JP2018031873A - 露光装置、露光方法、および物品製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、および物品製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】装置のサイズおよび広い露光領域の確保の点で有利な露光装置を提供する。【解決手段】物体1を円弧状の光で照明する照明光学系ILと、円弧状の光で照明された物体1の像を基板3に投影する投影光学系POを有し、物体1と基板3との相対位置を所定方向に変えながら基板3を露光する露光装置であって、照明光学系ILは、光源の光を円弧状の光に整形する円弧状の開口部が設けられたスリット5を含み、開口部の円弧の曲率を変更する変更部と、投影光学系POの結像性能に基づいて曲率を変更するように変更部を制御する制御部Cと、を備えることを特徴とする。【選択図】図1

Description

本発明は、露光装置、露光方法、および物品製造方法に関する。
半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造する工程の一つであるリソグラフィ工程において、投影光学系を介して基板上の露光領域に原版のパターンを転写する露光装置が用いられている。近年の上記物品の微細化に伴い、投影光学系の結像性能を調整して原版のパターンを所定の倍率で正確に基板に転写することが要求されている。例えば、特許文献1に記載の露光装置は、投影光学系のディストーションや結像倍率といった結像性能を調整する光学部材を備える。
特開2011−39172号公報
しかしながら、上記特許文献の露光装置では、基板の大形化に伴う露光領域の大面積化に対応するために、例えば、結像性能を調整する光学素子の部材を大きくする必要があり、投影光学系が大形化する。
本発明は、例えば、装置のサイズおよび広い露光領域の確保の点で有利な露光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、物体を円弧状の光で照明する照明光学系と、円弧状の光で照明された物体の像を基板に投影する投影光学系を有し、物体と基板との相対位置を所定方向に変えながら基板を露光する露光装置であって、照明光学系は、光源の光を円弧状の光に整形する円弧状の開口部が設けられたスリットを含み、円弧状の光の曲率を変更する変更部と、投影光学系の結像性能に基づいて曲率を変更するように変更部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、例えば、装置のサイズおよび広い露光領域の確保の点で有利な露光装置を提供することができる。
第1実施形態に係る露光装置の概略図である。 第1実施形態に係る照明光学系に含まれるスリットの形状を示す図である。 投影光学系のフォーカス特性を示す非点収差に関する縦収差図である。 屈折部材の有効部を示す図である。 スリット幅を拡大した場合のスリット形状を示す図である。 図5のスリット幅に対応した必要な屈折部材の有効部の形状を示す図である。 図5の曲率よりも曲率を小さくしたスリットの形状を示す図である。 図7のスリット幅に対応した必要な屈折部材の有効部の形状を示す図である。 第2実施形態に係るスリットの形状を示す図である。 スリット形状可変機構の構成を示す図である。 絞りの構成の一例を示す図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態の露光装置の概略図である。本実施形態の露光装置は、例えば、液晶表示デバイスや有機ELデバイスなどのフラットパネルの製造工程におけるリソグラフィ工程にて使用されうる。特に本実施形態では、露光装置は、ステップ・アンド・スキャン方式にて、マスク(レチクル、原版)および基板の相対位置を走査方向に同期して走査させながら、マスクに形成されているパターン像を基板上に転写(露光)する走査型投影露光装置とする。
本実施形態の露光装置は、製造すべきデバイスの回路パターンが描画されているマスク(物体)1を保持して移動可能なマスクステージ(第1の保持部)2と、基板(基板)3を保持する基板ステージ(第2の保持部)4を備える。また、マスク1を照明する照明光学系ILと、基板3にマスク1のパターンを投影する投影光学系POと、制御部Cと、を備える。照明光学系ILと投影光学系POの間には、マスク1を保持したマスクステージ2が配置される。照明光学系ILには光源が含まれており、例えば高圧水銀ランプが使用可能である。ただし、光源は製造するデバイスに対して適切なのもが任意に選択可能である。照明光学系ILには、スリット5が設けられており、光源からの光はスリット5を通過してマスク1を照明し、投影光学系POでマスク1のパターンの像を基板ステージ4に保持された基板3に投影する。スリット5は投影光学系POの良像域の形状に合わせた形状となっている。スリット5を通過した光は投影光学系POの良像域に合わせた形状に整形される。制御部Cは、CPU及びメモリ(ROM、RAM等)を含み、露光装置の各部を制御して基板3の露光処理を制御する。メモリには投影光学系のNA(投影光学系の結像性能に関する情報)と当該NAに適した透過部52(図2に図示)のY方向(所定方向)の幅とが関連づけられたテーブルが記憶されている。さらに、透過部52のY方向のスリット幅Wb(図2に図示)と、当該幅に応じて変更される透過部52の円弧の曲率とが関連付けられたテーブルが記憶されている。なお、投影光学系のNAは、マスク1のパターンや所望の解像力に応じてユーザにより露光装置に入力される。
投影光学系POは、マスク1からの光の進行方向に沿って、順に第一の屈折部材6、2つの平面鏡からなる反射面を有する台形鏡7、第一の凹面鏡8、絞り12を備えた凸面鏡9、第二の凹面鏡10、第二の屈折部材11、を含む。第一の凹面鏡8と第二の凹面鏡10とは一体化して構成されていてもよい。図1において基板3からマスク1に向かう方向(投影光学系POの光軸方向)を+z方向、z方向に直交し、凸面鏡9から第一の凹面鏡8に向かう方向を+y方向、z方向とy方向に対し右手系をなす方向を+x方向とする。
基板3には露光光に感度があるフォトレジストが塗布されており、露光パターンを現像することにより、基板3上にマスク1に描画された回路パターンが形成される。露光時には、マスクステージ2と基板ステージ4との相対位置を同期してy方向に走査させることにより、走査しない場合よりも広い領域を露光可能とする。凸面鏡9は、投影光学系POの瞳部となっている。凸面鏡9に設けられた絞り12の径を変更することにより投影光学系POの開口数(NA)を変更することが可能である。
