JP5334945B2 - リソグラフィ方法および装置 - Google Patents

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Description

[0001] 本発明はリソグラフィ方法および装置に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板の上、一般的には基板のターゲット部分の上に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターニングデバイスを使用して、ICの個々の層に形成すべき回路パターンに対応するパターンを放射ビームの断面内に与えることができる。このパターンを、基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えばダイの一部、1つのダイ、またはいくつかのダイを含む)に結像または転写することができる。パターンの転写は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料(レジスト)の層への結像によるものである。通常、1枚の基板には、順次パターニングされる、網状の隣接するターゲット部分が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体の像を1回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向(「スキャン」方向)にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。パターンを基板にインプリントすることによってパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
[0003] 半導体製造業界では、さらに小さなフィーチャおよびフィーチャ密度の増大に対する需要がますます高まっている。クリティカルディメンション(CD)は急速に減少し、上述のステッパやスキャナなど、最高水準技術の露光ツールの理論的解像限界に大いに近づきつつある。解像度を高め、プリント可能なCDを最小にすることを目的とする従来技術には、露光放射の波長を短くすること、リソグラフィ装置の投影システムの開口数(NA)を増大させること、および/またはパターニングデバイスパターン内に露光ツールの解像限界よりも小さなフィーチャを含ませて、そのフィーチャが、基板上にプリントされるのではなく、コントラストを改善して、微細なフィーチャを鮮明にすることのできる回折効果を生み出すようにすることがある。
[0004] 基板に与えられる独特のフィーチャが、確実に意図したように与えられるようにする(例えば、クリティカルディメンションの限界、要件、または均一性が確実に満たされるようにする)ために、リソグラフィ装置における収差を少なくとも一部補正することが望ましい場合がある。収差は、リソグラフィ装置の投影システムの1つまたは複数のエレメントの加熱により生じることがあり、それにより、そうした1つまたは複数のエレメントの歪みなどが生じる恐れがある。これまで、こうした収差を少なくとも一部補正するために、投影システムの1つまたは複数のエレメント(例えばレンズエレメントまたは反射エレメント)を移動させる、または方向変えすることがあった。こうしたエレメントの移動または方向変えは迅速に行うことができ、したがって収差を、それがたとえ時間とともに変化しても、少なくとも一部補正することができていた。しかし、より最近では、そのような収差を、投影システムを通過する放射ビームの1つまたは複数の部分の位相を変更することにより補正することが提案されている。位相は、位相アジャスタを用いて制御することができ、位相アジャスタは、投影システムのレンズ瞳面内に配設された光学エレメントを含むことができる。光学エレメントの1つまたは複数の部分を、その部分の屈折率を変更するために加熱することができ、したがって、使用の際に、その部分を通過する放射ビームの一部分の位相を調整することができる。
[0005] 位相を制御することのできる手段として熱を用いる位相アジャスタの使用に付随する問題は、与えられる加熱(または冷却)の変化のペースを、収差の変化のペースと同じペースで行えないことである。これは、例えば、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性と、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性との間に、大きな誤差があることを意味する。この誤差は、基板に与えられるパターンフィーチャの誤差を招く(すなわち、パターンフィーチャが意図したように与えられなくなる)恐れがある。
[0006] 例えば、それが本明細書で特定したものであろうと他のところで特定したものであろうと、従来技術の少なくとも1つの問題をなくす、または軽減するリソグラフィ方法および/または装置、あるいは既存のリソグラフィ方法または装置に代わる手段を提供するリソグラフィ方法および/または装置を提供することが望ましい。
[0007] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置の位相アジャスタを制御するステップであって、位相アジャスタが、位相アジャスタの(例えば放射ビームがリソグラフィ装置を通過する、または通過することになるときの放射ビームの経路内に配設された)光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成されている、ステップを含むリソグラフィ方法において、位相アジャスタに供給される、光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップであって、信号の制御が、実際の時間温度特性の変化が光学エレメントのその部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものである、ステップとを含む方法が提供される。
[0008] 光学エレメントは、リソグラフィ装置の瞳面、例えば投影システムの瞳面の面内またはその近くに配設することができる。
[0009] 制御は、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に即して行われる。光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に言及する場合、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での光学エレメントの部分の所望の時間温度特性への言及を含むことができる。この「言及」については、その代わりに、またはそれに加えて、位相アジャスタに供給される、実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップが、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に少なくとも関連する情報を使用するステップを含むと述べることもできる。
[0010] 所望および/または実際の時間温度特性の変化は、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への、所望の時間温度特性の勾配の変化とすることができる。所望の時間温度特性の勾配の変化と実際の時間特性の関連の先行する変化はどちらも、同じ方向(direction or sense)の、例えば正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への変化とすることができる。実際の時間温度特性の勾配の変化は、光学エレメントの部分の加熱から冷却への移行、または光学エレメントの部分の冷却から加熱への移行の結果(a consequence or a result)とすることができる。
