CN111818784B - 电磁波屏蔽膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种不易因擦拭指纹而变色的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜含有绝缘层（110）、导电层（120），绝缘层（110）表面的三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。

Description

电磁波屏蔽膜
本申请是申请日为2017年09月06日，申请号为201710796140.8，名称为“电磁波屏蔽膜”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
发明涉及一种电磁波屏蔽膜。
背景技术
近年来智能手机、平板型信息终端等对大容量数据高速传送的性能要求越来越高。要将大容量数据高速传送就需要高频信号。但使用高频信号则印制布线板上信号电路会产生电磁波噪声，导致周围机器运行错误。为防止运行错误就要屏蔽印制布线板使其不受电磁波影响。
为屏蔽印制布线板，已有方法为将含有绝缘层、屏蔽层的电磁波屏蔽膜加热加压贴付到印制布线板以获得屏蔽印制布线板的方法。（例如、专利文献1）。
电磁波屏蔽膜的绝缘层表面上，为保护绝缘层不受伤、不受异物影响，贴上了聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）树脂等形成的保护膜。保护膜会在电磁波屏蔽膜贴付在印制布线板后剥离。保护膜剥离前，绝缘层表面受到保护，屏蔽印制布线板可以光手接触。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】特开2004－095566号公报。
发明内容
发明课题
保护膜剥离后光手接触屏蔽印制布线板，则去掉保护膜后的绝缘层上可能附着指纹。附着指纹处会变色，外观受损。存在成品率低的问题。
绝缘层有指纹附着对电磁波屏蔽特性几乎无影响。因此只要防止附着指纹造成的绝缘层变色就能防止屏蔽印制布线板的成品率低下。防止附着指纹造成绝缘层变色的方法可以是去除指纹。指纹去除一般使用洗剂（洗剤）、溶剂。对象是电磁波屏蔽膜的绝缘层，则洗剂（洗剤）、溶剂会影响屏蔽印制布线板的电特性，因此不能使用。
以往，针对电磁波屏蔽膜想用无纺布等擦掉指纹而摩擦表面，则表面状态会局部变化，反而导致变色更严重。另外大力摩擦表面还会导致绝缘层从屏蔽层剥离，导致电磁波屏蔽膜破损。
本发明课题提供一种不易因擦掉指纹而导致变色的电磁波屏蔽膜。
解决手段
本发明电磁波屏蔽膜的第1技术方案含有绝缘层、导电层，绝缘层表面的三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。
电磁波屏蔽膜第1技术方案中，绝缘层表面的85°光泽度在20以下。本发明电磁波屏蔽膜第2技术方案含有绝缘层、导电层，绝缘层表面的均方根斜率（二乗平均平方根傾斜）Sdq为0．8以上且85°光泽度为10以下。
本发明电磁波屏蔽膜第3技术方案含有绝缘层、导电层，绝缘层表面的偏度（スキューネス）Ssk为0．1以上且85°光泽度为10以下。
电磁波屏蔽膜的各技术方案中，可以使绝缘层L＊值在25以下。
发明效果
本发明的电磁波屏蔽膜能防止擦拭指纹导致的变色。
附图说明
【图1】一实施方式中电磁波屏蔽膜的截面图；
【图2】变形例中电磁波屏蔽膜的截面图；
【图3】绝缘层的均方根斜率（二乗平均平方根傾斜）与光泽度关系的点绘图；
【图4】绝缘层的偏度（スキューネス）与光泽度关系的点绘图。
具体实施方式
以下对本发明电磁波屏蔽膜进行具体说明。本发明不限于以下实施方式，在不变更本发明主旨的范围内可进行适当变形、应用。
（电磁波屏蔽膜）
图1为本实施方式中电磁波屏蔽膜的示意性概略截面图。如图1，电磁波屏蔽膜含有：绝缘层110、导电层即屏蔽层120。屏蔽层120与绝缘层110相反一侧的面上可以根据需要设置接着剂层130。设置接着剂层130就能简单地将电磁波屏蔽膜贴合于印制布线板。
－绝缘层－
