JP2011109088A - リソグラフィ方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】あるリソグラフィ方法が、リソグラフィ装置の位相アジャスタを制御するステップであって、位相アジャスタが、位相アジャスタの光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成されている、ステップと、位相アジャスタに供給される、光学エレメントの部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップであって、制御が、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に即して行われ、信号の制御が、実際の時間温度特性の変化が所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものである、ステップとを含む。
【選択図】図9
Description
− 放射ビームB(例えば、例として248nmまたは193nmの波長で動作するエキシマレーザで生成されたUV放射、または例として約13.6nmの波長で動作するレーザ点火プラズマ源で生成されたEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたパターニングデバイスサポートまたはサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
− 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの(例えば、1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分C上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSと
を含む。
1.リソグラフィ装置の位相アジャスタを制御するステップであって、前記位相アジャスタが、前記位相アジャスタの光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成されている、ステップと、
位相アジャスタに供給される、光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップであって、信号の制御が、実際の時間温度特性の変化が光学エレメントのその部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものである、ステップと
を含むリソグラフィ方法。
2.位相アジャスタに供給される、実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップが、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に少なくとも関連する情報を使用するステップを含む、条項1に記載のリソグラフィ方法。
3.所望および/または実際の時間温度特性の変化が、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への、所望の時間温度特性の勾配の変化である、条項1または2に記載のリソグラフィ方法。
4.所望の時間温度特性の勾配の変化と実際の時間特性の関連の先行する変化がどちらも、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への変化である、条項3に記載のリソグラフィ方法。
5.実際の時間温度特性の勾配の変化が、光学エレメントの部分の加熱から冷却への移行、または光学エレメントの部分の冷却から加熱への移行の結果である、条項3または4に記載のリソグラフィ方法。
6.所望の時間温度特性の変化が、リソグラフィ装置の投影システムの温度の変化に関連する、条項1から5に記載のリソグラフィ方法。
7.投影システムの温度の変化が、放射ビームが投影システムを通り抜けることによって生じる、条項6に記載のリソグラフィ方法。
8.投影システムの温度の変化が、アイドル状態から動作状態へのリソグラフィ装置の状態の変化によって生じる、条項6または7に記載のリソグラフィ方法。
9.投影システムの温度の変化が、投影システムを通り抜ける放射ビームの線量および/または分布の変化によって生じる、条項6から8のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
10.位相アジャスタに供給される信号が、投影システムの温度の変化によって生じる、投影システムにおける収差を少なくとも一部補正する、条項6から9のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
11.位相アジャスタに供給される信号が、光学エレメントの部分の加熱または冷却を生じさせる、条項1から10のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
12.位相アジャスタに供給される、光学エレメントの1つまたは複数の部分のそれぞれについて実際の時間温度特性を生じさせる1つまたは複数の信号を制御するステップを含む、条項1から11のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
13.放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された、パターニングデバイスサポートと、
基板を保持するように構成された基板ホルダーと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
その光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成された位相アジャスタと、
使用の際に、位相アジャスタに供給される、光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するように構築および構成されたコントローラであって、信号の制御が、実際の時間温度特性の変化が光学エレメントのその部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものであるコントローラと
を備えるリソグラフィ装置。
14.コントローラが、
光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報が供給されるもの、および/または
光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を受け取るように構築および構成されたもの、および/または
光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を取り出すように構築および構成されたもの
のうちの1つまたは複数である、条項13に記載のリソグラフィ装置。
15.コントローラが、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を使用して位相アジャスタに供給される信号を制御するように構築および構成される、条項14に記載のリソグラフィ装置。
16.光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報が、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に関連する情報を含む、条項14または15に記載のリソグラフィ装置。
17.光学エレメントが複数の制御可能部分を備える、条項13から16のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
18.各部分に電熱線が設けられる、条項13から17のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
19.位相アジャスタが、使用の際に光学エレメントの部分上に誘導される赤外放射をもたらすように構成されたレーザを備える、条項13から18のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
20.位相アジャスタに、赤外放射を光学エレメントの1つまたは複数の部分上に案内するように構成されたガイドが設けられる、条項19に記載のリソグラフィ装置。
Claims (15)
