TWI384940B

TWI384940B - Electromagnetic wave shielding filter

Info

Publication number: TWI384940B
Application number: TW095106452A
Authority: TW
Inventors: Tetsuya Ojiri; Fumihiro Arakawa; Yukihiro Kyoden
Original assignee: Dainippon Printing Co Ltd
Priority date: 2005-02-25
Filing date: 2006-02-24
Publication date: 2013-02-01
Also published as: TW200638860A; JPWO2006090820A1; JP4560084B2; DE112006000453T5; WO2006090820A1; US20070291463A1; US7485814B2; KR20070105313A

Description

電磁波遮蔽濾波片

本發明是關於具有透光性之電磁波遮蔽濾波片。

用來遮蔽由PDP(電漿顯示器面板)、CRT(陰極射線管)顯示器等的各種顯示器所產生的電磁波，已知有配置在顯示器前面之電磁波遮蔽濾波片。用在這樣的用途之電磁波遮蔽濾波片，要有電磁波遮蔽性能還要有透光性。因而，已知有基材使用樹脂薄膜或玻璃等電絕緣性透明基材，且經過金屬箔的蝕刻或金屬電鍍，在該透明基材上，形成具備導電性的網目層之電磁波遮蔽濾波片。

另外，如上述利用銅箔或銅電鍍層來形成網目層的情況，反射外部光等的不必要的光之金屬光澤會使透視畫像的明室對比降低，所以網目層的該表面用黑化層來覆蓋，形成為外觀黑色的黑化處理面，防止光反射(日本專利文獻1、日本專利文獻2)。此時，經過黑化處理之黑化處理面，針對要有很高的黑化度又要有良好的光反射防止性能的這點，最好是規定該表面粗細度。例如，將表面粗細度Ra規定在0.10~1.00 μ m的範圍(參考日本專利文獻1)、將JIS B0601所規定的算術平均粗細度Ra規定在0.02~1.00 μ m的範圍(參考日本專利文獻2)等。

〔專利文獻1〕日本專利特開2000－286594號公報(〔0022〕~〔0025〕)〔專利文獻2〕日本專利特開2000－318596號公報(〔0030〕)

然則，電磁波遮蔽濾波片通常極少是網目層直接曝露在空氣中的構造，為了保護網目層或附加光學濾波功能，而以覆蓋網目層的方式來設置透明樹脂層。因而，網目層在透明樹脂層側的黑化處理面，成為密合積疊有透明樹脂層並為所謂以該透明樹脂層來浸濕的狀態。故而，該黑化處理面呈現與曝露時不相同的外觀(將此仿照表面被液體浸濕時的顏色，稱為「濡濕色」)。另外，看起來像該濡濕色的現象，在透明基材上積疊了將該透明基材側作為黑化處理面之網目層的構成中，有關該網目層的成為透明基材側之黑化處理面也是同樣，成為濡濕色。

因此，通常所使用的構成中，黑化處理面的外觀，直接影響該濡濕色，如同上述僅規定算數平均粗細度Ra，則會有無法充分顯現黑化處理的黑化度的情形。

即是本發明之目的是提供，具有對於防止光反射優越的黑化處理面之電磁波遮蔽濾波片。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其特徵為：備有由網目狀的導電性材料所組成之網目層，在網目層的至少其中一方的面形成具有微小凹凸之黑化處理面，黑化處理面之微小凹凸的形狀係持有從最大峰頂高度Rp到最大谷底深度Rv的高度設為水平軸，表示高度的分布之概率密度設為縱軸時的曲線所呈現之概率密度曲線具有向上方突出之尖峰點，且在於該尖峰點具有水平切線之形狀。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其中，網目層是用透明基材來支撐。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其中，在網目層上設有透明樹脂層。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其中，在網目層之透明基材側的面及與透明基材相反側的面，形成黑化處理面。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其中，也在網目層的側面，形成黑化處理面。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其中，微小凹凸的概率密度曲線，位在尖峰點的高度P為Rp及Rv的中間值高度M附近。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其中，微小凹凸的概率密度曲線為：(| P－M |/Rp－Rv)×100≦12。

本發明的電磁波遮蔽濾波片，其中，微小凹凸的平均表面粗細度Ra，在於0.10~1.00 μ m的範圍。

這種構成，具有黑化處理面之各個微小凹凸的高度分布，成為不集中在一點並持有擴散之分布。因而，針對利用微小凹凸的面來增加光的投入，或防止光反射這點，即使在於濡濕色的狀態下，仍達到優越的黑化處理面。

另外，首先，即使網目層的機械強度很弱的情況，透明基材成為網目層的支持體並增加電磁波遮蔽濾波片全體上的機械強度，而能成為易於使用，再者，網目層之透明基材側的面成為具有上述所要的微小凹凸之黑化處理面的情況，對於因透明基材本身或是將該透明基材與網目層黏合之透明黏合劑層等接觸到該黑化處理面而成為濡濕色之該黑化處理面，針對防止光反射的這點則具優越性。

再者，首先能夠利用該透明樹脂層，來保護透明樹脂層下之網目層的黑化處理面受到腐蝕或刮傷等。另外，透明樹脂層下之網目層的黑化處理面因接觸該透明樹脂層而成為濡濕色，不過對於成為濡濕色之黑化處理面，針對防止光反射則具優越性。

(1)依據本發明的電磁波遮蔽濾波片，針對防止光反射的這點，即使在於濡濕色的狀態下，仍達到優越的黑化處理面。

(2)進一步若為將網目層積疊在電絕緣性的透明基材上之構成，則增加機械強度而易於使用。

(3)另外，若是在網目層的黑化處理面上積疊透明樹脂層，則能夠保護該黑化處理面，又會提高用透明樹脂層來成為濡濕色之該黑化處理面的黑色程度。

以下，參照圖面來說明用來實施本發明的最佳形態。

(圖面解說)

