JP2018041962A - 電磁波シールドフィルム - Google Patents
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- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
Abstract
【課題】保護フィルムを剥離した後のシールドプリント配線板を素手で取り扱う場合においても、保護フィルムが除去された絶縁層に指紋が付着した箇所での、変色による外観が損なわれることを無くすることにより、歩留まりの低下が生じにくい電磁波シールドフィルムを提供する。
【解決手段】電磁波シールドフィルムは、絶縁層１１０と、導電層１２０とを備える。絶縁層１１０は、表面における三次元算術平均表面粗さＳａが０．８μｍ以上である。
【選択図】図１
【解決手段】電磁波シールドフィルムは、絶縁層１１０と、導電層１２０とを備える。絶縁層１１０は、表面における三次元算術平均表面粗さＳａが０．８μｍ以上である。
【選択図】図１
Description
本発明は、電磁波シールドフィルムに関する。
近年、スマートフォン及びタブレット型情報端末等において、大容量のデータを高速に伝送する性能が求められている。大容量のデータを高速伝送するためには高周波信号を用いる必要がある。しかし、高周波信号を用いると、プリント配線板に設けられた信号回路から電磁波ノイズが発生し、周辺機器が誤動作しやすくなる。このような誤動作を防止するために、プリント配線板を電磁波からシールドすることが重要となる。
プリント配線板をシールドするために、絶縁層と、シールド層とを有する電磁波シールドフィルムを、プリント配線板に加熱加圧して貼り付けてシールドプリント配線板を得る方法が検討されている（例えば、特許文献１を参照。）。
電磁波シールドフィルムの絶縁層表面には、絶縁層を傷や異物から保護するために、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂等で形成された保護フィルムが貼られている。保護フィルムは、電磁波シールドフィルムをプリント配線板に貼り付けた後剥離される。保護フィルムを剥離するまでは、絶縁層の表面は保護されており、シールドプリント配線板を素手で取り扱うことができる。
しかしながら、保護フィルムを剥離した後のシールドプリント配線板を素手で取り扱うと、保護フィルムが除去された絶縁層に指紋が付着するおそれがある。指紋が付着した箇所は、変色して外観が損なわれるため、歩留まりが低下するという問題がある。
絶縁層に指紋が付着しても、電磁波をシールドする特性にほとんど影響はない。このため、付着した指紋による絶縁層の変色を抑えることができれば、シールドプリント配線板の歩留まり低下を抑えることができる。付着した指紋による絶縁層の変色を抑える方法として、指紋を除去することが考えられる。指紋の除去には一般的に洗剤や溶剤が用いられる。しかし、電磁波シールドフィルムの絶縁層の場合、シールドプリント配線板の電気的特性に影響を与えるおそれがあり、洗剤や溶剤を用いることはできない。
また、従来の電磁波シールドフィルムの場合、指紋を拭き取ろうとして不織布等で表面をこすると、表面の状態が局所的に変化し、かえって変色の度合いが大きくなってしまう。また、大きな力を加えて表面をこすると、絶縁層がシールド層から剥離して電磁波シールドフィルムが破損するおそれがある。
本開示の課題は、指紋の拭き取りによる変色が生じにくい電磁波シールドフィルムを実現できるようにすることである。
本開示の電磁波シールドフィルムの第１の態様は、絶縁層と、導電層とを備え、絶縁層は、表面における三次元算術平均表面粗さＳａが０．８μｍ以上である。
電磁波シールドフィルムの第１の態様において、絶縁層は、表面における８５°光沢度が２０以下とすることができる。
本開示の電磁波シールドフィルムの第２の態様は、絶縁層と、導電層とを備え、絶縁層は、表面における二乗平均平方根傾斜Ｓｄｑが０．８以上で且つ８５°光沢度が１０以下である。
本開示の電磁波シールドフィルムの第３の態様は、絶縁層と、導電層とを備え、絶縁層は、表面におけるスキューネスＳｓｋが０．１以上で且つ８５°光沢度が１０以下である。
電磁波シールドフィルムの各態様において、絶縁層は、Ｌ＊値が２５以下とすることができる。
本開示の電磁波シールドフィルムによれば、指紋の拭き取りによる変色を生じにくくすることができる。
以下、本発明の電磁波シールドフィルムについて具体的に説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
（電磁波シールドフィルム）
図１は、本実施形態の電磁波シールドフィルムを模式的に示す概略断面図である。図１に示すように、電磁波シールドフィルムは、絶縁層１１０と、導電層であるシールド層１２０とを有する。シールド層１２０における絶縁層１１０と反対側の面には、必要に応じて接着剤層１３０を設けることができる。接着剤層１３０を設けることにより、電磁波シールドフィルムを容易にプリント配線板に貼り合わせることができる。
図１は、本実施形態の電磁波シールドフィルムを模式的に示す概略断面図である。図１に示すように、電磁波シールドフィルムは、絶縁層１１０と、導電層であるシールド層１２０とを有する。シールド層１２０における絶縁層１１０と反対側の面には、必要に応じて接着剤層１３０を設けることができる。接着剤層１３０を設けることにより、電磁波シールドフィルムを容易にプリント配線板に貼り合わせることができる。
−絶縁層−
絶縁層１１０は、シールド層を保護するために設けられる。本実施形態の電磁シールドフィルムにおいて絶縁層１１０は、表面性状を表すパラメータである三次元算術平均表面粗さＳａが０．８μｍ以上、好ましくは１．０μｍ以上である。Ｓａを０．８μｍ以上とすれば、指紋の拭き取りによる変色がほとんど生じない表面を有する絶縁層とすることができる。ここでいう、指紋の拭き取りによる変色がほとんど生じない表面とは、指紋が付着した部分をワイピングクロス等で拭くことにより、肉眼により指紋が付着していない部分との判別が困難な状態となる表面である。
絶縁層１１０は、シールド層を保護するために設けられる。本実施形態の電磁シールドフィルムにおいて絶縁層１１０は、表面性状を表すパラメータである三次元算術平均表面粗さＳａが０．８μｍ以上、好ましくは１．０μｍ以上である。Ｓａを０．８μｍ以上とすれば、指紋の拭き取りによる変色がほとんど生じない表面を有する絶縁層とすることができる。ここでいう、指紋の拭き取りによる変色がほとんど生じない表面とは、指紋が付着した部分をワイピングクロス等で拭くことにより、肉眼により指紋が付着していない部分との判別が困難な状態となる表面である。
また、指紋の成分の実際の除去性という観点から、Ｓａは１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。また、Ｓａをある程度小さくした方が、後述する剥離フィルムを絶縁層から剥離しやすくするという利点も得られる。
指紋の拭き取りによる変色の度合いは、指紋を拭き取った後の絶縁層１１０の表面を肉眼で観察する官能評価により定性的に評価することができる。また、表面の光沢度の変化により定量的に評価することができる。定量的に評価する方法として、指紋を付着させて拭いた後の絶縁層１１０の表面における８５°光沢度を測定する方法を用いることができる。この場合には、指紋を付着させて拭いた後の８５°光沢度が好ましくは２０以下、より好ましくは１０以下であれば、指紋を拭いた跡を肉眼で識別することが困難となる。また、他の定量的な評価方法として、指紋を付着させて拭いた後の絶縁層１１０の表面における光沢度と、指紋を付着させる前の光沢度との差を測定する方法を用いることもできる。すなわち、指紋を付着させて拭いた後の絶縁層１１０の表面における光沢度と、指紋を付着させる前の光沢度との差が小さい方が、指紋の拭き取りによる変色の度合いが小さい。例えば、８５°光沢度の場合、指紋を付着させて拭いた後の光沢度と、指紋を付着させる前の光沢度との光沢度差が好ましくは４以下、より好ましくは３以下であれば、指紋が付着していない部分と、指紋を拭いた部分との肉眼による識別が困難となる。
本実施形態の電磁波シールドフィルムにおいて、絶縁層１１０の表面におけるＳａ以外の表面性状のパラメータは、指紋の拭き取りによる変色を生じにくくする観点から以下のようにすることができる。二乗平均平方根傾斜Ｓｄｑは、好ましくは０．８以上であり、より好ましくは０．９５以上である。指紋が付着した箇所は、付着していない箇所と比べて光を反射しやすくなり、指紋付着部分が大きく目立つことになる。そして、絶縁層１１０の表面の色調が黒色でＬ＊値が小さいほど、指紋付着部分が大きく目立つ傾向にある。それに対して、Ｓｄｑがある程度大きいと、適度に光を散乱させ易い表面とすることができ、指紋の付着による反射の増大を抑えることができる。特に、Ｌ＊値が２５以下の場合に、Ｓｄｑを大きくすることが、指紋付着部分を目立たなくするために有効である。
