25の至近距離に保持し、かつ再びロボ
ットハンド5に支持してから、これよりも下方に移動す
るようになっている。
【0039】第2のリフト機構20の突き上げピン22
…がウエハWを昇降駆動しているとき、ロボットハンド
5はその位置を固定して良い。このとき突き上げピン2
2がロボットハンド5に干渉しないように位置設定され
ている。
【0040】そして、第2のリフト機構20がウエハW
を支持し上昇している状態で、第1のリフト機構9がウ
エハWを支持して自由に上下移動し、互いに干渉しない
位置設定がなされている。支軸24の真空チャンバ下面
部1aを貫通する部位は、気密を保つ手段が採用されて
いる。
【0041】上記冷却ユニット25は、熱伝達率の良い
材料を用いて形成され真空チャンバ上面部1bに取付け
られる冷却板26と、この冷却板26の全周に亘って設
けられ冷却水を導通する冷却水経路27と、冷却板26
の中央部に上下方向に貫通して設けられるガス導通路2
8とから構成される。
【0042】上記冷却水経路27は、冷却板26の上面
部に設けられる継ぎ手部29に連通されていて、この継
ぎ手部には図示しないホースが接続され、冷却水供給源
に連通される。
【0043】上記ガス導通路28は、冷却板26の上面
部に設けられる継ぎ手部30に連通されていて、この継
ぎ手部には図示しないパイプが接続され、たとえばヘリ
ウムガスあるいは水素ガスなどの冷却用ガスを供給する
ガス供給源に連通される。
【0044】このようにして構成されるウエハの処理装
置であり、ロボットハンド5は処理すべきウエハWを支
持して真空チャンバ1の開口部2aからチャンバ内部へ
挿入する。図示しないセンサはこれを検知して、検知信
号を制御回路18へ送る。
【0045】制御回路18は、ロボットハンド5の停止
を待って第1のリフト機構9に上昇駆動信号を送る。こ
の突き上げピン10…はロボットハンド5の上方へ突出
し、ウエハWをロボットハンド5から差し上げる。
【0046】一旦、その状態を保持し、その間にロボッ
トハンド5は真空チャンバ1から抜け出る。タイミング
をとって第1のリフト機構9が作動し、突き上げピン1
0は降下してウエハ載せ台6よりも下方部位に至り、こ
こで下降動作を停止する。
【0047】ウエハWは、リフト機構9の突き上げピン
10からウエハ載せ台6に移載される。制御回路18は
ウエハ載せ台6に連結される回動源8に駆動信号を送
る。ウエハ載せ台6は1回転し、ウエハWの周端部はレ
ーザ変位センサ15によって検知される。
【0048】すなわち、ロボットハンド5から受け取っ
たウエハWを載せ台6に支持した状態で、載せ台6の中
心に対してウエハWの中心がずれていることは避けられ
ない。この処理装置では、ウエハWの中心位置の位置ず
れ量と、角度ずれ量を検出するばかりでなく、載せ台6
の中心にウエハWの中心を合わせるアライメント補正を
なす。
【0049】ウエハ載せ台6を1回転すると、ウエハW
の中心がずれていれば遮光量が変化し、そのずれ量に応
じた正弦波が形成される。この正弦波の位相に応じて制
御回路18に対する電圧出力がなされる。
【0050】制御回路18では、この出力データとウエ
ハ回転角度データをもとにして、載せ台6の回転軸中心
に対するウエハWの中心位置ずれの方向およびずれ量
と、角度ずれ量を算出する。
【0051】そして、算出結果から載せ台9の回動駆動
源8と第1のリフト機構9の回動源13とを後述するよ
うに制御することにより、ウエハWの中心を載せ台9の
中心に一致させるアライメント補正が行える。
【0052】一方、第2のリフト機構20は、真空チャ
ンバ1内に搬送された状態で高温化しているウエハW
を、ロボットハンド5から差し上げて冷却ユニット25
に接近保持する。
【0053】冷却板26は冷却水経路27を導通する冷
却水によって所定温度に冷却保持されており、ここに狭
小の間隙を存して接近されるウエハWは、冷却板26か
ら輻射熱(冷熱)を受けて早急に温度低下する。
【0054】なお、冷却ガスを使用して支障のない環境
下にあるときは、冷却ガスがガス導通路28に導かれて
いて、冷却板26とウエハWとの狭小の間隙に沿って導
かれる。したがって、冷却ガスはウエハWに対する熱伝
導(冷熱)を受けて、さらに温度低下する。
【0055】冷却ガスの量はわずかでよく、また、ヴェ
ルヌーイ効果により、ウエハWが冷却板26に隙間をも
って吸着する程度の流量を確保してもよい。この場合
は、ウエハWの横ずれを防止するガイド機構が必要とな
る。
【0056】ウエハWの冷却が終了すると、再びロボッ
トハンド5が真空チャンバ1内に挿入され、タイミング