第1圖為表示輪廓曲線的概率密度函數ADF及使該函數平滑之曲線(概率密度曲線Adc)；第1(A)圖為表示符合本發明的曲線形狀，第1(B)圖為表示比較例的曲線形狀。

第2圖為表示輪廓曲線(粗度曲線R)及由該曲線所形成的粗度曲線之概率密度函數ADF、及粗度曲線的負荷曲線BAC(累積曲線)；第2(A)圖為輪廓曲線，第2(B)圖及第2(C)圖為概率密度函數ADF及負荷曲線BAC，又第2(C)圖為將第2(B)圖朝反時鐘方向旋轉90度之圖，第2(C)圖的狀態則為以概率密度函數ADF的概率密度為縱軸且設成向上方時之圖。

第3圖為電磁波遮蔽濾波片之層構成的形態例子顯示3個例子之剖面圖；第3(A)圖為表示具有透明基材1及透明樹脂層3的構成之圖，第3(B)圖為表示也具有透明基材1的構成之圖，第3(C)圖為表示只有網目層2的構成之圖。

第4圖為表示網目層之黑化處理面的各種組合例子之剖面圖；第4(A)圖為表示表面背面兩面的例子，第4(B)圖為表示只有表面的例子，第4(C)圖為表示只有背面的例子，第4(D)圖為表示表面背面兩面及兩側面全面的例子。

第5圖為表示實施例及比較例中實際的概率密度函數及其概率密度曲線之圖；第5(A)圖~第5(C)圖為表示實施例之圖，第5(D)圖及第5(E)圖為表示比較例之圖。

(概要)

本發明的電磁波遮蔽濾波片，有關該被黑化處理過之網目層的黑化處理面的形成微小凹凸之表面粗度，將粗度曲線作為輪廓曲線而使該輪廓曲線的概率密度函數成為平滑之概率密度曲線的概率密度之尖峰附近的形狀，沒有如同第1(B)圖尖銳的樣子，而如同第1(A)圖，向上(概率密度變大的方向)形成凸狀的曲線形狀。因此，黑化處理面達到良好的防止反射效果。

本發明的電磁波遮蔽濾波片10具備有電絕緣性的透明基材1及被設置在透明基材1上，由導電性材料所組成之網目層2(第3(A)圖)。其中，網目層2具有網目狀導電體層21、及被設置在網目狀導電體層21之黑化層22，該黑化層22的表面成為黑化處理面22。第3(A)圖中，網目層2的黑化處理面22位於與透明基材1相反側。

另外，如第3(A)圖所示，在網目層2的更上方，覆蓋網目層2來設置透明樹脂層3。

另外，透明樹脂層3不一定要設置(第3(B)圖)。另外，透明基材1為用來支撐網目層2，不過該透明基材1也並不一定要設置(第3(C)圖)。

另外，電磁波遮蔽濾波片10，若有必要也可以適度設置其他的層。例如，預防網目層2受到銹蝕的情況，也可以用防銹層來覆蓋等，在於不脫離本發明的要旨的範圍內，亦可對於過去眾知的電磁波遮蔽濾波片10追加各種的層或處理。

另外，此處針對「表面」、「表面側」「背面」「背面側」等表現表面背面的用語在本說明書中的用法，進行說明。在透明基材1形成網目層2的情況，與針對透明基材1來形成網目層2之側(為「表面側」)成為相同方向之面(也是圖面上方之面)稱為「表面」，朝向相同方向之側(圖面下方之面)稱為「表面側」，「背面」及「背面側」則分別稱為該相反之面(圖面下方之面)及該相反之側(朝向圖面下方之側)。另外，由網目層單體所組成的情況等，則沒有表面及背面的區別，方便上將在於圖面成為上方之面稱為表面。

另外，適用於顯示器用途等的情況，觀察者側的面不一定是本發明經常定義的表面，也有可能是背面的情況。

以下，有關本發明的電磁波遮蔽濾波片，由透明基材依序進行說明。

(透明基材)

電絕緣性的透明基材1，一般是用來補強機械強度較弱的網目層之層。因此，若具有機械強度光性，也要適度考量其他的耐熱性、絕緣性等，依照用途來選擇使用即可。透明基材的具體例子例如為樹脂板、樹脂薄板(甚至於薄膜，以下同樣)、玻璃板等。另外，本發明中，電絕緣性係指透明基材本身無法期待有效的電磁波遮蔽性程度的電絕緣性。這點為本發明的前提條件。以表面電阻而言，則稱為大體有10的2次方Ω/□程度以上。由於通常的透明的樹脂或是玻璃所組成的基材都有10的12次方Ω/□以上的表面電阻，因而相當於本發明所言之電絕緣性的透明基材。

用來作為樹脂板、樹脂薄板等之透明樹脂列舉有，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、對苯二甲酸－間苯二酸－乙二醇共聚物、對苯二甲酸－環己二甲醇－乙二醇共聚物等的聚酯類樹脂；尼龍6等的聚醯胺類樹脂；聚丙烯、聚甲基戊烯等的聚烯烴類樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯等的丙烯酸類樹脂；聚苯乙烯、苯－丙烯腈共聚物等的苯類樹脂；三乙醯基纖維素等的纖維素類樹脂；醯亞胺類樹脂；聚碳酸酯樹脂等。

這些樹脂中，在樹脂材料上是單獨使用或是使用複數種類的混合樹脂(包含複合聚合物)；另外，層則為單獨使用或是使用2層以上的積疊體。另外，樹脂薄板的情況，1軸延伸或2軸延伸之延伸薄板，針對機械強度的這點則更加理想。