[0011] 所望の時間温度特性の変化は、リソグラフィ装置の投影システム(の例えば1つまたは複数のエレメント)の温度の変化に関連してよい。投影システムの温度の変化は、放射ビームが投影システム(の例えば1つまたは複数のエレメント)を通り抜けることによって生じることがある。投影システム(の例えば1つまたは複数のエレメント)の温度の変化は、アイドル状態から動作状態へのリソグラフィ装置の状態の変化によって生じることがある。投影システム(の例えば1つまたは複数のエレメント)の温度の変化は、投影システム(の例えば1つまたは複数のエレメント)を通り抜ける放射ビームの線量および/または分布の変化によって生じることがある。位相アジャスタに供給される信号は、投影システムの温度の変化によって生じる、投影システム(の例えば1つまたは複数のエレメント)における1つまたは複数の収差を少なくとも一部補正することができる。投影システムの1つまたは複数のエレメントは、位相アジャスタの光学エレメントとすることができ、またはその光学エレメントを含むことができる。
[0012] 位相アジャスタに供給される信号は、光学エレメントの部分の(例えば受動または能動)加熱または冷却を生じさせることができる。
[0013] この方法は、位相アジャスタに供給される、光学エレメントの1つまたは複数の部分のそれぞれについて実際の時間温度特性を生じさせる1つまたは複数の信号を制御するステップを含むことができる。
[0014] 本発明の別の態様によれば、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面内にパターンを与えるように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された、パターニングデバイスサポートと、基板を保持するように構成された基板ホルダーと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、その(例えば放射ビームがリソグラフィ装置を通過する、または通過することになるときの放射ビームの経路内に配設された)光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成された位相アジャスタと、使用の際に、位相アジャスタに供給される、光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するように構築および構成されたコントローラであって、信号の制御が、実際の時間温度特性の変化が光学エレメントのその部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものであるコントローラとを含むリソグラフィ装置が提供される。
[0015] 光学エレメントは、リソグラフィ装置の瞳面、例えば投影システムの瞳面の面内またはその近くに配設することができる。
[0016] コントローラは、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報が供給されるもの、および/または光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を受け取るように構築および構成されたもの、および/または光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を取り出すように構築および構成されたもののうちの1つまたは複数とすることができる。
[0017] コントローラは、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を使用して位相アジャスタに供給される信号を制御するように、構築および構成することができる。
[0018] 光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報は、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に関連する情報を含むことができる。
[0019] 光学エレメントは、複数の制御可能部分を含むことができる。各部分には、電熱線または他の発熱体を設けることができる。
[0020] 位相アジャスタは、使用の際に光学エレメントの部分上に誘導される、または誘導可能な赤外放射をもたらすように構成された1つまたは複数のレーザを含むことができる。位相アジャスタには、赤外放射を光学エレメントの1つまたは複数の部分上に案内するために、ガイドまたはガイド構成を設けることができる。
[0021] 以下、本発明の実施形態について、単なる例にすぎないが、添付の概略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。
[0022]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。 [0023]リソグラフィ装置の投影システムを通り抜ける電磁波の位相を変更するように構成された位相アジャスタを概略的に示す図である。 [0024]位相アジャスタ内に含まれる光学エレメントを概略的に示す図である。 [0025]位相アジャスタ内に含まれる光学エレメントの温度制御可能部分を概略的に示す図である。 [0026]本発明の別の実施形態による位相アジャスタを概略的に示す図である。 [0027]リソグラフィ装置の投影システムを通り抜ける電磁波の位相を変更するように構成された位相アジャスタを、位相アジャスタの光学エレメントの特定の部分に関して概略的に示す図である。 [0028]位相アジャスタの光学エレメントのある部分の所望の時間温度特性、および光学エレメントのその部分の実際の時間温度特性、また位相アジャスタに印加される、実際の時間温度特性を生じさせる制御信号を概略的に示すグラフである。 [0029]本発明の一実施形態による、位相アジャスタの光学エレメントのある部分の所望の時間温度特性、および光学エレメントのその部分の実際の時間温度特性、また位相アジャスタに印加される、実際の時間温度特性を生じさせる制御信号を概略的に示すグラフである。 [0030]図7の所望の時間温度特性と実際の時間温度特性の間の誤差、および図8の所望の時間温度特性と実際の時間温度特性の間の誤差を概略的に示すグラフである。
[0031] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置100を概略的に示す。この装置100は、
− 放射ビームB(例えば、例として248nmまたは193nmの波長で動作するエキシマレーザで生成されたUV放射、または例として約13.6nmの波長で動作するレーザ点火プラズマ源で生成されたEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたパターニングデバイスサポートまたはサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
− 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの(例えば、1つまたは複数のダイを含む)ターゲット部分C上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSと
を含む。
