TWI460545B - A lighting optical device, an exposure apparatus, and a method for manufacturing the same - Google Patents

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Description

照明光學裝置、曝光裝置、及其零件製造方法
本發明是關於一種採用反射光罩等的反射型負片之照明光學裝置、曝光裝置、及其零件製造方法。更詳細是關於以微影處理步驟來製造半導體元件、攝影元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等的元件所使用之曝光裝置。
習知，製造半導體元件等所使用之曝光裝置係將被形成在光罩(光柵)上之電路圖案，經由投影光學系統投影，轉印到感光性基板(例如，晶圓)上。感光性基板上塗佈光阻劑，利用經過投影光學系統的投影曝光使光阻劑感光，獲得與光罩圖案相對應之光阻圖案。曝光裝置的解像力依賴曝光的光波長及投影光學系統的開口數。
即是為提高曝光裝置的解像力必須縮短曝光的光波長並且加大投影光學系統的開口數。一般，基於光學設計上的觀點，將投影光學系統的開口數加大到特定值以上會有困難，故有必要使曝光的光短波長化。於是，EUVL(Extreme Ultra Violet Lithography：極紫外線微影處理)的手法受到注目，作為半導體圖案下一世代的曝光方法(曝光裝置)。
與使用波長248 nm的KrF準分子雷射光或波長193nm的KrF準分子雷射光之習知的曝光方法作比較，EUVL曝光裝置則是使用具有5～50 nm程度的波長之EUV(Extreme Ultra Violet：極紫外線)。使用EUV光來作為曝光的光時，可使用之透光性的光學材料並不存 在。因而，導致EUV曝光裝置中使用反射型的光學積分器(optical integrator)、反射型的光罩(一般稱為反射型負片)、及反射型的投影光學系統(例如，參考日本專利文獻1)。
專利文獻1：美國專利第6,452,661號公報
EUV曝光裝置會確保反射型之投影光學系統的像面上例如圓弧狀的靜止曝光區域，使光罩和感光性基板相對於投影光學系統進行相對移動，在感光性基板上掃描曝光光罩圖案。因此，必須在光學上與感光性基板大致共軛的位置，例如光罩的附近，設置用來限定靜止曝光區域的孔徑光闌。
具體上，配置在光罩附近之孔徑光闌具有：用以限制射入到光罩的光束來限定靜置曝光區域其中一方之圓弧狀的外緣之第一部分孔徑光闌、及限制光罩所反射的光束來限定另一方之圓弧狀的外緣之第二部分孔徑光闌。第一部分孔徑光闌及第二部分孔徑光闌，依照通常的光學系統之孔徑光闌的概念為同一平面上，即是沿著光罩的附近與光罩成平行的同一平面來配置。
此情況，由光罩所反射之光的一部分，即是包含光罩圖案的資訊朝向感光性基板之光的一部分，利用第二部分孔徑光闌予以遮蔽，使第二部分孔徑光闌所致使的遮光，對於感光性基板上圖案的成像不容易受到不良影響。為減低成像的不良影響則是利用縮窄第二部分孔徑光闌與光罩的間隔。然而，縮窄第二部分孔徑光闌與光罩的間隔，第一部分孔徑光闌和第二部分孔徑光闌則會在光學上與感光性基板共軛的位置接近，使孔徑光闌容 易投影到感光性基板，而造成使感光性基板上的曝光量分布變為一定的困難。
本發明鑑於前述的課題提供應用於例如採用反射型負片之曝光裝置時，可以兼顧到抑制孔徑光闌造成成像的不良影響、及提高曝光量的均等性之照明光學裝置為目的。另外本發明提供使用以孔徑光闌來控制造成成像的不良影響、並提高曝光量的均等性之二者兼顧到的照明光學裝置及反射型負片，可以在良好的曝光條件下進行良好的曝光之曝光裝置為目的。
為了要解決前述課題，本發明的第一形態所提供的照明光學裝置是一種經由第一面配置之反射型負片，可在光學上與該第一面共軛的第二面予以照明之照明光學裝置，該照明光學裝置具備有：為限制射入到前述第一面的光束而以限定應要在前述第二面形成的照明領域之第一外緣的方式配置之第一部分孔徑光闌；及為限制經由可在前述第一面配置之反射型負片所反射的光束而以限定前述照明區域之第二外緣的方式配置之第二部分孔徑光闌；設定成前述第一部分孔徑光闌與前述第一面的第1間隔大於前述第二部分孔徑光闌與前述第一面的第二間隔。
本發明的第二形態所提供的曝光裝置是一種具備有第一形態的照明光學裝置，還具備有用來將被配置在前述第一面之反射型負片的像，形成在被配置在前述第二面之感光性基板之投影光學系統之曝光裝置。
本發明的第三形態所提供的零件製造方法係包括以下的步驟：使用第三形態之曝光裝置，將前述反射型負片的圖案，曝光於前述感光性基板上之曝光步驟；及將經過前述曝光步驟之前述感光性基板予以顯影之顯影步驟。
