JP2001076993A - 露光方法及びそれを用いた走査型露光装置 - Google Patents

露光方法及びそれを用いた走査型露光装置

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    • G03F7/70891—Temperature

Abstract

(57)【要約】 【課題】スリット光で走査露光するとき投影光学系が露
光光を吸収したときの非対称収差の発生を防止した露光
方法及びそれを用いた走査露光装置を得ること。 【解決手段】露光光により該第１物体側に設けたマーク
を照明し、該マークからの矩形や円弧などのスリット状
光束で第１物体のパターンを照明し、第１物体のパター
ンを投影光学系により第２物体に、該第１物体と該第２
物体を該投影光学系の投影倍率に対応せさた速度比で走
査させながら、投影露光する露光方法において光束を該
投影光学系に入射させることにより、露光で生じる該投
影光学系の非回転対称収差の発生を防止又は発生量を小
さくしていること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光方法及びそれを
用いた走査型露光装置に関し、例えばフォトマスクパタ
ーン（レチクルパターン）をウエハ上にマスクとウエハ
とを投影光学系に対して同期して走査露光して、ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや
液晶パネルなどの表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイ
スを製造するときに好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体素子の製造技術の進展は目
覚しく、又それに伴う微細加工技術の進展も著しい。特
に光加工技術はサブミクロンの解像力を有する縮小投影
露光装置、通称ステッパーが主流であり、更なる解像力
向上にむけて光学系の開口数（ＮＡ）の拡大や、露光波
長の短縮化が図られている。
【０００３】又、従来の反射投影光学系を用いた等倍の
走査露光装置を改良し、投影光学系に屈折素子を組み込
んで、反射素子と屈折素子とを組み合わせたもの、ある
いは屈折素子のみで構成した縮小投影光学系を用いて、
マスクステージと感光基板のステージ（ウエハステー
ジ）との両方を縮小倍率に応じた速度比で同期走査する
走査露光装置も注目されている。
【０００４】図８は従来の走査露光装置の要部概略図で
ある。同図において、パターン（原画）が描かれている
マスク１はマスクステージ４で支持され、感光基板であ
るウエハ３はウエハステージ５で支持されている。マス
ク１とウエハ３は投影光学系２を介して光学的に共役な
位置に置かれており、不図示の照明系からの図中Ｙ方向
に伸びるスリット状露光光６がマスク１を照明し、投影
露光系２の投影倍率に比した大きさでウエハ３に結像せ
しめられる。
【０００５】走査露光は、このスリット状露光光６、言
い換えれば投影光学系２に対してマスクステージ４とウ
エハステージ５の双方を駆動手段で光学倍率に応じた速
度比でＸ方向に動かしてマスク１とウエハ３を走査する
ことにより行われマスク３上のデバイスパターン２１全
面をウエハ３上の転写領域に転写している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ステップアンドスキャ
ン方式の投影露光装置（走査型露光装置）は、スリット
状の露光領域を有し、ショットの露光は投影光学系に対
してレチクルとウエハとを走査することにより行なって
いる。そして１つのショットの走査露光が終了すると、
ウエハが載ったステージを所定量移動させてウエハ上の
次のショットの走査露光を行なう。これを繰り返してウ
エハ全体の露光を行なっている。
【０００７】走査型露光装置では露光領域が矩形状（ス
リット状）である為に、露光によって照明される投影レ
ンズの各レンズ部材はそれらの配置される場所に応じて
矩形状、ないしは、矩形が照明光束の広がり分だけ膨ら
んだ楕円状の光束で照明し、加熱される。
【０００８】露光が進行するにつれてこのような加熱環
境は投影レンズを回転非対称に変形させる。その結果、
ウエハー上への結像光束は非点収差（アス）を発生し転
写特性を著しく劣化させてしまうという問題があった。
【０００９】この傾向は焼付波長がｉ線（３６５ｎｍ）
から遠紫外域（２４８ｎｍ，１９３ｎｍ）へと短波長化
するに従って、物性的に光エネルギーが硝材に吸収され
やすくなる為、ますます顕著になる。
【００１０】これに関連して、特開平１０−５０５８５
号公報で、解決法の一例が示されている。
【００１１】本発明は、同公報の発明とは異なる効果的