また、後述する剥離フィルムを絶縁層から剥離しやすくする観点から、Ｓｄｑは１０以下であることが好ましく、７．０以下がより好ましく、３．０以下であることがより好ましい。
スキューネスＳｓｋは、好ましくは０．１以上であり、より好ましくは０．５以上、さらに好ましくは１．０以上である。Ｓｓｋは、凹凸面において平均面を基準とした凸部と凹部の対称性を示し、Ｓｓｋが大きいほど平均面を基準とした凸部の成分が少なくなり、凸部以外の部分（谷部及び平坦部）が相対的に増加する。このため、Ｓｓｋをある程度大きくすることにより指紋を拭き取りやすくすることができる。
また、Ｓｓｋがさらに大きくなると、絶縁層の表面における凸部分が増大し、剥離フィルムが当該凸部分に引っかかるおそれがある。このため、Ｓｓｋは、剥離フィルムを絶縁層から剥離しやすくする観点から、好ましくは１０以下、より好ましくは５．０以下、さらに好ましくは３．０以下である。
また、最大山高さＳｐは、好ましくは８．０μｍ以上である。二乗平均平方根偏差Ｓｑは、好ましくは１．０μｍ以上であり、より好ましくは１．２μｍ以上であり、さらに好ましくは１．３μｍ以上である。突出山部高さＳｐｋは、好ましくは１．０μｍ以上であり、より好ましくは１．５μｍ以上であり、さらに好ましくは１．７μｍ以上である。コア部の空隙容積Ｖｖｃは、好ましくは１．１ｍｌ／ｍ２以上であり、より好ましくは１．３ｍｌ／ｍ２以上である。山部の実体体積Ｖｍｐは、好ましくは０．０７ｍｌ／ｍ２以上であり、より好ましくは０．０８ｍｌ／ｍ２以上であり、さらに好ましくは０．１ｍｌ／ｍ２以上である。
また、Ｓｐは２０μｍ以下であることが好ましく、１８μｍ以下がより好ましく、１５μｍ以下であることがさらに好ましい。Ｓｑは、１０μｍ以下であることが好ましく、５．０μｍ以下がより好ましく、３．０μｍ以下であることがさらに好ましい。Ｓｐｋは、１０μｍ以下であることが好ましく、５．０μｍ以下がより好ましく、３．０μｍ以下であることがさらに好ましい。Ｖｖｃは、１０ｍｌ／ｍ2以下であることが好ましく、５．０ｍｌ／ｍ2以下がより好ましく、３．０ｍｌ／ｍ2以下であることがさらに好ましい。Ｖｍｐは、１．０ｍｌ／ｍ2以下であることが好ましく、０．５ｍｌ／ｍ2以下がより好ましく、０．３ｍｌ／ｍ2以下であることがさらに好ましい。Ｓｐ、Ｓｐｋ、Ｖｖｃ、Ｖｍｐがそれぞれ上記数値範囲であると、後述する剥離フィルムを絶縁層から剥離しやすくする効果が期待できる。
また、Ｓａにより規定するのではなく、他のパラメータにより、指紋の拭き取りによる変色を生じにくい表面を規定することもできる。例えば、指紋の拭き取りによる変色を生じにくい表面とするためには、平均面を基準とした凸部が占める割合が小さく、かつ凸部の高さが高い表面が好ましいと考えられる。従って、Ｓｐが７．０μｍ以上、好ましくは８．０μｍ以上で且つＳｓｋが０以上、好ましくは０．１以上とすることができる。また、Ｓｐが７．０μｍ以上、好ましくは８．０μｍ以上で且つＳｄｑが０．８以上、好ましくは０．９以上とすることができる。また、Ｓｑが１．０μｍ以上で且つＳｓｋが０以上、好ましくは０．１以上とすることができる。また、Ｓｑが１．０μｍ以上、好ましくは１．２μｍ以上で且つＳｄｑが０．８以上、好ましくは０．９以上とすることができる。また、Ｓｐｋが１．０μｍ以上 で且つＳｓｋが０以上、好ましくは０．１以上とすることができる。また、Ｓｐｋが１．０μｍ以上、好ましくは１．５μｍ以上で且つＳｄｑが０．８以上、好ましくは０．９以上とすることができる。
また、Ｓｐが２０μｍ、好ましくは１８μｍ以下で且つＳｓｋが１０以下、好ましくは５以下とすることができる。また、Ｓｐが２０μｍ以下、好ましくは１８μｍ以下で且つＳｄｑが１０以下、好ましくは３．０以下とすることができる。また、Ｓｑが１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下で且つＳｓｋが１０以下、好ましくは５．０以下とすることができる。また、Ｓｑが１０μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下で且つＳｄｑが１０以下、好ましくは３．０以下とすることができる。また、Ｓｐｋが１０μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下で且つＳｓｋが１０以下、好ましくは５．０以下とすることができる。また、Ｓｐｋが１０μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下で且つＳｄｑが１０以下、好ましくは３．０以下とすることができる。このような範囲とすることにより、剥離フィルムを絶縁層から剥離しやすくなるという効果も期待できる。
なお、本開示における表面性状は、ＩＳＯ ２５１７８−６：２０１０に基づいて測定される値であり、具体的な測定方法は実施例にて説明する。
絶縁層１１０は、指紋が付着する前の６０°光沢度が好ましくは３以下であり、より好ましくは２以下であり、さらに好ましくは１以下である。また、８５°光沢度が、好ましくは２０以下であり、より好ましくは１５以下であり、さらに好ましくは１０以下であり、さらにより好ましくは５以下であり、さらにより好ましくは３以下である。
指紋が付着する前の光沢度をこのような値とすることにより、絶縁層１１０の表面において適度の光の散乱が生じ、光沢感が適度に抑制される。これにより、指紋の拭き取りによる変色をより生じにくくできる。
特に、絶縁層１１０の指紋が付着する前の６０°光沢度が好ましくは３以下、より好ましくは２以下、さらに好ましくは１以下であり、且つ８５°光沢度が好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下であり、さらに好ましくは１０以下であり、さらにより好ましくは５以下であり、さらにより好ましくは３以下とすることにより、指紋の拭き取りによる変色が非常に生じにくい表面とすることができる。
なお、本開示における６０°光沢度及び８５°光沢度は、実施例において示す方法により測定することができる。
特に、Ｓｄｑが０．８以上、好ましくは０．９以上で且つ８５°光沢度が１０以下、好ましくは５以下、より好ましくは３以下とすることにより、指紋の拭き取りによる変色を生じにくくすることができる。
また、Ｓｓｋが０より大きく、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上で且つ８５°光沢度が１０以下、好ましくは５以下、より好ましくは３以下とすることにより、指紋の拭き取りによる変色を生じにくくすることができる。
本開示において、絶縁層１１０を得る方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、エンボス加工によって凹凸形状を付与した剥離フィルムの表面に絶縁層１１０を形成する樹脂組成物を塗布、乾燥させることで、剥離フィルムの凹凸形状を絶縁層１１０に転写する方法を用いることができる。シールド層１２０の表面に凹凸形成用粒子を含む樹脂組成物を塗布、乾燥して凹凸形状を有する絶縁層１１０を形成する方法を用いることができる。絶縁層１１０の表面にドライアイス等を吹き付ける方法を用いることができる。シールド層１２０の表面に活性エネルギー線硬化性組成物を塗付した後に凹凸形状を有する鋳型を押し付けて該硬化性組成物層を硬化させ、鋳型を剥離する方法を用いることができる。この他の公知の方法を用いることもできる。
これらの中でも、生産性の観点から、凹凸形成用粒子を含む樹脂組成物を塗布、乾燥して凹凸形状を有する絶縁層１１０を得る方法が好ましい。この場合、凹凸形成用粒子は特に限定されないが、例えば、樹脂微粒子又は無機微粒子を使用することができる。樹脂微粒子は、アクリル樹脂微粒子、ポリアクリロニトリル微粒子、ポリウレタン微粒子、ポリアミド微粒子、及びポリイミド微粒子等とすることができる。また、無機微粒子は、炭酸カルシウム微粒子、珪酸カルシウム微粒子、クレー、カオリン、タルク、シリカ微粒子、ガラス微粒子、珪藻土、雲母粉、アルミナ微粒子、酸化マグネシウム微粒子、酸化亜鉛微粒子、硫酸バリウム微粒子、硫酸アルミニウム微粒子、硫酸カルシウム微粒子、及び炭酸マグネシウム微粒子等とすることができる。これらの、樹脂微粒子及び無機微粒子は単独で使用することも、複数を組み合わせて使用することもできる。絶縁層の耐擦傷性を高める観点からは、無機微粒子が好ましい。
