JP2001085328A - 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 - Google Patents
投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法Info
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- JP2001085328A JP2001085328A JP2000258871A JP2000258871A JP2001085328A JP 2001085328 A JP2001085328 A JP 2001085328A JP 2000258871 A JP2000258871 A JP 2000258871A JP 2000258871 A JP2000258871 A JP 2000258871A JP 2001085328 A JP2001085328 A JP 2001085328A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上での照度むら(積算露光量のばらつ
き)を低減する。 【解決手段】 切り換え手段(56)によって照明法が
切り換えられた場合にも、均一化手段(52)によって
基板(5)上での積算露光量を均一化する。
き)を低減する。 【解決手段】 切り換え手段(56)によって照明法が
切り換えられた場合にも、均一化手段(52)によって
基板(5)上での積算露光量を均一化する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用される、所謂スリットスキャン露光方式の投影露
光方法及び装置に関する。
液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際
に使用される、所謂スリットスキャン露光方式の投影露
光方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル(以下、
「レチクル」と総称する)のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ(又はガラ
スプレート等)上に露光する投影露光装置が使用されて
いる。最近は、半導体素子等の1個のチップパターンが
大型化する傾向にあり、投影露光装置においては、レチ
クル上のより大きな面積のパターンをウエハ上に露光す
るための大面積化が求められている。
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル(以下、
「レチクル」と総称する)のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ(又はガラ
スプレート等)上に露光する投影露光装置が使用されて
いる。最近は、半導体素子等の1個のチップパターンが
大型化する傾向にあり、投影露光装置においては、レチ
クル上のより大きな面積のパターンをウエハ上に露光す
るための大面積化が求められている。
【0003】また、半導体素子等のパターンが微細化す
るのに応じて、投影光学系の解像度を向上することも求
められているが、投影光学系の解像度を向上し、且つ投
影光学系の露光フィールドを大きくすることは設計上及
び製造上困難であるという問題がある。特に、投影光学
系として、反射屈折系を使用するような場合には、無収
差の露光フィールドの形状が円弧状の領域となることも
ある。
るのに応じて、投影光学系の解像度を向上することも求
められているが、投影光学系の解像度を向上し、且つ投
影光学系の露光フィールドを大きくすることは設計上及
び製造上困難であるという問題がある。特に、投影光学
系として、反射屈折系を使用するような場合には、無収
差の露光フィールドの形状が円弧状の領域となることも
ある。
【0004】斯かる転写対象パターンの大面積化及び投
影光学系の露光フィールドの制限に応えるために、例え
ば細長い矩形、円弧状又は6角形等の照明領域(これを
「スリット状の照明領域」という)に対してレチクルを
走査し、その照明領域と共役な露光領域に対してレチク
ルに同期してウエハを走査することにより、レチクル上
のパターンの像を逐次ウエハ上に露光する所謂スリット
スキャン露光方式の投影露光装置が注目されている。
影光学系の露光フィールドの制限に応えるために、例え
ば細長い矩形、円弧状又は6角形等の照明領域(これを
「スリット状の照明領域」という)に対してレチクルを
走査し、その照明領域と共役な露光領域に対してレチク
ルに同期してウエハを走査することにより、レチクル上
のパターンの像を逐次ウエハ上に露光する所謂スリット
スキャン露光方式の投影露光装置が注目されている。
【0005】この種の投影露光装置でも、従来の一括露
光方式の露光装置と同様に、視野絞りによりレチクル上
にスリット状の照明領域を設定する必要がある。ところ
が、スリットスキャン露光方式の場合には、走査の開始
時及び終了時にその照明領域がレチクル上のパターン領
域の走査方向のエッジ部近傍を走査するため、何等かの
工夫をしないと、パターン領域の外部の白抜きパターン
等がウエハ上に投影されてしまう。また、パターン領域
以外の部分の転写を防ぐために、そのパターン領域の周
囲に設けられている遮光帯(禁止帯)の幅を広くするこ
とも考えられるが、これでは1枚のレチクル全体の中で
パターン領域の面積が狭くなり、転写パターンの大面積
化に反することになる。
光方式の露光装置と同様に、視野絞りによりレチクル上
にスリット状の照明領域を設定する必要がある。ところ
が、スリットスキャン露光方式の場合には、走査の開始
時及び終了時にその照明領域がレチクル上のパターン領
域の走査方向のエッジ部近傍を走査するため、何等かの
工夫をしないと、パターン領域の外部の白抜きパターン
等がウエハ上に投影されてしまう。また、パターン領域
以外の部分の転写を防ぐために、そのパターン領域の周
囲に設けられている遮光帯(禁止帯)の幅を広くするこ
とも考えられるが、これでは1枚のレチクル全体の中で
パターン領域の面積が狭くなり、転写パターンの大面積
化に反することになる。
【0006】そこで、例えば特開平4−196513号
公報では、視野絞りを可動にして、走査の開始時及び終
了時にその視野絞りのエッジ部を走査に同期して移動さ
せることにより、スリット状の照明領域のエッジ部を移
動させるようにした投影露光装置が提案されている。
公報では、視野絞りを可動にして、走査の開始時及び終
了時にその視野絞りのエッジ部を走査に同期して移動さ
せることにより、スリット状の照明領域のエッジ部を移
動させるようにした投影露光装置が提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、投影光学系の倍率をβとすると、レチクル
が速度Vで走査されるのに同期して、レチクルの走査方
向と共役な方向にウエハが速度β・Vで走査される。そ
して、露光光の光量及び走査速度が一定とすると、スリ
ット状の照明領域の走査方向の幅により、ウエハ上の積
算露光量が決定される。このため、従来のようにレチク
ル上にスリット状の照明領域を設定するための可動の視
野絞りをレチクルと共役な面に配置し、走査の開始時及
び終了時にその視野絞りのエッジ部を移動させて、且つ
レチクルのパターン領域の内部では照明領域の形状を正
確に目標とする形状に設定してウエハ上への積算露光量
を目標とする積算露光量に設定するためには、可動の視
野絞りの駆動機構として高精度の位置決め機構が必要と
なり、可動の視野絞りの構造が複雑である不都合があっ
た。
に於いては、投影光学系の倍率をβとすると、レチクル
が速度Vで走査されるのに同期して、レチクルの走査方
向と共役な方向にウエハが速度β・Vで走査される。そ
して、露光光の光量及び走査速度が一定とすると、スリ
ット状の照明領域の走査方向の幅により、ウエハ上の積
算露光量が決定される。このため、従来のようにレチク
ル上にスリット状の照明領域を設定するための可動の視
野絞りをレチクルと共役な面に配置し、走査の開始時及
び終了時にその視野絞りのエッジ部を移動させて、且つ
レチクルのパターン領域の内部では照明領域の形状を正
確に目標とする形状に設定してウエハ上への積算露光量
を目標とする積算露光量に設定するためには、可動の視
野絞りの駆動機構として高精度の位置決め機構が必要と
なり、可動の視野絞りの構造が複雑である不都合があっ
た。
【0008】更に、レチクル上のパターン領域を囲む遮
光帯の走査に追従して可動の視野絞りのエッジ部を追従
させて動かすためには、その可動の視野絞りを高速追従
型にする必要があり、制御が複雑であるという不都合が
あった。また、視野絞りを可動にするためには、視野絞
りのエッジ部を機械的なナイフエッジの様なもので形成
するのが便利であるが、機械的なナイフエッジでは形状
誤差が大きく、露光後のウエハ上の積算露光量が位置に
より異なるという照度むらが発生する可能性があった。
また、視野絞りは照明光学系内に配置されていたので、
レチクルと共役状態であっても、ディストーション誤差
等が大きく、走査方向に垂直な非走査方向の照度むらの
除去が困難であるという不都合があった。
光帯の走査に追従して可動の視野絞りのエッジ部を追従
させて動かすためには、その可動の視野絞りを高速追従
型にする必要があり、制御が複雑であるという不都合が
あった。また、視野絞りを可動にするためには、視野絞
りのエッジ部を機械的なナイフエッジの様なもので形成
するのが便利であるが、機械的なナイフエッジでは形状
誤差が大きく、露光後のウエハ上の積算露光量が位置に
より異なるという照度むらが発生する可能性があった。