[0032] 照明システムは、放射を誘導、整形、または制御するために、屈折タイプ、反射タイプ、磁気タイプ、電磁タイプ、静電タイプ、もしくは他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0033] パターニングデバイスサポートMTは、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートMTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かのような他の条件に応じる方式で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートMTは、パターニングデバイスを保持するために、機械的クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を使用することができる。パターニングデバイスサポートMTは、例えばフレームでも、テーブルでもよく、それは必要に応じて固定されても、可動でもよい。パターニングデバイスサポートMTは、確実にパターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあるようにすることができる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用している場合、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0034] 本明細書に使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを生成するなどのために、放射ビームの断面内にパターンを与えるように使用することのできる任意のデバイスを指すものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。
[0035] パターニングデバイスは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
[0036] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする、任意のタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されたい。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と見なされてよい。
[0037] 本明細書で記述されるように、装置100は透過タイプ(例えば透過性マスクを使用するタイプ)である。あるいは、装置は反射タイプ(例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプ)でよい。
[0038] リソグラフィ装置100は、2つ(デュアルステージ)またはそれより多い基板テーブル(および/または2以上のパターニングデバイステーブル)を有したタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、または1つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、1つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。
[0039] リソグラフィ装置100はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものとすることもできる。液浸液はまた、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターニングデバイス(例えばマスク)と投影システムの間に加えることもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大させることで当技術分野でよく知られている。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板などの構造体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、ただ液体が露光中に投影システムと基板の間に置かれることを意味するだけである。
[0040] 図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置は別個の実体でよい。そのような例では、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、放射源SOからイルミネータILまで、例えば適当な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを用いて通される。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。
[0041] イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面PP内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(通常、σ-outer、σ-innerとそれぞれ呼ばれる)を調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用して、断面内に所望の均一性および強度分布を持つように放射ビームを調節することができる。
[0042] 放射ビームBは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MT上に保持されるパターニングデバイス(例えばマスク)MA上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームBは、パターニングデバイスMAを横切って投影システムPSを通過し、投影システムPSが、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。基板テーブルWTは、第2のポジショナPWおよび位置センサIF(例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ)を用いて、例えば放射ビームBの経路内へ個別のターゲット部分Cを位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサ(図1には明示されていない)は、例えばマスクライブラリからの機械的に取り出した後、またはスキャン中に、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めするのに使用することができる。一般に、パターニングデバイスサポートMTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には(スキャナとは対照的に)、パターニングデバイスサポートMTがショートストロークアクチュエータのみに接続されてよく、あるいは固定されてよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスのアライメントマークM1、M2および基板のアライメントマークP1、P2を使用して位置合わせさせることができる。図示された基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイが与えられる状況では、パターニングデバイスのアライメントマークはダイ間に配置されてよい(スクライブラインアライメントマークとして既知である)。
[0043] 図示された装置100は、以下のモードのうち少なくとも1つで使用され得る。