【發明效果】
本發明的照明光學裝置是一種經由在第一面配置之反射型負片，將光學上與第一面共軛的第二面予以照明之照明光學裝置，該照明光學之裝置設定成：限制射入到第一面的光束而限定第二面上的照明區域之第一外緣之第一部分孔徑光闌與第一面的間隔，大於限制來自可在第一面配置的反射型負片之反射光束而限定照明區域之第二外緣之第二部分孔徑光闌與第一面的間隔。因此，將本發明的照明光學裝置應用在採用例如反射型負片的曝光裝置的情況下，可以將第二部分孔徑光闌對於成像造成的不良影響抑制至小、並利用第一部分孔徑光闌提高曝光量的均等性。
以此，將本發明的照明光學裝置應用於採用例如反射型負片的曝光裝置的情況，可以兼顧到孔徑光闌控制造成成像的不良影響、及提高曝光量的均等性。因此，本發明的曝光裝置使用以孔徑光闌來控制造成成像的不良影響、並提高曝光量的均等性之二者兼顧到的照明光學裝置及反射型負片，可以在良好的曝光條件下製造出性能良好的元件。
根據附圖來說明本發明的實施形態。第一圖為概略 表示本發明的實施形態之曝光裝置的全體構成之圖。第二圖為概略表示第一圖中的光源、照明光學系統以及投影光學系統的內部構成之圖。第一圖中，沿著投影光學系統的光軸方向，即是沿著感光性基板上之晶圓的法線方向設定成Z軸，晶圓面內與第一圖的紙面成平行的方向設定成Y軸，晶圓面內與第一圖的紙面成垂直的方向設定成X軸。
參考第一圖，本實施形態的曝光裝置係具備例如雷射電漿光源1，作為用來供應曝光的光之光源。從光源1所射出的光，經由波長選擇濾波器(未顯示於圖)，入射至照明光學系統2。此處，波長選擇濾波器具有：從光源1所供應的光，僅選擇性地讓特定波長(例如，13.4nm)的EUV光透過，遮蔽其他波長光的透過之特性。透過波長選擇濾波器之EUV光3，經由照明光學系統2和作為光學偏向鏡的平面反射鏡4，將應形成有轉印的圖案之反射型的光罩(光柵)M照明。
光罩M係以該圖案沿著XY平面延伸的方式，藉由沿著Y方向移動的光罩載置台5來加以保持。光罩載置台5的移動則是以雷射干涉儀6進行測量的方式構成。來自被照明之光罩M的圖案之光，會經由反射型的投影光學系統PL，將光罩圖案的像形成在感光性基板晶圓W上。即是，在晶圓W上如後述，形成例如對於Y軸成相對稱之圓弧狀的靜止曝光區域(實際曝光區域)。
晶圓W以該曝光面沿著XY平面延伸的方式，藉由可沿著X方向和Y方向進行二維移動之晶圓載置台7來加以保持。晶圓載置台7的移動則是與光罩載置台5同樣，以利用雷射干涉儀8進行測量的方式構成。雷射 干涉儀6的測量結果和雷射干涉儀8的測量結果供應至控制部9。控制部9則根據雷射干涉儀6和8的輸出，分別控制光罩載置台5和晶圓載置台7之沿著Y方向的移動。
以此，光罩M和晶圓W沿著Y方向相對於投影光學系統PL進行相對移動時，同時進行掃描曝光，以使光罩M的圖案轉印到晶圓W上其中一個矩形狀的照射區域。此時，投影光學系統PL的投影倍率(轉印倍率)例如為1/4的情況，將晶圓載置台7的移動速度設定成光罩載置台5之移動速度的1/4來進行同步掃描。另外，一面令晶圓載置台7沿著X方向和Y方向進行二維移動，一面反覆進行掃描曝光，以使光罩M的圖案逐一轉印到晶圓W的的各照射區域。
參考第二圖，第一圖所示的雷射電漿光源1是由雷射光源11、聚光透鏡12、噴嘴14、橢圓反射鏡15、以及管道16所構成。從雷射光源11所發出的光(非EUV光)，經由聚光透鏡12，聚光在氣體標靶13上。此處，由例如氙氣(Xe)所組成的高壓氣體由噴嘴14供應，從噴嘴14所噴射的氣體形成氣體標靶13。氣體標靶13利用所聚光的雷射光來獲得能量而使之電漿化並發出EUV光。此外，氣體標靶13定位於橢圓反射鏡15的第一焦點。
因此，從雷射電漿光源1所放射出來的EUV光，聚光於橢圓反射鏡15的第二焦點。一方面，發光過後的氣體，經由管道16被吸引而往外部導出。聚光於橢圓反射鏡15的第二焦點之EUV光，經由凹面反射鏡17，變成大致平行的光束，導引到由一對蠅眼光學系統 18a和18b所組成的光學積分器(optical integrator)18。第一蠅眼光學系統18a由並排配置的複數個反射鏡要件所構成。第二蠅眼光學系統18b由以一對對應於第一蠅眼光學系統18a的複數個反射鏡要件的方式並列配置的複數個反射鏡要件所構成。有關第一蠅眼光學系統18a和第二蠅眼光學系統18b的具體構成和作用，參考美國專利6,452,661號公報，儘可能當作本發明的一部分來沿用。
以此，在光學積分器18的射出面附近，即是在第二蠅眼光學系統18b的反射面附近，形成有具有特定形狀的實質性面光源。該實質性面光源形成在照明光學系2的射出眼位置，即是形成在光學上與投影光學系統PL的射入眼共軛的位置。來自實質性面光源的光，經由例如由凸面反射鏡19a及凹面反射鏡19b所構成之聚光式光學系統19，從照明光學系統2射出。