方法で回転非対称な収差の発生を防止又は発生量を小さ
くし、高集積度の半導体デバイスを容易に製造すること
ができる露光方法及びそれを用いた走査型露光装置の提
供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の露光方
法は、、露光光により該第１物体側に設けたマークを照
明し、該マークからの矩形や円弧などのスリット状光束
で第１物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを
投影光学系により第２物体に、該第１物体と該第２物体
を該投影光学系の投影倍率に対応せさた速度比で走査さ
せながら、投影露光する露光方法において光束を該投影
光学系に入射させることにより、露光で生じる該投影光
学系の非回転対称収差の発生を防止又は発生量を小さく
していることを特徴としている。
【００１３】請求項２の発明の露光方法は、矩形や円弧
などのスリット状光束で第１物体のパターンを照明し、
第１物体のパターンを投影光学系により第２物体に、該
第１物体と該第２物体を該投影光学系の投影倍率に対応
せさた速度比で走査させながら、投影露光する露光方法
において、該第１物体側のステージに設けたマークを照
明し、該マークからの光束を該投影光学系に入射させる
ことにより、露光で生じる該投影光学系の非対称収差の
発生を防止していることを特徴としている。
【００１４】請求項３の発明の露光方法は、矩形や円弧
などのスリット状光束で第１物体のパターンを照明し、
第１物体のパターンを投影光学系により第２物体に該第
１物体と該第２物体を該投影光学系の投影倍率に対応せ
さた速度比で走査させながら投影露光する露光方法にお
いて、露光光により該第１物体に設けたマークを照明
し、該マークからの光束を該投影光学系に入射させて、
該投影光学系を構成する少なくとも一部のレンズを熱的
に実質的に飽和状態にしていることを特徴としている。
【００１５】請求項４の発明の露光方法は、矩形や円弧
などのスリット状光束で第１物体のパターンを照明し、
第１物体のパターンを投影光学系により第２物体に該第
１物体と該第２物体を該投影光学系の投影倍率に対応せ
さた速度比で走査させながら投影露光する露光方法にお
いて、該第１物体側のステージに設けたマークを照明
し、該マークからの光束を該投影光学系に入射させて、
該投影光学系を構成する少なくとも一部のレンズを熱的
に実質的に飽和状態にしていることを特徴としている。
【００１６】請求項５の発明の露光方法は、光束で第１
物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
学系により第２物体に投影露光する露光方法において、
露光光により該第１物体側に設けたマークを照明し、該
マークからの光束を該投影光学系に入射させることによ
り、露光で生じる該投影光学系の非回転対称収差の発生
を防止又は発生量を小さくしていることを特徴としてい
る。
【００１７】請求項６の発明の露光方法は、光束で第１
物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
学系により第２物体に投影露光する露光方法において、
該第１物体側のステージに設けたマークを照明し、該マ
ークからの光束を該投影光学系に入射させることにより
露光で生じる該投影光学系の非対称収差の発生を防止し
ていることを特徴としている。
【００１８】請求項７の発明の露光方法は、光束で第１
物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
学系により第２物体に投影露光する露光方法において、
露光光により該第１物体に設けたマークを照明し、該マ
ークからの光束を該投影光学系に入射させて、該投影光
学系を構成する少なくとも一部のレンズを熱的に実質的
に飽和状態にしていることを特徴としている。
【００１９】請求項８の発明の露光方法は、光束で第１
物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
学系により第２物体に投影露光する露光方法において、
該第１物体側のステージに設けたマークを照明し、該マ
ークからの光束を該投影光学系に入射させて、該投影光
学系を構成する少なくとも一部のレンズを熱的に実質的
に飽和状態にしていることを特徴としている。
【００２０】請求項９の発明は請求項１から８のいずれ
か１項の発明において、前記第１物体側に設けたマーク
の照明は正規のショット露光の前又は／及びショット露
光の間隙に行っていることを特徴としている。
【００２１】請求項１０の発明は請求項１から８のいず
れか１項の発明において、前記マークは前記第１物体を
載置している可動ステージに設けられていることを特徴