をとって第2のリフト機構20が降下駆動される。ウエ
ハWは、ロボットハンド5に移載され、真空チャンバ1
外部のカセットに搬送される。真空チャンバ1内におい
てウエハWは位置補正され、かつ低温化するので、カセ
ットの正しい位置に位置決めされ、熱的悪影響を与えな
いですむ。
【0057】つぎに、図3ないし図6から、ウエハWに
対するアライメント補正について詳述する。図3(A)
に示すように、ロボットハンド5がここでは図示しない
真空チャンバ内にウエハWを搬入する。同図(B)に示
すように、第1のリフト機構9が作動して突き上げピン
10…を上昇駆動し、ウエハWをロボットハンド5から
差し上げる。このあと、ロボットハンド5は真空チャン
バから抜け出る。
【0058】同図(C)に示すように、第1のリフト機
構9は降下駆動して、ウエハWをウエハ載せ台6に移載
する。この状態で、ウエハ中心Ow は載せ台中心Oに対
してほとんど100%位置ずれをなしている。
【0059】同図(D)に示すように、ウエハ載せ台6
を1回転駆動する。ここでは図示しないウエハ変位セン
サはウエハW周端部によるレーザ遮光量を検出し、正弦
波の位相データを制御回路に送る。
【0060】図4(A)は、制御回路での演算結果にも
とづく、ウエハ中心Ow の載せ台中心Oに対する中心ず
れ方向とずれ量および回転角度ずれ量を一括して示す。
そして、同図(B)ないし(D)に算出順序に沿って説
明する。
【0061】はじめ、同図(B)に示すように、載せ台
6の回転軸中心Oと第1のリフト機構9の支軸12中心
Ot とを結ぶ線を基準線lとしたとき、ウエハ中心Ow
のずれ角度αを求める。
【0062】つぎに同図(C)に示すように、載せ台6
の回転軸中心Oと、位置ずれしているウエハの中心Ow
との距離δを算出する。同図(D)に示すように、載せ
台6の回転軸中心Oとウエハ中心Ow との距離δを半径
とし、回転軸中心Oを中心とした円Ea を描く。さら
に、上記リフト機構9の支軸中心Oを中心とした円Eb
を描く。
【0063】上記円Ea と、Eb との交点pを求め、先
に述べた基準線lに対する角度βを求める。すなわち、
ウエハ中心Ow と交点pとの間の基準線lに対する角度
(β−α)となる。
【0064】つぎに、図5(A)および(5A)に示す
ように、載せ台6を角度(β−α)だけ回動して停止す
る。ウエハの中心Ow は円Ea ,Eb の交点pに重な
り、一致する。
【0065】同図(B)に示すように、第1のリフト機
構9が作動して突き上げピン10が載せ台6より上昇し
て、載せ台6からウエハWを移載し、差し上げる。同図
(C)および(5C)に示すように、第1のリフト機構
9の支軸12を中心に角度βだけ回動変位する。このこ
とで、交点pに一致していたウエハ中心Ow は、今度は
載せ台中心Oの直上方部位に一致するよう変位する。
【0066】図6(A)に示すように、第1のリフト機
構9を降下駆動する。このとき、ウエハWの位置によっ
ては、リフト板11が載せ台6に干渉することもある
が、既に制御回路に角度βが記憶されているので、この
場合は載せ台6を通過したあとリフト板11を回動して
角度βを設定すればよい。
【0067】第1のリフト機構9を所定位置まで降下す
る途中で、ウエハWは載せ台6上に移載される。しか
も、ここまでの作用から、ウエハ中心Ow は載せ台中心
Oに完全に一致した状態で支持される。
【0068】同図(B)に示すように、制御回路は載せ
台6を回動制御して、ここでは図示しないオリフラある
いはノッチ位置を指定角度に合わせる。同図(C)に示
すように、中心位置と角度のずれ、およびオリフラある
いはノッチ位置をアライメント補正されたウエハWに対
して、ロボットハンド5が受け取りにくる。そして、真
空チャンバ外部のカセットに搬出される。
【0069】
【発明の効果】以上説明したように請求項1の発明によ
れば、半導体ウエハを搬送する搬送路の下方部位にアラ
イメント手段、上方部位で、かつアライメント手段の対
向位置に冷却手段を具備したから、配置スペースの有効
利用を図れて省スペース化を得るとともに、保守作業の
簡素化を得られるなどの効果を奏する。
【0070】請求項2の発明によれば、アライメント手
段は、回転体と、検出手段と、回動機能を有するリフト
手段とを具備したから、ロボットなどを必要とせず、効
率よく半導体ウエハのアライメント補正をなす。
【0071】請求項3の発明によれば、冷却手段は、半
導体ウエハに対して輻射熱を放出する冷却板と、冷却ガ
スを吹出し案内する冷却用ガス導通路とを具備したか
ら、加熱処理された半導体ウエハに対して輻射熱による
冷却と、冷却ガスによる冷却を同時に、もしくは個々に