凹凸形成用粒子は、絶縁層１１０の表面に適度な凹凸を生じさせ、所定の表面性状を得る観点から、５０％平均粒子径が２μｍ以上であることが好ましく、４μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、絶縁層の白色化を抑えるために、５０％平均粒子径が３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。
絶縁層１１０への凹凸形成用粒子の添加量は、所定の表面性状を得る観点から３質量％以上とすることが好ましく、５質量％以上とすることがより好ましい。また、絶縁層の白色化を抑える観点から３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１７質量％以下であることがさらに好ましい。
絶縁層１１０には、黒色系着色剤を添加することができる。黒色系着色剤を添加することにより、絶縁層１１０のＬ＊値を小さくし、絶縁層の表面に印字されるマーキング（文字、図形等）の視認性を向上させることができる。絶縁層１１０に印字するマーキングが白色の場合には、Ｌ＊値を２５以下とすることが好ましく、２０以下とすることがより好ましく、１８以下とすることがより好ましい。なお、本開示におけるＬ＊値はＪＩＳ Ｚ ８７８１−４（２０１３）に準拠して測定することができる。
黒色系着色剤は、黒色顔料又は、複数の顔料を減色混合して黒色化した混合顔料等とすることができる。黒色顔料は、例えばカーボンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、ペリレンブラック、チタンブラック、鉄黒、及びアニリンブラック等のいずれか又はこれらの組み合わせとすることができる。混合顔料は、例えば赤色、緑色、青色、黄色、紫色、シアン及びマゼンタ等の顔料を混合して用いることができる。
黒色系着色剤の粒径は、必要とするＬ＊値を実現できればよいが、分散性及びＬ＊値の低減等の観点から平均一次粒子径が２０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることが好ましい。黒色系着色剤の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により５万倍〜１００万倍程度に拡大した画像から観察できる２０個程度の一次粒子の平均値から求めることができる。
Ｌ＊値を小さくする観点から、絶縁層１１０への黒色系着色剤の添加量は、０．５質量％以上とすることが好ましく、１質量％以上とすることがより好ましい。但し、黒色系着色剤は必要に応じて添加すればよく、添加しなくてもよい。
なお、印字の視認性には、光沢度も影響を与える。印字の視認性の観点からも、絶縁層１１０の６０°光沢度は、好ましくは３以下、より好ましくは２以下、さらに好ましくは１以下である。また、８５°光沢度は、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下であり、さらに好ましくは１０以下であり、さらにより好ましくは５以下であり、さらにより好ましくは３以下である。
絶縁層１１０は、必要とされる絶縁性を有していると共に、所定の機械的強度、耐薬品性及び耐熱性を満たすことが好ましい。
絶縁層を構成する樹脂材料は、十分な絶縁性を有していれば特に限定されないが、例えば熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、及び活性エネルギー線硬化性組成物等を用いることができる。
熱可塑性樹脂組成物としては、特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、及びアクリル系樹脂組成物等を用いることができる。熱硬化性樹脂組成物としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、及びアルキッド系樹脂組成物等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの組成物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、絶縁層１１０には、上記の微粒子及び着色剤の他に、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等が含まれていてもよい。
絶縁層１１０の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、シールド層を十分に保護する観点から、１μｍ以上であることが好ましく、４μｍ以上であることがより好ましい。また、電磁波シールドフィルムの屈曲性を確保する観点から、２０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましい。
−シールド層−
本実施形態のシールド層１２０は、金属層とすることができる。シールド層１２０は、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛のいずれか、又はこれらを２つ以上含む合金等からなる金属層を用いることができる。また、金属層の材質及び厚さは、必要とする電磁波シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよい。十分な電磁波シールド効果を得る観点から、金属層の厚さは０．１μｍ以上とすることが好ましい。また、生産性及び屈曲性等の観点から８μｍ以下とすることが好ましい。なお、金属層は、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、及びメタルオーガニック等により形成することができる。また、金属層は、金属箔、金属ナノ粒子、及び鱗片状金属粒子等により形成することもできる。
本実施形態のシールド層１２０は、金属層とすることができる。シールド層１２０は、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛のいずれか、又はこれらを２つ以上含む合金等からなる金属層を用いることができる。また、金属層の材質及び厚さは、必要とする電磁波シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよい。十分な電磁波シールド効果を得る観点から、金属層の厚さは０．１μｍ以上とすることが好ましい。また、生産性及び屈曲性等の観点から８μｍ以下とすることが好ましい。なお、金属層は、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、及びメタルオーガニック等により形成することができる。また、金属層は、金属箔、金属ナノ粒子、及び鱗片状金属粒子等により形成することもできる。
−接着剤層−
本実施形態の電磁波シールドフィルムは、シールド層１２０の絶縁層１１０と反対側に接着剤層１３０を備えていてもよい。接着剤層１３０は、接着性の樹脂組成物により形成することができる。接着性樹脂組成物は特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、アミド系樹脂組成物、及びアクリル系樹脂組成物等の熱可塑性樹脂組成物、並びにフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、アルキッド系樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物等を用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の電磁波シールドフィルムは、シールド層１２０の絶縁層１１０と反対側に接着剤層１３０を備えていてもよい。接着剤層１３０は、接着性の樹脂組成物により形成することができる。接着性樹脂組成物は特に限定されないが、スチレン系樹脂組成物、酢酸ビニル系樹脂組成物、ポリエステル系樹脂組成物、ポリエチレン系樹脂組成物、ポリプロピレン系樹脂組成物、イミド系樹脂組成物、アミド系樹脂組成物、及びアクリル系樹脂組成物等の熱可塑性樹脂組成物、並びにフェノール系樹脂組成物、エポキシ系樹脂組成物、ウレタン系樹脂組成物、メラミン系樹脂組成物、アルキッド系樹脂組成物等の熱硬化性樹脂組成物等を用いることができる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