としている。
【００２２】請求項１１の発明は請求項１から１０のい
ずれか１項の発明において、前記マークは非回転対称な
光束を発生させる光束発散素子であることを特徴として
いる。
【００２３】請求項１２の発明は請求項５から８のいず
れか１項の発明において、前記マークは入射光束を主に
走査方向に拡散させる光束発散素子であることを特徴と
している。
【００２４】請求項１３の発明は請求項１から１２のい
ずれか１項の発明において、前記マークからの光束は前
記投影レンズに対し、その光軸に対し回転対称な領域に
入射していることを特徴としている。
【００２５】請求項１４の発明は請求項１から１２のい
ずれか１項の発明において、前記マークからの光束は前
記投影レンズに対して、前記ショット露光時の照射領域
の補間領域に入射していることを特徴としている。
【００２６】請求項１５の発明の走査型露光装置は、請
求項１から４のいずれか１項の露光方法を用いているこ
とを特徴としている。
【００２７】請求項１６の発明の露光装置は、請求項５
から８のいずれか１項の露光方法を用いていることを特
徴としている。
【００２８】請求項１７の発明のデバイスの製造方法
は、請求項１から１４のいずれか１項の露光方法を用い
てレチクル面上のパターンをウエハ面上に投影露光し、
その後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを製
造していることを特徴としている。するデバイスの製造
方法。
【００２９】
【発明の実施の形態】図１，図２は本発明の露光方法を
走査型露光装置に適用したときの実施形態１の構成概略
図である。
【００３０】図２は図１の実施形態１と比較する為、走
査型露光装置の露光光の照射範囲を示している。図１と
図２の光学構成は全く同じである。
【００３１】本実施形態は光源１００から射出された光
束を照明光学系（照明系）１０１を介してレチクル１０
２（マスク）に照射し、レチクル状に形成されている回
路パターンを投影レンズＰＬ（投影光学系）によって第
２物体としての感光体を塗布したウエハ１０８上に走査
しながら縮小投影して焼き付けるステップアンドスキャ
ン型の露光装置を示しており、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
デバイス，ＣＣＤ等の撮像デバイス，磁気ヘッド等のデ
バイスを製造する際に好適なものである。
【００３２】図１，図２において、光源１００（レーザ
ーないしは超高圧水銀ランプ）から発した露光光束は照
明系１０１に導かれ、所定の開口数、照度、光強度、均
一性、そして、照射領域を有した照明光束に変換され、
レチクル（第１物体）１０２を照明する。
【００３３】この場合、図の左側に示すようにレチクル
１０２上の照射領域１２５は矩形状であり、実際には６
インチレチクルの場合、１０４ｍｍ×１３２ｍｍ程度の
広がりを持つ。レチクル１０２は光学系（投影レンズ）
ＰＬに対して走査される。（図中央矢印１１３の方向に
走査される。） 図２の走査型露光装置ではレチクル１０２の実素子パタ
ーン領域１５０を走査中、投影レンズＰＬ内の各レンズ
１、２、３、４のうち主として照明光束（露光光）の０
次光が通過する空間１１９に存在する部分だけが露光に
よって強く加熱される。
【００３４】図２の右側の図は、レチクル１０２近くに
あってこの傾向がもっとも強く現れるレンズ１（１０
４）の断面を示している。
【００３５】レンズ１０４の斜線部で示す領域は照明領
域１１６を示している。斜線部で示すレンズ１０４上の
照明領域１１６は矩形状であって、このレンズ中央部の
みが加熱されることを示している。通常のショット露光
中は、その他のレンズ１０５、１０６、１０７も少なか
らずこのような状態にある。個々のレンズは元々メカ的
に回転対称に保持されているので、このような非対称な
加熱が継続すると、レンズは非対称な変形を起こす。
【００３６】すなわち、矩形状照明域の長手方向と短手
方向とで曲率半径が異なる形状（トーリック面）にな
る。その結果、投影レンズＰＬに前述したような非点収
差が発生する。
【００３７】本実施形態ではこれを回避するためにレチ
クルステージ１０２に設けたマーク１０３を用いて予備
露光を行っている。
【００３８】本実施形態では、図１に示すように通常の
ショット露光の前にレチクルステージを移動して、同レ
チクルステージ上に予め設けた予備露光用のマークとし
てのレンズ照明マーク１０３を照明系１０１の矩形状照
明領域１２５の下で静止させ、該レンズ照明マーク１０
３を所定の時間露光し続ける予備露光を行っている。
【００３９】レンズ照明マーク１０３はレチクルステー
ジ１０２ａ以外の照明光が照射される位置であればどこ
でも良く、例えば図６に示すように、レチクル１０２上