また、視野絞りは照明光学系内に配置されていたので、
レチクルと共役状態であっても、ディストーション誤差
等が大きく、走査方向に垂直な非走査方向の照度むらの
除去が困難であるという不都合があった。
【0009】本発明は斯かる点に鑑み、ウエハ上での走
査方向に垂直な方向の照度むら(積算露光量のばらつ
き)を低減することを目的とする。
査方向に垂直な方向の照度むら(積算露光量のばらつ
き)を低減することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の投影
露光装置は、例えば図1及び図2に示すように、マスク
(12)のパターンの像を基板(5)上に投影するとと
もに、基板(5)を所定の走査方向(Y)へ移動するこ
とにより基板(5)を走査露光する投影露光装置におい
て、マスク(12)に照射される露光ビームを射出する
ビーム源(31)と、ビーム源(31)からの射出され
た露光ビームによる照明法を切り換える切換手段(5
6)と、基板(5)上での積算露光量を均一化するため
の均一化手段(52)とを備えるようにしたものであ
る。
露光装置は、例えば図1及び図2に示すように、マスク
(12)のパターンの像を基板(5)上に投影するとと
もに、基板(5)を所定の走査方向(Y)へ移動するこ
とにより基板(5)を走査露光する投影露光装置におい
て、マスク(12)に照射される露光ビームを射出する
ビーム源(31)と、ビーム源(31)からの射出され
た露光ビームによる照明法を切り換える切換手段(5
6)と、基板(5)上での積算露光量を均一化するため
の均一化手段(52)とを備えるようにしたものであ
る。
【0011】また、本発明による第2の投影露光装置
は、マスク(12)のパターンの像を基板(5)上に投
影するとともに、その基板を移動することによりその基
板を走査露光する投影露光装置において、そのマスクに
照射される露光ビームを射出するビーム源(31)と、
そのマスクのパターンの像をその基板上に投影するため
の投影光学系(8)と、そのビーム源からの射出された
露光ビームの光路を変更する変更手段と、その基板上で
の積算露光量を均一化する均一化手段(52)とを備え
たものである。
は、マスク(12)のパターンの像を基板(5)上に投
影するとともに、その基板を移動することによりその基
板を走査露光する投影露光装置において、そのマスクに
照射される露光ビームを射出するビーム源(31)と、
そのマスクのパターンの像をその基板上に投影するため
の投影光学系(8)と、そのビーム源からの射出された
露光ビームの光路を変更する変更手段と、その基板上で
の積算露光量を均一化する均一化手段(52)とを備え
たものである。
【0012】また、本発明による投影露光方法は、マス
ク(12)のパターンの像を基板(5)上に投影すると
ともに、その基板を露光ビームに対して所定の走査方向
へ移動することによりその基板を走査露光する投影露光
方法において、その露光ビームによるそのマスクの照明
法を切換える工程と、その照明法の切り換え後に、その
基板上での積算露光量のばらつきが発生しないように積
算露光量制御を行う工程と、を含むものである。
ク(12)のパターンの像を基板(5)上に投影すると
ともに、その基板を露光ビームに対して所定の走査方向
へ移動することによりその基板を走査露光する投影露光
方法において、その露光ビームによるそのマスクの照明
法を切換える工程と、その照明法の切り換え後に、その
基板上での積算露光量のばらつきが発生しないように積
算露光量制御を行う工程と、を含むものである。
【0013】次に、本発明による素子製造方法は、本発
明の投影露光方法又は投影露光装置を用いるものであ
る。
明の投影露光方法又は投影露光装置を用いるものであ
る。
【0014】
【作用】本発明によれば、いずれの照明法を使用した場
合でも、スリットスキャン露光方式でマスク(12)の
パターンの像を基板(5)上に露光した後の基板(5)
上での照度均一性が良好となる。
合でも、スリットスキャン露光方式でマスク(12)の
パターンの像を基板(5)上に露光した後の基板(5)
上での照度均一性が良好となる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。本実施例は、スリットスキャン露光方式の
投影露光装置でレチクルのパターンを逐次ウエハ上に露
光する場合に、本発明を適用したものである。図1は本
実施例の投影露光装置を示し、この図1において、図示
省略された照明光学系からの露光光ELによる矩形の照
明領域(以下、「スリット状の照明領域」という)によ
りレチクル12上のパターンが照明され、そのパターン
の像が投影光学系8を介してフォトレジストが塗布され
たウエハ5上に投影露光される。スリットスキャン露光
方式で露光を行う際には、露光光ELのスリット状の照
明領域に対して、レチクル12が図1の紙面に対して前
方向に一定速度Vで走査されるのに同期して、ウエハ5
は図1の紙面に対して後方向に一定速度V/M(1/M
は投影光学系8の縮小倍率)で走査される。
て説明する。本実施例は、スリットスキャン露光方式の
投影露光装置でレチクルのパターンを逐次ウエハ上に露
光する場合に、本発明を適用したものである。図1は本
実施例の投影露光装置を示し、この図1において、図示
省略された照明光学系からの露光光ELによる矩形の照
明領域(以下、「スリット状の照明領域」という)によ
りレチクル12上のパターンが照明され、そのパターン
の像が投影光学系8を介してフォトレジストが塗布され
たウエハ5上に投影露光される。スリットスキャン露光
方式で露光を行う際には、露光光ELのスリット状の照
明領域に対して、レチクル12が図1の紙面に対して前
方向に一定速度Vで走査されるのに同期して、ウエハ5
は図1の紙面に対して後方向に一定速度V/M(1/M
は投影光学系8の縮小倍率)で走査される。
【0016】レチクル12及びウエハ5の駆動系につい
て説明するに、レチクル支持台9上にY軸方向(図1の
紙面に垂直な方向)に駆動されるレチクルY駆動ステー
ジ10が載置され、このレチクルY駆動ステージ10上
にレチクル微小駆動ステージ11が載置され、レチクル
微小駆動ステージ11上にレチクル12が真空チャック
等により保持されている。レチクル微小駆動ステージ1
1は、投影光学系8の光軸に垂直な面内で図1の紙面に
平行なX方向、Y方向及び回転方向(θ方向)にそれぞ
れ微小量だけ且つ高精度にレチクル12の位置制御を行
う。レチクル微小駆動ステージ11上には移動鏡21が
配置され、レチクル支持台9上に配置された干渉計14
によって、常時レチクル微小駆動ステージ11のX方
向、Y方向及びθ方向の位置がモニターされている。干
渉計14により得られた位置情報S1が主制御系22A
に供給されている。
て説明するに、レチクル支持台9上にY軸方向(図1の
紙面に垂直な方向)に駆動されるレチクルY駆動ステー
ジ10が載置され、このレチクルY駆動ステージ10上
にレチクル微小駆動ステージ11が載置され、レチクル
微小駆動ステージ11上にレチクル12が真空チャック
等により保持されている。レチクル微小駆動ステージ1
1は、投影光学系8の光軸に垂直な面内で図1の紙面に
平行なX方向、Y方向及び回転方向(θ方向)にそれぞ
れ微小量だけ且つ高精度にレチクル12の位置制御を行
う。レチクル微小駆動ステージ11上には移動鏡21が
配置され、レチクル支持台9上に配置された干渉計14
によって、常時レチクル微小駆動ステージ11のX方
向、Y方向及びθ方向の位置がモニターされている。干
渉計14により得られた位置情報S1が主制御系22A
に供給されている。
【0017】一方、ウエハ支持台1上には、Y軸方向に
駆動されるウエハY軸駆動ステージ2が載置され、その
上にX軸方向に駆動されるウエハX軸駆動ステージ3が
載置され、その上にZθ軸駆動ステージ4が設けられ、
このZθ軸駆動ステージ4上にウエハ5が真空吸着によ
って保持されている。Zθ軸駆動ステージ4上にも移動
鏡7が固定され、外部に配置された干渉計13により、
Zθ軸駆動ステージ4のX方向、Y方向及びθ方向の位
置がモニターされ、干渉計13により得られた位置情報
も主制御系22Aに供給されている。主制御系22A
は、ウエハ駆動装置22B等を介してウエハY軸駆動ス
テージ2〜Zθ軸駆動ステージ4の位置決め動作を制御
すると共に、装置全体の動作を制御する。
駆動されるウエハY軸駆動ステージ2が載置され、その
上にX軸方向に駆動されるウエハX軸駆動ステージ3が
載置され、その上にZθ軸駆動ステージ4が設けられ、
このZθ軸駆動ステージ4上にウエハ5が真空吸着によ
って保持されている。Zθ軸駆動ステージ4上にも移動
鏡7が固定され、外部に配置された干渉計13により、
Zθ軸駆動ステージ4のX方向、Y方向及びθ方向の位
置がモニターされ、干渉計13により得られた位置情報
も主制御系22Aに供給されている。主制御系22A
は、ウエハ駆動装置22B等を介してウエハY軸駆動ス
テージ2〜Zθ軸駆動ステージ4の位置決め動作を制御
すると共に、装置全体の動作を制御する。
【0018】また、後述するが、ウエハ側の干渉計13
によって計測される座標により規定されるウエハ座標系
と、レチクル側の干渉計14によって計測される座標に
より規定されるレチクル座標系の対応をとるために、Z
θ軸駆動ステージ4上のウエハ5の近傍に基準マーク板
6が固定されている。この基準マーク板6上には各種基
準マークが形成されている。これらの基準マークの中に
はZθ軸駆動ステージ4側に導かれた照明光により裏側
から照明されている基準マーク、即ち発光性の基準マー
クがある。
によって計測される座標により規定されるウエハ座標系
と、レチクル側の干渉計14によって計測される座標に