接着剤層１３０は、必要に応じて等方導電性又は異方導電性を有する層とすることができる。接着剤層１３０を、等方又は異方導電性を有する層とする場合には、接着性の樹脂組成物に導電性の微粒子を添加すればよい。
導電性の微粒子は、特に限定されないが、金属微粒子、カーボンナノチューブ、炭素繊維、金属繊維等を使用することができる。例えば、銀粉、銅粉、ニッケル粉、ハンダ粉、及びアルミニウム粉等の金属微粒子を用いることができる。また、銅粉に銀メッキを施した銀コート銅粉、及び高分子微粒子やガラスビーズ等を金属で被覆した金属被覆微粒子等を用いることもできる。中でも、経済性の観点から、安価に入手できる銅粉又は銀コート銅粉が好ましい。
導電性粒子の５０％平均粒子径は、特に限定されないが、良好な導電性を得る観点から０．５μｍ以上が好ましい。また、導電性接着剤層を薄くする観点から１５μｍ以下とすることが好ましい。
導電性粒子の形状は、特に限定されないが、球状、扁平状、リン片状、及びデンドライト状等から適宜選択することができる。
接着剤層１３０の厚さは、必要に応じて調整することができるが、良好な接着性を得る観点から０．５μｍ以上とすることが好ましい。また、電磁波シールドフィルムを薄くする観点から２０μｍ以下とすることが好ましい。
電磁波シールドフィルムが、絶縁層１１０と、シールド層１２０と接着剤層１３０と有している構成について説明したが、図２に示すように、絶縁層１１０と等方導電性接着剤層１４０とを有する構成とすることもできる。
絶縁層１１０は、図１に示す電磁波シールドフィルムと同様の構成とすることができる。等方導電性接着剤層１４０は、接着剤層１３０と同様の接着性の樹脂組成物及び導電性微粒子により形成することができる。等方導電性接着剤層１４０はシールド層として機能する。
−シールドフィルムの製造方法−
本実施形態の電磁波シールドフィルムは、公知の製造方法により製造することができる。以下にその一例を示す。
本実施形態の電磁波シールドフィルムは、公知の製造方法により製造することができる。以下にその一例を示す。
先ず、表面を離型処理した支持体フィルム（剥離フィルム）の上に、導電性を有する接着剤層１３０を形成する。具体的には、接着剤層１３０を構成する材料を含む接着剤層組成物の溶液を支持体フィルムの表面に塗布乾燥して接着剤層１３０を形成する。
次に、接着剤層１３０の表面にシールド層１２０を形成する。具体的には、予め所定の厚さに形成した金属箔を接着剤層１３０に貼り合わせる方法や、接着剤層１３０の表面に蒸着又はめっき等により金属層を形成する方法を用いることができる。
次に、シールド層１２０の表面に絶縁層１１０を形成する。具体的には、絶縁層１１０を構成する材料を含む絶縁層組成物の溶液をシールド層１２０の表面に塗布乾燥する方法を用いることができる。
この後、支持体フィルムを剥離することにより、電磁波シールドフィルムを得ることができる。
なお、接着剤層１３０を等方導電性接着剤層１４０とし、等方導電性接着剤層１４０の表面に絶縁層１１０を形成することもできる。
絶縁層１１０の表面における表面性状を所定の状態とするために、絶縁層１１０の表面にサンドブラスト等の処理を行うこともできる。
接着剤層１３０側から形成する例を示したが、絶縁層１１０側から順次形成することもできる。この場合、微細パターンを有する支持体フィルムを用い、絶縁層１１０の表面に微細パターンを転写することにより、絶縁層１１０の表面性状を所定の状態とすることもできる。
以下、実施例によって本発明を詳細に説明する。なお、以下の実施例は例示であり、本発明を何ら限定しない。
＜電磁波シールドフィルムの作製＞
−接着剤層の作製−
固形分量が２０質量％となるように、トルエンにビスフェノールＡ型エポキシ系樹脂（三菱化学製、ｊＥＲ１２５６）を１００質量部、硬化剤（三菱化学製、ＳＴ１４）を０．１質量部、デンドライト状の銀コート銅粉（平均粒子径１３μｍ）２５質量部を添加し、撹拌混合して導電性の接着剤層組成物を調製した。得られた接着剤層組成物を、表面を離型処理したＰＥＴフィルムに塗布し、加熱乾燥することで、支持フィルム表面に接着剤層を形成した。
−接着剤層の作製−
固形分量が２０質量％となるように、トルエンにビスフェノールＡ型エポキシ系樹脂（三菱化学製、ｊＥＲ１２５６）を１００質量部、硬化剤（三菱化学製、ＳＴ１４）を０．１質量部、デンドライト状の銀コート銅粉（平均粒子径１３μｍ）２５質量部を添加し、撹拌混合して導電性の接着剤層組成物を調製した。得られた接着剤層組成物を、表面を離型処理したＰＥＴフィルムに塗布し、加熱乾燥することで、支持フィルム表面に接着剤層を形成した。
−シールド層の作製−
得られた接着剤層の表面に、厚さ２μｍの圧延銅箔を貼り合わせた。
得られた接着剤層の表面に、厚さ２μｍの圧延銅箔を貼り合わせた。
−絶縁層の作製−
固形分量が２０質量％となるように、トルエンにビスフェノールＡ型エポキシ系樹脂（三菱化学製、ｊＥＲ１２５６）を１００質量部、硬化剤として（三菱化学製、ＳＴ１４）を０．１質量部、黒色系着色剤としてカーボン粒子（東海カーボン製、トーカブラック＃８３００／Ｆ）を１５質量部、及び所定の凹凸形成用粒子を所定量配合し、絶縁層組成物を調製した。この組成物を、得られたシールド層に塗布し、加熱乾燥して電磁波シールドフィルムを得た。
固形分量が２０質量％となるように、トルエンにビスフェノールＡ型エポキシ系樹脂（三菱化学製、ｊＥＲ１２５６）を１００質量部、硬化剤として（三菱化学製、ＳＴ１４）を０．１質量部、黒色系着色剤としてカーボン粒子（東海カーボン製、トーカブラック＃８３００／Ｆ）を１５質量部、及び所定の凹凸形成用粒子を所定量配合し、絶縁層組成物を調製した。この組成物を、得られたシールド層に塗布し、加熱乾燥して電磁波シールドフィルムを得た。
＜特性評価方法＞
［絶縁層の表面性状の測定］
コンフォーカル顕微鏡（Lasertec社製、OPTELICS HYBRID、対物レンズ２０倍）を用いて、電磁波シールドフィルムの絶縁層の表面の任意の５か所を測定した後、データ解析ソフト（LMeye7）を用いて表面の傾き補正を行い、ＩＳＯ ２５１７８−６：２０１０に準拠して表面性状を測定し、その算術平均を得た。なお、Ｓフィルタのカットオフ波長は０．００２５ｍｍ、Ｌフィルタのカットオフ波長は０．８ｍｍとした。
［絶縁層の表面性状の測定］
コンフォーカル顕微鏡（Lasertec社製、OPTELICS HYBRID、対物レンズ２０倍）を用いて、電磁波シールドフィルムの絶縁層の表面の任意の５か所を測定した後、データ解析ソフト（LMeye7）を用いて表面の傾き補正を行い、ＩＳＯ ２５１７８−６：２０１０に準拠して表面性状を測定し、その算術平均を得た。なお、Ｓフィルタのカットオフ波長は０．００２５ｍｍ、Ｌフィルタのカットオフ波長は０．８ｍｍとした。
［Ｌ＊値の測定］
積分球分光測色計（Ｘ−Ｒｉｔｅ社製、Ｃｉ６４、タングステン光源）を用いてＬ＊値を測定した。なお、ａ＊値及びｂ＊値についても測定した。
積分球分光測色計（Ｘ−Ｒｉｔｅ社製、Ｃｉ６４、タングステン光源）を用いてＬ＊値を測定した。なお、ａ＊値及びｂ＊値についても測定した。
［指紋による変色の評価］
直径２．５ｃｍのゴム栓の表面を、＃２４０の研磨紙で荒らした。次いで、ＰＥＴフィルムの表面に、人工垢液（ＪＩＳ Ｃ９６０６：伊勢久製）を５μＬ滴下し、上記ゴム栓の荒らした面を人工垢液に押し付けた（５００ｇ荷重、１０秒間）。次いで、人工垢液が付着したゴム栓を、絶縁層の表面に押し付け（５００ｇ荷重、１０秒間）、人工垢液を付着させた。次いで、不織布（日本製紙クレシア製、ワイプオールＸ７０）を約３ｃｍ角のサイズに切り出して人工垢液の上に載せ、５００ｇ荷重で２０往復させ（片道距離＝１０ｃｍ）、拭き取りを行った。拭き取り後の８５°光沢度の値から人工垢液を付着させる前の８５°光沢度の値を引いた値を８５°光沢度差とした。６０°光沢度及び８５°光沢度は、ＢＹＫガードナー・マイクロ−グロス（携帯型光沢計）を用いて測定した。
直径２．５ｃｍのゴム栓の表面を、＃２４０の研磨紙で荒らした。次いで、ＰＥＴフィルムの表面に、人工垢液（ＪＩＳ Ｃ９６０６：伊勢久製）を５μＬ滴下し、上記ゴム栓の荒らした面を人工垢液に押し付けた（５００ｇ荷重、１０秒間）。次いで、人工垢液が付着したゴム栓を、絶縁層の表面に押し付け（５００ｇ荷重、１０秒間）、人工垢液を付着させた。次いで、不織布（日本製紙クレシア製、ワイプオールＸ７０）を約３ｃｍ角のサイズに切り出して人工垢液の上に載せ、５００ｇ荷重で２０往復させ（片道距離＝１０ｃｍ）、拭き取りを行った。拭き取り後の８５°光沢度の値から人工垢液を付着させる前の８５°光沢度の値を引いた値を８５°光沢度差とした。６０°光沢度及び８５°光沢度は、ＢＹＫガードナー・マイクロ−グロス（携帯型光沢計）を用いて測定した。