[0044] ステップモードでは、パターニングデバイスサポートMTおよび基板テーブルWTが本質的に静止したままであり、一方、放射ビームに与えられたパターン全体がターゲット部分C上に1回で投影される(すなわち、単一静的露光)。次いで、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0045] スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影されている間に、パターニングデバイスサポートMTおよび基板テーブルWTが同期してスキャンされる(すなわち、単一動的露光)。パターニングデバイスサポートMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)倍率と像反転特性によって決定される可能性がある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向での)幅が制限され、一方、スキャン運動の長さにより、ターゲット部分の(スキャン方向での)高さが決定される。
[0046] 別のモードでは、パターニングデバイスサポートMTがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、基板テーブルWTが移動またはスキャンされ、その一方で放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各動作後に、またはスキャン中の連続した放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0047] 前述の使用モードまたはまったく異なった使用モードの組合せおよび/または変形形態も用いられてよい。
[0048] 図1の装置の光学的配置は、ケーラー照明を使用したものである。ケーラー照明では、照明システムIL内の瞳面PPが、投影システムPSの瞳面PPに共役である。瞳面PPは、パターニングデバイスMAが配置される物体平面のフーリエ変換面である。従来通り、この装置の照明モードは、照明システムの瞳面PP内のビームBの放射の強度分布への言及により説明することができる。パターニングデバイスMAのパターンの回折効果を受けて、投影システムPSの瞳面PP内の強度分布は、照明システムの瞳面PP内の強度分布とほぼ同じになる。
[0049] 投影システムPSは、投影システムを通り抜ける光放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成された位相アジャスタ110を含む。図2に概略的に示すように、位相アジャスタ110は、ビームBの放射に対してほぼ透過性の材料からなる光学エレメント310を含むことができる。別の実施形態では、光学エレメント310は、ビームBの放射に対して反射性とすることができる。位相アジャスタ110はさらに、コントローラ340を含むことができる。エレメント310を通り抜ける波の光路長が、コントローラ340によって供給される信号に応答して調整可能である。光学エレメント310は、例えば、瞳面PPなどの実質的にフーリエ変換面内に、使用の際にパターニングデバイスから発する回折ビームDBが光学エレメント310を通り抜けるように配設することができ、または配設可能にすることができる。
[0050] 図3は、位相アジャスタ110をより詳細に示し、光学エレメント310のZ軸に沿った上面図を示している。エレメント310を通り抜ける光波の位相の調整は、光学エレメント310の部分320に熱を印加(すなわち加熱)し、またはそこから熱を除去(すなわち冷却)し、それにより、部分320に隣接する材料の屈折率に対するエレメントの材料の屈折率の局所的な変化を導入することによって達成することができる。熱の印加は、例えば、オーム抵抗を有し、かつエレメントの部分320と、電流を線330に供給するように構成されたコントローラ340とに接触して構成されている線330を通じて、電流を伝達することによって実現することができる。
[0051] 任意の部分を他の任意の部分とは独立に加熱するために、光学エレメントの複数の隣接する部分に、対応する複数の線を設けることができる。例えば、図4に概略的に示すように、隣接する部分320−1から320−44までが、隣接する列の形で配設され、左から右に、また上から下に番号付けされている。部分320−1から320−44までの各部分320には、対応して番号付けされた電熱線330−1から330−44までが設けられる(ただし、単に図を見やすくする目的で、図4ではこれを部分320−4および320−37についてのみ示してある)。コントローラ340は、各線を独立に電流によって活動化させることができるように構築および構成される。これにより、エレメント310を通り抜ける光波に、X、Y平面内のエレメント310全体にわたる温度の空間分布に従って、空間位相分布を与えることが可能になる。
[0052] それに加えて、またはその代わりに、光学エレメント310は、冷却流体を収容するように構成された1つまたは複数の流路を含むこともできる。位相アジャスタ110は、1つまたは複数の流路に接続され、かつ冷却流体を制御された温度でその1つまたは複数の流路を通って循環させるように構成された、冷却流体供給および回収システムを含むことができる。線330のように、冷却流路を各部分320に関連付けることができるが、別法として、部分320全てに対して単一の冷却流路を構成することもできる。エレメント310の冷却とエレメント310の部分320の加熱を併用すると、部分320の温度を、公称温度の上下に広がる温度範囲内で調整可能にすることができる。公称温度は、例えば、装置100の、または投影システムPSの光学エレメントの材料の、特定の所望動作温度とすることができる。
[0053] 位相アジャスタ110の諸実施形態は、米国特許出願第11/593,648号から収集することができる。部分320の総数は44に限定されない。そうではなく、総数は一般に、温度分布の所望の空間分解能によって変わってよい。例えば、部分320のそれぞれの面積と、投影システムPSの瞳面PPi内の正味領域のサイズの比は、100〜1000とすることができる。
[0054] 本発明は、位相アジャスタ110の上述した特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。そのような実施形態は、単に例示を目的として本明細書に提示されている。当業者には、本明細書に含まれる教示に基づいて、更なる実施形態が明らかとなるであろう。例えば、図5は、位相アジャスタ400の一代替実施形態を開示している。代替位相アジャスタ400は、投影システムPSの(レンズ)瞳面PP内に配設された光学エレメント430の部分420を選択的に加熱するように構成された、1つまたは複数の赤外レーザ410を含むことができる。赤外放射440を、光学エレメント430の選択された部分420に、例えば、1つもしくは複数の中空光ファイバ、レンズ、反射エレメントによって、または1つもしくは複数の赤外レーザ410の適切な方向付けによって案内することができる。この実施形態の更なる詳細は、特開2007317847から収集することができる。冷却器がない場合、異なる部分420の温度を、対応する相互に異なる量の赤外放射エネルギー440を対応する異なる部分420に供給することによって、相互に異なるように調整することができる。したがって、公称温度は、例えば、相互に異なる温度の平均温度値と定めることができる。別の実施形態では、レーザ以外の放射源を使用して、光学エレメントを加熱するための放射をもたらすことができる。放射は、赤外放射以外の放射とすることができ、例えばUVまたはDUV放射とすることができる。