另外，這些的樹脂中，若有必要也可以適度施加紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑、填補劑、可塑劑、帶電防止劑等的添加劑。

另外，玻璃板的玻璃包括石英玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃等；更理想是列舉有熱膨脹率較小且尺寸穩定性以及高溫加熱處理的優越作業性，又在玻璃中不含鹼性成分之鹼性玻璃等；也能夠兼作為顯示器的前面基板之電極基板來使用。

另外，透明基材1的厚度，依據用途即可並沒有特別的限制，由透明樹脂所組成的情況，通常是12~1000 μ m程度，不過最好是50~700 μ m，更加好的是100~500 μ m。此外，透明基材為玻璃板的情況，通常是1~5mm較合適。無論是任何一種材料未滿上述的厚度，機械強度就會不足，而會引起扭曲或鬆弛、破損等，超過上述的厚度就會成為性能過剩又成本提高，且又不易薄形化。

然而，透明基材1可以使用由這些的無機材料、有機材料等所組成之薄板(甚至於薄膜)、板等；另外，透明基材也可以兼作為由前面基板及背面基板等所組成之顯示器本體的一構成要件的前面基板來使用，不過作為配置在前面基板的前面之前面濾波片，使用電磁波遮蔽濾波片的形態，針對厚薄、輕重的這些點，則薄板比厚板優越；另外針對不破裂等的這點，則當然仍然是樹脂薄板比玻璃板優越。

另外，針對連續製造電磁波遮蔽濾波片且能夠提高生產性的這點，透明基材從生產性的觀點，最好是以連續帶狀的薄板(也就是腹板)來應用。

從這樣的觀點，樹脂薄板為透明基材1的理想的材料，不過樹脂薄板的當中，特別是針對透明性、耐熱性、成本等的這些點，則最好是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯等的聚酯類樹脂薄板；纖維素類樹脂薄板，更加好的是聚對苯二甲酸乙二醇酯薄板。另外，透明基材的透明性越高越好，最好的是可視光線透過率有80%以上的透光性。

另外，樹脂薄板等的透明基材1也可以適度對其表面，施行電暈放電處理、電漿處理、臭氧處理、火焰處理、底層塗布處理、預熱處理、除塵埃處理、蒸鍍處理、鹼性處理、(針對蒸鍍)固定層形成等眾知的易黏合處理。

另外，透明基材1也可以用色素等來著色。利用著色來達到吸收近紅外線、吸收霓虹光、調色、防止外光反射等。例如，針對樹脂的透明基材來添加近紅外線吸收劑、霓虹光吸收劑、調色用色素、防止外光反射用色素等眾知的各種色素即可。

(網目層)

網目層2為擔負電磁波遮蔽功能之層；另外，該層本身即使為不透明性，經過將平面上形狀設成網目形狀來設置開口部，也具有透光性之層，而且將表面及背面當中的至少1面以上設成黑化處理的黑化處理面且特定該面的微小凹凸之層。黑化處理通常是在由設為網目層的本體之金屬箔等所形成之導電性的網目狀導電體層21之必要的面，經過黑化處理來形成黑化層22，該黑化層的面成為黑化處理面。另外，除了黑化層以外，針對維持網目層的形狀特徵，也就是維持網目形狀的這點，也可以適度設置後述的防銹層等的其他層，來作為網目層的構成層。

(網目層：黑化處理)

黑化處理為用來防止網目層2之面的光反射，利用黑化處理所形成之黑化處理面，防止網目層2面的外光反射之透視畫像降低黑度(黑化度)，來使該黑度提高；另外，能夠提高透視畫像的明室對比。黑化處理面最好是設在網目層全體的面，不過本發明則是表面背面當中至少其中1面以上設成黑化處理面。

另外，黑化處理面22也可以是單層之網目層2的面本身。也就是若網目層為單層又該單層為黑色表面且具有微小凹凸，則該表面不必進行附加的黑化處理。本發明，沒有進行這種情況之附加的黑化處理，若可以形成表面為黑色又具有所要的微小凹凸之面，則結果是具有相同表面物性，所以該面也作為「黑化處理面」，包括在本發明中。

只不過，通常針對電磁波遮蔽功能所必要的導電性的這點，網目層2則是採用金屬層等的導電體層21；另外，這樣的導電體層21大多是即使通常在其表面具有微小凹凸，表面顏色仍為金屬色等並不黑，而不會成為黑化處理面。因此，這樣的情況，對該表面施加形成後述的黑化層等的黑化處理，藉由該所形成之黑化層22的表面來實現黑化處理面之構成。另外，在表面設置黑化層是利用電鍍來追加設置在構成該表面之層(網目狀導電體層等的導電體層)，其他也可以經過蝕刻、氧化反應等，從表面朝向內部來使該層本身變化成黑化層。因此，通常網目層2形成為在利用導電性來擔負電磁波遮蔽功能之網目狀導電體層及在其表面背面當中的至少1面以上的面，設置黑化層22之層(參考第4圖)。

因此，若是用黑化層22的形成面來表示持有所要的微細凹凸之黑化處理的對象面，則能夠將黑化層22設置在網目層2的表面背面(第4(A)圖)，或僅設置在表面(第4(B)圖)、或僅設置在背面(第4(C)圖)、或僅設置在表面及側面(兩側或是單一側)、或僅設置在背面及側面(兩側或是單一側)、或設置在全面(表面背面及兩側面)(第4(D)圖)。另外，黑化處理面22也可以具有沒有持有前述所要的微細凹凸之形成面。例如，如同第4(D)圖的全面為黑化處理面22，不過也可以僅表面的黑化處理面為具有本發明所規定之所要的微細凹凸之黑化處理面22。

(網目層：黑化處理面之輪廓曲線的概率密度函數)