绝缘层110为保护屏蔽层而设。本实施方式的电磁屏蔽膜中，表示绝缘层110的表面性状的参数——三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上，1．0μm以上更佳。Sa在0．8μm以上，能够使绝缘层的表面几乎不会因擦拭指纹变色。此处所说几乎不会因擦拭指纹变色的表面是指，指纹附着部分经擦拭布（wiping cloth）等擦拭后表面呈现肉眼难以与指纹未附着部分区别的状态。
从指纹成分实际的除去性角度考虑，Sa宜为10μm以下，5μm以下更佳，3μm以下更好。Sa在一定程度上较小的话，具有易从后述剥离膜剥离绝缘层的效果。Sa超过上述值较难擦拭附着的指纹。
擦拭掉指纹后的绝缘层110表面用肉眼观察，对擦拭指纹变色的程度进行感官评价，由此就能定性评价。还能通过表面光泽度变化定量评价。定量评价方法可以是：使指纹附着再擦除，然后测定绝缘层110表面的85°光泽度。此时，使指纹附着再擦除后的85°光泽度宜为20以下，10以下更佳，此时擦拭指纹的痕迹很难被肉眼识别。其他定量的评价方法有：测定使指纹附着再擦除后绝缘层110表面的光泽度与指纹附着前的光泽度之差。即，使指纹附着再擦除后绝缘层110的表面的光泽度与指纹附着前光泽度之差越小则因擦拭指纹变色的程度越小。以85°光泽度为例，例如，使指纹附着再擦除后的光泽度与指纹附着前光泽度相比的光泽度差宜为4以下，3以下更佳，此时指纹未附着部分和指纹擦除部分难以被肉眼辨别。
关于本实施方式中电磁波屏蔽膜，要防止因擦拭指纹而变色，可以如下设置绝缘层110表面的Sa以外的表面性状参数。均方根斜率（二乗平均平方根傾斜）Sdq宜为0．8以上，0．95以上更佳。指纹附着处与未附着处相比更容易反射光，指纹附着部分很显眼。绝缘层110的表面色调为黑色且L＊值越小指纹附着部分越显眼。在此，Sdq在某种程度上较大的话，表面能适当散射光，能防止指纹附着导致反射增强。尤其是L＊值在25以下时，增大Sdq能有效实现指纹附着部分不显眼的效果。
此外，要使后述剥离膜易于从绝缘层剥离的话，Sdq宜为10以下，7．0以下更佳，3．0以下更好。
偏度（スキューネス）Ssk宜为0．1以上，0．5以上更佳，1．0以上更好。关于Ssk，凹凸面中以平均面为基准的凸部和凹部呈现对称性，Ssk越大则以平均面为基准的凸部成分越少，凸部以外的部分（谷部和平坦部）相对增加。因此，在一定程度上增大Ssk就更容易擦拭指纹。
此外，Ssk宜为10以下，5．0以下更佳，3．0以下更好。Ssk在上述范围内就能获得易于从后述剥离膜剥离绝缘层的效果。
此外，最大峰高（山高さ）Sp宜为8．0μm以上。均方根（二乗平均平方根）偏差Sq宜为1．0μm以上，1．2μm以上更佳，1．3μm以上更好。突出峰部高度Spk宜为1．0μm以上，1．5μm以上更佳，1．7μm以上更好。中心部的空隙容积Vvc宜为1．1ml／m2以上，1．3ml／m2以上更佳。峰部的实体体积Vmp宜为0．07ml／m2以上，0．08ml／m2以上更佳，0．1ml／m2以上更好。
此外，Sp在20μm以下为佳，18μm以下更佳，15μm以下更好。Sq在10μm以下为佳，5．0μm以下更佳，3．0μm以下更好。Spk在10μm以下为佳，5．0μm以下更佳，3．0μm以下更好。Vvc在10ml／m2以下为佳，5．0ml／m2以下更佳，3．0ml／m2以下更好。Vmp在1．0ml／m2以下为佳，0．5ml／m2以下更佳，0．3ml／m2以下更好。Sp、Spk、Vvc、Vmp分别在上述数值范围内则具有易从后述剥离膜剥离绝缘层的效果。
此外，也可以用其他参数来规定不易因擦拭指纹变色的表面，而非用Sa来规定。例如，要获得不易因擦拭指纹变色的表面，宜采用以平均面为基准的凸部所占比例较小且凸部高度较高的表面。因此可选择：Sp为7．0μm以上，优选8．0μm以上且Ssk为0以上，优选0．1以上。此外可以选择：Sp为7．0μm以上，优选为8．0μm以上且Sdq为0．8以上，优选为0．9以上。此外可以选择：Sq为1．0μm以上、且Ssk为0以上优选0．1以上。此外可以选择：Sq为1．0μm以上优选1．2μm以上且Sdq为0．8以上优选0．9以上。此外可以选择：Spk为1．0μm以上且Ssk为0以上优选0．1以上。此外可以选择：Spk为1．0μm以上优选1．5μm以上且Sdq为0．8以上优选0．9以上。
