CN204869869U - 一种防指纹壳体 - Google Patents
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Abstract
为解决防指纹层在基材上易磨损、易脱离的问题,本实用新型提供了一种防指纹壳体,依次包括壳体基材,氧化铝层,SiO2缓冲层和防指纹层,具有良好的防指纹效果,同时防指纹层与壳体基材间有良好的附着力,不易脱落。
Description
技术领域
本实用新型涉及具有防指纹功能的壳体。
背景技术
手机、电脑等电子设备在日常使用中,用户手指接触后会残留指纹痕迹,同时还有外界的污物,如灰尘等也容易掉落到产品外壳上,影响表面的清洁度,如何简单的去除和防止这些污物越来越受人们关注。防指纹膜是一种同时具有疏水性和疏油性的薄膜,不易粘附外界的灰尘及污物,且即使被灰尘、指纹等污染也较易去除。
但通常情况下,防指纹膜与基才之间的附着力普遍较差,容易从基材表面剥离,影响使用效果及使用寿命。
实用新型内容
为解决防指纹层在基材上易磨损、易脱离的问题,本实用新型的提供了一种防指纹壳体,可以使防指纹层在壳体基材上形成良好附着。
本实用新型提供一种防指纹壳体,所述防指纹壳体包含壳体基材,壳体基材上依次设置有氧化铝层,SiO2缓冲层和防指纹层,所述壳体基材为铝或铝合金。所述防指纹层为疏水性和疏油性的含氟高分子聚合物。这种防指纹壳体具有良好的防指纹能力,同时壳体基材上的防指纹膜附着紧密,不易发生脱落。
如本实用新型的一个实施例,所述氧化铝层的厚度为15~25nm。氧化铝层的厚度应控制在一定的范围内,厚度过高则容易发生爆膜,同时影响膜层色泽;厚度过低则影响与其他膜层的附着效果。
如本实用新型的一个实施例,所述SiO2缓冲层厚度为15~30nm。
如本实用新型的一个实施例,所述防指纹层厚度为8~15nm。
如本实用新型的一个实施例,所述氧化铝层中还包含有第一过渡层,所述第一过渡层含有Al2O3和SiO2。
如本实用新型的一个实施例,所述SiO2缓冲层与防指纹层之间有第二过渡层,所述第二过渡层含有Si、F和O元素。
有本实用新型获得的防指纹壳体具有良好的防指纹特性,防指纹膜与壳体之间连接紧密,不易脱落,同时,其耐划伤性能有一定程度的提高。
附图说明
图1为本实用新型壳体一个实施例的层次结构示意图;
其中:10——壳体基材;11——氧化铝层;12——SiO2缓冲层;13——防指纹层。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型作进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1:其是显示本实用新型防指纹壳体的结构示意图。该防指纹壳体依次包括壳体基材10,氧化铝层11,SiO2缓冲层12以及防指纹层13。其中,壳体基材10选自铝,铝合金中的一种。氧化铝层11直接附着在壳体基材上,可以有效改善强壳体基材10与SiO2缓冲层12的结合力。为了进一步确保防指纹层在壳体基材10上的附着效果,氧化铝层11厚度在15~25nm之间时能充分发挥在壳体基材10与SiO2缓冲层12与防指纹层13之间的介质连接作用;SiO2缓冲层12厚度为15~30nm,膜层制作过程中,磁控溅射SiO2缓冲层时其中部分SiO2会进入氧化铝层内部,与氧化铝中的Al2O3混合形成第一过渡层,第一过渡层中具有Al2O3和SiO2形成的物理渗透结合结构,可以进一步增强防指纹膜层间的结合力。同时,SiO2缓冲层中的部分SiO2会与防指纹层13中的部分F元素结合,形成含有Si-F复合结构的第二过渡层。最外的防指纹层13厚度在8~15nm之间为最佳,太厚影响壳体色泽,太薄则防指纹效果欠佳。