- リソグラフィ装置の位相アジャスタを制御するステップであって、前記位相アジャスタが、前記位相アジャスタの光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成されている、ステップと、
前記位相アジャスタに供給される、前記光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップであって、前記信号の前記制御が、前記実際の時間温度特性の変化が前記光学エレメントの前記部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものである、ステップと
を含むリソグラフィ方法。 - 前記位相アジャスタに供給される、前記実際の時間温度特性を生じさせる前記信号を制御するステップが、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での前記所望の時間温度特性に少なくとも関連する情報を使用するステップを含む、請求項1に記載のリソグラフィ方法。
- 前記所望および/または実際の時間温度特性の前記変化が、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への、前記所望の時間温度特性の勾配の変化である、請求項1または2に記載のリソグラフィ方法。
- 前記所望の時間温度特性の前記勾配の前記変化と前記実際の時間特性の前記関連の先行する変化がどちらも、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への変化である、請求項3に記載のリソグラフィ方法。
- 前記所望の時間温度特性の前記変化が、前記リソグラフィ装置の投影システムの温度の変化に関連する、請求項1から4のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
- 前記投影システムの温度の前記変化が、アイドル状態から動作状態への前記リソグラフィ装置の状態の変化によって生じ、あるいは前記投影システムの温度の前記変化が、前記投影システムを通り抜ける放射ビームの線量および/または分布の変化によって生じる、請求項5に記載のリソグラフィ方法。
- 前記位相アジャスタに供給される前記信号が、前記投影システムの温度の前記変化によって生じる、前記投影システムにおける収差を少なくとも一部補正する、請求項5から6のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
- 前記位相アジャスタに供給される前記信号が、前記光学エレメントの前記部分の加熱または冷却を生じさせる、請求項1から7のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
- 放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された、パターニングデバイスサポートと、
基板を保持するように構成された基板ホルダーと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
その光学エレメントを通り抜ける前記放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成された位相アジャスタと、
使用の際に、前記位相アジャスタに供給される、前記光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するように構築および構成されたコントローラであって、前記信号の前記制御が、前記実際の時間温度特性の変化が前記光学エレメントの前記部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものであるコントローラと
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記コントローラが、
前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する情報が供給されるもの、および/または
前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する情報を受け取るように構築および構成されたもの、および/または
前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する情報を取り出すように構築および構成されたもの
のうちの1つまたは複数である、請求項9に記載のリソグラフィ装置。 - 前記コントローラが、前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する前記情報を使用して前記位相アジャスタに供給される前記信号を制御するように構築および構成される、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記光学エレメントが複数の制御可能部分を備える、請求項9から11のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 各部分に電熱線が設けられる、請求項9から12のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記位相アジャスタが、使用の際に前記光学エレメントの前記部分上に誘導される赤外放射をもたらすように構成されたレーザを備える、請求項9から13のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記位相アジャスタに、赤外放射を前記光学エレメントの1つまたは複数の部分上に案内するように構成されたガイドが設けられる、請求項14に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US26140309P | 2009-11-16 | 2009-11-16 | |
US61/261,403 | 2009-11-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011109088A true JP2011109088A (ja) | 2011-06-02 |
JP5334945B2 JP5334945B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=43998350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010250365A Active JP5334945B2 (ja) | 2009-11-16 | 2010-11-09 | リソグラフィ方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8810773B2 (ja) |
JP (1) | JP5334945B2 (ja) |
KR (2) | KR20110053915A (ja) |
CN (1) | CN102063019A (ja) |
NL (1) | NL2005449A (ja) |
TW (1) | TWI430049B (ja) |
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JP7457678B2 (ja) | 2019-06-25 | 2024-03-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法および物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102063019A (zh) | 2011-05-18 |
NL2005449A (en) | 2012-04-05 |
TWI430049B (zh) | 2014-03-11 |
JP5334945B2 (ja) | 2013-11-06 |
TW201137535A (en) | 2011-11-01 |
KR20130004551A (ko) | 2013-01-11 |
KR20110053915A (ko) | 2011-05-24 |
US20110116065A1 (en) | 2011-05-19 |
KR101676741B1 (ko) | 2016-11-16 |
US8810773B2 (en) | 2014-08-19 |
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