より規定されるレチクル座標系の対応をとるために、Z
θ軸駆動ステージ4上のウエハ5の近傍に基準マーク板
6が固定されている。この基準マーク板6上には各種基
準マークが形成されている。これらの基準マークの中に
はZθ軸駆動ステージ4側に導かれた照明光により裏側
から照明されている基準マーク、即ち発光性の基準マー
クがある。
【0019】本例のレチクル12の上方には、基準マー
ク板6上の基準マークとレチクル12上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡19及
び20が装備されている。この場合、レチクル12から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡19及
び20に導くための偏向ミラー15及び16が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
22Aからの指令のもとで、ミラー駆動装置17及び1
8によりそれぞれ偏向ミラー15及び16は待避され
る。更に、投影光学系8のY方向の側面部に、ウエハ5
上のアライメントマーク(ウエハマーク)を観察するた
めのオフ・アクシスのアライメント装置34が配置され
ている。
ク板6上の基準マークとレチクル12上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡19及
び20が装備されている。この場合、レチクル12から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡19及
び20に導くための偏向ミラー15及び16が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
22Aからの指令のもとで、ミラー駆動装置17及び1
8によりそれぞれ偏向ミラー15及び16は待避され
る。更に、投影光学系8のY方向の側面部に、ウエハ5
上のアライメントマーク(ウエハマーク)を観察するた
めのオフ・アクシスのアライメント装置34が配置され
ている。
【0020】図2は本例の照明光学系を示し、この図2
において、水銀ランプ31から射出された露光光(例え
ば波長365nmのi線)は、楕円鏡32によって集光
された後、インプットレンズ33によりほぼ平行光束に
変換されてフライアイレンズ36に入射する。楕円鏡3
2の第2焦点付近にシャッター34を配置し、主制御系
22Aが駆動装置35を介してシャッター34を開閉す
ることにより、露光時間等を制御する。
において、水銀ランプ31から射出された露光光(例え
ば波長365nmのi線)は、楕円鏡32によって集光
された後、インプットレンズ33によりほぼ平行光束に
変換されてフライアイレンズ36に入射する。楕円鏡3
2の第2焦点付近にシャッター34を配置し、主制御系
22Aが駆動装置35を介してシャッター34を開閉す
ることにより、露光時間等を制御する。
【0021】フライアイレンズ36の射出側の焦点面
(照明光学系の瞳面とほぼ一致)には多数の2次光源が
形成され、これら多数の2次光源からの露光光ELは、
第1リレーレンズ37Aを経て均一な照度分布で1対の
可動レチクル遮光板38及び39上に照射される。可動
レチクル遮光板38及び39で囲まれた開口部を通過し
た光は、可動レチクル遮光板38及び39から少し離れ
た位置に配置してある固定レチクルブラインド42に達
する。固定レチクルブラインド42は、ガラス基板43
の可動レチクル遮光板38,39側の表面に矩形の開口
を有するクロム膜44を蒸着したものであり、そのクロ
ム膜44内の開口44a(図3参照)によって、レチク
ル12上のスリット状の照明領域の形状及び大きさ(面
積)を決定している。また、可動レチクル遮光板38及
び39はそれぞれ駆動装置40A及び40Bに接続さ
れ、露光時に主制御系22Aが駆動装置40A及び40
Bを介してそれぞれ可動レチクル遮光板38及び39の
位置制御を行う。
(照明光学系の瞳面とほぼ一致)には多数の2次光源が
形成され、これら多数の2次光源からの露光光ELは、
第1リレーレンズ37Aを経て均一な照度分布で1対の
可動レチクル遮光板38及び39上に照射される。可動
レチクル遮光板38及び39で囲まれた開口部を通過し
た光は、可動レチクル遮光板38及び39から少し離れ
た位置に配置してある固定レチクルブラインド42に達
する。固定レチクルブラインド42は、ガラス基板43
の可動レチクル遮光板38,39側の表面に矩形の開口
を有するクロム膜44を蒸着したものであり、そのクロ
ム膜44内の開口44a(図3参照)によって、レチク
ル12上のスリット状の照明領域の形状及び大きさ(面
積)を決定している。また、可動レチクル遮光板38及
び39はそれぞれ駆動装置40A及び40Bに接続さ
れ、露光時に主制御系22Aが駆動装置40A及び40
Bを介してそれぞれ可動レチクル遮光板38及び39の
位置制御を行う。
【0022】図3は可動レチクル遮光板38,39及び
固定レチクルブラインド42の照明光学系の光軸AXに
沿った配置を示し、この図3において、図2のレチクル
12の走査方向(Y方向)に共役な方向をY1方向、非
走査方向(X方向)に共役な方向をX1方向とする。そ
して、一方の可動レチクル遮光板38は、Y1方向に垂
直なエッジを有する羽根38y、及びX1方向に垂直な
エッジを有する羽根38xを一体化して形成され、他方
の可動レチクル遮光板39は、Y1方向に垂直なエッジ
を有する羽根39y、及びX1方向に垂直なエッジを有
する羽根39xを一体化して形成されている。Y1方向
に垂直なエッジを有する羽根38y,39yと、X1方
向に垂直なエッジを有する羽根38x,39xとは、互
いに干渉しないように、光軸AX方向に段差をつけてあ
る。
固定レチクルブラインド42の照明光学系の光軸AXに
沿った配置を示し、この図3において、図2のレチクル
12の走査方向(Y方向)に共役な方向をY1方向、非
走査方向(X方向)に共役な方向をX1方向とする。そ
して、一方の可動レチクル遮光板38は、Y1方向に垂
直なエッジを有する羽根38y、及びX1方向に垂直な
エッジを有する羽根38xを一体化して形成され、他方
の可動レチクル遮光板39は、Y1方向に垂直なエッジ
を有する羽根39y、及びX1方向に垂直なエッジを有
する羽根39xを一体化して形成されている。Y1方向
に垂直なエッジを有する羽根38y,39yと、X1方
向に垂直なエッジを有する羽根38x,39xとは、互
いに干渉しないように、光軸AX方向に段差をつけてあ
る。
【0023】また、可動レチクル遮光板38及び39は
それぞれX1方向及びY1方向に沿って移動できるよう
に支持され、羽根38y及び39yで囲まれた開口によ
り、図2のレチクル12上の照明領域がY方向に制限さ
れ、羽根38x及び39xで囲まれた開口により、図2
のレチクル12上の照明領域がX方向に制限される。そ
れら羽根38y,39y及び38x,39xにより囲ま
れた開口を通過した光の内で、固定レチクルブラインド
42のクロム膜44中に形成された開口44aを通過し
た光がレチクル12を照明する。
それぞれX1方向及びY1方向に沿って移動できるよう
に支持され、羽根38y及び39yで囲まれた開口によ
り、図2のレチクル12上の照明領域がY方向に制限さ
れ、羽根38x及び39xで囲まれた開口により、図2
のレチクル12上の照明領域がX方向に制限される。そ
れら羽根38y,39y及び38x,39xにより囲ま
れた開口を通過した光の内で、固定レチクルブラインド
42のクロム膜44中に形成された開口44aを通過し
た光がレチクル12を照明する。
【0024】図2に戻り、固定レチクルブラインド42
の開口を通過した露光光ELは、第2リレーレンズ37
B、ミラー41及びメインコンデンサーレンズ45を経
て、レチクル12上のスリット状の照明領域46を均一
な照度で照明する。厳密には、照明領域46は固定レチ
クルブラインド42の開口により設定される領域であ
り、その照明領域46と、可動レチクル遮光板38,3
9で囲まれる開口部により設定される照明視野とが重な
った領域にのみ露光光ELが照射される。スリットスキ
ャン露光方式で露光を行う際には、照明領域46に対し
てY方向(図2の紙面に平行な方向)にレチクル12が
所定速度で走査される。
の開口を通過した露光光ELは、第2リレーレンズ37
B、ミラー41及びメインコンデンサーレンズ45を経
て、レチクル12上のスリット状の照明領域46を均一
な照度で照明する。厳密には、照明領域46は固定レチ
クルブラインド42の開口により設定される領域であ
り、その照明領域46と、可動レチクル遮光板38,3
9で囲まれる開口部により設定される照明視野とが重な
った領域にのみ露光光ELが照射される。スリットスキ
ャン露光方式で露光を行う際には、照明領域46に対し
てY方向(図2の紙面に平行な方向)にレチクル12が
所定速度で走査される。
【0025】また、可動レチクル遮光板38及び39の
中で、レチクル12上の走査方向の照明視野を設定する
羽根38y及び39yが、レチクル12のパターン形成
面との共役面に配置され、レチクル12上の非走査方向
の照明視野を設定する羽根38x及び39x(図2では
現れていない)は、その共役面から第1リレーレンズ3
7A側に僅かにデフォーカスした面に配置されている。
また、固定レチクルブラインド42(クロム膜の蒸着に
よって開口44aが形成された面)は、レチクル12の
パターン形成面との共役面から第2リレーレンズ37B
側に所定間隔だけデフォーカスした面に配置されてい
る。
中で、レチクル12上の走査方向の照明視野を設定する
羽根38y及び39yが、レチクル12のパターン形成