行うことで、環境に適合した有効な冷却をなす。
【0072】請求項4の発明によれば、真空チャンバ内
に搬送される半導体ウエハを、回転体と、検出手段と、
第1のリフト機構とで、位置ずれと角度ずれを補正する
アライメント補正をなし、かつこのアライメント補正に
干渉することなく第2のリフト機構で半導体ウエハの冷
却をなすようにしらから、アライメント補正手段の簡素
化を図るとともに有効な冷却をなす。請求項5の発明に
よれば、半導体ウエハの位置ずれと角度ずれを、有効か
つ確実にアライメント補正をなす。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す、半導体ウエハの処
理装置の概略の構成図。
【図2】同実施の形態の、半導体ウエハに対するアライ
メント補正手段の平面図。
【図3】同実施の形態の、半導体ウエハのアライメント
補正を順に説明する図。
【図4】図3に引き続いて、半導体ウエハのアライメン
ト補正を順に説明する図。
【図5】図4に引き続いて、半導体ウエハのアライメン
ト補正を順に説明する図。
【図6】図5に引き続いて、半導体ウエハのアライメン
ト補正を順に説明する図。
【符号の説明】
W…半導体ウエハ、 5…ロボットハンド、 25…冷却ユニット、 26…冷却板、 27…冷却水循環経路、 28…ガス導通路、 6…ウエハ載せ台、 7…回転軸、 15…レーザ変位センサ、 9…第1のリフト機構、 11…リフト板、 12…支軸、 1…真空チャンバ、 2a,2b…開口部、 20…第2のリフト機構。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハを搬送する搬送路と、 この搬送路の下方部位に配置され、搬送された半導体ウ
    エハを支持して、ウエハの位置ずれと角度ずれを補正す
    るアライメント手段と、 上記搬送路の上方部位で、かつ上記アライメント手段の
    対向位置に配置され、上記半導体ウエハを冷却する冷却
    手段とを具備したことを特徴とする半導体ウエハ処理装
    置。
  2. 【請求項2】上記アライメント手段は、 上記搬送路から搬送された半導体ウエハを、その中心位
    置と支持方向が位置ずれしたまま支持して回転する回転
    体と、 この回転体の回転にもとづいて半導体ウエハのエッジ位
    置を検出し、半導体ウエハの回転体中心に対するウエハ
    中心位置のずれ量と、所定支持方向とのずれ角度を検出
    する検出手段と、 この検出手段の検出信号にもとづき、上記回転体ととも
    に半導体ウエハを回動変位して、回転体中心に半導体ウ
    エハ中心位置を一致させる、回動機能を有するリフト手
    段とを具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体
    ウエハ処理装置。
  3. 【請求項3】上記冷却手段は、上記半導体ウエハに対し
    て冷熱である輻射熱を放出する冷却板と、 この冷却板に設けられ、半導体ウエハに対して冷却ガス
    を吹出し案内する冷却用ガス導通路とを具備したことを
    特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ処理装置。
  4. 【請求項4】側部に挿脱用開口部を備えた真空チャンバ
    と、 この真空チャンバの挿脱用開口部から、処理される半導
    体ウエハを挿脱する搬送体と、 上記真空チャンバの上部に設けられ、半導体ウエハが所
    定の間隔を存して移載された状態で半導体ウエハを冷却
    する冷却ユニットと、 上記搬送路から搬送された半導体ウエハを、所定位置か
    ら位置ずれしたまま支持して回転する回転体と、 この回転体の回転にもとづいて半導体ウエハのエッジ位
    置を検出し、半導体ウエハの回転体中心に対するウエハ
    中心位置のずれ量と、ずれ角度を検出する検出手段と、 この検出手段の検出信号にもとづき半導体ウエハを回動
    変位して、上記回転体とともに回転体中心に半導体ウエ
    ハ中心位置を一致させる、回動機能を有する第1のリフ
    ト機構と、 この第1のリフト機構とは干渉しない状態で配置され、
    上記搬送体から半導体ウエハを上記冷却ユニットに近接
    して冷却させ、再び搬送体に戻す第2のリフト機構とを
    具備したことを特徴とする半導体ウエハ処理装置。
  5. 【請求項5】半導体ウエハを中心位置と中心角度がずれ
    た状態で回転体に支持して1回転する工程と、 この半導体ウエハの回転にともなって半導体ウエハのエ