図2は、本実施形態に係る照明光学系ILに設けられたスリット5の形状を示す図である。凸面鏡9、第一の凹面鏡8および第二の凹面鏡10を備えた本実施形態の投影光学系POでは軸外の円弧状の良像域を使用可能である。したがって、スリット5は図2に示す幅(y方向の長さ)Wの円弧形状になっている。スリット5は、遮光部51および透過部52を有し、例えば鉄などの金属により作製され得る。透過部52は投影光学系POの良像域に合わせた形状とすることで良好な結像性能を得ることができる。
第一の屈折部材6、第二の屈折部材11および第三の屈折部材12は、投影光学系POの結像性能、例えば倍率や収差などを補正するための補正光学系である。各屈折部材は、非球面のレンズやプレート、又は、楔状の光学部材などで構成される。
図3は、投影光学系POのフォーカス特性を示す非点収差に関する縦収差図である。縦軸をy方向、横軸をデフォーカス量とする。曲線Sは、サジタル像面のデフォーカス量、曲線Mは、メリジオナル像面のデフォーカス量を示す。各像面のデフォーカス量がゼロになる領域が投影光学系POの良像域であり、軸外に良像域があることが分かる。第一の屈折部材6や第三の屈折部材12の配置関係上、これらの大きさが制限されるため、良像域すべてが使用可能とは限らない。図3に示すとおり、使用可能領域は、良像域の一部のみカバーしている。
図4は、屈折部材6の有効部Pを示す図である。ここでは、三つの屈折部材のうち、屈折部材6を例として説明する。屈折部材6のy方向の寸法Lは、投影光学系POでの配置スペース等により制限される。有効部Pのy方向の寸法と屈折部材6のy方向の寸法Lとの差が最も小さくなる箇所の寸法差dは、屈折部材6の加工上の制約や保持上の制約により一定以上必要となる。しかしながら、屈折部材6のy方向の寸法Lが制限されるため、投影光学系POの良像域を十分にカバーする大きさの有効部Pを得られない場合がある。したがって、図3のように使用可能領域が制限される。同様に第一の凹面鏡8や第二の凹面鏡10の外形の制約によっても良像域が制限され得る。制限された良像域の最大物高を透過部52の円弧の曲率Rとし、使用可能領域の幅だけ円弧をy方向に移動させることにより使用可能な良像域のみを使用するスリット形状を決定することが可能である。
投影光学系POの解像力CDは式1で与えられる。式1のλは照明光学系ILの光源から出射する光の波長であり、k1はプロセスなどに応じた比例定数である。一方、焦点深度DOFは波長λと投影光学系のNA、比例定数k2を用いて式2のように表される。NAを大きくすれば解像力が上がる一方焦点深度DOFが減少する。逆に解像力CDを高くする必要がないパターンについてはNAを小さくすることで焦点深度DOFを増やすことが可能となる。このようにパターンに応じて必要なNAを選択することにより、パターンをより忠実に露光することが可能となる。
Figure 2018031873
Figure 2018031873
NAを小さくした場合、各光学部材での光束径が小さくなる。そのため各光学部材の有効径を変更することなく、スリット5の幅Wを広くすることが可能となる。スリットの幅Wを広くすることにより走査露光の際の積算光量が増え露光時間の短縮につながる。結果として露光装置のスループット向上につながり装置の生産性が向上する。
NAを小さくすることで透過部52の幅Wを幅Wへ広くした場合のスリット形状を図5に示す。このときの透過部52のx方向の長さをXとする。図5のスリットに対応する屈折部材6に必要な有効部Pの形状を図6に示す。図6に示す通り、有効部Pのy方向の大きさ(幅)Pwが屈折部材6の寸法よりも大きくなってしまう。そのため、屈折部材6自体のサイズを大きくする必要があるが、それにより露光装置が大形となる等の問題が生じうる。
本実施形態では、露光装置が使用するスリット5を交換して光束のスリット形状を調整するスリット交換装置(変更部)を備えうる。スリット交換装置は、制御部Cにより制御され、投影光学系POのNAや当該NAに対応した必要スリット幅に応じた最適なスリットをあらかじめ用意した複数のスリットから選択して照明光学系ILに配置する。上記のようにNAを小さくすることでスリット幅を幅Wにした場合、スリット交換装置は、図7に示す幅Wで図5のスリットの曲率(第1曲率)よりも小さい曲率(第2曲率)のスリット5を照明光学系ILに配置する。図7の点線は、図5に示したスリット5の形状を示す。
図7のスリット5を用いた場合の屈折部材6に必要な有効部Pの形状を図8に示す。点線は図6に示した有効部Pの形状を示す。図8の通り、屈折部材6は、必要な有効部Pの全体をカバーしている。したがって、透過部52の曲率を投影光学系のNAに応じて変更することで、屈折部材6の大きさを変更することなく、図7に示すスリット幅Wと同じスリット幅を確保することが可能である。
以上のように、本実施形態の露光装置は、投影光学系POのNAを小さくしてスリット幅を大きくしても投影光学系POに含まれる光学部材(屈折部材6等)を大きくする必要がない。したがって、本実施形態によれば、装置のサイズおよび露光領域の広さの点で有利な露光装置を提供することができる。
(第2実施形態)
第1実施形態は、スリット幅をy方向に広げたが、本実施形態では、x方向に広げる場合を考える。図9は、図5に示すスリット5のスリット幅であるXbをXcに広げた場合のスリット形状を示す図である。点線は図5の透過部52の円弧の曲率Rのままスリット幅をXcに広げた時のスリット形状を示す。実線は、曲率Rよりも小さい曲率とした場合のスリット形状を示す。図9で示すとおり、曲率Rの場合は、透過部52の形状がスリット5をはみ出してしまい、屈折部材6を大きくし有効部を大きくする必要性が高まる。一方、曲率をRよりも小さくした場合は、透過部52がスリット5におさまり、屈折部材6を大きくする必要がない。本実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を得られる。
上記実施形態では、基板3を露光する露光光の光束のスリット形状をスリット交換装置により調整していたが、人手によりスリットを交換することで調整してもよい。または、図10で示すようなスリット形状可変機構(調整部)によりすでに配置されているスリットの形状を変えることで調整してもよい。または、これらの併用によりスリット形状を変えて調整してもよい。
スリット形状可変機構は、例えば、駆動制御部13と、駆動部14と、ブレード15と、を含む。駆動制御部13は例えばモーターを含み、駆動部14をy方向に進退させる。ブレード15は、駆動部14により力を加えられることで変形可能な板金等からなる。スリット形状可変機構は、制御部Cにより制御される。制御部Cは、投影光学系のNAに対応したスリットの目標形状(幅や曲率)を決定し、決定した形状に基づいて駆動部14を駆動させブレード15を変形させる。変形後の形状は、不図示の計測部により計測され、制御部Cは、計測結果が目標形状となっているか否かを判断する。目標形状となっていれば駆動を終了し、目標形状になっていなければ駆動を続ける。なお、スリット形状可変機構は、x方向に進退可能な駆動部14をさらに備えていても良い。