本發明中，黑化處理面22的表面顏色，呈現黑色(包含低明亮度的無彩色、灰白)乃至於接近黑色的顏色(褐色、藍色、深綠色等、低明亮度、有低彩度的彩色。這些也包括，統稱為黑色)，且在其表面具有特定的微小凹凸。即是該微小凹凸為黑化處理面的表面之輪廓曲線採用粗度曲線時，該輪廓曲線的概率密度函數(JIS B0601(2001年版)的規定)中概率密度之尖峰附近的形狀，在於使該概率密度函數成為平滑的曲線(此曲線為本發明所稱為的「概率密度曲線」)中，成為向上凸的曲線形狀之微小凹凸。另外，向上凸的「向上」係前述概率密度為縱軸且向上為概率密度的增加方向時的向上。

若用第2圖來說明，則第2(A)圖表示作為輪廓曲線之粗細度曲線R，圖中的ML為平均線。另外，輪廓曲線包括剖面曲線、粗度曲線、起伏曲線，不過本發明則是採用從剖面曲線扣除起伏曲線之粗度曲線R。然後，第2(B)圖為表示從第2(A)圖之粗度曲線R的輪廓曲線來算出之粗度曲線的概率密度函數ADF(凹凸高低差程度的分布曲線)、及粗度曲線的負荷曲線BAC(凹凸高低差累積程度的分布曲線)。圖中的Rp表示粗細度曲線的最大峰頂高度，Rv則表示粗細度曲線的最大谷底深度。然後，第2(C)圖為如同概率密度成為圖面上側正方向的縱軸，使第2(B)圖朝反時鐘方向旋轉90度之圖。另外，第2(C)圖中，表示輪廓曲線的高度之水平軸的Rp與Rv間，表示概率密度的縱軸為實際數字的刻度，並不是對數的刻度。

表示概率密度函數ADF的形狀為如同第2(C)圖細微凹凸的形狀，如同第1(A)圖，使該圖成為平滑的曲線則為概率密度曲線Adc。測定表面所得到的概率密度函數ADF，如同第2(B)及(C)圖，形成棒圖形之鋸齒狀的圖形，以藉由最小二次方法來使該鋸齒狀平滑之概率密度曲線，來捕捉測定表面的微小凹凸之特徵。另外，將概率密度函數形成平滑的曲線化，其意義為，若無限次數反覆測定表面，則鋸齒狀的圖形被平均化，且最終概率密度函數相當於接近平滑的曲線，從1次或是少數測定次數的結果，近似地求出該最終曲線。

然後，發現如同第1(A)圖所示的概率密度曲線Adc，在於該概率密度的尖峰附近，該形狀成為向上凸之連續的曲線形狀之黑化處理面，施加了比並沒有如同第1(B)圖的向上凸而成為尖銳的曲線形狀之黑化處理面還要更加優越的防止反射性能。另外，此處尖峰附近是指當概率密度曲線Adc中最大峰頂高度Rp與最大谷底深度Rv的差設為(Rp－Rv)時，以尖峰點P₁ 為中心，水平軸方向的寬度為(Rp－Rv)的5%以上，更加好的是為10%以上的範圍。另外，加上該概率密度曲線Adc為尖峰附近向上凸，還發現如同第5(C)圖所示之後述的實施例，越接近左右對稱(Rp和Rv的中間值M與該曲線Adc在尖峰時的高度P之差較少)，則越優越之防止反射性能。如同第5(A)圖，呈現概率密度曲線Adc的左右對稱性越降低(尖峰時高度P與中間值越分離)，則表面的反射防止性能(即使是被認定為良好的範圍內)越降低的趨勢。另外，第5(D)圖、第5(E)圖中，概率密度曲線Adc的左右對稱性明顯降低，同時在該曲線Adc的尖峰附近也含有向下凸的曲線形狀部分。因而，黑化處理面22的防止反射性能大幅降低，成為不能容許的程度。概率密度曲線Adc的左右對稱程度，當該曲線中最大峰頂高度Rp與最大谷底深度Rv的中間值設為M、尖峰點的高度設為P時，以比(| P－M |/Rp－Rv)×100(%)來表示，此值最好是12(%)以下。利用上述曲線形狀之表面粗細度的規定，是無法以僅依據利用過去的算數平均粗細度Ra之表面粗細度的規定而能完全評估，即使該Ra大致相同仍會有符合及不符合的情形，也就是會有良好及不良的情形(參考表1)，而形成本發明。因此，即使平均表面粗細度Ra在0.10~1.00 μ m，進而加上這點，仍判明了最好是形成為具有上述概率密度曲線成為特定形狀的微細凹凸之黑化處理面。

另外，將黑化處理面的表面，形成為被以上的概率密度函數所規定的具有所要的微細凹凸之面，藉由有時適度調整黑化處理的處理條件，或者有時調整進行黑化處理的對象面之基底面表面的微凹凸狀況，也就是有時調整黑化處理面之基底面表面的微凹凸狀況，而能實現。另外，基底面形成為比鏡面還要微凹凸面，在追加形成黑化層的情況等時，即使更加薄化仍較通常容易形成為所要的微細凹凸面。

如同上述，網目層2之黑化處理面22的微細凹凸，係持有當從最大峰頂高度Rp到最大谷底深度Rv為止之高度設為水平軸，表示高度的分布之概率密度設為縱軸時的曲線所呈現之概率密度曲線Adc，向上方突出之尖峰點P₁ (第1(A)圖)。然後，該概率密度曲線，在於尖峰點P1附近成為連續函數，在於尖峰點P₁ 具有水平切線T₁ 。尚且，該概率密度曲線，最好是具有尖峰點P₁ 附近的水平軸座標，即是以尖峰點P₁ 為中心之水平軸方向的寬度為| Rp－Rv |×0.05以上，更好的是在有| Rp－Rv |×1.00以上的寬度有向上凸之部分。此處，向上凸的部分是指曲線隨時都在切線的下側之部分。