此外，可以选择：Sp为20μm以下优选18μm以下且Ssk为10以下优选5以下。此外可以选择：Sp为20μm以下优选18μm以下且Sdq为10以下优选3．0以下。此外可以选择：Sq为10μm以下优选5μm以下且Ssk为10以下优选5．0以下。此外可以选择：Sq为10μm以下优选5．0μm以下且Sdq为10以下优选3．0以下。此外可以选择：Spk为10μm以下优选5．0μm以下且Ssk为10以下优选5．0以下。此外可以选择：Spk为10μm以下优选5．0μm以下且Sdq为10以下优选3．0以下。设定在上述数值范围内能实现易于从剥离膜剥离绝缘层的效果。
本发明中表面性状测定值基于ISO 25178－6：2010测得，具体的测定方法将在实施例进行说明。
绝缘层110中，指纹附着前的60°光泽度在3以下为宜，2以下更佳，1以下更好。此外，85°光泽度优选20以下，更优选15以下，更加优选10以下，进一步优选5以下，进一步优选3以下。
将指纹附着前的光泽度设为上述值，则绝缘层110表面产生适度的光散射，能适度控制光泽感。这样就能进一步防止因擦拭指纹变色。
进一步来说，绝缘层110在指纹附着前的60°光泽度优选3以下，更优选2以下，更优选1以下，且85°光泽度优选20以下，更优选15以下，更优选10以下，更优选5以下，更优选3以下，这样就能获得极不易因擦拭指纹变色的表面。
本发明中的60°光泽度和85°光泽度可以通过实施例所示方法测定。
进一步来说，Sdq为0．8以上优选0．9以上且85°光泽度为10以下优选5以下更优选3以下，这样不易因擦拭指纹变色。
此外，Ssk大于0优选0．1以上更优选0．5以上且85°光泽度为10以下优选5以下更优选3以下，这样不易因擦拭指纹变色。
本发明中获得绝缘层110的方法无特别限定，可以采用公知方法。例如可以如下：在因压纹（エンボス）加工而具有了凹凸形状的剥离膜表面涂布用于形成绝缘层110的树脂组成物并进行干燥，由此将剥离膜的凹凸形状转印到绝缘层110。可以使用下述方法：在屏蔽层120表面涂布含凹凸形成用粒子的树脂组成物并干燥，形成具有凹凸形状的绝缘层110。可以使用下述方法：向绝缘层110表面吹干冰等方法。可以使用下述方法：在屏蔽层120表面涂附活性能量射线固化型（活性エネルギー線硬化性）组成物后用具有凹凸形状的模具按压，使该固化型组成物层硬化，然后将模具剥离。还可用其他公知方法。
其中，从生产性角度考虑，宜采用涂布含凹凸形成用粒子的树脂组成物并干燥以获得具有凹凸形状的绝缘层110的方法。此时，凹凸形成用粒子无特别限定，例如可用树脂微粒子或无机微粒子。树脂微粒子可用丙烯酸树脂微粒子、聚丙烯腈微粒子、聚氨酯微粒子、聚酰胺微粒子、聚酰亚胺微粒子等。无机微粒子可以使用碳酸钙微粒子、硅酸钙微粒子、黏土、高岭土、滑石、二氧化硅微粒子、玻璃微粒子、硅藻土、云母粉（雲母粉）、氧化铝微粒子、氧化镁微粒子、氧化锌微粒子、硫酸钡微粒子、硫酸铝微粒子、硫酸钙微粒子、硫酸镁微粒子等。上述树脂微粒子和无机微粒子可单独使用也可数种组合使用。从提高绝缘层耐擦伤性的角度来说优选无机微粒子。
从在绝缘层110表面产生适度凹凸以获得一定表面性状的角度来说，凹凸形成用粒子优选50％平均粒径在2μm以上，更优选4μm以上，更优选10μm以上。此外，从防止绝缘层白化（白色化）的角度来说，50％平均粒径优选30μm以下，更优选20μm以下。
从获得一定表面性状的角度来说，绝缘层110中凹凸形成用粒子的添加量优选3质量％以上，更优选5质量％以上。此外，从防止绝缘层白化的角度来说，优选30质量％以下，更优选20质量％以下，更优选17质量％以下。
绝缘层110中可以添加黑色着色剂（着色剤）。通过添加黑色着色剂（着色剤）能降低绝缘层110的L＊值，使绝缘层表面印有的标记（文字、图形等）更易于辨识。绝缘层110上印的标记为白色时，优选L＊值在25以下，更优选20以下，更优选18以下。本发明中L＊值可以根据JIS Z 8781－4（2013）测定。
黑色着色剂（着色剤）可以是黑色颜料或数种颜料通过减色混合而黑色化的混合颜料等。黑色颜料例如可用碳黑、科琴炭黑（ケッチェンブラック）、碳纳米管（CNT）、苝黑（ペリレンブラック）、钛黑（チタンブラック）、铁黑、苯胺黑等中的一者或组合。混合颜料例如可以混合使用红色、绿色、蓝色、黄色、紫色、蓝绿色、品红色等颜料。