図11(A)および(B)は、絞り12の構成の一例を示す図である。図11(A)および(B)に示す絞り12は、z方向に互いに離間する(図11(B))ように移動可能な2つの部材16、17から構成され、当該2つの部材16、17が接触している時(図11(A))は円形の開口部が形成される部材である。2つの部材16、17の移動は制御部Cにより制御され、開口部の大きさによりNAが調整される。
(物品製造方法に係る実施形態)
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
(その他の実施形態)
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1 マスク
2 マスクステージ
3 基板
4 基板ステージ
5 スリット
IL 照明光学系
PO 投影光学系PO
C 制御部

Claims (9)

  1. 物体を円弧状の光で照明する照明光学系と、前記円弧状の光で照明された前記物体の像を基板に投影する投影光学系を有し、前記物体と前記基板との相対位置を所定方向に変えながら前記基板を露光する露光装置であって、
    前記照明光学系は、光源の光を前記円弧状の光に整形する円弧状の開口部が設けられたスリットを含み、
    前記開口部の円弧の曲率を変更する変更部と、
    前記投影光学系の結像性能に関する情報に基づいて前記曲率を変更するように前記変更部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする露光装置。
  2. 前記変更部は、前記スリットを、前記曲率が第1曲率の第1スリットから、前記曲率が前記第1曲率とは異なる第2曲率の第2スリットに交換することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記第2スリットの開口部の前記所定方向の幅は前記第1スリットの開口部の前記所定方向の幅と異なることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
  4. 前記変更部は、力を加えて前記開口部の形状を調整する調整部を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  5. 前記変更部は、前記所定方向の幅を変更することを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
  6. 前記所定方向は前記投影光学系の光軸に直交する方向の長さであることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の露光装置。
  7. 前記投影光学系の結像性能に関する情報は、前記投影光学系のNAであることを特徴とする請求項1ないし6のうちいずれか1項に記載の露光装置。
  8. 物体を円弧状の光で照明し、前記円弧状の光で照明された前記物体の像を基板に投影する露光方法であって、
    前記投影光学系の結像性能に関する情報に基づいて前記円弧状の光の曲率を変更することを特徴とする露光方法。
  9. 請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いてパターンを基板上に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、を有する
    ことを特徴とする物品の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110412836A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 江苏盟星智能科技有限公司 一种激光直接成像曝光机及其成像方法
JP2020052368A (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5883836A (ja) * 1981-11-13 1983-05-19 Hitachi Ltd 円弧状照明光形成スリツト
JPH07273005A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Nikon Corp 投影露光装置
JPH09283434A (ja) * 1996-04-15 1997-10-31 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2001085328A (ja) * 1993-06-11 2001-03-30 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JP2001358057A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置
JP2004266259A (ja) * 2003-02-10 2004-09-24 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
KR20050002310A (ko) * 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 변형 조명계 노광장치 및 이를 이용한 감광막 패턴 형성방법
JP2007158225A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Canon Inc 露光装置
US20080151211A1 (en) * 2005-06-10 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Multiple-use projection system
JP2009164355A (ja) * 2008-01-07 2009-07-23 Canon Inc 走査露光装置およびデバイス製造方法