相對於此，第1(B)圖所示的比較例之概率密度曲線時，概率密度曲線沒有在於尖峰點P₁ 持有切線。

另外，如第5(A)、(B)、(C)圖所示，在於表示黑化處理面22的微細凹凸之概率密度曲線Adc，尖峰點P₁ 的高度P位在Rp與Rv的中間值高度M附近，最好是成為| P－M |/Rp－Rv×100≦12。

(網目層：網目狀導電體層)

網目狀導電體層21，一般具代表性的是藉由蝕刻金屬箔來形成，但除此之外的網目狀導電體層，在電磁波遮蔽性能上也具有意義。因此，本發明中，網目狀導電體層的材料及形成方法並沒有特別的限定，可以適切採用過去眾如有透光性的電磁波遮蔽濾波片之各種網目狀導電體層。例如，利用印刷法或電鍍法等，先以網目形狀來將網目狀導電體層形成在透明基材上，或者也可以先以電鍍法將導電體層全面形成在透明基材上後，再經過蝕刻等形成網目狀的形狀而成為網目狀導電體層。

例如，經過蝕刻來形成網目狀導電體層21的網目形狀的情況，以蝕刻將積疊在透明基材1之金屬層進行圖案處理後鑽洞成開口部就可以形成網目狀。將金屬層積疊到透明基材1，也可以用黏合劑將所準備的金屬箔之金屬層積疊在透明基材，或是不用積疊用黏合劑，改用蒸鍍、濺鍍、電鍍等之一種或二種以上的物理方式或化學方式，將金屬層積疊到透明基材1上。另外，蝕刻所形成的網目狀導電體層，也能以蝕刻將積疊在透明基材之前的金屬箔單體進行圖案處理來形成網目狀導電體層。該層單體的網目狀導電體層用黏合劑等積疊到透明基材上。這些當中，針對機械強度較弱的網目狀導電體層既應用容易又生產性優越，還可以利用市售的金屬箔等的這些點，具代表性的是用黏合劑將金屬箔積疊在透明基材之後，經過蝕刻來加工成網目狀，成為透過黏合劑積疊到透明基材上的形態之網目狀導電體層。

網目狀導電體層21，若為具有足以達到電磁波遮蔽性能之導電性的物質，則沒有特別的限定，不過通常針對良好導電性的這點則最好是金屬層，金屬層可以如同上述，利用蒸鍍、電鍍、金屬層基層等來形成。金屬層或者金屬箔的金屬材料，列舉有例如金、銀、銅、鐵、鎳、鉻等。

另外，金屬層的金屬也可以是合金，金屬層可以是單層也可以是多層。例如，若為鐵時，最好是低碳未靜鋼(rimmed steel)或低碳去鋁靜鋼(aluminum killed steel)等的低碳鋼、Ni－Fe合金、銦鋼合金等。此外，金屬為銅時，金屬材料成為銅或銅合金，銅箔包括有壓軋銅結或電解銅箔，不過從薄度及其均等性、與黑化層的密合性等的觀點，則最好是電解銅箔。

另外，金屬層之導電體層21的厚度為1~100 μ m程度，最好是5~20 μ m。比這厚度還要薄，則很難利用電阻上升來達到足夠的電磁波遮蔽性能，比這厚度還要厚，則很難達到高精密的網目形狀，且會降低網目形狀的均等性。

另外，成為網目狀導電體層之金屬層的表面，當必須提高透明基材與用來致使黏合積疊之透明黏合劑層的相鄰接合層的密合性時，形成為粗面較佳。

(網目層：黑化層)

黑化層為用來施加前述過的黑化處理面所設置之層，若呈現黑色等暗色，且滿足密合性等的基本物理性即可，得以適切採用眾知的黑化層。

因此，黑化層可以用金屬等的無機材料、黑色著色樹脂等的有機材料等，例如，無機材料是用來形成如金屬、合金、金屬氧化物、金屬琉化物的金屬化合物等之金屬類的層。金屬類的層之形成法可以適切採用過去眾知的各種黑化處理法。其中，利用電鍍法的黑化處理有最好的密合性、均等性、容易性等，故較佳。電鍍法的材料例如用銅、鈷、鎳、鋅、鉬、錫、鉻等的金屬或金屬化合物。這些金屬針對密合性、黑色度等的這些點都比鎘還要優越。

另外，網目狀導電體層21為銅箔等，銅所形成時，用來形成黑化層22的黑化處理之理想電鍍法，包括有把由銅所組成之網目狀導電體層(若在成為網目狀之前就進行，則為該之前的導電體層)，放入由硫酸、硫酸銅以及硫酸鈷等所組成之電解液中，進行陰極電解處理並使陽離子性顆粒附著之陰極附著電鍍法。若為該方法，則藉由附著陽離子顆粒，與黑色同時間也形成粗面。陽離子性顆粒可以採用銅顆粒、銅合金顆粒。銅合金顆粒最好是銅－鈷合金顆粒。該平均顆粒直徑則最好是0.1~1 μ m。利用銅－鈷合金顆粒，來達成由銅－鈷合金顆粒層所組成的黑化層。陰極附著法，在能使附著之陽離子性顆粒的平均顆粒直徑集中在0.1~1 μ m的這點亦具理想性。平均顆粒直徑超過上述的範圍，會降低附著顆粒的緊密度且會引起黑色度的降低或不均勻，又容易造成顆粒的脫落(掉粉)。另一方面，若平均顆粒直徑未滿上述的範圍，亦會降低黑色度。另外，陰極附著法以高電流密度來進行處理，則處理面成為陰極，經由產生還原性氫來進行活化，顯著提高銅面與陽離子性顆粒的密合性。