黑色着色剂（着色剤）的粒径只要能实现所需要的L＊值即可，但考虑到分散性、L＊值的降低等，优选平均一次粒径（一次粒子径）在20nm以上，优选100nm以下。黑色着色剂（着色剤）的平均一次粒径（一次粒子径）可以从穿透电子显微镜（TEM）放大到5万倍～100万倍的图像中所能观察到的20个左右的一次粒子的平均值求得。
从缩小L＊值的角度来说，优选绝缘层110中黑色着色剂（着色剤）的添加量为0．5质量％以上，更优选1质量％以上。根据需要，黑色着色剂（着色剤）可以添加也可以不添加。
光泽度也会影响所印的内容的可视性。从所印的内容的可视性角度来说，绝缘层110的60°光泽度优选3以下，更优选2以下，更优选1以下。此外，85°光泽度优选20以下，更优选15以下，更优选10以下，更优选5以下，更优选3以下。
优选地，绝缘层110除了具有所需要的绝缘性外还满足一定的机械强度、耐化学药品性、耐热性。
构成绝缘层的树脂材料只要具有足够绝缘性即可，无特别限定，例如可用热塑性树脂组成物、热固化型树脂组成物、活性能量射线固化型（活性エネルギー線硬化性）组成物等。
热塑性树脂组成物无特别限定，可用苯乙烯类树脂组成物、醋酸乙烯酯类树脂组成物、聚酯类树脂组成物、聚乙烯类树脂组成物、聚丙烯类树脂组成物、酰亚胺类树脂组成物、丙烯酸类树脂组成物等。热固化型树脂组成物无特别限定，可用苯酚类树脂组成物、环氧类树脂组成物、聚氨酯类树脂组成物、三聚氰胺类树脂组成物、醇酸树脂类树脂组成物等。活性能量射线固化型组成物（活性エネルギー線硬化性组成物）无特别限定，例如可用分子中至少有2个（甲基）丙烯酰氧基的聚合性化合物等。上述组成物可单用一种也可将2种以上组合使用。
此外，绝缘层110中除了上述微粒子、着色剂以外还可以根据需要含有固化促进剂（硬化促進剤）、增粘剂、抗氧化剂、颜料、染料、塑化剂、紫外线吸收剂、消泡剂、整平剂（レベリング剤）、填充剂、阻燃剂、粘度调节剂（粘度調節剤）、防粘连剂（ブロッキング防止剤）等。
绝缘层110厚度无特别限定，可根据需要适当设定，从充分保护屏蔽层的角度来说优选1μm以上，更优选4μm以上。此外，从确保电磁波屏蔽膜弯曲性的角度来说，优选20μm以下，更优选10μm以下。
－屏蔽层－
本实施方式的屏蔽层120可以是金属层。屏蔽层120可用镍、铜、银、锡、金、钯、铝、铬、钛、锌中的任一种或含其中两种以上的金属等制成的金属层。金属层的材质、厚度根据所要求的电磁波屏蔽效果以及反复弯曲·滑动耐性适当选择即可。从获得足够的电磁波屏蔽效果的角度来说，金属层厚度优选0．1μm以上。从生产性、弯曲性等角度考虑，优选8μm以下。金属层可通过下述方法形成：电镀法、无电镀（無電解メッキ）法、溅镀法、电子束蒸镀（電子ビーム蒸着）法、真空蒸镀法、CVD法、有机金属法等。此外金属层还可由金属箔、金属纳米粒子、鳞片状金属粒子等构成。
－接着剂层－
本实施方式的电磁波屏蔽膜可以在屏蔽层120的与绝缘层110相反一侧含有接着剂层130。接着剂层130可由具有接着性的树脂组成物制成。接着性树脂组成物无特别限定，可用苯乙烯类树脂组成物、醋酸乙烯酯类树脂组成物、聚酯类树脂组成物、聚乙烯类树脂组成物、聚丙烯类树脂组成物、酰亚胺类树脂组成物、酰胺类树脂组成物、丙烯酸类树脂组成物等热塑性树脂组成物、苯酚类树脂组成物、环氧类树脂组成物、聚氨酯类树脂组成物、三聚氰胺类树脂组成物、醇酸树脂类树脂组成物等热固化型树脂组成物等。上述物质可单独使用一种也可组合使用两种以上。
接着剂层130可根据需要设置成具有各向同性导电性或各向异性导电性层。要使接着剂层130成为各向同性或各向异性导电性层只要在接着性的树脂组成物中添加导电性微粒子即可。
导电性微粒子无特别限定，可用金属微粒子、碳纳米管、碳纤维、金属纤维等。例如可用银粉、铜粉、镍粉、焊锡粉、铝粉等金属微粒子。还可用对铜粉镀银所得到的银包铜粉、高分子微粒子或玻璃微珠等被金属被覆所形成的金属被覆微粒子等。其中从经济性角度考虑，优选低价的铜粉或银包铜粉。
导电性粒子的50％平均粒径无特别限定，从获得良好导电性的角度来说优选0．5μm以上。此外，从控制导电性接着剂层厚度的角度来说优选15μm以下。
导电性粒子形状无特别限定，可适当选择球状、扁平状、鳞片状、树枝状等。
接着剂层130厚度可根据需要调整，从获得良好接着性的角度来说优选0．5μm以上。此外，从控制电磁波屏蔽膜厚度的角度来说优选20μm以下。