[0055] 上述の位相アジャスタを使用して、例えば、例として投影システムの温度の変化によって生じることのある、投影システムにおける収差を少なくとも一部補正することができる。投影システムの温度の変化は、放射ビームが投影システムを通り抜けることによって生じることがある。例えば、温度の変化は、アイドル状態から動作状態への、すなわち放射が投影システムを通り抜けない状態から放射ビームが投影システムを通り抜ける状態へのリソグラフィ装置の状態の変化であることがあり、またはその変化から生じることがある。その代わりに、またはそれに加えて、投影システムの温度の変化は、投影システムを通り抜ける放射の線量および/または分布(例えば角度または強度分布)の変化によって生じることがある。そのような変化は、異なるパターンが基板に与えられることにより生じ、または同じもしくは異なるパターンを基板の異なる領域に与えるために使用する放射ビームの特性の変化から生じることがある。その代わりに、またはそれに加えて、温度の変化は、基板の異なる領域(例えばダイもしくはターゲット部分)の露光間で、または異なる基板の露光によって生じることがある。
[0056] 投影システムの温度の変化(投影システムの1つまたは複数のエレメントの温度の変化を含んでよい)、およびその結果生じる収差を考慮に入れるために、また、それを少なくとも一部補償するために、モデルを確立することができる。このモデルを使用して、投影システムにおける収差を少なくとも一部補正するために必要となる、位相アジャスタの光学エレメントの1つまたは複数の部分の所望の時間温度特性を予測または準備することができる。例えば、図6は、光学エレメントの1つまたは複数の部分320の時間温度特性を制御するために、コントローラ340が光学エレメント310を含む位相アジャスタにどのように信号を供給することができるかを示す。
[0057] 図7は、例えば、上述の光学エレメントのある部分について所望の時間(TI)−温度(TE)特性Dをプロットしたグラフを概略的に示す。この所望の時間温度特性Dは、モデリングなどから決定することができる。温度TEは、図7および8に任意の単位で示されている。時間TIは、図7、8、および9に分単位で示されている。
[0058] 第1の期間500の間、所望の時間温度特性Dには勾配がなく、これは、この期間500の間に、光学エレメントのこの部分を加熱または冷却したいという要求または意図がないことを意味する。この期間500は、例えば、リソグラフィ装置がアイドル状態であり、放射ビームが装置の投影システムを通過せず、したがって、補正する必要のある、投影システムにおける熱誘発収差がないときの状況に対応し得る。
[0059] この第1の期間500の後、リソグラフィ装置が動作している期間に対応する第2の期間510がある。この期間510の間、放射ビームがリソグラフィ装置の投影システムを通り抜け、それにより、投影システムを加熱して、補正する必要のある収差を生じさせることがある。こうした収差は、例えば、光学エレメントの部分(または複数の部分)の適切な加熱により補正することができる。この期間510の間、所望の時間温度特性Dが、適切かつ周期的に増大または減少する。特性Dの変化の期間および大きさは、投影システムの温度の変化の期間および大きさに関連してよい。
[0060] 実際の時間温度特性Aを達成することができるように、位相アジャスタに制御信号CSが供給され、それにより、時間TIにわたる光学エレメントのその部分の実際の温度TEの制御が生じる。図7から、この実際の時間温度特性Aは、所望の時間温度特性Dに合致しない、すなわち、これらの特性間に誤差があることが分かる。これは、いくつかある理由の1つが原因としてあり得るが、通常は、位相アジャスタのハードウェア限界に関連がある。例えば、所望の時間温度特性Dの変化のペースの時定数に対応するリソグラフィ装置の投影システムの加熱に関連する時定数が、位相アジャスタの時定数よりも短い場合がある。これは、位相アジャスタの温度変化が、投影システムの温度変化に合致する(すなわち遅れずについていく)ことができないことを意味し得る。その代わりに、またはそれに加えて、位相アジャスタは、所望の時間温度特性Dにより指定される所望の動作限界よりも低い動作限界を有する場合がある。例えば、位相アジャスタは、(例えばモデリングされた)所望の時間温度特性Dにより要求される、ある一定の高温もしくは低温に到達する、またはその高温もしくは低温を達成することができない場合がある。
[0061] 実際の時間温度特性Aが所望の時間温度特性Dに合致しないため、投影システムにおける収差を所望のとおりに補正することができない。したがって、位相アジャスタの光学エレメントのある部分(または1つもしくは複数の部分)の実際の時間温度特性Aが、その部分(またはそれらの部分)の所望の時間温度特性Dにより密に合致する、または似るように、位相アジャスタの制御を向上させることができることが望ましい。
[0062] 本発明の一実施形態によれば、位相アジャスタの従来の制御に付随する1つまたは複数の問題をなくす、または軽減することができる。本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ装置の位相アジャスタを制御することを含むリソグラフィ方法が提供される。位相アジャスタは、位相アジャスタの光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成され、その光学エレメントは、そのリソグラフィ装置の投影システムの瞳面内に配設される(例えば上述の実施形態を参照されたい)。この方法は、位相アジャスタに供給される、光学エレメントの部分の、またはその部分に関する実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御することを含む。制御は、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に即して行われる。既存の制御方法とは対照的に、本発明の一実施形態によれば、信号の制御は、実際の時間温度特性の変化が、所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものである。
[0063] 上記で論じたように、光学エレメントのある部分の所望の加熱ペースと、光学エレメントのその部分の実際の加熱ペースとの時定数の差が、実際の時間温度特性と所望の時間温度特性の間の大きな誤差を生じさせ、したがって、投影システムの加熱によって生じる収差の補正が不十分になる恐れがある。光学エレメントの部分の実際の時間温度特性の変化を、所望の時間温度特性の関連する変化より前に起こすことによって、時定数(および/または他のハードウェア限界)の差を少なくとも一部考慮に入れ、または補償することができる。その結果、例えば、所望の時間温度特性と実際の時間温度特性の間の平均誤差が低減し、またはそれらの特性間の最大誤差が低減することが可能になる。
[0064] 実際の時間温度特性をもたらすのに必要な所望の時間温度特性に言及する場合、該所望の特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性への言及を含むことができる。この言及については、その代わりに、またはそれに加えて、方法が、位相アジャスタに供給される、実際の時間温度特性を生じさせる信号を、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に少なくとも関連する情報を用いて制御することを含むと述べることもできる。これは、例えば、所望の時間温度特性に変化があればそれを認識し、それに基づいて前もって行動し、したがって、実際の時間温度特性が変化するのに十分な時間を残すことができることを意味する。例えば、実際の時間温度特性は、光学エレメントの温度を制御するために使用されている位相アジャスタの時定数(および/または他の任意のハードウェア性能値)に応じて、所望の時間温度特性の中を10分、20分、30分、40分、50分、60分、またはそれよりも長い時間だけ前もって先読みすることによって確立することができる。