從照明光學系統2所射出的光，利用平面反射鏡4予以偏向之後，經由被配置在光罩M的附近之孔徑光闌20之圓弧狀的開口部(透光部)，在光罩M上形成圓弧狀的照明區域。有關孔徑光闌20的構成和作用於後述。如此，光源1(11～16)、照明光學系統2(17～19)、平面反射鏡4以及孔徑光闌20，構成設有特定圖案的光罩M科勒照明(Koehler illumination)之照明系統。
來自所照明之光罩M的圖案之光，經由投影光學系統PL，在晶圓W上之圓弧狀的靜止曝光區域，形成光罩圖案的像。投影光學系統PL係由用來形成光罩M的圖案的中間像之第一反射成像光學系統、及用來將光罩圖案之中間像的像(光罩M之圖案的二次像)形成在晶 圓W上之第二反射成像光學系統所構成。第一反射成像光學系統由4個反射鏡M1~M4所構成，第二反射成像光學系統由二個反射鏡M5和M6所構成。另外，投影光學系統PL為與晶圓側(像側)遠心的光學系統。
第三圖為概略表示本實施形態的一次掃描曝光之圖。參考第三圖，本實施形態的曝光裝置係以與投影光學系統PL之圓弧狀的有效成像區域和有效視野相對應的方式，形成對於Y軸成相對稱之圓弧狀的靜止曝光區域(實效曝光區域)ER。該圓弧狀的靜止曝光區域ER則是當利用一次掃描曝光來將光罩M的圖案轉印至晶圓W之矩形狀的一個照射區域SR時，從圖中實線所示的掃描開始位置移動到圖中虛線所示的掃描終點位置為止。
第四圖為概略表示本實施形態的孔徑光闌的重要部位構成之側面圖。第五圖為概略表示本實施形態的孔徑光闌的重要部位構成之上面圖。參考第四圖和第五圖，被配置在作為反射型負片之光罩M的附近之孔徑光闌20具有：限制射入到光罩M的光束之第一部分孔徑光闌21、及限制經由光罩M所反射的光束之第二部分孔徑光闌22。
第一部分孔徑光闌21係在＋Y方向側(第二部分孔徑光闌22側)具有凸圓弧狀的端緣2la，配置於限定應要在晶圓W上形成的靜止曝光區域ER其中一方之圓弧狀的外緣ER1(參考第三圖)。第二部分孔徑光闌22係在－Y方向側(第一部分孔徑光闌21側)具有凹圓弧狀的端緣22a，配置於限定靜止曝光區域ER另一方之圓弧狀的外緣ER2(參考第三圖)。
此外，孔徑光闌20還具備有：以限定沿著靜止曝光區域ER的掃描方向(Y方向)延伸之一對直線狀的外緣ER3的方式配置之一對部分孔徑光闌(未顯示於圖)。然而，有關該一對部分孔徑光闌為眾所皆知，其構成的詳細說明則予以省略。
本實施形態係與習知技術不同，設定成第一部分孔徑光闌21與光罩M的間隔D1大於第二部分孔徑光闌22與光罩M的間隔D2。如前述，經由光罩M所反射之光的一部分，即是包含光罩圖案的資訊朝向晶圓W之光的一部分受到遮蔽，則容易對於晶圓W上之圖案的成像造成不良影響。本實施形態中，與間隔D1作比較，相對縮窄第二部分孔徑光闌22與光罩M的間隔D2，第二部分孔徑光闌22致使的遮光，將對於圖案的成像所造成的不良影響抑制至小。
本實施形態中，將第二部分孔徑光闌22與光罩M的間隔D2，設定為對於前述過圖案的成像造成的不良影響抑制在很小之間隔。該間隔可以依照裝置要求的規格來作決定。
一方面，雖利用被配置在離光罩M較遠的位置之第一部分孔徑光闌21，限制射入到光罩M之光束的一部分，但利用第一部分孔徑光闌來限制光束，不會對於晶圓W上圖案的成像造成不良影響。本實施形態中，由於進行例如美國專利6,104,474號公報所記載之曝光量控制，因而能夠以靜止曝光區域ER之圓弧狀的外緣ER1模糊必要的量的方式來擴大第一部分孔徑光闌21與光罩M的間隔D1。
換言之，能夠使第一部分孔徑光闌21，從光學上與 晶圓W共軛的位置(即是光罩M的圖案面)，隔離曝光量控制所必要的量。以此，將第一部分孔徑光闌21配置在適於曝光量控制的位置，並可以防止對於解像造成影響的事態。本明細中，記載6,104,474號公報，儘可能當作本明細的揭示來沿用。
以上，本實施形態的照明光學裝置，因將第一部分孔徑光闌21與光罩M的間隔D1設定成大於第二部分孔徑光闌22與光罩M的間隔D2，所以第二部分孔徑光闌22將對於晶圓W上的成像造成的不良影響抑制至小，並可以利用第一部分孔徑光闌21來使晶圓W上的曝光量分布均等性提升。該結果，本實施形態的曝光裝置，可以兼顧到以孔徑光闌控制造成成像的不良影響、及提高曝光量的均等性，再則可以在良好的曝光條件下進行良好的曝光。
此外，第一部分孔徑光闌21與光罩M的間隔D1及第二部分孔徑光闌22與光罩M的間隔D2，符合以下的條件式(1)，則容易取得抑制孔徑光闌20造成成像的不良影響及提高曝光量的均等性的平衡。
1mm<D1－D2﹣﹣﹣﹣﹣﹣﹣﹣﹣(1)