防指纹壳体的制备工艺:通过采用磁控溅射镀膜与蒸发镀膜相结合,在真空度为8×10-3Pa~5×10-3Pa情况下,通入Ar和O2,Ar流量为300~600sccm;O2流量为200~400sccm。先打开铝靶,功率为9KW,镀膜15~30min后,关闭铝钯,获得氧化铝层11;之后,调整氧气流量,打开硅靶,功率在3~5KW之间,镀膜30~45min后,关闭硅靶,获得SiO2缓冲层12;关闭气流,打开蒸发镀电源,在三个不同的电压档位下镀防指纹层13,所述电压档位为第一档电压为10~30V,第二档电压为30~35V,第三档电压为35~45V。关闭蒸发镀电源,镀膜完毕,炉内冷却后即可得所需产品。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“连接”、“相连”等应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例1
样品基材为压铸铝合金;膜层从内至外依次为氧化铝层、SiO2缓冲层和防指纹层。
制作方法:采用真空镀膜机(型号SP-1912ASI-XH)设备,在6×10-3Pa真空条件下通入Ar和O2,打开铝钯,在9KW的功率下镀膜20min后关闭铝钯,获得氧化铝层。调整O2流量,打开硅钯,在3KW的功率下镀膜40min后关闭硅钯,即获得SiO2缓冲层。
关闭气体,在1.0×10-2Pa的真空条件下打开蒸发镀装置,在28V电压下蒸镀2min,33V下蒸镀2min,38V下蒸镀6min,即可得防指纹层。关闭蒸发镀电压,镀膜完成。炉内冷却5min后,获得样品A1。
对比例1
样品基材为压铸铝合金;膜层从内至外依次为SiO2和防指纹层。
制作方法:采用真空镀膜机(型号SP-1912ASI-XH)设备,在6×10-3Pa真空条件下通入Ar和O2,打开硅钯,在3KW的功率下镀膜40min后关闭硅钯,即获得SiO2缓冲层。
关闭气体,在1.0×10-2的真空条件下打开蒸发镀装置,在28V电压下蒸镀2min,33V下蒸镀2min,38V下蒸镀6min,即可得防指纹层。关闭蒸发镀电压,镀膜完成。炉内冷却5min后,获得样品D1。
性能测试:
测试样品水接触角,使用下述测试1中方法测试样品水接触角值,水接触角测试值越高,说明疏水性越好;通常要求初始值大于90°,则产品防指纹性合格,否则为不合格。耐摩擦性能测试,用下述测试2中的方法样品表面进行摩擦后,测试样品表面的水接触角,水接触角测试值变化越小,说明耐摩擦性能越好;通常变化值在20°以内为合格。
测试1、水接触角测试:采用东莞康迪电子CA07电子水滴接触角量测仪,对上述制备的样品A1、D1进行测试。
测试2、耐摩擦测试:使用韩国MINOAN耐磨橡皮擦,橡皮擦荷重为500g,对样品A1、D1进行500次往返摩擦。摩擦后使用水滴接触角量测仪对摩擦后样品水接触角进行测试。
测试结果见下表:
根据上述的测试结果可以看出:按照本实用新型提供的技术方案获得的防指纹壳体具有优良的防指纹特性,同时,防止指纹膜层与壳体基材间还具有更好的附着力。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的特征和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种防指纹壳体,其特征在于,所述壳体包含壳体基材,壳体基材上依次设置有氧化铝层,SiO2缓冲层和防指纹层;所述壳体基材为铝或铝合金。
2.如权利要求1所述的防指纹壳体,其特征在于,所述氧化铝层的厚度为15~25nm。
3.如权利要求1所述的防指纹壳体,其特征在于,所述SiO2缓冲层为15~30nm。
4.如权利要求1所述的防指纹壳体,其特征在于,所述防指纹层厚度为8~15nm。
5.如权利要求1所述的防指纹壳体,其特征在于,所述氧化铝层与SiO2缓冲层之间有第一过渡层。
6.如权利要求1所述的防指纹壳体,其特征在于,所述SiO2缓冲层与防指纹层之间有第二过渡层。
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