[0065] 上記で言及した変化は、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性および/または実際の時間温度特性の勾配の変化とすることができる。こうした変化は大きな変化、例えば正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への変化になる可能性がある。さらに、所望の時間温度特性の勾配の変化、および実際の時間温度特性の先行する変化は、同じ方向(direction or sense)になる可能性がある。これは、所望の時間温度特性の変化と実際の時間温度特性の先行する変化がどちらも、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への変化になることを意味する。時間温度特性の勾配の変化は、光学エレメントの部分の加熱から冷却への移行、または光学エレメントの部分の冷却から加熱への移行の結果とすることができる。加熱または冷却は、能動または受動とすることができる。例えば、光学エレメントの部分を加熱器によって加熱して、その温度を上げ、冷却流体などをその部分の中に(through or past)通すことによって冷却して、その温度を下げることができる。これは、能動加熱および能動冷却と呼ぶことができる。別の例では、部分の加熱または部分の冷却を停止し、その部分の温度を平衡レベルに到達させることができる。これは、例えば、それぞれ受動冷却または受動加熱と解釈することができる。
[0066] 上記から、所望の時間温度特性は、(例えば全体的な形状などの点で)実際の時間温度特性に比例し得ると理解することができる。例えば、実際の時間温度特性の形状は、様々な点で所望の時間温度特性の形状に似ていてよく、ただし、実際の時間温度特性は、例えば、上記で論じた勾配の変化が所望の時間温度特性よりも時間的に早く生じるように、わずかにオフセットしていてよい。
[0067] 位相アジャスタの諸実施形態に関して上記で論じたように、光学エレメントのある部分の温度を制御することにより、光学エレメントのその部分の屈折率の対応する制御を生じさせることができる。したがって、上記で言及した、また下記で言及する時間温度特性は、その代わりに、またはそれに加えて、時間屈折率特性と述べ、または解釈することもできる。
[0068] 次に、本発明の特定の実施形態について、図8および9を参照して説明する。
[0069] 図8は、位相アジャスタの光学エレメントのある部分の所望の時間温度特性Dを概略的に示すグラフである。所望の時間温度特性Dは、図7に示し、図7を参照して説明した所望の時間温度特性と同じである。
[0070] ここで図7および8を一緒に参照されたい。図8では、位相アジャスタに供給される制御信号が、図7で供給されるよりも早く供給600されている。制御信号(または、具体的には「高レベル」もしくは「オン」制御信号)のより早い供給600により、実際の時間温度特性Aが、図7に比べて図8の方がより早い時間にゼロ勾配から正の勾配に変化することが確実になる。図8では、これは、実際の時間温度特性Aの勾配の変化が、所望の時間温度特性Dの勾配の関連する変化に先行することを意味する。
[0071] リソグラフィ装置が、アイドル期間500後の期間510の間動作しているとき、実際の時間温度特性Aの勾配の変化(例えば正から負の勾配、または負から正の勾配への変化など)が、この場合も、所望の時間温度特性Dの関連する変化に先行する。これは、制御信号CSの変化の適切なタイミングによって達成され、その変化も、所望の時間温度特性Dの勾配の(すなわち正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への)急激な変化に先行する。これは、実際の時間温度特性Aの勾配の変化が所望の時間温度特性Dの関連する変化と同時にまたはそれよりも後に生じる、図7に示す従来の制御体制とまったく対照的である。図9は、図8に示し、図8を参照して説明した手法に付随する利点を概略的に示す。
[0072] 図9は、図7に示し、図7を参照して説明した従来の制御による、所望の時間温度特性と実際の時間温度特性の間の誤差E1、また図8に示す本発明の一実施形態による制御方法を用いた場合の、所望の時間温度特性と実際の時間温度特性の間の誤差E2を概略的に示すグラフである。誤差Eは、図9に任意の単位で示されている。
[0073] 図9は、本発明の一実施形態による制御方法の使用に付随する誤差E2が依然としてあること、また時に、付随する誤差E2の方が、位相アジャスタの従来の制御の場合の誤差E1よりも大きいことを示す。しかし、リソグラフィ装置のエンドユーザにとって時に、またはしばしば重要となるのは、新規の制御方法と既存の制御方法の間の誤差の変化ではなく、新規の方法と既存の方法の間の最大誤差の絶対的低減(該当する場合)である。これは、リソグラフィ装置の動作、またはその装置を用いて形成もしくは製造されるパターンフィーチャ、デバイスなどの仕様に許容差を組み込む際に考慮に入れる必要があるのが、こうした最大(maximum or extreme)誤差であるためである。図9は、本発明の一実施形態による制御方法を用いると、最大制御誤差700が従来の制御に比べて約30%低減し、それが明らかに大きな低減であることを示している。
[0074] 上記で論じたように、例えば、実際の時間温度特性の勾配の変化が、所望の時間温度特性の勾配の関連する変化に先行する。実際の時間温度特性の勾配の変化と、所望の時間温度特性の勾配の変化との間の時間は、多くの要因、例えば投影システムが加熱される持続時間、加熱のペース、供給される最大温度または熱などによって変わってよい。制御方法、またはその方法を実施するコントローラが、例えば、所望の時間温度特性またはその中(の例えば将来の時点)を先読みして勾配の変化の必要なタイミングを決定することによって実際の時間温度特性の勾配の変化のタイミングを決定する際に、(例えばモデルなどを用いて)これらの要因を考慮に入れることができる。例えば、コントローラまたは制御方法が先読みして勾配の必要な変化を決定する期間について、位相アジャスタの動作限界(例えば最大温度、最小温度、時定数、熱供給ペースまたは熱除去ペースなど)を考慮に入れ、それらの要因を用いて、その期間(または、換言すれば時間ウィンドウ)にわたって所望の時間温度特性と実際の時間温度特性の間の低減された誤差または最小誤差をもたらす勾配を決定するように、制御方法またはコントローラを構成することができる。