另外，為達到更良好精度來進行曝光量控制，如例如第六圖所示，可變動構成第一部分孔徑光闌21的端緣形狀。第六圖的變形例中，第一部分孔徑光闌21係由朝向與掃描方向成垂直之掃描垂直方向(X方向)所分割之複數個(第六圖中的例示為八個)光圈構件31～38、及令該八個光圈構件31～38分別沿著掃描方向(Y方向)獨立移動之8個驅動部41～48所構成。
驅動部41～48可以使用例如超音波電動機的致動 器。第六圖的變形例中，依照來自控制部9的指令，獨立控制驅動部41～48的動作，分別令八個光圈構件31～38沿著Y方向移動，以使第一部分孔徑光闌21的端緣形狀改變。該結果，對於每個沿著掃描垂直方向(X方向)的位置，調整靜止曝光區域ER的沿著掃描方向(Y方向)的寬度，能夠高精度地控制晶圓W上的曝光量分布。
此外，第六圖的變形例中，以可變的方式構成第一部分孔徑光闌21的端緣形狀，但並不侷限於此，以可變的方式構成第二部分孔徑光闌22的端緣形狀，也會獲得同樣的效果。惟，第二部分孔徑光闌22配置在與光罩M較接近的位置，故設計上容易避免構件的機械性干涉。另外，也可採用不將部分孔徑光闌分割，而是美國專利第5,895,737號公報所揭示之連鎖形式。本明細中對於本發明的敘述，儘可能沿用美國專利第5,895,737號公報中的記載。
此外，上述的實施形態係根據確保投影光學系統PL的像面呈圓弧狀的靜止曝光區域ER之例子，說明本發明的構成和作用。然而，並不侷限於此，各種的變形例均有可能是應要在感光性基板上即是晶圓上形成之靜止曝光區域(照明區域)的形狀。
上述實施形態的曝光裝置係藉由照明系統來照明光罩(照明步驟)，使用投影光學系統，將被形成在光罩之轉印用的圖案曝光在感光性基板上(曝光步驟)，可以製造出微型零件(半導體元件、攝影元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等)。以下，參考第七圖的流程圖，說明使用本實施形態的曝光裝置，將特定的電路圖案形成在也是感光性基板的晶圓等上，藉此來獲得當作微型 零件的半導體零件時之手法的一個例子。
首先，於第七圖的步驟301，在一批次的晶圓上蒸鍍金屬膜。於下一個步驟302，在該一批次的晶圓上之金屬膜上塗佈光阻劑。之後，於步驟303，使用本實施形態的曝光裝置，使光罩(光柵)上之圖案的像，經由該投影光學系統，依序曝光轉印到該一批次的晶圓上之各照射區域。
之後，於步驟304，對於該一批次的晶圓上之光阻進行顯影之後，於步驟305，該一批次的晶圓上，將光阻圖案作為光罩來進行蝕刻，藉此來使對應於光罩上的圖案之電路圖案形成在各晶圓上的各照射區域。之後，進行形成更上層的電路圖案等，以此方式，製造半導體元件等的零件。依據上述的半導體零件製造方法，可以獲得有良好的生產流量的具有極細微電路圖案之半導體零件。
此外，上述的實施形態之EUVL曝光裝置係使用雷射電漿光源，作為用來供應EUV光的光源。然而，並不侷限於此，也可以使用供應EUV光的其他適當的裝置，例如同步放射(SOR)光源等。
另外，上述的實施形態中，針對EUVL曝光裝置，適用本發明。然而，並不侷限於此，針對使用反射型的光罩(反射型負片)的其他曝光裝置，進而一般經由可在第一面配置的反射型負片，用來將光學上與該第一面共軛的第二面予以照明之照明光學裝置，也可以適用本發明。
1‧‧‧雷射電漿光源
2‧‧‧照明光學系統
3‧‧‧EUV光
4‧‧‧平面反射鏡
5‧‧‧光罩載置台
6‧‧‧雷射干涉儀
7‧‧‧晶圓載置台
8‧‧‧雷射干涉儀
9‧‧‧控制部
11‧‧‧雷射光源
12‧‧‧聚光透鏡
13‧‧‧氣體標靶
14‧‧‧噴嘴
15‧‧‧橢圓反射鏡
16‧‧‧管道
18‧‧‧光學積分器
18a‧‧‧蠅眼光學系統
18b‧‧‧蠅眼光學系統
19‧‧‧聚光式光學系統
19a‧‧‧聚光式光學系統
19a‧‧‧凸面反射鏡
19b‧‧‧聚光式光學系統
19b‧‧‧凹面反射鏡
20‧‧‧孔徑光闌
21‧‧‧第一部分孔徑光闌
22‧‧‧第二部分孔徑光闌
ER‧‧‧靜止曝光區域
M‧‧‧光罩
PL‧‧‧投影光學系統
SR‧‧‧照射區域
W‧‧‧晶圓
第一圖為概略表示本發明的實施形態之曝光裝置 的全體構成之圖。
第二圖為概略表示第一圖中的光源、照明光學系統以及投影光學系統的內部構成之圖。
第三圖為概略表示本實施形態的一次掃描曝光之圖。
第四圖為概略表示本實施形態的孔徑光闌的重要部位構成之側面圖。
第五圖為概略表示本實施形態的孔徑光闌的重要部位構成之上面圖。
第六圖為概略表示變形例中孔徑光闌的重要部位構成之圖。
第七圖為針對取得作為微型元件之半導體元件時的手法的一個例子，表示該流程圖之圖。
21‧‧‧第一部分孔徑光闌
2la‧‧‧端緣
22‧‧‧第二部分孔徑光闌
22a‧‧‧端緣
D1‧‧‧間隔