另外，黑化層22也最好是黑色鉻、黑色鎳、鎳合金等，該鎳合金則為鎳－鋅合金、鎳－錫合金、鎳－錫－銅合金。特別是鎳合金為黑色及導電性之外，還能夠對黑化層施加防銹功能(成為黑化層兼防銹層)，故也能夠省略防銹層。而且，由於通常黑化層的顆粒為針狀，雖然會受到外力而變形而外觀容易變形，仍會得到鎳合金所形成的黑化層則顆粒不易變形，又可得到在後製過程外觀不易變形的優點。另外，用鎳合金來作為黑化層之形成方法，可以用眾知的電解或是無電解電鍍法，也可以進行鍍鎳之後，形成鎳合金。

(網目層：網目形狀)

另外，網目層2的網目形狀為任意的形狀，並沒有特別的限定，該網目的開口部的代表形狀為正方形。開口部平面上的形狀例如為正三角形等的三角形；正方形、長方形、菱形、梯形等的四角形；六角形等的多角形；或者圓形、橢圓形等。網目具有由這些形狀所組成的複數個開口部，開口部間通常成為寬度均等的線條狀的線條部，通常開口部及開口部間全面都是相同形狀且是相同尺寸。若是例示具體的尺寸，針對開口率及網目的非用眼睛能確認的這點，則開口部間之線條部的寬度為25 μ m以下，最好是20 μ m以下較佳。另外，開口部尺寸為(線條間隔或是線條間距)－(線條寬度)，但該(線條間隔或是線條間距)為150 μ m以上，最好是200 μ m以上時，針對光透過性的這點則具理想性。

另外，偏斜角度(網目的線條部與電磁波遮蔽濾波片的外周邊所形成的角度)，考慮到顯示器的像素間距或發光透性，最好是適切地設定為不易出現波紋的角度。

另外，網目層2也可以橫跨電磁波遮蔽濾波片10的全面都形成為綱目狀，但也可以將必須有透光性的部分形成為網目狀的綱目部，將其他部分(例如將4邊全周圍圍成框狀的樣子)則形成為非網目部。非網目都為前述網目部以外的部分，成為面不必有透光性之區域。通常在網目部的外周部設有非網目部。另外，非網目部通常是用於取得接地。

用於接地之非網目部通常是在四邊全周圍形成為框狀。另外，框狀的非網目部，利用來形成為對於透過顯示器畫像等的網目部所看到的畫像，將該周圍(例如形成為黑框等)圍成框狀來使該畫像顯眼之豪華程度變良好之外框。另外，非網目部當取出接地時最好是至少使該一部分露出。

另外，非網目部的具體大小是依據使用的用途，不過以框狀來形成接地部或外框時，框的寬度為15~100 mm程度，一般是形成為30~40 mm。

(網目層：其構成層)

網目層2若有必要也可以適切地施予其他層的形成或者處理。例如，對於生銹的耐久性不夠時，設置防銹層2a即可。防銹層2a或者前述的黑化層，只要維持網目層2的形狀特徵之網目形狀，本發明都能作為含在網目層2之網目層的構成層。

(網目層：其構成層(防銹層))

防銹層2a可以施加在網目層2的表面容易生銹的面，不過進一步施加在黑化處理面時，即使被施加過後的黑化處理面(實際上是防銹層面)，本發明中，在表面背面當中的至少1面以上，形成為呈現具有所要微細凹凸的黑色之面。防銹層所形之網目層的覆蓋面為只有表面、只有背面、表面背面兩面、只有側面(兩側面或單一面)、表面及兩側面、背面及兩側面、表面背面兩面以及兩側面等。

防銹層2a若為比用該覆蓋之網目狀導電體層還要不容易生銹，則是用金屬等的無機材料、樹脂等的有機材料、或是這些材料的組合等，並沒有特別的限定。另外，依情況也可以用防銹層來覆蓋黑化層，防止黑化層顆粒的脫落或變形，提高黑化層的黑度。此點是意味著用金屬箔來形成網目狀導電體層，藉由黑化處理將黑化層設置在透明基材上的金屬箔時，防止該黑化層的脫落或變質，最好是在透明基材與金屬箔積疊之前就設置。

適切地採用過去眾知的防銹層2a，防銹層2a例如為鉻、鋅、鎳、錫、銅等的金屬或者合金、金屬氧化物之金屬化合物之層。這些可以利用眾知的電鍍法等來形成。此處，若是表示針對防銹效果及密合性等的這點則具理想性之防銹層的一個例子，則列舉有鍍鋅過後，經過鉻酸處理所形成之鉻化合物層。

另外，若為鉻時也可以進行鉻酸(鉻酸鹽)處理等。另外，鉻酸處理是使鉻酸處理液接觸處理面來進行，不過該接觸若是利用輥子塗布法、簾塗布法、擠出塗布法、塗流法(以上，單面接觸)等的塗布法，或是其他利用靜電霧化法、浸漬法等，兩面接觸亦可。另外，接觸後也可不經過清洗就進行乾燥。另外，鉻酸處理液通常是使用含有鉻酸的水溶液，具體上能夠利用「阿爾斯(音譯，登錄商標)1000」(日本塗漆株式會社製造)、「PM－284」(日本派克拉積(音譯)株式會社製造)等的處理液。

另外，鉻酸處理時，若在該處理之前進行鍍鋅，針對密合性、防銹效果則具良好性。另外，為了提高蝕刻或酸洗時的耐酸性，也可以讓有機矽烷偶合劑等矽化合物含在防銹層中。

另外，防銹層的厚度通常是0.001~10 μm程度，最好是0.01~1 μm。

(透明樹脂層)