に用いてもいい。
【００４０】図６はレチクル１０２にマーク１０３を設
けている点、レチクル１０２の構成が図１の実施形態と
異なっており、その他の構成は同じである。
【００４１】図１において投影レンズＰＬの内部の斜線
領域はこの状態でのレンズ内部の照明空間を示してい
る。右側の図は図２に対応していて、レンズ１（１０
４）の断面における照明領域を斜線で表している。
【００４２】本実施形態ではレンズ照明マーク１０３を
光束発散素子より構成し、そこからの照明光が発散光束
となって、投影レンズＰＬの各レンズに光軸に対して回
転対称となるように入射させている。
【００４３】即ち図１の右側に示すようにレンズ１０４
の照明される範囲１２０が図２の場合の照明範囲１１６
と異なりレンズ１０４をほぼ回転対称となるように照明
している。このように予備露光を行うことによりレンズ
全体が熱的な飽和状態にするようにしている。これによ
ってその後、通常のショット露光（正規のショット露
光）時に回転非対称な照明光を受けても非点収差のよう
な非対称な収差を発生しないようにしている。
【００４４】図３は本実施形態の予備露光のタイミング
フローチャートである。
【００４５】以上のように本実施形態では、レチクル可
動ステージ上に予備露光マーク（光束発散素子）を配置
してそれを照明し、該予備露光マークによる拡散光、回
折光、ないしは、散乱光によって、投影レンズにおいて
通常露光（正規のショット露光）動作時には照明されな
い硝子の領域を照明、加熱する。それによりレンズを熱
的に対称に加熱させた状態に維持し、通常露光動作を行
っている。これによって投影光学系の非対称収差の発生
を防止している。
【００４６】図４は本実施形態で適用可能な予備露光用
のマークとしてのレンズ照明マーク（光束発散素子）１
０３の説明図である。
【００４７】図４（Ａ）のレンズ照明マークはＣＣ’軸
を回転対称軸としてもつ偏向プリズムより構成したとき
の断面図である。この断面内でレンズ照明マーク１０３
は微小な三角プリズムの繰り返しで構成されていて、矢
印のように入射光束を偏向する作用がある。レンズ照明
マーク１０３の領域には図４（Ａ）のようなセル部材が
無数に配置されている。
【００４８】図４（Ｂ）のレンズ照明マークは図４
（Ａ）と同じ光学作用をもつが層状に形成された回折素
子（binary optics）で構成している。
【００４９】図４（Ｃ）は同じ作用をクロムパターンの
ような遮光性の回折格子で構成した例である。
【００５０】図４（Ｄ）のレンズ照明マークは拡散板よ
り構成し、その粗さを加減して透過光の指向性を自在に
変えている。
【００５１】尚、光束発散素子としては、拡散枚、回所
格子、光学楔、binary optics、レンチキュラー板等、
本発明の主旨を達成するものならすべて適用可能であ
る。
【００５２】図５は本発明の露光方法を走査型露光装置
に適用したときの実施形態２の要部概略図である。本実
施形態の基本構成は図１の実施形態１と同じである。本
実施形態は図１の実施形態１に比べて予備露光時の照明
光束がレンズ（特にレンズ１）の光軸を対称にではな
く、その通常のショット露光時には照明されない領域
（補間領域）１２１を照らしている点が異なっている。
そして、投影レンズＰＬ内部の二股に分かれた斜線は、
レンズ照明マークの透過光の光路を示している。尚、照
明範囲の形状は、どのようなものでも良い。
【００５３】本実施形態では通常露光とは補間的な照明
を施す事によってレンズのほぼ全面を均一に照明し、加
熱し飽和させる点にある。通常のショット露光開始時に
はレンズは非対称（矩形状）に加熱されるが、たとえば
１枚目のウエハーを露光し終わってそれを搬出する際に
本実施例の予備露光を行う。そうすることで投影レンズ
は対称に照明、加熱され、懸念される非対称収差の発生
をおさえることが出来る。どのタイミングで予備露光を
行なうかはレンズの熱に対する変化特性によって決めて
いる。
【００５４】例えば、熱敏感度の高い投影レンズの場
合、ウエハー毎に予備露光する必要があるが、熱敏感度
の低いレンズならウエハー数枚とか１ロットに１回、あ
るいは、ジョブの先頭のみに予備露光を行えば充分であ
る。また、１２”ウエハーの様に１枚当たりのショット
数の多いウエハーの場合には、１枚のウエハーの露光途
中に通常のショット露光を中断して予備露光動作に入っ
ても良い。
【００５５】又、投影レンズ内のレンズ部材としてはレ
ンズ１のようにレチクル近傍のものに限らず、図中のレ
ンズ２，３，４のように瞳近傍のものに対しても本発明
は有効である。
【００５６】本実施形態に使用するレンズ照明マーク１
０３の例としては、先に紹介した図４の各々の光学素子
で軸ｃｃ’を線対称軸として一次元状の対称な素子を用
いれば良い。