面との共役面に配置され、レチクル12上の非走査方向
の照明視野を設定する羽根38x及び39x(図2では
現れていない)は、その共役面から第1リレーレンズ3
7A側に僅かにデフォーカスした面に配置されている。
また、固定レチクルブラインド42(クロム膜の蒸着に
よって開口44aが形成された面)は、レチクル12の
パターン形成面との共役面から第2リレーレンズ37B
側に所定間隔だけデフォーカスした面に配置されてい
る。
【0026】また、露光時にはレチクル微小駆動ステー
ジ11上のY方向用の移動鏡21yで反射されたレーザ
ビームにより、Y方向用の干渉計14yがレチクル12
のY方向の位置を常時検出されている。この検出結果が
主制御系22Aに供給され、主制御系22Aは、レチク
ル12のY方向の位置及び図1のウエハ5のY方向の位
置に応じて、レチクルステージ駆動部47を介してレチ
クルY駆動ステージ10(更にはレチクル微小駆動ステ
ージ11)による走査速度を制御する。
ジ11上のY方向用の移動鏡21yで反射されたレーザ
ビームにより、Y方向用の干渉計14yがレチクル12
のY方向の位置を常時検出されている。この検出結果が
主制御系22Aに供給され、主制御系22Aは、レチク
ル12のY方向の位置及び図1のウエハ5のY方向の位
置に応じて、レチクルステージ駆動部47を介してレチ
クルY駆動ステージ10(更にはレチクル微小駆動ステ
ージ11)による走査速度を制御する。
【0027】次に、本例でスリットスキャン露光方式で
露光を行う際の動作の一例につき図4を参照して説明す
る。図4は本例のレチクル12の平面図であり、レチク
ル12の内部のパターン形成領域PA内のパターンの像
が図1のウエハ5上に露光される。また、パターン領域
PAは所定の幅の遮光帯(禁止帯)48により囲まれて
いる。そのレチクル12上に図2の固定レチクルブライ
ンド42により設定されるスリット状の照明領域46
と、図2の可動レチクル遮光板38,39により設定さ
れる照明視野49とが重なった領域に露光光ELが照射
される。そこで、レチクル12のY方向への走査を開始
する際には、レチクル12のY方向への走査と同期して
図3の可動レチクル遮光板38の羽根38yをY1方向
へ移動させることにより、照明視野49の走査方向側の
エッジ部49aを遮光帯48内に入れておく。そして、
更にレチクル12がY方向に進んで、照明領域46の走
査方向側のエッジ部46aが遮光帯48にかかったとき
に、羽根38yを大きくY1方向に移動させて、照明視
野49のエッジ部49aを遮光帯48の外側に移動させ
る。
露光を行う際の動作の一例につき図4を参照して説明す
る。図4は本例のレチクル12の平面図であり、レチク
ル12の内部のパターン形成領域PA内のパターンの像
が図1のウエハ5上に露光される。また、パターン領域
PAは所定の幅の遮光帯(禁止帯)48により囲まれて
いる。そのレチクル12上に図2の固定レチクルブライ
ンド42により設定されるスリット状の照明領域46
と、図2の可動レチクル遮光板38,39により設定さ
れる照明視野49とが重なった領域に露光光ELが照射
される。そこで、レチクル12のY方向への走査を開始
する際には、レチクル12のY方向への走査と同期して
図3の可動レチクル遮光板38の羽根38yをY1方向
へ移動させることにより、照明視野49の走査方向側の
エッジ部49aを遮光帯48内に入れておく。そして、
更にレチクル12がY方向に進んで、照明領域46の走
査方向側のエッジ部46aが遮光帯48にかかったとき
に、羽根38yを大きくY1方向に移動させて、照明視
野49のエッジ部49aを遮光帯48の外側に移動させ
る。
【0028】この際に、照明視野49のY方向の両側
(X方向に延びた2組)のエッジ部は照明領域46の外
側に設定され、照明視野49の非走査方向(X方向)の
両側(Y方向に延びた2組)のエッジ部は遮光帯48、
特にY方向に延びた遮光帯中に設定され、照明領域46
のX方向(Y方向に延びた2組)のエッジは遮光帯48
の外側に設定されている。従って、照明領域46が走査
方向でパターン領域PA内にある時間には、走査方向で
は照明領域46に設定され、非走査方向では遮光帯48
で区切られる範囲のパターンの像がウエハ5上に投影さ
れる。その後、レチクル12が更にY方向に進んで、照
明視野49の走査方向に対して後側のエッジ部49bが
遮光帯48にかかった時点から露光が終了するまで、レ
チクル12の走査と同期して図2の可動レチクル遮光板
39の羽根39yをY1方向に走査することにより、そ
のエッジ部49bを遮光帯48中に入れておく。これに
より遮光帯48の外側を通過した露光光がウエハ5上に
照射されることがなくなる。
(X方向に延びた2組)のエッジ部は照明領域46の外
側に設定され、照明視野49の非走査方向(X方向)の
両側(Y方向に延びた2組)のエッジ部は遮光帯48、
特にY方向に延びた遮光帯中に設定され、照明領域46
のX方向(Y方向に延びた2組)のエッジは遮光帯48
の外側に設定されている。従って、照明領域46が走査
方向でパターン領域PA内にある時間には、走査方向で
は照明領域46に設定され、非走査方向では遮光帯48
で区切られる範囲のパターンの像がウエハ5上に投影さ
れる。その後、レチクル12が更にY方向に進んで、照
明視野49の走査方向に対して後側のエッジ部49bが
遮光帯48にかかった時点から露光が終了するまで、レ
チクル12の走査と同期して図2の可動レチクル遮光板
39の羽根39yをY1方向に走査することにより、そ
のエッジ部49bを遮光帯48中に入れておく。これに
より遮光帯48の外側を通過した露光光がウエハ5上に
照射されることがなくなる。
【0029】このように可動レチクル遮光板38,39
で決定される照明視野49は、常にレチクル上の遮光帯
48と照明領域46の視野より外側に位置する様に制御
され、レチクル上の遮光帯48の外に照明光が漏れるの
を防いでいる。このように本実施例では、レチクル12
上のパターン領域PA以外の領域を遮光するための可動
レチクル遮光板38及び39の位置決め精度は、レチク
ル12上の遮光帯48の幅程度で良く、駆動機構及び制
御機構が簡略である。
で決定される照明視野49は、常にレチクル上の遮光帯
48と照明領域46の視野より外側に位置する様に制御
され、レチクル上の遮光帯48の外に照明光が漏れるの
を防いでいる。このように本実施例では、レチクル12
上のパターン領域PA以外の領域を遮光するための可動
レチクル遮光板38及び39の位置決め精度は、レチク
ル12上の遮光帯48の幅程度で良く、駆動機構及び制
御機構が簡略である。
【0030】次に、本例では、露光光ELの光強度が一
定で、且つレチクル12及びウエハ5の走査速度がそれ
ぞれ一定であるとすると、固定レチクルブラインド42
によって定まるレチクル12上の照明領域46の走査方
向の幅によってウエハ5上での積算露光量が決定され
る。この際に、照明光学系の特性等により、ウエハ5上
で走査方向と垂直なX方向の照度分布は所定のばらつき
を有すると考えられる。例えば図5(a)に示すよう
に、固定レチクルブラインド42上のクロム膜に形成す
る開口44aが矩形であるとすると、ウエハ5のショッ
ト領域SAは、図5(b)に示すようにその開口44a
と共役な矩形の露光領域46Aに対してY方向に走査さ
れる。従って、そのショット領域SA上の或るX方向
(非走査方向)に沿った直線上での積算露光量E(X)
の分布は、図5(c)の分布曲線50に示すように、目
標露光量E0 に対して所定幅でばらつくことがある。
定で、且つレチクル12及びウエハ5の走査速度がそれ
ぞれ一定であるとすると、固定レチクルブラインド42
によって定まるレチクル12上の照明領域46の走査方
向の幅によってウエハ5上での積算露光量が決定され
る。この際に、照明光学系の特性等により、ウエハ5上
で走査方向と垂直なX方向の照度分布は所定のばらつき
を有すると考えられる。例えば図5(a)に示すよう
に、固定レチクルブラインド42上のクロム膜に形成す
る開口44aが矩形であるとすると、ウエハ5のショッ
ト領域SAは、図5(b)に示すようにその開口44a
と共役な矩形の露光領域46Aに対してY方向に走査さ
れる。従って、そのショット領域SA上の或るX方向
(非走査方向)に沿った直線上での積算露光量E(X)
の分布は、図5(c)の分布曲線50に示すように、目
標露光量E0 に対して所定幅でばらつくことがある。
【0031】この場合には、投影露光装置毎に実測によ
りその分布曲線50の形を求め、図6(a)に示すよう
に、固定レチクルブラインド42のクロム膜中に形成す
る開口44bの形状(走査方向と共役な方向の幅の分
布)を、その分布曲線50の高さにほぼ反比例するよう
に決定する。即ち、分布曲線50の値が大きい部分では
開口44bの幅を狭くし、逆に分布曲線50の値が小さ
い部分では開口44bの幅を広くする。この場合、ウエ
ハ5のショット領域SAは、図6(b)に示すようにそ
の開口44bと共役な形状の露光領域46Bに対してY
方向に走査される。従って、そのショット領域SA上の
或るX方向(非走査方向)に沿った直線上での積算露光
量E(X)の分布は、図6(c)の分布曲線51に示す
ように、全範囲でほぼ目標露光量E0 に合致するように
なる。
りその分布曲線50の形を求め、図6(a)に示すよう
に、固定レチクルブラインド42のクロム膜中に形成す
る開口44bの形状(走査方向と共役な方向の幅の分
布)を、その分布曲線50の高さにほぼ反比例するよう
に決定する。即ち、分布曲線50の値が大きい部分では
開口44bの幅を狭くし、逆に分布曲線50の値が小さ
い部分では開口44bの幅を広くする。この場合、ウエ
ハ5のショット領域SAは、図6(b)に示すようにそ