透明樹脂層3為如同第3(A)圖的剖面圖所例示，藉由填滿網目層2所形成的表面凹凸來將網目層側的表面平坦化，而在網目層側用覆蓋體及黏合體等來積疊時防止氣泡等進入，或是以外力來保護網目層，依需求而設置之層。另外，針對保護的這點，該透明樹脂層也是表面保護層。如此這般，透明樹脂層3，經過塗布等，來對於積疊在透明基材1上之網目層2所形成的凹凸表面，施加含有樹脂的液狀組成物，就可以形成。該液狀組成物若為含有透明的樹脂的組成物，則沒有特別的限定，適切地採用眾知的樹脂即可。例如為熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂等。例如，熱可塑性樹脂為丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、熱可塑性聚氨酯樹脂、醋酸乙烯類樹脂等，熱硬化性樹脂為聚氨酯樹脂、環氧樹脂、硬化性丙烯酸樹脂等，電離放射線硬化性樹脂為用紫外線或電子線來硬化的丙烯酸酯類樹脂等。其中，針對容易填補網目層的凹凸的這點，則可以在於無溶劑或是接近無溶劑的狀態透過塗工來形成，電離放射線硬化性樹脂為理想的樹脂。

另外，透明樹脂層3之目的為平坦化的這點，只要填補網目層的開口部就已足夠，不過也可以包含如同第3(A)圖之網目層的線條部正上方來形成。也包含線條部正上方來設置透明樹脂層的情況，鄰接透明樹脂層之網目層的面為黑化處理面時，藉由透明樹脂層來成為濡濕色。特別是本發明為該濡濕色的情況，也會有高的防止光反射效果，所以也包含線條部正上方來形成透明樹脂層的構成為合適構成的一種。

(其他的層：覆蓋體、光學濾波層、表面保護層、透明黏合劑層等)

另外，上述覆蓋體例如為光學濾波層(薄膜、薄板、板)、表面保護層(薄膜、薄板、板)等。光學濾波層的光學濾波功能為吸收紅外線、防止外光反射(含防眩)、調整色調(吸收霓虹光、提高顏色顯現性)、吸收紫外線等。另外，表面保護層的功能為防污染、硬保護層等。這些經適度採用眾知之物即可。另外，光學濾波層、表面保護層也可不作為覆蓋體，而可以藉由塗佈而在網格層上、透明樹脂層上；若是光學濾波層的情況時，則是在別的光學濾波層上等，可以形成相同功能的層。

另外，相反地覆蓋體在透明基材上具有網目層的構成中，則也可以積疊在透明基材側。透明基材與覆蓋體間，當在該兩彼此間沒有黏合性時，則透過在之間塗入適當透明的透明黏合劑層來層積。另外，透明基材與網目層間也是透過在之間塗入適當透明的透明黏合劑層來層積。透明黏合劑層採用無黏著性的黏合劑或是黏著劑(黏著劑層)等眾知的黏合劑即可。另外，覆蓋體也可以積疊在顯示器用電磁波遮蔽濾波片的表面背面。該情況，可以利用表面背面來區分使用覆蓋體的種類(功能)。

(其他)

另外，也可以適度在構成透明基材、透明樹脂層、透明黏合劑層、覆蓋體等的電磁波遮蔽濾波片之樹脂中，添加外光反射防止用色素、霓虹光吸收劑、顏色調整用色素等用於電磁波遮蔽濾波片之眾知的色素。

另外，第3圖為詳細說明網目層，第4圖為說明黑化處理面，逐一例示各個例子，不過，當然該兩圖也可以是適當組合起來的構成。另外，本發明並不侷限於這些圖面或者以下的實施例。

(實施例)

以下，用實施例及比較例來更具體說明本發明。

<實施例1>

首先，作為透明基材1，用2液硬化型聚氨酯類黏合劑，將厚度10 μ m的電解銅箔，乾積疊在連續帶狀且無著色透明的2軸延伸聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度100 μ m)的表面側之面上，進行製作連續帶狀的黏貼銅積疊薄板。

接著，利用光蝕法，針對上述黏貼銅積疊薄板的銅箔進行蝕刻，加工成網目狀，作成已在透明基材1上形成有網目狀導電體層21之網目積疊薄板。

接著，先製作如同第3圖中的電磁波遮蔽濾波片10，該電磁波遮蔽濾波片為針對該網目層積疊薄板的網目狀導電體層側之面，施予利用電鍍黑色鎳來形成黑化層22之黑化處理，而在網目層2的表面(及兩側面)具有該黑化層所形成所要的微細凹凸之黑化處理面。另外，已形成之網目的形狀係該開口都為正方形且線條部的線條寬度25 μ m，線條間距150 μ m。另外，網目部的四邊全周形成為框狀的非網目部。

再者，針對上述過電磁波遮蔽濾波片10的網目層側之面，使部分非網目部部分露出一般地，也包含該內周一部分地利用斷續壓鑄模塗布法，將丙烯酸樹脂類塗液斷續塗布在網目層上，來兼作為黏合層使用的透明樹脂3。接著，在塗液經溶劑乾燥過後的塗膜上，積疊以三乙醯基纖維素薄膜為基材之防止反射薄膜來作為覆蓋體，進行製作附有防止反射功能之所要的電磁波遮蔽濾波片。

<實施例2、實施例3>

除了將實施例1中之電解銅箔作了各別變更之外，其他則是與實施例1同樣，進行製作電磁波遮蔽濾波片。

<比較例1、實施例2>

<性能評估>

首先，有關實施例及比較例中的電磁波遮蔽濾波片，在表1中記錄其黑化處理面的特性及性能評估結果。

另外，黑色處理面的特性是針對位在網目層之網目部的外周之非網目部之網目層表面的黑化處理面來施行；另外，針對在防止光反射性能中也能消除網目部之開口部的影響的這點，利用非網目部的部分(但，係為透過透明樹脂層積疊防止反射薄膜而成為濡濕色之內周部分)來施行。