[0075] 本発明の別の実施形態ではあるが関連する実施形態によれば、上述の制御方法を実施することのできるリソグラフィ装置が提供される。この装置は、放射ビームを調節するための照明システムを含む。この装置はさらに、放射ビームの断面内にパターンを与えるためのパターニングデバイスを含む。基板を保持するために、基板ホルダーも設けられる。この装置はさらに、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するための投影システムを含む。その光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するための位相アジャスタ(例えば上述の実施形態のいずれか1つまたは複数において説明した位相アジャスタ)が、さらに設けられる。光学エレメントは、投影システム上の瞳プラン内に配設される。使用の際に、位相アジャスタに供給される信号を制御するように構築および構成されたコントローラも設けられる。コントローラが供給する信号が、光学エレメントの部分の、またはその部分に関する実際の時間温度特性を生じさせる。制御は、上述のように、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に即して行われる。制御信号は、上記で論じたように、実際の時間温度特性の変化が、所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものである。
[0076] コントローラは、コンピュータデバイスなどとすることができる。信号は、いくつかの形態のうちいずれか1つをとることができる。例えば、信号は、加熱器に対する「オン」または「オフ」信号とすることができ、または信号は、適切な電流によって加熱に寄与し、もしくは加熱を生じさせることができる。別の例では、信号は、光学エレメントの1つまたは複数の部分に向かって誘導される放射の量を制御するために、1つまたは複数のレーザ、またはそうしたレーザによってもたらされる放射ビーム用のガイドを制御することができる。
[0077] コントローラには、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を、(例えばコンピュータメモリなどから)例えば有線または無線の形で供給することができる。その代わりに、またはそれに加えて、コントローラは、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を、(例えばコンピュータメモリなどから)例えば有線または無線の形で受け取るように構築および構成することができる。その代わりに、またはそれに加えて、コントローラは、光学エレメントの部分のその時間温度特性に関連する情報を、(例えばコンピュータメモリなどから)例えば有線または無線の形で取り出すように構築および構成することができる。所望の時間温度特性に関連する情報は、数値またはデータ形式の所望の時間温度特性自体でも、その時間温度特性を表すコードなどでもよい。所望の時間温度特性に関連する情報は、特性全体または特性の一部分でも、特性全体または特性の一部分を含んでもよい。
[0078] 上記で論じたように、コントローラは、所望の時間温度特性に関連する情報を使用して位相アジャスタに供給される信号を制御するように、構築および構成(arranged)(例えば構成(configured))される。コントローラには、そのような使用を容易にするハードウェアまたはソフトウェア(例えば、モデリングツールなどを含むハードウェアまたはソフトウェア)を設けることができ、またはコントローラをそのようなハードウェアまたはソフトウェアと接続することができる。所望の時間温度特性に関連する情報は、該特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に関連する情報を含むことができる。このようにして、コントローラは、実際の時間温度特性内にまたは実際の時間温度特性に対して生じさせるべき、所望の時間温度特性の変化を先読みすることができる。
[0079] 光学エレメントは、例えば各部分に電熱線または他の形態の発熱体が設けられる、1つまたは複数の制御可能部分を含むことができる。その代わりに、またはそれに加えて、位相アジャスタは、使用の際に光学エレメントの1つまたは複数の部分上に誘導される、または誘導可能な赤外放射をもたらすように構成された、1つまたは複数のレーザを含むことができる。赤外放射を光学エレメントの1つまたは複数の部分上に案内するために、ガイドまたはガイド構成を設けることができる。
[0080] 光学エレメントについては、投影システムの瞳面内に配設されるものとして説明してきた。光学エレメントを瞳面内に配置することは、その光学エレメントのフィーチャを結像したくない場合に有利となり得る。光学エレメントが、瞳面の近くに配置され、必ずしも瞳面内に配設されない場合にも、同じ利点を達成することができる。光学エレメントのフィーチャを結像することが問題ではない場合、光学エレメントを、視野面(field plane)内またはその近くに配設することができる。要約すると、光学エレメントは、基板にパターンを与えるために使用する放射ビームの経路内に配置することができ、その位置は、瞳面の近くである必要はなく、または瞳面と一致する必要はない。その位置は、投影システム内ではなく、投影システムの上流または下流でもよい。
[0081] 上述のように、光学エレメントの1つまたは複数の部分の屈折率を使用して、収差、例えば投影システムの1つまたは複数のエレメントの加熱または冷却によって生じる収差を補正することができる。位相アジャスタの光学エレメントは、加熱または冷却されて収差を生じさせる複数のエレメントの1つ、またはエレメントとすることができる。リソグラフィ装置の放射ビームが通り抜けることによって生じる、位相アジャスタの光学エレメントの1つまたは複数の部分の加熱は、その光学エレメントの1つまたは複数の部分(例えば同じまたは異なる部分)の適切な加熱または冷却によって補正することができる。
[0082] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用を特に参照することがあるが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造のような他の用途を有することができることが理解されるべきである。そのような他の用途との関連で、本明細書の「ウェーハ」または「ダイ」という用語のいかなる使用もそれぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると見なすことができることを当業者なら理解されよう。本明細書で参照した基板は、露光の前または後に、例えば、トラック(一般に基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール中で処理することができる。適用可能である場合、本明細書の開示はそのような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は例えば多層ICを生成するために2回以上処理することができ、その結果、本明細書で使用した基板という用語は多数の処理された層を既に含んでいる基板を指すこともできる。
[0083] ここで使用する用語「放射」および「ビーム」は、紫外線(UV)放射(例えば、その波長が365、355、248、193、157または126nm、あるいはその付近である)や極端紫外線(EUV)放射(例えば、その波長が5〜20nmの範囲内である)を含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。
[0084] 「レンズ」という用語は、状況において可能な場合、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、および静電光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか1つ、または組合せを指すことがある。