（実施例１）
絶縁層に加える凹凸形成用粒子として、平均粒子径７μｍのシリカ粒子を用い、配合量は４０質量部とした。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．０２μｍ、Ｓｄｑは１．２６、Ｓｓｋは２．２２であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１．１、指紋拭き取り後の６０°光沢度は５．２であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．５、指紋拭き取り後の８５°光沢度は１．９であり、８５°光沢度差は０．４であった。Ｌ＊値は、２１．３であった。
絶縁層に加える凹凸形成用粒子として、平均粒子径７μｍのシリカ粒子を用い、配合量は４０質量部とした。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．０２μｍ、Ｓｄｑは１．２６、Ｓｓｋは２．２２であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１．１、指紋拭き取り後の６０°光沢度は５．２であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．５、指紋拭き取り後の８５°光沢度は１．９であり、８５°光沢度差は０．４であった。Ｌ＊値は、２１．３であった。
（実施例２）
凹凸形成用粒子の配合量を、５０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．１８μｍ、Ｓｄｑは１．２６、Ｓｓｋは２．２１であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は６．７であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．８、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２．４であり、８５°光沢度差は０．６であった。Ｌ＊値は、２０．１であった。
凹凸形成用粒子の配合量を、５０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．１８μｍ、Ｓｄｑは１．２６、Ｓｓｋは２．２１であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は６．７であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．８、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２．４であり、８５°光沢度差は０．６であった。Ｌ＊値は、２０．１であった。
（実施例３）
凹凸形成用粒子の配合量を、３５質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．３１μｍ、Ｓｄｑは０．９５、Ｓｓｋは１．４７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１．８であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．７、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２．５であり、８５°光沢度差は０．８であった。Ｌ＊値は、２０．１であった。
凹凸形成用粒子の配合量を、３５質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．３１μｍ、Ｓｄｑは０．９５、Ｓｓｋは１．４７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１．８であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．７、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２．５であり、８５°光沢度差は０．８であった。Ｌ＊値は、２０．１であった。
（実施例４）
凹凸形成用粒子として、平均粒子径９μｍのシリカ粒子を用い、配合量を４０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．９２μｍ、Ｓｄｑは１．３８、Ｓｓｋは３．１０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は２．１、指紋拭き取り後の６０°光沢度は６．１であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は２．１、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２．６であり、８５°光沢度差は０．５であった。Ｌ＊値は、２３．５であった。
凹凸形成用粒子として、平均粒子径９μｍのシリカ粒子を用い、配合量を４０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．９２μｍ、Ｓｄｑは１．３８、Ｓｓｋは３．１０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は２．１、指紋拭き取り後の６０°光沢度は６．１であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は２．１、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２．６であり、８５°光沢度差は０．５であった。Ｌ＊値は、２３．５であった。
（実施例５）
凹凸形成用粒子の配合量を、５０質量部とした以外は、実施例４と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．９２μｍ、Ｓｄｑは１．０２、Ｓｓｋは２．５３であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は４．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．７、指紋拭き取り後の８５°光沢度は３．２であり、８５°光沢度差は１．５であった。Ｌ＊値は、２４．３であった。
凹凸形成用粒子の配合量を、５０質量部とした以外は、実施例４と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．９２μｍ、Ｓｄｑは１．０２、Ｓｓｋは２．５３であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は４．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１．７、指紋拭き取り後の８５°光沢度は３．２であり、８５°光沢度差は１．５であった。Ｌ＊値は、２４．３であった。
（実施例６）
凹凸形成用粒子として、平均粒子径５μｍのシリカ粒子を用い、配合量を７０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．０５μｍ、Ｓｄｑは０．９２、Ｓｓｋは０．８０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は２．４であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は４．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６．３であり、８５°光沢度差は１．７であった。Ｌ＊値は、２３．６であった。
凹凸形成用粒子として、平均粒子径５μｍのシリカ粒子を用い、配合量を７０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．０５μｍ、Ｓｄｑは０．９２、Ｓｓｋは０．８０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は２．４であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は４．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６．３であり、８５°光沢度差は１．７であった。Ｌ＊値は、２３．６であった。
（実施例７）