の開口44bと共役な形状の露光領域46Bに対してY
方向に走査される。従って、そのショット領域SA上の
或るX方向(非走査方向)に沿った直線上での積算露光
量E(X)の分布は、図6(c)の分布曲線51に示す
ように、全範囲でほぼ目標露光量E0 に合致するように
なる。
【0032】このように本例によれば、固定レチクルブ
ラインド42のクロム膜中に非走査方向の積算露光量分
布に応じて定めた形状の開口を形成し、その固定レチク
ルブラインド42の開口を投影した照明領域46に対し
てレチクル12を走査して露光を行っているため、ウエ
ハ5上での非走査方向の積算露光量の分布が一様化され
ている。また、固定レチクルブラインド42において、
ガラス基板43上に被着したクロム膜44内の開口の形
状は高精度に所望の形状に設定できるため、積算露光量
の非走査方向に対する分布を高い精度で均一化できる。
また、固定レチクルブラインド42のガラス基板43の
両面は、レチクル12のパターン形成面に共役な面から
デフォーカスしているため、そのガラス基板43に付着
した異物(ゴミ等)の像がウエハ5上に転写されること
がなく、積算露光量の分布が乱されることは無い。
ラインド42のクロム膜中に非走査方向の積算露光量分
布に応じて定めた形状の開口を形成し、その固定レチク
ルブラインド42の開口を投影した照明領域46に対し
てレチクル12を走査して露光を行っているため、ウエ
ハ5上での非走査方向の積算露光量の分布が一様化され
ている。また、固定レチクルブラインド42において、
ガラス基板43上に被着したクロム膜44内の開口の形
状は高精度に所望の形状に設定できるため、積算露光量
の非走査方向に対する分布を高い精度で均一化できる。
また、固定レチクルブラインド42のガラス基板43の
両面は、レチクル12のパターン形成面に共役な面から
デフォーカスしているため、そのガラス基板43に付着
した異物(ゴミ等)の像がウエハ5上に転写されること
がなく、積算露光量の分布が乱されることは無い。
【0033】なお、上述実施例では、固定レチクルブラ
インド42の開口の形状精度を向上させるために、ガラ
ス基板43上のクロムパターンを使用している。しかし
ながら、将来的に機械的な製造精度が向上し、非走査方
向の積算露光量のむら(照度むら)に合わせて、ナイフ
エッジの形状を形成できるようになれば、その固定レチ
クルブラインド42として、機械式のナイフエッジで開
口を設定するブラインドを使用できることは明かであ
る。
インド42の開口の形状精度を向上させるために、ガラ
ス基板43上のクロムパターンを使用している。しかし
ながら、将来的に機械的な製造精度が向上し、非走査方
向の積算露光量のむら(照度むら)に合わせて、ナイフ
エッジの形状を形成できるようになれば、その固定レチ
クルブラインド42として、機械式のナイフエッジで開
口を設定するブラインドを使用できることは明かであ
る。
【0034】また、上記実施例では予め所望の形状にブ
ラインドの開口を設計しているが、実質的には計測によ
り分かる照度むらに応じて、ガラス基板43上のパター
ン部を黒塗りしたり、又はガラス基板43上のクロム部
(遮光部)を削ることによっても同様の効果が得られ
る。また、上述実施例では、固定レチクルブラインド4
2と遮光板38,39とを所定距離だけ離して配置して
いたが、例えば照明光学系中にリレーレンズ系を設けて
レチクルのパターン形成面と共役な面を作り、固定レチ
クルブラインド42と遮光板38,39とをリレーレン
ズ系に関して共役に配置しても良い。即ち、両者を同一
の共役面、又はその近傍に配置しなくても良い。また、
遮光板38,39はレチクルのパターン形成面と共役な
面から所定量だけ光軸方向にずらしても良い。
ラインドの開口を設計しているが、実質的には計測によ
り分かる照度むらに応じて、ガラス基板43上のパター
ン部を黒塗りしたり、又はガラス基板43上のクロム部
(遮光部)を削ることによっても同様の効果が得られ
る。また、上述実施例では、固定レチクルブラインド4
2と遮光板38,39とを所定距離だけ離して配置して
いたが、例えば照明光学系中にリレーレンズ系を設けて
レチクルのパターン形成面と共役な面を作り、固定レチ
クルブラインド42と遮光板38,39とをリレーレン
ズ系に関して共役に配置しても良い。即ち、両者を同一
の共役面、又はその近傍に配置しなくても良い。また、
遮光板38,39はレチクルのパターン形成面と共役な
面から所定量だけ光軸方向にずらしても良い。
【0035】次に、本発明の他の実施例につき図7〜図
9を参照して説明する。本実施例は図2の実施例の照明
光学系を種々のタイプの系に切り換えられるようにした
ものであり、図7において図2に対応する部分には同一
符号を付してその詳細説明を省略する。また、露光光の
可干渉性の程度を表すコヒーレンスファクター(σ値)
は、照明光学系のレチクル側の開口数と投影光学系のレ
チクル側の開口数との比により定義されるが、本実施例
で切り換える照明光学系には、通常の光学系、σ値を小
さくした光学系、所謂変形光源法(変形照明法)用の光
学系、及び輪帯照明法用の光学系がある。これらの内、
変形光源法(特開平4−408096号公報参照)は、
照明光学系中で2次光源を光軸の回りに複数個(例えば
4個)配することにより、特にライン・アンド・スペー
スパターンを投影する際に、投影像の解像度を向上する
と共に、焦点深度を広くする手法である。また、輪帯照
明法(特開昭61−91662号公報参照)も所定のパ
ターンを投影する際に、解像度及び焦点深度の向上をも
たらす手法である。
9を参照して説明する。本実施例は図2の実施例の照明
光学系を種々のタイプの系に切り換えられるようにした
ものであり、図7において図2に対応する部分には同一
符号を付してその詳細説明を省略する。また、露光光の
可干渉性の程度を表すコヒーレンスファクター(σ値)
は、照明光学系のレチクル側の開口数と投影光学系のレ
チクル側の開口数との比により定義されるが、本実施例
で切り換える照明光学系には、通常の光学系、σ値を小
さくした光学系、所謂変形光源法(変形照明法)用の光
学系、及び輪帯照明法用の光学系がある。これらの内、
変形光源法(特開平4−408096号公報参照)は、
照明光学系中で2次光源を光軸の回りに複数個(例えば
4個)配することにより、特にライン・アンド・スペー
スパターンを投影する際に、投影像の解像度を向上する
と共に、焦点深度を広くする手法である。また、輪帯照
明法(特開昭61−91662号公報参照)も所定のパ
ターンを投影する際に、解像度及び焦点深度の向上をも
たらす手法である。
【0036】本実施例においても、投影光学系8を含む
本体部の構成は図1と同様であるが、更に図1の投影光
学系8の瞳面(フーリエ変換面)に、投影光学系8の開
口数を変更するための可変開口絞り(図示省略)を設け
る。主制御系22Aが、投影するレチクル12のパター
ン等に応じてその可変開口絞りを介して、投影光学系8
の開口数を所定の値に設定すると共に、照明光学系の切
り換えを行う。
本体部の構成は図1と同様であるが、更に図1の投影光
学系8の瞳面(フーリエ変換面)に、投影光学系8の開
口数を変更するための可変開口絞り(図示省略)を設け
る。主制御系22Aが、投影するレチクル12のパター
ン等に応じてその可変開口絞りを介して、投影光学系8
の開口数を所定の値に設定すると共に、照明光学系の切
り換えを行う。
【0037】図7は本例の照明光学系を示し、この図7
において、フライアイレンズ36の射出面(レチクル側
の面)側の投影光学系(図1参照)8の瞳面と共役な面
上に、照明光学系用の可変開口絞り(以下、「可変瞳フ
ィルター板」という)56を回転軸57aを中心として
回転自在に配置し、回転軸57aに回転装置57を取り
付ける。回転装置57は図1の主制御系22Aからの指
令に応じて、可変瞳フィルター板56を指令された回転
角だけ回転させるものである。
において、フライアイレンズ36の射出面(レチクル側
の面)側の投影光学系(図1参照)8の瞳面と共役な面
上に、照明光学系用の可変開口絞り(以下、「可変瞳フ
ィルター板」という)56を回転軸57aを中心として
回転自在に配置し、回転軸57aに回転装置57を取り
付ける。回転装置57は図1の主制御系22Aからの指
令に応じて、可変瞳フィルター板56を指令された回転
角だけ回転させるものである。
【0038】図9は可変瞳フィルター板56に形成され
ている4種類の開口を示し、この図9において、遮光性
の円板よりなる可変瞳フィルター板56には回転軸57
aを中心として90°間隔で、通常の円形の開口58、
通常より小さい円形の開口59、輪帯状の開口60、及
び4個の小さい開口61a〜61dよりなる変形光源用
の開口61が形成されている。図7において、回転装置
57が可変瞳フィルター板56を回転することにより、
フライアイレンズ36の射出面に図9の4種類の開口5
8〜61の何れかが設定される。そして、円形の開口5
8が選択された場合には、通常の照明法での露光が行わ
れ、小さい円形の開口59が選択された場合には、σ値
を絞った状態での露光が行われ、輪帯状の開口60が選
択された場合には輪帯照明法での露光が行われ、変形光
源用の開口61が選択された場合には変形光源法での露
光が行われる。また、選択される照明法に応じて、図1
の投影光学系8内の可変開口絞りの径も対応する値に設
定される。
ている4種類の開口を示し、この図9において、遮光性
の円板よりなる可変瞳フィルター板56には回転軸57
aを中心として90°間隔で、通常の円形の開口58、
通常より小さい円形の開口59、輪帯状の開口60、及
び4個の小さい開口61a〜61dよりなる変形光源用