以上就电磁波屏蔽膜含有绝缘层110、屏蔽层120、接着剂层130的结构进行了说明，但也可采用图2所示结构，即含有绝缘层110、各向同性导电性接着剂层140。
绝缘层110可采用与图1电磁波屏蔽膜同样的结构。各向同性导电性接着剂层140可以由与接着剂层130同样的接着性树脂组成物及导电性微粒子构成。各向同性导电性接着剂层140作为屏蔽层发挥功能。
－屏蔽膜的制造方法－
本实施方式的电磁波屏蔽膜可通过公知制造方法制造。以下说明其中一例。
首先，在表面进行了离型处理的支撑体膜上形成具有导电性的接着剂层130。具体来说，含用于构成接着剂层130的材料在内的接着剂层组成物溶液被涂布于支撑体膜的表面，干燥形成接着剂层130。
然后，在接着剂层130表面形成屏蔽层120。具体来说可采用下述方法：将预先制成一定厚度的金属箔贴合在接着剂层130的方法、在接着剂层130表面通过蒸镀或金属镀层等方式形成金属层的方法。
然后，在屏蔽层120表面形成绝缘层110。具体来说可采用下述方法：将含用于构成绝缘层110的材料在内的绝缘层组成物溶液涂布于屏蔽层120表面并干燥的方法。
然后，剥离支撑体膜就能获得电磁波屏蔽膜。
还可以用接着剂层130作为各向同性导电性接着剂层140并在各向同性导电性接着剂层140表面形成绝缘层110。
为使绝缘层110表面的表面性状成为一定状态，还可以在绝缘层110表面进行喷砂等处理。
以上例示是从接着剂层130一侧开始制作，也可以从绝缘层110一侧开始依次制作。此时可采用如下方式：使用带有微小图形的支撑体膜，将微小图形转印到绝缘层110表面，由此使绝缘层110的表面性状成为一定状态。
实施例
以下通过实施例详细说明本发明。以下实施例仅为例示对本发明没有限定作用。
＜电磁波屏蔽膜的制作＞
－接着剂层的制作－
向甲苯中添加双酚A型环氧类树脂（三菱化学生产、jER1256）100质量份、硬化剂（三菱化学生产、ST14）0．1质量份、树枝状的银包被铜粉（平均粒径13μm）25质量份，使固形成分量为20质量％，搅拌混合制备出导电性的接着剂层组成物。所得到的接着剂层组成物涂布在表面进行了离型处理的PET膜上，通过加热干燥在支撑膜表面形成接着剂层。
－屏蔽层的制作－
在所获得的接着剂层表面贴合厚度2μm的压延铜箔。
－绝缘层的制作－
针对甲苯使用双酚A型环氧类树脂（三菱化学生产、jER1256）100质量份、作为硬化剂的（三菱化学生产、ST14）0．1质量份、作为黑色着色剂（着色剂）的碳粒子（东海碳素（TOKAI CARBON）生产、TOKABLACK＃8300／F）15质量份、以及一定量的一定凹凸形成用粒子，使得固形成分量为20质量％，制备绝缘层组成物。将该组成物涂布在所得到的屏蔽层上，加热干燥获得电磁波屏蔽膜。
＜特性评价方法＞
［绝缘层表面性状的测定］
用共聚焦显微镜（Lasertec公司生产、OPTELICS HYBRID、物镜20倍）测定电磁波屏蔽膜绝缘层表面的任意5处后，通过数据分析软件（LMeye7）进行表面倾斜补正（傾き補正），依据ISO 25178－6：2010测定表面性状，获得其算术平均值。S过滤器的截止波长为0．0025mm，L过滤器的截止波长为0．8mm。
［L＊值的测定］
用积分球式分光光度仪（積分球分光測色計）（X－Rite公司生产、Ci64、钨光源）测定L＊值。并测定a＊值、b＊值。
［因指纹变色的评价］
直径2．5cm的橡胶栓表面用＃240砂纸粗化。然后在PET膜表面滴下人工污染液（JIS C9606：伊势久生产）5μL，将上述橡胶栓粗化后的面按压在人工污染液（500g承重、10秒钟）。然后将人工污染液所附着的橡胶栓按压在绝缘层表面（500g承重、10秒钟），使人工污染液附着。然后从无纺布（日本制纸珂蕾亚（NIPPON PAPER CRECIA）生产、WYPALLX70）裁出大约3cm角的大小，置于人工污染液之上，在500g承重下往返20次（单程距离＝10cm），由此擦拭。擦拭后85°光泽度值减去人工污染液附着前的85°光泽度值所得到的值为85°光泽度差。60°光泽度和85°光泽度通过BYK Gardner・微型光泽度计（ガードナー・マイクロ－グロス）（便携式光泽度计）测定。
（实施例1）