凹凸形成用粒子として、平均粒子径７μｍのシリカ粒子を用い、配合量を６０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．１１μｍ、Ｓｄｑは１．１２、Ｓｓｋは１．４６であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．４、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３．８、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６．５であり、８５°光沢度差は２．７であった。Ｌ＊値は、２１．９であった。
凹凸形成用粒子として、平均粒子径７μｍのシリカ粒子を用い、配合量を６０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは１．１１μｍ、Ｓｄｑは１．１２、Ｓｓｋは１．４６であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．４、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３．８、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６．５であり、８５°光沢度差は２．７であった。Ｌ＊値は、２１．９であった。
（比較例１）
凹凸形成用粒子として、平均粒子径２μｍのシリカ粒子を用い、配合量を６０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．５７μｍ、Ｓｄｑは０．８０、Ｓｓｋは０．０７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．８、指紋拭き取り後の６０°光沢度は２．２であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１６．８、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２６．７であり、８５°光沢度差は９．９であった。Ｌ＊値は、２４．４であった。
凹凸形成用粒子として、平均粒子径２μｍのシリカ粒子を用い、配合量を６０質量部とした以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．５７μｍ、Ｓｄｑは０．８０、Ｓｓｋは０．０７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．８、指紋拭き取り後の６０°光沢度は２．２であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１６．８、指紋拭き取り後の８５°光沢度は２６．７であり、８５°光沢度差は９．９であった。Ｌ＊値は、２４．４であった。
（比較例２）
凹凸形成用粒子の配合量を６５質量部とした以外は、比較例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．６６μｍ、Ｓｄｑは０．９０、Ｓｓｋは−０．２２であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は３．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１５．９、指紋拭き取り後の８５°光沢度は３０．４であり、８５°光沢度差は１４．５であった。Ｌ＊値は、２１．９であった。
凹凸形成用粒子の配合量を６５質量部とした以外は、比較例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．６６μｍ、Ｓｄｑは０．９０、Ｓｓｋは−０．２２であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は０．５、指紋拭き取り後の６０°光沢度は３．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は１５．９、指紋拭き取り後の８５°光沢度は３０．４であり、８５°光沢度差は１４．５であった。Ｌ＊値は、２１．９であった。
（比較例３）
凹凸形成用粒子を含まない絶縁層組成物を調製した。これを、支持体フィルムの表面に塗布し、乾燥硬化させ、絶縁層を得た。支持体フィルムは、エンボス加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．６０、Ｓｄｑ＝０．６１）を付与した、厚さ２０μｍの離型処理したＰＥＴフィルムとした。次に、絶縁層を実施例１と同様にして作製したシールド層に貼り合わせた後、支持体フィルムを剥離して電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．５８μｍ、Ｓｄｑは０．６５、Ｓｓｋは−０．７８であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は４．２、指紋拭き取り後の６０°光沢度は９．１であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３４．０、指紋拭き取り後の８５°光沢度は４２．８であり、８５°光沢度差は８．８であった。Ｌ＊値は、２５．３であった。
凹凸形成用粒子を含まない絶縁層組成物を調製した。これを、支持体フィルムの表面に塗布し、乾燥硬化させ、絶縁層を得た。支持体フィルムは、エンボス加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．６０、Ｓｄｑ＝０．６１）を付与した、厚さ２０μｍの離型処理したＰＥＴフィルムとした。次に、絶縁層を実施例１と同様にして作製したシールド層に貼り合わせた後、支持体フィルムを剥離して電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．５８μｍ、Ｓｄｑは０．６５、Ｓｓｋは−０．７８であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は４．２、指紋拭き取り後の６０°光沢度は９．１であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３４．０、指紋拭き取り後の８５°光沢度は４２．８であり、８５°光沢度差は８．８であった。Ｌ＊値は、２５．３であった。
（比較例４）
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．６μｍ、Ｓｄｑ＝０．４７）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．５９μｍ、Ｓｄｑは０．４９、Ｓｓｋは−０．８５であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は７．６、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１３．３であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３８．７、指紋拭き取り後の８５°光沢度は４８．０であり、８５°光沢度差は９．３であった。Ｌ＊値は、２８．２であった。
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．６μｍ、Ｓｄｑ＝０．４７）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．５９μｍ、Ｓｄｑは０．４９、Ｓｓｋは−０．８５であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は７．６、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１３．３であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３８．７、指紋拭き取り後の８５°光沢度は４８．０であり、８５°光沢度差は９．３であった。Ｌ＊値は、２８．２であった。
（比較例５）
支持体フィルムとして、サンドマット加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４７μｍ、Ｓｄｑ＝０．５９）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４５μｍ、Ｓｄｑは０．５８、Ｓｓｋは−０．２５であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は５．４、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１１．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は２６．１、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５１．０であり、８５°光沢度差は２４．９であった。Ｌ＊値は、２７．２であった。