の開口61が形成されている。図7において、回転装置
57が可変瞳フィルター板56を回転することにより、
フライアイレンズ36の射出面に図9の4種類の開口5
8〜61の何れかが設定される。そして、円形の開口5
8が選択された場合には、通常の照明法での露光が行わ
れ、小さい円形の開口59が選択された場合には、σ値
を絞った状態での露光が行われ、輪帯状の開口60が選
択された場合には輪帯照明法での露光が行われ、変形光
源用の開口61が選択された場合には変形光源法での露
光が行われる。また、選択される照明法に応じて、図1
の投影光学系8内の可変開口絞りの径も対応する値に設
定される。
【0039】このように本例では照明法を切り換えるこ
とができるが、照明法を切り換えると、照明光学系中及
び投影光学系8中における露光光の光路も変化するた
め、図1のウエハ5の露光面で異なった傾向の照度むら
が発生する虞がある。即ち、仮に通常の照明法で照度む
らが発生しないようにしても、照明法を他の照明法に切
り換えた場合に照度むらが発生する虞がある。これを回
避するための1つの手法は、露光光の光路が変化しても
照度むらが生じないように、照明光学系及び投影光学系
8の設計、製造を行うことであるが、これは困難である
と共に、光学系の製造コストが高くなる。
とができるが、照明法を切り換えると、照明光学系中及
び投影光学系8中における露光光の光路も変化するた
め、図1のウエハ5の露光面で異なった傾向の照度むら
が発生する虞がある。即ち、仮に通常の照明法で照度む
らが発生しないようにしても、照明法を他の照明法に切
り換えた場合に照度むらが発生する虞がある。これを回
避するための1つの手法は、露光光の光路が変化しても
照度むらが生じないように、照明光学系及び投影光学系
8の設計、製造を行うことであるが、これは困難である
と共に、光学系の製造コストが高くなる。
【0040】そこで、本実施例では、可動レチクル遮光
板38,39と第2リレーレンズ37Bとの間に配され
る固定レチクルブラインドの開口の形状を照明法に応じ
て切り換えられるようにして、照度むらの発生を防止す
る。即ち、図7において、可動レチクル遮光板38及び
39からレチクル12側に所定間隔だけ離れた位置に、
可動型固定レチクルブラインド52を配し、この可動型
固定レチクルブラインド52をスライド機構55によ
り、レチクル12の走査方向(Y方向)と共役なY1方
向に移動できるように支持する。可動型固定レチクルブ
ラインド52も、ガラス基板53上に遮光膜としてのク
ロム膜54を被着し、クロム膜54の中に4個の開口を
形成したものであり、クロム膜54の被着面は、レチク
ル12のパターン形成面との共役面から第2リレーレン
ズ37B側に所定間隔だけデフォーカスした面に配置さ
れている。
板38,39と第2リレーレンズ37Bとの間に配され
る固定レチクルブラインドの開口の形状を照明法に応じ
て切り換えられるようにして、照度むらの発生を防止す
る。即ち、図7において、可動レチクル遮光板38及び
39からレチクル12側に所定間隔だけ離れた位置に、
可動型固定レチクルブラインド52を配し、この可動型
固定レチクルブラインド52をスライド機構55によ
り、レチクル12の走査方向(Y方向)と共役なY1方
向に移動できるように支持する。可動型固定レチクルブ
ラインド52も、ガラス基板53上に遮光膜としてのク
ロム膜54を被着し、クロム膜54の中に4個の開口を
形成したものであり、クロム膜54の被着面は、レチク
ル12のパターン形成面との共役面から第2リレーレン
ズ37B側に所定間隔だけデフォーカスした面に配置さ
れている。
【0041】図8は、可動型固定レチクルブラインド5
2のクロム膜54中に形成されている開口パターンを示
し、この図8において、クロム膜54中にはY1方向に
4個の開口54a,54b,54c,及び54dが形成
されている。各開口54a〜54dはそれぞれレチクル
12の非走査方向に共役なX1方向、即ちY1方向に垂
直な方向に細長い矩形状であり、各開口54a〜54d
によりレチクル12上のスリット状の照明領域46の形
状が決定される。その他の構成は図2の実施例と同様で
ある。
2のクロム膜54中に形成されている開口パターンを示
し、この図8において、クロム膜54中にはY1方向に
4個の開口54a,54b,54c,及び54dが形成
されている。各開口54a〜54dはそれぞれレチクル
12の非走査方向に共役なX1方向、即ちY1方向に垂
直な方向に細長い矩形状であり、各開口54a〜54d
によりレチクル12上のスリット状の照明領域46の形
状が決定される。その他の構成は図2の実施例と同様で
ある。
【0042】そして、図7において、可変瞳フィルター
板56の回転角を変えることによりフライアイレンズ3
6の射出面側に、図9の通常の円形の開口58、通常よ
り小さい円形の開口59、輪帯状の開口60、又は変形
光源用の開口61を設定するのに対応して、可動型固定
レチクルブラインド52をスライドすることにより、そ
れぞれ可動レチクル遮光板38,39の射出面側に図8
の開口54a,54b,54c,又は54dを設定す
る。この場合、予め可変瞳フィルター板56の4種類の
開口をフライアイレンズ36の射出面側に順次設定した
状態で、それぞれスリットスキャン露光方式で露光を行
って図1のウエハ5上の非走査方向(X方向)での積算
露光量分布を、例えばステージ上の光量センサーを用い
て計測しておく。そして、その積算露光量分布が一定に
なるように図8に示すように、可動型固定レチクルブラ
インド52に形成された開口54a〜54dのそれぞれ
のY1方向(走査方向に共役な方向)のエッジ部54y
a〜54ydの形状を、必要に応じて直線から変形させ
ておく。
板56の回転角を変えることによりフライアイレンズ3
6の射出面側に、図9の通常の円形の開口58、通常よ
り小さい円形の開口59、輪帯状の開口60、又は変形
光源用の開口61を設定するのに対応して、可動型固定
レチクルブラインド52をスライドすることにより、そ
れぞれ可動レチクル遮光板38,39の射出面側に図8
の開口54a,54b,54c,又は54dを設定す
る。この場合、予め可変瞳フィルター板56の4種類の
開口をフライアイレンズ36の射出面側に順次設定した
状態で、それぞれスリットスキャン露光方式で露光を行
って図1のウエハ5上の非走査方向(X方向)での積算
露光量分布を、例えばステージ上の光量センサーを用い
て計測しておく。そして、その積算露光量分布が一定に
なるように図8に示すように、可動型固定レチクルブラ
インド52に形成された開口54a〜54dのそれぞれ
のY1方向(走査方向に共役な方向)のエッジ部54y
a〜54ydの形状を、必要に応じて直線から変形させ
ておく。
【0043】このように、本実施例によれば、通常の照
明法、σ値の小さな照明法、変形光源法、及び輪帯照明
法の内の何れの照明法を使用した場合でも、各照明法で
使用される可動型固定レチクルブラインド52の開口5
4a〜54dのエッジ部の形状が調整してあるため、ス
リットスキャン露光方式でレチクル12のパターン像を
ウエハ5上に露光した後のウエハ5上での照度均一性が
良好である。
明法、σ値の小さな照明法、変形光源法、及び輪帯照明
法の内の何れの照明法を使用した場合でも、各照明法で
使用される可動型固定レチクルブラインド52の開口5
4a〜54dのエッジ部の形状が調整してあるため、ス
リットスキャン露光方式でレチクル12のパターン像を
ウエハ5上に露光した後のウエハ5上での照度均一性が
良好である。
【0044】なお、使用する照明法により、ウエハ5上
での照度(ひいては積算露光量)が異なる場合も考えら
れる。例えば、図9において通常の円形の開口58を使
用する場合に比べて、変形光源用の開口61を使用する
場合には、ウエハ5上での照度が低下することも有り得
る。このような場合、変形光源法で露光を行う際には、
通常の照明法で露光を行うときよりレチクル12及びウ
エハ5の走査速度を低くする方法も考えられる。しかし
ながら、これではスループットが低下する。そこで、ス
ループットの大きな低下を避けるためには、図8の可動
型固定レチクルブラインド52において、通常の照明法
用の開口54aのY1方向の幅の平均値に対して、変形
光源法用の開口54dのY1方向の幅の平均値を広くし
ておけば良い。これにより、変形光源法を使用した場合
でも、スループットを殆ど低下させることなく、ウエハ
5上で通常の照明法を使用した場合と同等の積算露光量
を得ることができると共に、照度むらも生ずることがな
い。
での照度(ひいては積算露光量)が異なる場合も考えら
れる。例えば、図9において通常の円形の開口58を使
用する場合に比べて、変形光源用の開口61を使用する
場合には、ウエハ5上での照度が低下することも有り得
る。このような場合、変形光源法で露光を行う際には、
通常の照明法で露光を行うときよりレチクル12及びウ
エハ5の走査速度を低くする方法も考えられる。しかし
ながら、これではスループットが低下する。そこで、ス
ループットの大きな低下を避けるためには、図8の可動
型固定レチクルブラインド52において、通常の照明法
用の開口54aのY1方向の幅の平均値に対して、変形
光源法用の開口54dのY1方向の幅の平均値を広くし
ておけば良い。これにより、変形光源法を使用した場合
でも、スループットを殆ど低下させることなく、ウエハ
5上で通常の照明法を使用した場合と同等の積算露光量
を得ることができると共に、照度むらも生ずることがな
い。
【0045】なお、図7〜図9に示した実施例では、図
9の可変瞳フィルター板56上に形成されている開口5
8〜61の形状は個別には固定されているが、各開口5
8〜61の開口径等を調整できる機構を設けても良い。