D2‧‧‧間隔
M‧‧‧光罩

Claims (7)

  1. 一種照明光學裝置，是藉由可在第一面配置之反射型負片，將光學上與該第一面共軛的第二面予以照明之照明光學裝置，其特徵為：具備有：第一部分孔徑光闌，配置成針對斜向射入前述負片的第一光束，進行部分遮蔽；及第二部分孔徑光闌，配置成針對因被反射的前述第一光束而在前述負片所產生的第二光束，進行部分遮蔽；設定成前述第一部分孔徑光闌與前述第一面的第一間隔大於前述第二部分孔徑光闌與前述第一面的第二間隔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之照明光學裝置，其中，當將前述第一間隔設定為D1，將前述第二間隔設定為D2時，符合1mm<D1-D2的條件。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之照明光學裝置，其中，在前述第一部分孔徑光闌與前述反射型負片之間和前述第二部分孔徑光闌與前述反射型負片之間，不配置構成照明光學裝置之反射鏡，而配置前述第一部分孔徑光闌及前述第二部分孔程光闌。
  4. 一種曝光裝置，其特徵為：具備有申請專利範圍第1至3項中任一項所述之照明光學裝置，還具備有將被配置在前述第一面之反射型負片的像，形成在被配置在前述第二面之感光性基板上之投影光學系統。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之曝光裝置，其中，具備 有可載置前述負片之負片載置台、及可載置前述感光性基板之基板載置台；使前述負片載置台及前述基板載置台，沿著特定方向，相對於前述投影光學系統進行相對移動，將前述反射型負片的像形成在前述感光性基板上。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所述之曝光裝置，其中，前述第一部分孔徑光闌係由複數個構件所構成，具有使該複數個構件的至少一部分驅動之驅動部，將前述第一部分孔徑光闌及前述第二部分孔徑光闌所形成之照明區域的外緣寬度予以變更。
  7. 一種零件製造方法，其特徵為，包括以下的步驟：使用申請專利範圍第4至6項中任一項所述之曝光裝置，將前述反射型負片的圖案，曝光在前述感光性基板上之曝光步驟；及將經過前述曝光步驟之前述感光性基板予以顯影之顯影步驟。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8081296B2 (en) * 2007-08-09 2011-12-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
DE102008046699B4 (de) * 2008-09-10 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
KR101258344B1 (ko) * 2008-10-31 2013-04-30 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Ｅｕｖ 마이크로리소그래피용 조명 광학 기기
NL2004655A (en) * 2009-06-09 2010-12-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
CN102722090B (zh) * 2012-06-08 2015-03-04 中国科学院光电技术研究所 一种照明均匀性补偿装置
DE102012218074A1 (de) * 2012-10-04 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1400507A (zh) * 2001-07-27 2003-03-05 佳能株式会社 照明系统,投影曝光设备和器件制造方法
US20050006605A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-13 Won Yoo-Keun Lithography device
US20050236584A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Toshihiko Tsuji Exposure method and apparatus
US20070103665A1 (en) * 2004-12-28 2007-05-10 Asml Holding N.V. System and method for uniformity correction