加入绝缘层的凹凸形成用粒子用的是平均粒径7μm的二氧化硅粒子，使用量为40质量份。所获得的电磁波屏蔽膜绝缘层表面的Sa为1．02μm、Sdq为1．26、Ssk为2．22。人工污染液附着前的60°光泽度为1．1、指纹擦拭后的60°光泽度为5．2。人工污染液附着前的85°光泽度为1．5，指纹擦拭后的85°光泽度为1．9，85°光泽度差为0．4。L＊值为21．3。
（实施例2）
凹凸形成用粒子的使用量为50质量份，除此之外，与实施例1同样地得到电磁波屏蔽膜。所得到电磁波屏蔽膜绝缘层表面的Sa为1．18μm、Sdq为1．26、Ssk为2．21。人工污染液附着前的60°光泽度为0．5、指纹擦拭后的60°光泽度为6．7。人工污染液附着前的85°光泽度为1．8、指纹擦拭后的85°光泽度为2．4、85°光泽度差为0．6。L＊值为20．1。
（实施例3）
凹凸形成用粒子的使用量为35质量份，除此之外，与实施例1同样地获得电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为1．31μm、Sdq为0．95、Ssk为1．47。人工污染液附着前的60°光泽度为0．5、指纹擦拭后的60°光泽度为1．8。人工污染液附着前的85°光泽度为1．7、指纹擦拭后的85°光泽度为2．5、85°光泽度差为0．8。L＊值为、20．1。
（实施例4）
凹凸形成用粒子使用的是平均粒径9μm的二氧化硅粒子，使用量为40质量份，除此之外，与实施例1同样地获得电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜绝缘层表面的Sa为0．92μm、Sdq为1．38、Ssk为3．10。人工污染液附着前的60°光泽度为2．1、指纹擦拭后为60°光泽度为6．1。人工污染液附着前的85°光泽度为2．1、指纹擦拭后的85°光泽度为2．6、85°光泽度差为0．5。L＊值为23．5。
（实施例5）
凹凸形成用粒子的使用量为50质量份，除此之外，与实施例4同样地获得电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜绝缘层表面的Sa为0．92μm、Sdq为1．02、Ssk为2．53。人工污染液附着前的60°光泽度为1．5、指纹擦拭后的60°光泽度为4．9。人工污染液附着前的85°光泽度为1．7、指纹擦拭后的85°光泽度为3．2、85°光泽度差为1．5。L＊值为、24．3。
（实施例6）
凹凸形成用粒子使用的是平均粒径5μm的二氧化硅粒子，使用量为70质量份，除此之外，与实施例1同样地获得电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为1．05μm、Sdq为0．92、Ssk为0．80。人工污染液附着前的60°光泽度为0．5、指纹擦拭后的60°光泽度为2．4。人工污染液附着前的85°光泽度为4．6、指纹擦拭后的85°光泽度为6．3、85°光泽度差为1．7。L＊值为、23．6。
（实施例7）
凹凸形成用粒子使用的是平均粒径7μm的二氧化硅粒子，使用量为60质量份，除此之外，与实施例1同样地获得电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为1．11μm、Sdq为1．12、Ssk为1．46。人工污染液附着前的60°光泽度为0．4、指纹擦拭后的60°光泽度为1．9。人工污染液附着前的85°光泽度为3．8、指纹擦拭后的85°光泽度为6．5、85°光泽度差为2．7。L＊值为21．9。
（比较例1）
将平均粒径2μm的二氧化硅粒子用作凹凸形成用粒子，将使用量设为60质量份，除此之外，与实施例1同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．57μm，Sdq为0．80，Ssk为0．07。人工污染液附着前的60°光泽度为0．8，指纹擦拭后的60°光泽度为2．2。人工污染液附着前的85°光泽度为16．8，指纹擦拭后的85°光泽度为26．7，85°光泽度差为9．9。L＊值为24．4。
（比较例2）
除将凹凸形成用粒子的使用量设为65质量份以外、与比较例1同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．66μm，Sdq为0．90，Ssk为－0．22。人工污染液附着前的60°光泽度为0．5，指纹擦拭后的60°光泽度为3．9。人工污染液附着前的85°光泽度为15．9，指纹擦拭后的85°光泽度为30．4，85°光泽度差为14．5。L＊值为21．9。