黑化處理面的特性為使粗度曲線的概率密度函數成為平滑之概率密度曲線Adc，但作為其他指標，表1中除了記錄有過去評估的對象之算數平均粗度Ra，還一併記錄有粗度曲線的十點平均糙度Rz JIS、粗度曲線的頂峰谷底平均間隔Sm(JIS B0601；根據1994年版之凹凸的平均間隔)、概率密度曲線的左右對稱的偏差(| P－M |/Rp－Rv)×100(%)。另外，第5(A)圖~第5(E)圖中表示各實施例及各比較例的概率密度曲線及概率密度函數。此外，各實施例呈現概率密度曲線在於尖峰附近向上凸之連續的曲線形狀，不過各比較例則不然。此外，各實施例形成概率密度曲線的左右對稱的偏差都小於7.12%以下；另一方面比較例則都大於16.7%以上。

性能評估係直接測定沒有透明樹脂層狀態下的黑化處理本身(表中「Y_B _L 」)、及測定積疊透明樹脂層和光反射薄膜過後之成為濡濕色的黑化處理本身(表中「Y_B _L _＋ _A _R 」)之光反射的強度(Y)；另外，還評估了成為濡濕色時光反射強度的變化率(「Y_B _L _＋ _A _R /Y_B _L 」)。

另外，光反射的強度是以依據JIS Z8722所測定的SCI(Speculan Component Included的簡稱)模式來進行評估。該模式為以預定的光源來照射測試片，綜合該反射光當中之鏡面反射光(Specular component)和擴散反射光的兩成分，進行測定全反射光成分之模式。具體的測定係將分光測色計(柯尼卡(音譯)感光株式會社製造CM－3600d)設定在反射模式，光源為標準的光D65、視野2°，檢測器設定在SCI模式，測定Y值(明亮度)並進行評估。

OK：形狀符合 NG：形狀不符合

如同表1所示，各實施例係針對各比較例，直接測定沒有透明樹脂層的黑化處理面本身的情況(Y_B _L )、及附有透明樹脂層和防止光反射薄膜的濡濕色的情況(Y_B _L _＋ _A _R )，各別光反射的強度減小，獲得更優越的防止光反射性能。另外，這些的實施例及比較例中，算數平均粗細度Ra在於0.2~1.0 μ m的範圍內，比過去的任何情況都良好的範圍，不過依據概率密度曲線形狀的差，判定了有性能差。另外，與成為濡濕色的情況進行比較，實施例與比較例的差(光反射的強度比率)變得更大。另外，成為濡濕色時光反射強度的變化率，特別是實施例3為0.18(倍)，大於其他，利用濡濕色來防止光反射的效果明顯增大。

1．．．透明基材

2．．．網目層

3．．．透明樹脂層

10．．．電磁波遮蔽濾波片

21．．．網目狀導電體層

22．．．黑化層

R．．．粗度曲線

ML．．．平均線

ADF．．．概率密度函數

BAC．．．負荷曲線

Rp．．．粗度曲線的最大峰頂高度

Rv．．．粗度曲線的最大谷底高度

Adc．．．概率密度曲線

P₁ ．．．尖峰點

P．．．尖峰點的高度

T₁ ．．．水平切線

第1(A)圖為表示使本發明的概率密度函數ADF成為平滑之概率密度曲線Adc，第1(B)圖為表示比較例中之概率密度函數ADF及概率密度曲線Adc。

第2(A)圖為表示輪廓曲線(粗度曲線R)之圖，第2(B)圖為表示概率密度函數ADF及負荷曲線之圖，第2(C)以概率密度為縱軸的方式旋轉第2(B)圖之圖。

第3(A)(B)(C)圖為表示電磁波遮蔽濾波片的層構成之剖面圖。

第4(A)(B)(C)(D)圖為表示網目層的黑化處理面之剖面圖。

第5(A)(B)(C)圖為表示本發明的概率密度曲線之圖，第5(D)(E)圖為表示比較例的概率密度曲線之圖。

Adc．．．概率密度曲線

ADF．．．概率密度函數

P1．．．尖峰點

Rp．．．粗細度曲線的最大峰頂高度

Rv．．．粗細度曲線的最大谷底高度

T₁ ．．．水平切線

Claims

一種電磁波遮蔽濾波片，其特徵為：備有由網目狀的導電性材料所組成之網目層，在網目層的至少其中一方的面形成具有微小凹凸之黑化處理面，黑化處理面之微小凹凸的形狀係持有從最大峰頂高度Rp到最大谷底深度Rv的高度設為水平軸，表示高度的分布之概率密度設為縱軸時的曲線所呈現之概率密度曲線具有向上方突出之尖峰點，且在於該尖峰點具有水平切線之形狀。
如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽濾波片，其中：網目層是用透明基材來支撐。
如申請專利範圍第2項之電磁波遮蔽濾波片，其中：在網目層上設有透明樹脂層。
如申請專利範圍第2項之電磁波遮蔽濾波片，其中：在網目層之透明基材側的面及與透明基材相反側的面，形成黑化處理面。
如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽濾波片，其中：也在網目層的側面，形成黑化處理面。
如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽濾波片，其中：微小凹凸的概率密度曲線，位在尖峰點的高度P為 Rp及Rv的中間值高度M附近。
如申請專利範圍第6項之電磁波遮蔽濾波片，其中：微小凹凸的概率密度曲線為(| P-M |/Rp-Rv)×100≦12。
如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽濾波片，其中：微小凹凸的平均表面粗細度(粗糙度)Ra，在於0.10~1.00μm的範圍。