この場合には、図8の可動型固定レチクルブラインド5
2の各開口54a〜54dについても、それぞれY1方
向の幅及びY1方向のエッジ部の形状を変更できる機構
を設けることが望ましい。具体的に、例えば開口54a
の形状等を変更するには、開口を2枚のY1方向に移動
できるナイフエッジで挟んで形成する、又は多数の予め
用意された開口から要求される形状に最も近い形状の開
口を選択する等の方法がある。
9の可変瞳フィルター板56上に形成されている開口5
8〜61の形状は個別には固定されているが、各開口5
8〜61の開口径等を調整できる機構を設けても良い。
この場合には、図8の可動型固定レチクルブラインド5
2の各開口54a〜54dについても、それぞれY1方
向の幅及びY1方向のエッジ部の形状を変更できる機構
を設けることが望ましい。具体的に、例えば開口54a
の形状等を変更するには、開口を2枚のY1方向に移動
できるナイフエッジで挟んで形成する、又は多数の予め
用意された開口から要求される形状に最も近い形状の開
口を選択する等の方法がある。
【0046】また、上述実施例では露光光として水銀ラ
ンプの光が使用されているが、露光光として、エキシマ
レーザ光、アルゴンレーザ光、又はYAGレーザの高調
波等を使用するような場合にも本発明はそのまま適用す
ることができる。このように、本発明は上述実施例に限
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
ンプの光が使用されているが、露光光として、エキシマ
レーザ光、アルゴンレーザ光、又はYAGレーザの高調
波等を使用するような場合にも本発明はそのまま適用す
ることができる。このように、本発明は上述実施例に限
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
【0047】なお、上述のごとき投影露光装置によれ
ば、マスク(12)及び基板(5)の走査が開始された
後には、例えば図4に示すように、固定の視野絞り(4
2)でマスク(12)上に設定される照明領域(46)
は、マスク(12)のパターン領域(PA)を囲む遮光
帯(48)の外にはみ出している。そこで、可変遮光手
段(38y,39y)のエッジ部をマスク(12)の走
査に同期して移動することにより、その可変遮光手段
(38y,39y)のマスク(12)上への投影像(4
9)のエッジ部(49a)をマスク(12)の遮光帯
(48)中に設定する。これにより遮光帯(48)の外
の白抜きパターンが基板(5)上に露光されることが防
止される。
ば、マスク(12)及び基板(5)の走査が開始された
後には、例えば図4に示すように、固定の視野絞り(4
2)でマスク(12)上に設定される照明領域(46)
は、マスク(12)のパターン領域(PA)を囲む遮光
帯(48)の外にはみ出している。そこで、可変遮光手
段(38y,39y)のエッジ部をマスク(12)の走
査に同期して移動することにより、その可変遮光手段
(38y,39y)のマスク(12)上への投影像(4
9)のエッジ部(49a)をマスク(12)の遮光帯
(48)中に設定する。これにより遮光帯(48)の外
の白抜きパターンが基板(5)上に露光されることが防
止される。
【0048】また、マスク(12)のパターン領域(P
A)内では照明領域(46)は走査方向には固定の視野
絞り(42)で設定されているため、可変遮光手段(3
8y,39y)の位置制御精度は、マスク(12)上の
遮光帯(48)の幅程度で良い。即ち、基板(5)上へ
の積算露光量を決定する固定の視野絞り(42)と、マ
スク(12)上の露光すべきパターンに対応する照明視
野を決定する可変遮光手段(38y,39y)とが分か
れているため、可変遮光手段(38y,39y)の位置
決め精度は従来の追従式のものよりも粗くてよく、且つ
固定の視野絞り(42)で設定する照明領域の形状精度
を高精度にできる。
A)内では照明領域(46)は走査方向には固定の視野
絞り(42)で設定されているため、可変遮光手段(3
8y,39y)の位置制御精度は、マスク(12)上の
遮光帯(48)の幅程度で良い。即ち、基板(5)上へ
の積算露光量を決定する固定の視野絞り(42)と、マ
スク(12)上の露光すべきパターンに対応する照明視
野を決定する可変遮光手段(38y,39y)とが分か
れているため、可変遮光手段(38y,39y)の位置
決め精度は従来の追従式のものよりも粗くてよく、且つ
固定の視野絞り(42)で設定する照明領域の形状精度
を高精度にできる。
【0049】また、例えば図5(a)に示すように、視
野絞り(42)内の開口(44a)の形状が矩形の場合
に、スリットスキャン露光方式で基板(5)をY方向に
走査して露光を行うと、照明光学系の特性により図5
(c)で示すように、走査方向に垂直なX方向の基板
(5)上の積算露光量E(X)の分布は一様でない場合
がある。そこで、図5(c)の積算露光量E(X)に応
じて、例えば図6(a)に示すように、視野絞り(4
2)内の開口(44b)の形状を変形する。これによ
り、基板(5)上の非走査方向の積算露光量E(X)の
分布は図6(c)に示すように一様になる。
野絞り(42)内の開口(44a)の形状が矩形の場合
に、スリットスキャン露光方式で基板(5)をY方向に
走査して露光を行うと、照明光学系の特性により図5
(c)で示すように、走査方向に垂直なX方向の基板
(5)上の積算露光量E(X)の分布は一様でない場合
がある。そこで、図5(c)の積算露光量E(X)に応
じて、例えば図6(a)に示すように、視野絞り(4
2)内の開口(44b)の形状を変形する。これによ
り、基板(5)上の非走査方向の積算露光量E(X)の
分布は図6(c)に示すように一様になる。
【0050】更に、その視野絞り(42)を、光透過性
の基板(43)上の所定範囲に遮光膜(44)を被着す
ることにより形成した場合には、例えば図6(a)のよ
うな開口(44b)を高精度に形成でき、積算露光量の
むらが小さくなる。また、その遮光膜(44)が被着さ
れた面をマスク(12)と共役な面から所定量だけデフ
ォーカスした位置に設置した場合には、その光透過性の
基板(43)上に付着した小さな異物(ゴミ等)の像が
基板(5)上にぼけて投影されるため、その異物は基板
(5)上の積算露光量のむらに影響を与えない。
の基板(43)上の所定範囲に遮光膜(44)を被着す
ることにより形成した場合には、例えば図6(a)のよ
うな開口(44b)を高精度に形成でき、積算露光量の
むらが小さくなる。また、その遮光膜(44)が被着さ
れた面をマスク(12)と共役な面から所定量だけデフ
ォーカスした位置に設置した場合には、その光透過性の
基板(43)上に付着した小さな異物(ゴミ等)の像が
基板(5)上にぼけて投影されるため、その異物は基板
(5)上の積算露光量のむらに影響を与えない。
【0051】以上のように、マスク上の照明視野を制限
するための可変遮光手段と、基板上への積算露光量を決
定するための固定の視野絞りとを分離して配置したた
め、マスク上にスリット状の照明領域を設定すると共
に、転写対象とするパターン以外の部分を遮光するため
の絞りの構造及び制御系を全体として簡略化できる利点
がある。
するための可変遮光手段と、基板上への積算露光量を決
定するための固定の視野絞りとを分離して配置したた
め、マスク上にスリット状の照明領域を設定すると共
に、転写対象とするパターン以外の部分を遮光するため
の絞りの構造及び制御系を全体として簡略化できる利点
がある。
【0052】また、その視野絞りの開口の形状を基板上
での非走査方向の積算露光量の分布に応じて形成した場
合には、基板上での走査方向に垂直な方向の照度むらを
低減できる利点がある。更に、その視野絞りを、光透過
性の基板上の所定範囲に遮光膜を被着することにより形
成し、この遮光膜が被着された面をマスクと共役な面か
ら所定量だけデフォーカスさせた場合には、基板上での
積算露光量の分布の一様性を高めることができると共
に、光透過性の基板上に付着した異物の像が基板上に転
写されることが防止される。
での非走査方向の積算露光量の分布に応じて形成した場
合には、基板上での走査方向に垂直な方向の照度むらを
低減できる利点がある。更に、その視野絞りを、光透過
性の基板上の所定範囲に遮光膜を被着することにより形
成し、この遮光膜が被着された面をマスクと共役な面か
ら所定量だけデフォーカスさせた場合には、基板上での
積算露光量の分布の一様性を高めることができると共
に、光透過性の基板上に付着した異物の像が基板上に転
写されることが防止される。
【0053】
【発明の効果】本発明によれば、いずれの照明法を使用
した場合でも、スリットスキャン露光方式でマスクのパ
ターンの像を基板上に露光した後の基板上での照度均一
性が良好である。
した場合でも、スリットスキャン露光方式でマスクのパ
ターンの像を基板上に露光した後の基板上での照度均一
性が良好である。
【図1】 本発明の一実施例の投影露光装置のレチクル
及びウエハのステージ系を主に示す構成図である。
及びウエハのステージ系を主に示す構成図である。
【図2】 図1の投影露光装置の照明光学系を示す一部
断面図を含む構成図である。
断面図を含む構成図である。
【図3】 図2中の可動レチクル遮光板38,39及び
固定レチクルブラインド42の構成を示す斜視図であ
る。
固定レチクルブラインド42の構成を示す斜視図であ
る。
【図4】 実施例のレチクル上の照明領域46及び照明
視野49を示す平面図である。
視野49を示す平面図である。
【図5】 (a)は固定レチクルブラインド42中の開
口の一例を示す図、(b)は図5(a)の開口を用いた
場合のウエハ上の露光領域を示す図、(c)は図5
(a)の開口を用いた場合のウエハ上の非走査方向の積