JP2010118403A (ja) * 2008-11-11 2010-05-27 Canon Inc 走査型露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2010197517A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Canon Inc 照明光学装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2011108697A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Nikon Corp 露光量制御方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013238670A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Canon Inc 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法及び開口板
JP2014130297A (ja) * 2012-12-29 2014-07-10 Cerma Precision Inc 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5880834A (en) * 1996-10-16 1999-03-09 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Convex diffraction grating imaging spectrometer
KR20020001418A (ko) * 2000-06-28 2002-01-09 박종섭 노광 장비의 어퍼처
JP3652329B2 (ja) * 2002-06-28 2005-05-25 キヤノン株式会社 走査露光装置、走査露光方法、デバイス製造方法およびデバイス
WO2010061674A1 (ja) * 2008-11-28 2010-06-03 株式会社ニコン 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2011039172A (ja) 2009-08-07 2011-02-24 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2014195048A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Canon Inc 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
CN105093847B (zh) * 2015-08-04 2017-05-10 深圳市华星光电技术有限公司 曝光机

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5883836A (ja) * 1981-11-13 1983-05-19 Hitachi Ltd 円弧状照明光形成スリツト
JP2001085328A (ja) * 1993-06-11 2001-03-30 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
JPH07273005A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Nikon Corp 投影露光装置
JPH09283434A (ja) * 1996-04-15 1997-10-31 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2001358057A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置
JP2004266259A (ja) * 2003-02-10 2004-09-24 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
KR20050002310A (ko) * 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 변형 조명계 노광장치 및 이를 이용한 감광막 패턴 형성방법
US20080151211A1 (en) * 2005-06-10 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Multiple-use projection system
JP2007158225A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Canon Inc 露光装置
JP2009164355A (ja) * 2008-01-07 2009-07-23 Canon Inc 走査露光装置およびデバイス製造方法
JP2010118403A (ja) * 2008-11-11 2010-05-27 Canon Inc 走査型露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2010197517A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Canon Inc 照明光学装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2011108697A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Nikon Corp 露光量制御方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013238670A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Canon Inc 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法及び開口板
JP2014130297A (ja) * 2012-12-29 2014-07-10 Cerma Precision Inc 投影光学系、露光装置、スキャン露光装置及び表示パネルの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020052368A (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法
JP7204400B2 (ja) 2018-09-28 2023-01-16 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法
CN110412836A (zh) * 2019-07-31 2019-11-05 江苏盟星智能科技有限公司 一种激光直接成像曝光机及其成像方法

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