【００５７】又、マークを照明する光は、露光光とは波
長を異にするウエハを感光させない光でも良い。又、本
発明は走査型露光装置に限定されず、通常のステッパー
において、投影レンズに非回転対称な収差を発生させる
ようなレチクルを用いる場合にも適用される。
【００５８】図７は本実施形態の予備露光のタイミング
フローチャートである。
【００５９】本発明のデバイスの製造方法では以上の各
実施形態の露光方法を用いた走査型露光装置を用いて、
レチクルとウエハとの位置合わせを行った後に、レチク
ル面上のパターンをウエハ面上に投影露光し、その後、
該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを製造してい
る。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、第１物体としてのレチ
クル面上のパターンを投影光学系で第２物体としてのウ
エハ面上に光軸に対して非対称な露光照明領域で走査投
影する際、予め適切に設定した予備露光を行なうことに
より、非対称収差の発生を防止し、高集積度の半導体デ
バイスを容易に製造することができる露光方法及びそれ
を用いた走査型露光装置を達成することができる。
【００６１】特に本発明によれば、走査型露光装置のよ
うな非対称な露光照明領域を持つ光学システムにおいて
露光によって生じる非対称収差の発生を抑えることがで
きる。
【００６２】それにより、露光負荷を増大しても初期の
光学結像性能を劣化せずに焼き付けつづける事が可能と
なる。
【００６３】しかも予備露光マークがレチクルステージ
上に配置されているので、予備露光用の専用レチクルが
不要であるとともに、ステージ移動だけで同マークを露
光できる。したがって、レチクル交換の時間も不要とな
る。
【００６４】露光装置のスループットをおとさずにデバ
イス生産できる。半導体デバイスのトータルスループッ
トを格段に向上出来る、等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の露光方法を用いた走査露光装置の実施
形態１の要部概略図
【図２】本発明の露光方法を用いた走査露光装置の実施
形態１の要部概略図
【図３】本発明の露光方法の予備露光のタイミングのフ
ローチャート
【図４】本発明に係る予備露光マークの説明図
【図５】本発明の露光方法を用いた走査露光装置の実施
形態２の要部概略図
【図６】図１の一部分を変更したときの要部概略図
【図７】本発明の露光方法の予備露光のタイミングのフ
ローチャート
【図８】従来の走査露光装置の要部概略図
【符号の説明】
１００ 光源 １０１ 照明系 １０２ レチクル １０３ 予備露光マーク １０４〜１０７ レンズ ＰＬ 投影光学系 １０８ ウエハ

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 矩形や円弧などのスリット状光束で第１
    物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
    学系により第２物体に、該第１物体と該第２物体を該投
    影光学系の投影倍率に対応せさた速度比で走査させなが
    ら、投影露光する露光方法において、露光光により該第
    １物体側に設けたマークを照明し、該マークからの光束
    を該投影光学系に入射させることにより、露光で生じる
    該投影光学系の非回転対称収差の発生を防止又は発生量
    を小さくしていることを特徴とする露光方法。
  2. 【請求項２】 矩形や円弧などのスリット状光束で第１
    物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
    学系により第２物体に、該第１物体と該第２物体を該投
    影光学系の投影倍率に対応せさた速度比で走査させなが
    ら、投影露光する露光方法において、該第１物体側のス
    テージに設けたマークを照明し、該マークからの光束を
    該投影光学系に入射させることにより、露光で生じる該
    投影光学系の非対称収差の発生を防止していることを特
    徴とする露光方法。
  3. 【請求項３】 矩形や円弧などのスリット状光束で第１
    物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
    学系により第２物体に該第１物体と該第２物体を該投影
    光学系の投影倍率に対応せさた速度比で走査させながら
    投影露光する露光方法において、露光光により該第１物
    体に設けたマークを照明し、該マークからの光束を該投
    影光学系に入射させて、該投影光学系を構成する少なく