（比较例3）
制备了不含凹凸形成用粒子的绝缘层组成物。将其涂布于支撑体膜的表面、让其干燥硬化、获得了绝缘层。支撑体膜为表面由于压纹（エンボス）加工而具有了凹凸形状（Sa＝0．60μm、Sdq＝0．61）的、厚度20μm的经过离型处理的PET膜。接下来、将绝缘层贴合于与实施例1同样地制作的屏蔽层之后、剥离支撑体膜获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．58μm，Sdq为0．65，Ssk为－0．78。人工污染液附着前的60°光泽度为4．2，指纹擦拭后的60°光泽度为9．1。人工污染液附着前的85°光泽度为34．0，指纹擦拭后的85°光泽度为42．8，85°光泽度差为8．8。L＊值为25．3。
（比较例4）
除了将使用二氧化硅微粒子使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．6μm、Sdq＝0．47μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．59μm，Sdq为0．49，Ssk为－0．85。人工污染液附着前的60°光泽度为7．6，指纹擦拭后的60°光泽度为13．3。人工污染液附着前的85°光泽度为38．7，指纹擦拭后的85°光泽度为48．0，85°光泽度差为9．3。L＊值为28．2。
（比较例5）
除了将通过砂垫层（サンドマット）加工而使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．47μm、Sdq＝0．59μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．45μm，Sdq为0．58，Ssk为－0．25。人工污染液附着前的60°光泽度为5．4，指纹擦拭后的60°光泽度为11．9。人工污染液附着前的85°光泽度为26．1，指纹擦拭后的85°光泽度为51．0，85°光泽度差为24．9。L＊值为27．2。
（比较例6）
除了将通过砂垫层（サンドマット）加工而使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．45μm、Sdq＝0．56μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．45μm，Sdq为0．54，Ssk为－0．60。人工污染液附着前的60°光泽度为9．2，指纹擦拭后的60°光泽度为16．6。人工污染液附着前的85°光泽度为30．4，指纹擦拭后的85°光泽度为54．7，85°光泽度差为24．3。L＊值为27．2。
（比较例7）
除了将通过砂垫层（サンドマット）加工而使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．51μm、Sdq＝0．55μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．49μm，Sdq为0．55，Ssk为－0．37。人工污染液附着前的60°光泽度为8．6，指纹擦拭后的60°光泽度为16．7。人工污染液附着前的85°光泽度为21．6，指纹擦拭后的85°光泽度为56．7，85°光泽度差为35．1。L＊值为27．2。
（比较例8）
除了将使用二氧化硅微粒子使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．43μm、Sdq＝0．40μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．42μm，Sdq为0．38μm，Ssk为－1．19。人工污染液附着前的60°光泽度为11．7，指纹擦拭后的60°光泽度为17．9。人工污染液附着前的85°光泽度为52．4，指纹擦拭后的85°光泽度为58．9，85°光泽度差为6．5。L＊值为27．9。
（比较例9）