    ッジを検出し、その正弦波曲線の大きさから、回転体中
    心Oと補正体中心Ot とを結ぶ基準軸lに対するウエハ
    中心のずれ角度αおよび、回転体中心Oとウエハ中心O
    w との距離(ずれ量)δを算出する工程と、 この回転体中心Oとウエハ中心Ow との距離δを半径と
    し、かつ回転体中心Oを中心とした円Eaと、あらかじ
    め設定される回転体中心Oと補正体中心Ot との距離を
    半径とし、かつ補正体中心Ot を中心とした円Ebとの
    交点pを求め、この交点pの基準軸lに対する角度βを
    算出する工程と、 上記角度βと角度αとの差を算出し、その角度(β−
    α)だけ回転体を円Eaに沿って回動して、半導体ウエ
    ハ中心Ow を上記交点pに一致させる工程と、 補正体を上昇駆動して回転体から半導体ウエハをリフト
    し、しかる後、補正体を角度βだけ円Ebに沿って回動
    して、半導体ウエハ中心が回転体中心と一致した位置で
    下降し、半導体ウエハを回転体ウエハに支持する工程と
    を有することを特徴とする半導体ウエハ処理装置におけ
    るアライメント方法。
JP1303496A 1996-01-29 1996-01-29 半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法 Pending JPH09213770A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1303496A JPH09213770A (ja) 1996-01-29 1996-01-29 半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1303496A JPH09213770A (ja) 1996-01-29 1996-01-29 半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09213770A true JPH09213770A (ja) 1997-08-15

Family

ID=11821848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1303496A Pending JPH09213770A (ja) 1996-01-29 1996-01-29 半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09213770A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312727A (ja) * 1998-02-25 1999-11-09 Anelva Corp マルチチャンバ―基板処理装置
KR101406172B1 (ko) * 2013-01-08 2014-06-12 (주)에스티아이 반도체 웨이퍼의 연속 처리 장치 및 방법
CN104111045A (zh) * 2014-04-21 2014-10-22 衢州兰玲机电科技有限公司 鼠笼式电机转子铁芯检测机
CN104111048A (zh) * 2014-04-21 2014-10-22 衢州兰玲机电科技有限公司 鼠笼式电机定子铁芯检测机
CN112530850A (zh) * 2020-12-04 2021-03-19 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室中工位位置的校准方法、半导体工艺设备
CN113467199A (zh) * 2021-09-06 2021-10-01 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种便于拆卸的防止反溅液体污染晶圆的装置
CN114783930A (zh) * 2022-06-27 2022-07-22 江苏邑文微电子科技有限公司 晶片定位设备及其控制方法
WO2023035434A1 (zh) * 2021-09-10 2023-03-16 长鑫存储技术有限公司 晶圆传送位置的调整方法、调整装置及半导体设备

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11312727A (ja) * 1998-02-25 1999-11-09 Anelva Corp マルチチャンバ―基板処理装置
CN104919583A (zh) * 2013-01-08 2015-09-16 系统科技公司 半导体晶圆的连续处理装置及方法