算露光量分布を示す図である。
口の一例を示す図、(b)は図5(a)の開口を用いた
場合のウエハ上の露光領域を示す図、(c)は図5
(a)の開口を用いた場合のウエハ上の非走査方向の積
算露光量分布を示す図である。
【図6】 (a)は固定レチクルブラインド42中の開
口の変形例を示す図、(b)は図6(a)の開口を用い
た場合のウエハ上の露光領域を示す図、(c)は図6
(a)の開口を用いた場合のウエハ上の非走査方向の積
算露光量分布を示す図である。
口の変形例を示す図、(b)は図6(a)の開口を用い
た場合のウエハ上の露光領域を示す図、(c)は図6
(a)の開口を用いた場合のウエハ上の非走査方向の積
算露光量分布を示す図である。
【図7】 本発明の他の実施例の照明光学系を示す一部
断面図を含む構成図である。
断面図を含む構成図である。
【図8】 図7中の可動型固定レチクルブラインド52
の開口パターンを示す拡大図である。
の開口パターンを示す拡大図である。
【図9】 図7中の可変瞳フィルター板56の開口の形
状を示す拡大図である。
状を示す拡大図である。
5…ウエハ、8…投影光学系、12…レチクル、22A
…主制御系、31…水銀ランプ、36…フライアイレン
ズ、38,39…可動レチクル遮光板、42…固定レチ
クルブラインド、43…ガラス基板、45…コンデンサ
ーレンズ、46…照明領域、49…照明視野、52…可
動型固定レチクルブラインド、55…スライド機構、5
6…可変瞳フィルター板、57…回転装置
…主制御系、31…水銀ランプ、36…フライアイレン
ズ、38,39…可動レチクル遮光板、42…固定レチ
クルブラインド、43…ガラス基板、45…コンデンサ
ーレンズ、46…照明領域、49…照明視野、52…可
動型固定レチクルブラインド、55…スライド機構、5
6…可変瞳フィルター板、57…回転装置
Claims (24)
- 【請求項1】 マスクのパターンの像を基板上に投影す
るとともに、前記基板を所定の走査方向へ移動すること
により前記基板を走査露光する投影露光装置において、 前記マスクに照射される露光ビームを射出するビーム源
と、 前記ビーム源からの射出された露光ビームによる前記マ
スクの照明法を切り換える切換手段と、 前記基板上での積算露光量を均一化するための均一化手
段と、 を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項2】 前記照明法は変形照明法を含むことを特
徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項3】 前記照明法は輪帯照明法を含むことを特
徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項4】 前記切換手段は、前記露光ビームの光路
を変化させることによって前記照明法の切り換えを行う
ことを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項5】 前記均一化手段は、前記照明法の切り換
えによって前記基板に対する積算露光量のばらつきが生
じないようにすることを特徴とする請求項1〜4のいず
れか一項に記載の装置。 - 【請求項6】 マスクのパターンの像を基板上に投影す
るとともに、前記基板を移動することにより前記基板を
走査露光する投影露光装置において、 前記マスクに照射される露光ビームを射出するビーム源
と、 前記マスクのパターンの像を前記基板上に投影するため
の投影光学系と、 前記ビーム源からの射出された露光ビームの光路を変更
する変更手段と、 前記基板上での積算露光量を均一化する均一化手段と、 を備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項7】 前記変更手段は、前記投影光学系中の前
記露光ビームの光路を変更することを特徴とする請求項
6に記載の装置。 - 【請求項8】 前記ビーム源から射出された露光ビーム
を前記マスクへ導く照明光学系をさらに備え、 前記変更手段は、前記照明光学系中の前記露光ビームの
光路を変更することを特徴とする請求項6に記載の装
置。 - 【請求項9】 前記変更手段は、前記マスクを変形照明
法を用いて照明するために前記照明光学系中の前記露光
ビームの光路を変更することを特徴とする請求項8に記
載の装置。 - 【請求項10】 前記変更手段は、前記マスクを輪帯照
明法を用いて照明するために前記照明光学系中の前記露
光ビームの光路を変更することを特徴とする請求項8に
記載の装置。 - 【請求項11】 前記均一化手段は、前記光路の変更に
よって前記基板上の積算露光量のばらつきが発生しない
ようにすることを特徴とする請求項6〜10のいずれか
一項に記載の装置。 - 【請求項12】 前記均一化手段は、前記露光ビームの
照射領域の形状を調整することを特徴とする請求項1〜
11のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項13】 前記均一化手段は、互いに異なる形状
の複数の射出口を有し、該複数の射出口のうちの一つを
使って前記露光ビームの照射領域を規定することを特徴
とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の装置。 - 【請求項14】 前記均一化手段は、前記マスクのパタ
ーン面と共役な面から所定量だけ離れた面内で前記露光
ビームの照射領域を規定することを特徴とする請求項1
2又は13に記載の装置。 - 【請求項15】 前記均一化手段は、前記露光ビームの
光路中に、蒸着により遮光部が形成された光透過性のガ
ラス部材を配置することによって前記基板上での積算露
光量を均一化することを特徴とする請求項1〜11のい
ずれか一項に記載の装置。 - 【請求項16】 請求項1〜15のいずれか一項に記載
の装置を用いる素子製造方法。 - 【請求項17】 マスクのパターンの像を基板上に投影
するとともに、前記基板を露光ビームに対して所定の走
査方向へ移動することにより前記基板を走査露光する投
影露光方法において、 前記露光ビームによる前記マスクの照明法を切換える工
程と、 前記照明法の切り換え後に、前記基板上での積算露光量
のばらつきが発生しないように積算露光量制御を行う工
程と、 を含むことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項18】 前記積算露光量制御は、前記露光ビー
ムの照射領域の形状調整を含むことを特徴とする請求項
17に記載の方法。 - 【請求項19】 前記切り換え後の照明法に合わせて、
前記基板の移動速度を調整する工程をさらに含むことを
特徴とする請求項17又は18に記載の方法。 - 【請求項20】 前記照明法は変形照明法を含むことを
特徴とする請求項17、18、又は19に記載の方法。 - 【請求項21】 前記照明法は輪帯照明法を含むことを
特徴とする請求項17、18、又は19に記載の方法。 - 【請求項22】 前記照明法の切換えは、前記露光ビー
ムの光路を変化させることによって行なわれることを特
徴とする請求項17〜21のいずれか一項に記載の方
法。 - 【請求項23】 前記基板の走査露光に先立って、前記
走査方向と直交する非走査方向の積算露光量分布を実測
し、 その計測結果に基づいて、前記基板上で積算露光量のば
らつきが発生しないように積算露光量制御を行なうこと
を特徴とする請求項17〜22のいずれか一項に記載の
方法。 - 【請求項24】 請求項17〜23のいずれか一項に記
載の方法を用いる素子製造方法。
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JP2000258871A JP2001085328A (ja) | 1993-06-11 | 2000-08-29 | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
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JP14057893 | 1993-06-11 | ||
JP2000258871A JP2001085328A (ja) | 1993-06-11 | 2000-08-29 | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008176257A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Tokyo Denki Univ | 投影露光装置および投影露光方法 |
JP2018031873A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 |
-
2000
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008176257A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Tokyo Denki Univ | 投影露光装置および投影露光方法 |
US8797510B2 (en) | 2007-01-22 | 2014-08-05 | Tokyo Denki University | Gradient refractive index lens array projection exposure |
JP2018031873A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 |
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