将平均粒径5μm的二氧化硅粒子用作加于绝缘层的粒子，将使用量设为40质量份，除此以外与实施例1同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．49μm，Sdq为0．74，Ssk为－0．77。人工污染液附着前的60°光泽度为1．0，指纹擦拭后的60°光泽度为19．8。人工污染液附着前的85°光泽度为33．2，指纹擦拭后的85°光泽度为61．0，85°光泽度差为27．8。L＊值为22．0。
（比较例10）
除了将使用二氧化硅微粒子使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．36μm、Sdq＝0．36μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．35μm，Sdq为0．36，Ssk为－0．31。人工污染液附着前的60°光泽度为6．9，指纹擦拭后的60°光泽度为12．1。人工污染液附着前的85°光泽度为58．6，指纹擦拭后的85°光泽度为63．0，85°光泽度差为4．4。L＊值为26．3。
（比较例11）
除了将使用二氧化硅微粒子使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．46μm、Sdq＝0．65μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．43μm，Sdq为0．62，Ssk为－0．40。人工污染液附着前的60°光泽度为2．4，指纹擦拭后的60°光泽度为16．6。人工污染液附着前的85°光泽度为42．6，指纹擦拭后的85°光泽度为71．8，85°光泽度差为29．2。L＊值为28．2。
（比较例12）
除了将使用二氧化硅微粒子使得表面具有了凹凸形状（Sa＝0．31μm、Sdq＝0．58μm）的膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地获得了电磁波屏蔽膜。所获得的电磁波屏蔽膜的绝缘层表面的Sa为0．34μm，Sdq为0．55，Ssk为－0．48。人工污染液附着前的60°光泽度为4．3，指纹擦拭后的60°光泽度为30．2。人工污染液附着前的85°光泽度为64．2，指纹擦拭后的85°光泽度为80．6，85°光泽度差为16．4。L＊值为24．4。
（比较例13）
除了将通过压纹（エンボス）加工使得表面具有了凹凸形状（Sa＝1．5μm、Sdq＝4．89μm）的PET膜用作支撑体膜以外，与比较例3同样地在支撑体膜的表面涂布绝缘层并让其干燥硬化。接下来，将绝缘层贴合于与实施例1同样地制作的屏蔽层。接着，在要剥离支撑体膜时、支撑体膜和绝缘层牢固地贴着、在一部分产生了绝缘层／屏蔽层的界面破损。未看到界面破损的绝缘层表面的Sa为1．3μm，Sdq为3．6，Ssk为－1．60。另外，由于本比较例中产生了界面破损，未测定光泽度和L＊值。
在表1表示各实施例和比较例的电磁波屏蔽膜的表面性状以及变色的评价。在表1中也表示Sp、Sq、Spk、Vvc、Vmp、a＊和b＊的值。
【表1】
Figure 816372DEST_PATH_IMAGE002
图3表示Sdq和85°光泽度的关系。至少当Sdq在0．8以上且85°光泽度在10以下时，光泽度差在4以下，不易由于指纹的擦拭而产生变色。
图4表示Ssk和85°光泽度的关系。至少当Ssk在0．1以上且85°光泽度在10以下时，光泽度差在4以下，不易由于指纹的擦拭而产生变色。
实用性
本发明的电磁波屏蔽膜不易因擦拭指纹而变色，作为印制布线板等的电磁波屏蔽膜是有用的。
符号说明
110 绝缘层
120 屏蔽层
130 接着剂层
140 各向同性导电性接着剂层

Claims (3)

1.一种电磁波屏蔽膜，含有绝缘层、屏蔽层；
其中，所述绝缘层表面的中心部的空隙容积Vvc为1．1ml／m2以上、10ml／m2以下，
所述绝缘层表面的峰部的实体体积Vmp为0．07ml／m2以上、1．0ml／m2以下。
2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：
所述绝缘层表面的指纹附着前的85°光泽度在20以下。
3.根据权利要求1或2所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于：
所述绝缘层的L＊值在25以下。
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