    とも一部のレンズを熱的に実質的に飽和状態にしている
    ことを特徴とする露光方法。
  4. 【請求項４】 矩形や円弧などのスリット状光束で第１
    物体のパターンを照明し、第１物体のパターンを投影光
    学系により第２物体に該第１物体と該第２物体を該投影
    光学系の投影倍率に対応せさた速度比で走査させながら
    投影露光する露光方法において、該第１物体側のステー
    ジに設けたマークを照明し、該マークからの光束を該投
    影光学系に入射させて、該投影光学系を構成する少なく
    とも一部のレンズを熱的に実質的に飽和状態にしている
    ことを特徴とする露光方法。
  5. 【請求項５】 光束で第１物体のパターンを照明し、第
    １物体のパターンを投影光学系により第２物体に投影露
    光する露光方法において、露光光により該第１物体側に
    設けたマークを照明し、該マークからの光束を該投影光
    学系に入射させることにより、露光で生じる該投影光学
    系の非回転対称収差の発生を防止又は発生量を小さくし
    ていることを特徴とする露光方法。
  6. 【請求項６】 光束で第１物体のパターンを照明し、第
    １物体のパターンを投影光学系により第２物体に投影露
    光する露光方法において、該第１物体側のステージに設
    けたマークを照明し、該マークからの光束を該投影光学
    系に入射させることにより露光で生じる該投影光学系の
    非対称収差の発生を防止していることを特徴とする露光
    方法。
  7. 【請求項７】 光束で第１物体のパターンを照明し、第
    １物体のパターンを投影光学系により第２物体に投影露
    光する露光方法において、露光光により該第１物体に設
    けたマークを照明し、該マークからの光束を該投影光学
    系に入射させて、該投影光学系を構成する少なくとも一
    部のレンズを熱的に実質的に飽和状態にしていることを
    特徴とする露光方法。
  8. 【請求項８】 光束で第１物体のパターンを照明し、第
    １物体のパターンを投影光学系により第２物体に投影露
    光する露光方法において、該第１物体側のステージに設
    けたマークを照明し、該マークからの光束を該投影光学
    系に入射させて、該投影光学系を構成する少なくとも一
    部のレンズを熱的に実質的に飽和状態にしていることを
    特徴とする露光方法。
  9. 【請求項９】 前記第１物体側に設けたマークの照明は
    正規のショット露光の前又は／及びショット露光の間隙
    に行っていることを特徴とする請求項１から８のいずれ
    か１項の露光方法。
  10. 【請求項１０】 前記マークは前記第１物体を載置して
    いる可動ステージに設けられていることを特徴とする請
    求項１から８のいずれか１項の露光方法。
  11. 【請求項１１】 前記マークは非回転対称な光束を発生
    させる光束発散素子であることを特徴とする請求項１か
    ら１０のいずれか１項の露光方法。
  12. 【請求項１２】 前記マークは入射光束を主に走査方向
    に拡散させる光束発散素子であることを特徴とする請求
    項５から８のいずれか１項の露光方法。
  13. 【請求項１３】 前記マークからの光束は前記投影レン
    ズに対し、その光軸に対し回転対称な領域に入射してい
    ることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項の
    露光方法。
  14. 【請求項１４】 前記マークからの光束は前記投影レン
    ズに対して、前記ショット露光時の照射領域の補間領域
    に入射していることを特徴とする請求項１から１２のい
    ずれか１項の露光方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１から４のいずれか１項の露光
    方法を用いていることを特徴とする走査型露光装置。
  16. 【請求項１６】 請求項５から８のいずれか１項の露光
    方法を用いていることを特徴とする露光装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１から１４のいずれか１項の露
    光方法を用いてレチクル面上のパターンをウエハ面上に
    投影露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介して
    デバイスを製造していることを特徴とするデバイスの製
    造方法。
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