支持体フィルムとして、サンドマット加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４７μｍ、Ｓｄｑ＝０．５９）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４５μｍ、Ｓｄｑは０．５８、Ｓｓｋは−０．２５であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は５．４、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１１．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は２６．１、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５１．０であり、８５°光沢度差は２４．９であった。Ｌ＊値は、２７．２であった。
（比較例６）
支持体フィルムとして、サンドマット加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４５μｍ、Ｓｄｑ＝０．５６）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４５μｍ、Ｓｄｑは０．５４、Ｓｓｋは−０．６０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は９．２、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１６．６であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３０．４、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５４．７であり、８５°光沢度差は２４．３であった。Ｌ＊値は、２７．２であった。
支持体フィルムとして、サンドマット加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４５μｍ、Ｓｄｑ＝０．５６）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４５μｍ、Ｓｄｑは０．５４、Ｓｓｋは−０．６０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は９．２、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１６．６であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３０．４、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５４．７であり、８５°光沢度差は２４．３であった。Ｌ＊値は、２７．２であった。
（比較例７）
支持体フィルムとして、サンドマット加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．５１μｍ、Ｓｄｑ＝０．５５）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４９μｍ、Ｓｄｑは０．５５、Ｓｓｋは−０．３７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は８．６、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１６．７であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は２１．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５６．７であり、８５°光沢度差は３５．１であった。Ｌ＊値は、２７．２であった。
支持体フィルムとして、サンドマット加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．５１μｍ、Ｓｄｑ＝０．５５）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４９μｍ、Ｓｄｑは０．５５、Ｓｓｋは−０．３７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は８．６、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１６．７であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は２１．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５６．７であり、８５°光沢度差は３５．１であった。Ｌ＊値は、２７．２であった。
（比較例８）
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４３μｍ、Ｓｄｑ＝０．４０）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４２μｍ、Ｓｄｑは０．３８、Ｓｓｋは−１．１９であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１１．７、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１７．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は５２．４、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５８．９であり、８５°光沢度差は６．５であった。Ｌ＊値は、２７．９であった。
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４３μｍ、Ｓｄｑ＝０．４０）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４２μｍ、Ｓｄｑは０．３８、Ｓｓｋは−１．１９であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１１．７、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１７．９であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は５２．４、指紋拭き取り後の８５°光沢度は５８．９であり、８５°光沢度差は６．５であった。Ｌ＊値は、２７．９であった。
（比較例９）
絶縁層に加える粒子として、平均粒子径５μｍのシリカ粒子を用い、配合量を４０質量部とした以外は実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４９μｍ、Ｓｄｑは０．７４、Ｓｓｋは−０．７７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１．０、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１９．８であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３３．２、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６１．０であり、８５°光沢度差は２７．８であった。Ｌ＊値は、２２．０であった。
絶縁層に加える粒子として、平均粒子径５μｍのシリカ粒子を用い、配合量を４０質量部とした以外は実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４９μｍ、Ｓｄｑは０．７４、Ｓｓｋは−０．７７であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は１．０、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１９．８であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は３３．２、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６１．０であり、８５°光沢度差は２７．８であった。Ｌ＊値は、２２．０であった。