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6078381A (en) * 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5777724A (en) 1994-08-24 1998-07-07 Suzuki; Kazuaki Exposure amount control device
US5966202A (en) 1997-03-31 1999-10-12 Svg Lithography Systems, Inc. Adjustable slit
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
JP3950553B2 (ja) * 1998-06-30 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系及びそれを有する露光装置
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
JP3363882B2 (ja) * 2000-10-17 2003-01-08 株式会社日立製作所 露光装置
TW573234B (en) * 2000-11-07 2004-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method
EP1482363A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6906789B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-14 Asml Holding N.V. Magnetically levitated and driven reticle-masking blade stage mechanism having six degrees freedom of motion
US6950175B2 (en) * 2003-06-02 2005-09-27 Asml Holding N.V. System, method, and apparatus for a magnetically levitated and driven reticle-masking blade stage mechanism
JP2005109304A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 Canon Inc 照明光学系及び露光装置
WO2005048326A1 (ja) * 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
EP1721201A1 (en) * 2004-02-18 2006-11-15 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
EP1887615A4 (en) * 2005-05-23 2016-01-20 Nikon Corp SENSOR CALIBRATION METHOD, EXPOSURE DEVICE METHOD AND DEVICE, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND REFLECTION MASK

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1400507A (zh) * 2001-07-27 2003-03-05 佳能株式会社 照明系统,投影曝光设备和器件制造方法
US20050006605A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-13 Won Yoo-Keun Lithography device
US20050236584A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Toshihiko Tsuji Exposure method and apparatus
US20070103665A1 (en) * 2004-12-28 2007-05-10 Asml Holding N.V. System and method for uniformity correction

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