KR101406172B1 (ko) * 2013-01-08 2014-06-12 (주)에스티아이 반도체 웨이퍼의 연속 처리 장치 및 방법
WO2014109526A1 (ko) * 2013-01-08 2014-07-17 (주)에스티아이 반도체 웨이퍼의 연속 처리 장치 및 방법
TWI555114B (zh) * 2013-01-08 2016-10-21 系統科技公司 半導體晶圓的連續處理裝置及方法
CN104111045A (zh) * 2014-04-21 2014-10-22 衢州兰玲机电科技有限公司 鼠笼式电机转子铁芯检测机
CN104111048A (zh) * 2014-04-21 2014-10-22 衢州兰玲机电科技有限公司 鼠笼式电机定子铁芯检测机
CN112530850A (zh) * 2020-12-04 2021-03-19 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室中工位位置的校准方法、半导体工艺设备
CN113467199A (zh) * 2021-09-06 2021-10-01 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种便于拆卸的防止反溅液体污染晶圆的装置
CN113467199B (zh) * 2021-09-06 2021-11-12 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种便于拆卸的防止反溅液体污染晶圆的装置
WO2023035434A1 (zh) * 2021-09-10 2023-03-16 长鑫存储技术有限公司 晶圆传送位置的调整方法、调整装置及半导体设备
CN114783930A (zh) * 2022-06-27 2022-07-22 江苏邑文微电子科技有限公司 晶片定位设备及其控制方法
CN114783930B (zh) * 2022-06-27 2022-09-16 江苏邑文微电子科技有限公司 晶片定位设备及其控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI797087B (zh) 基板處理裝置及基板搬送方法
JP6040757B2 (ja) 搬送機構の位置決め方法、被処理体の位置ずれ量算出方法及び搬送機構のティーチングデータの修正方法
JP6422695B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5715904B2 (ja) 熱処理装置、及びこれに基板を搬送する基板搬送方法
WO2005093821A1 (ja) 縦型熱処理装置及び移載機構の自動教示方法
JP4254116B2 (ja) 位置合わせ用基板
JP4892225B2 (ja) 真空処理方法、真空搬送装置および半導体処理装置
KR20080073237A (ko) 진공 처리 장치, 진공 처리 방법 및 기억 매체
JP2010512026A (ja) 高生産性ウエハノッチアライメント装置
TW201428879A (zh) 基板處理裝置及基板運送方法
JP7474325B2 (ja) ウエハ搬送装置、およびウエハ搬送方法
JP4922915B2 (ja) 基板処理装置および基板の芯合わせ方法
JPH09213770A (ja) 半導体ウエハ処理装置および半導体ウエハ処理装置におけるアライメント方法
JP7403234B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2008251968A (ja) ウエハ処理装置の運転方法
JP3483693B2 (ja) 搬送装置,搬送方法及び処理システム
JP4386983B2 (ja) 基板処理装置、マルチチャンバー基板処理装置及び電子デバイス製作方法
KR102646567B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 위치 조정 방법
JP2002076097A (ja) ウェハ転送装置およびウェハアライメント方法
JPH0653304A (ja) 減圧処理装置
JP2002299421A (ja) ノッチ整列方法及びノッチ整列機構並びに半導体製造装置
JP4294172B2 (ja) ロードロック装置およびウェハ搬送システム
US20010041121A1 (en) Single chamber vacuum processing tool
JP5851099B2 (ja) 真空処理装置の運転方法
JP5031960B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法