（比較例１０）
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．３６μｍ、Ｓｄｑ＝０．３６）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．３５μｍ、Ｓｄｑは０．３６、Ｓｓｋは−０．３１であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は６．９、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１２．１であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は５８．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６３．０であり、８５°光沢度差は４．４であった。Ｌ＊値は、２６．３であった。
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．３６μｍ、Ｓｄｑ＝０．３６）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．３５μｍ、Ｓｄｑは０．３６、Ｓｓｋは−０．３１であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は６．９、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１２．１であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は５８．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は６３．０であり、８５°光沢度差は４．４であった。Ｌ＊値は、２６．３であった。
（比較例１１）
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４６μｍ、Ｓｄｑ＝０．６５）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４３μｍ、Ｓｄｑは０．６２、Ｓｓｋは−０．４０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は２．４、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１６．６であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は４２．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は７１．８であり、８５°光沢度差は２９．２であった。Ｌ＊値は、２８．２であった。
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．４６μｍ、Ｓｄｑ＝０．６５）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．４３μｍ、Ｓｄｑは０．６２、Ｓｓｋは−０．４０であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は２．４、指紋拭き取り後の６０°光沢度は１６．６であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は４２．６、指紋拭き取り後の８５°光沢度は７１．８であり、８５°光沢度差は２９．２であった。Ｌ＊値は、２８．２であった。
（比較例１２）
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．３１μｍ、Ｓｄｑ＝０．５８）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．３４μｍ、Ｓｄｑは０．５５、Ｓｓｋは−０．４８であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は４．３、指紋拭き取り後の６０°光沢度は３０．２であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は６４．２、指紋拭き取り後の８５°光沢度は８０．６であり、８５°光沢度差は１６．４であった。Ｌ＊値は、２４．４であった。
（比較例１３）
支持体フィルムとして、エンボス加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝１．５μｍ、Ｓｄｑ＝４．８９）を付与したＰＥＴフィルムを用いた以外は比較例３と同様にして、支持体フィルムの表面に絶縁層を塗布し乾燥硬化した。次に、絶縁層を実施例１と同様にして作製したシールド層に貼り合わせた。次いで、支持体フィルムを剥離しようとしたところ、支持体フィルムと絶縁層とが強固に貼りつき、一部において絶縁層／シールド層の界面破壊が生じた。界面破壊が見られなかった絶縁層表面のＳａは１．３μｍ、Ｓｄｑは３．６、Ｓｓｋは−１．６０であった。
支持体フィルムとして、シリカ微粒子を配合して表面に凹凸形状（Ｓａ＝０．３１μｍ、Ｓｄｑ＝０．５８）を付与したものを用いた以外は比較例３と同様にして電磁波シールドフィルムを得た。得られた電磁波シールドフィルムの絶縁層表面のＳａは０．３４μｍ、Ｓｄｑは０．５５、Ｓｓｋは−０．４８であった。人工垢液付着前の６０°光沢度は４．３、指紋拭き取り後の６０°光沢度は３０．２であった。人工垢液付着前の８５°光沢度は６４．２、指紋拭き取り後の８５°光沢度は８０．６であり、８５°光沢度差は１６．４であった。Ｌ＊値は、２４．４であった。
（比較例１３）
支持体フィルムとして、エンボス加工によって表面に凹凸形状（Ｓａ＝１．５μｍ、Ｓｄｑ＝４．８９）を付与したＰＥＴフィルムを用いた以外は比較例３と同様にして、支持体フィルムの表面に絶縁層を塗布し乾燥硬化した。次に、絶縁層を実施例１と同様にして作製したシールド層に貼り合わせた。次いで、支持体フィルムを剥離しようとしたところ、支持体フィルムと絶縁層とが強固に貼りつき、一部において絶縁層／シールド層の界面破壊が生じた。界面破壊が見られなかった絶縁層表面のＳａは１．３μｍ、Ｓｄｑは３．６、Ｓｓｋは−１．６０であった。
各実施例及び比較例の電磁波シールドフィルムの表面性状及び変色の評価を表１に示す。表１には、Ｓｐ、Ｓｑ、Ｓｐｋ、Ｖｖｃ、Ｖｍｐ、ａ＊及びｂ＊の値も示す。
図３にはＳｄｑと８５°光沢度との関係を示す。少なくともＳｄｑが０．８以上で且つ８５°光沢度が１０以下の場合には、光沢度差が４以下となり、指紋の拭き取りによる変色が生じにくい。
図４には、Ｓｓｋと８５°光沢度との関係を示す。少なくともＳｓｋが０．１以上で且つ８５°光沢度が１０以下の場合には、光沢度差が４以下となり、指紋の拭き取りによる変色が生じにくい。
本開示の電磁波シールドフィルムは、指紋の拭き取りによる変色を生じにくくすることができ、プリント配線板等に用いる電磁波シールドフィルムとして有用である。
１１０ 絶縁層
１２０ シールド層
１３０ 接着剤層
１４０ 等方導電性接着剤層
１２０ シールド層
１３０ 接着剤層
１４０ 等方導電性接着剤層
Claims (5)
- 絶縁層と、シールド層とを備え、
前記絶縁層は、表面における三次元算術平均表面粗さＳａが０．８μｍ以上である、電磁波シールドフィルム。 - 前記絶縁層は、表面における８５°光沢度が２０以下である、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
- 絶縁層と、シールド層とを備え、
前記絶縁層は、表面における二乗平均平方根傾斜Ｓｄｑが０．８以上で且つ８５°光沢度が１０以下である、電磁波シールドフィルム。 - 絶縁層と、シールド層とを備え、
前記絶縁層は、表面におけるスキューネスＳｓｋが０．１以上で且つ８５°光沢度が１０以下である、電磁波シールドフィルム。 - 前記絶縁層は、Ｌ＊値が２５以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルム。
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