[0085] 上記では、本発明の特定の実施形態について述べたが、本発明は、述べられているものとは別の方法で実施することができることが理解されるであろう。例えば、本発明は、上述の方法を表す機械読取可能命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいは、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク)の形態をとることができる。
[0086] 本発明は、次の条項を用いてさらに説明することができる。
1.リソグラフィ装置の位相アジャスタを制御するステップであって、前記位相アジャスタが、前記位相アジャスタの光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成されている、ステップと、
位相アジャスタに供給される、光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップであって、信号の制御が、実際の時間温度特性の変化が光学エレメントのその部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものである、ステップと
を含むリソグラフィ方法。
2.位相アジャスタに供給される、実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップが、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に少なくとも関連する情報を使用するステップを含む、条項1に記載のリソグラフィ方法。
3.所望および/または実際の時間温度特性の変化が、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への、所望の時間温度特性の勾配の変化である、条項1または2に記載のリソグラフィ方法。
4.所望の時間温度特性の勾配の変化と実際の時間特性の関連の先行する変化がどちらも、正の勾配から負の勾配、または負の勾配から正の勾配、またはゼロ勾配から負の勾配、またはゼロ勾配から正の勾配への変化である、条項3に記載のリソグラフィ方法。
5.実際の時間温度特性の勾配の変化が、光学エレメントの部分の加熱から冷却への移行、または光学エレメントの部分の冷却から加熱への移行の結果である、条項3または4に記載のリソグラフィ方法。
6.所望の時間温度特性の変化が、リソグラフィ装置の投影システムの温度の変化に関連する、条項1から5に記載のリソグラフィ方法。
7.投影システムの温度の変化が、放射ビームが投影システムを通り抜けることによって生じる、条項6に記載のリソグラフィ方法。
8.投影システムの温度の変化が、アイドル状態から動作状態へのリソグラフィ装置の状態の変化によって生じる、条項6または7に記載のリソグラフィ方法。
9.投影システムの温度の変化が、投影システムを通り抜ける放射ビームの線量および/または分布の変化によって生じる、条項6から8のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
10.位相アジャスタに供給される信号が、投影システムの温度の変化によって生じる、投影システムにおける収差を少なくとも一部補正する、条項6から9のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
11.位相アジャスタに供給される信号が、光学エレメントの部分の加熱または冷却を生じさせる、条項1から10のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
12.位相アジャスタに供給される、光学エレメントの1つまたは複数の部分のそれぞれについて実際の時間温度特性を生じさせる1つまたは複数の信号を制御するステップを含む、条項1から11のいずれかに記載のリソグラフィ方法。
13.放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
放射ビームの断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された、パターニングデバイスサポートと、
基板を保持するように構成された基板ホルダーと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
その光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整するように構築および構成された位相アジャスタと、
使用の際に、位相アジャスタに供給される、光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するように構築および構成されたコントローラであって、信号の制御が、実際の時間温度特性の変化が光学エレメントのその部分の所望の時間温度特性の関連する変化に先行するようなものであるコントローラと
を備えるリソグラフィ装置。
14.コントローラが、
光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報が供給されるもの、および/または
光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を受け取るように構築および構成されたもの、および/または
光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を取り出すように構築および構成されたもの
のうちの1つまたは複数である、条項13に記載のリソグラフィ装置。
15.コントローラが、光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報を使用して位相アジャスタに供給される信号を制御するように構築および構成される、条項14に記載のリソグラフィ装置。
16.光学エレメントの部分の所望の時間温度特性に関連する情報が、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での所望の時間温度特性に関連する情報を含む、条項14または15に記載のリソグラフィ装置。
17.光学エレメントが複数の制御可能部分を備える、条項13から16のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
18.各部分に電熱線が設けられる、条項13から17のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
19.位相アジャスタが、使用の際に光学エレメントの部分上に誘導される赤外放射をもたらすように構成されたレーザを備える、条項13から18のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
20.位相アジャスタに、赤外放射を光学エレメントの1つまたは複数の部分上に案内するように構成されたガイドが設けられる、条項19に記載のリソグラフィ装置。
[0087] 上記の記述は、説明を意図したものであり、限定するものではない。したがって、以下に詳述される特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に対して変更形態が作成され得ることが当業者には明白であろう。

Claims (15)

  1. リソグラフィ装置の位相アジャスタを制御するステップであって、前記位相アジャスタが、前記位相アジャスタの光学エレメントを通り抜ける放射ビームの電界の位相を調整する、ステップと、
    前記位相アジャスタに供給される、前記光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するステップであって、前記信号の前記制御が、前記実際の時間温度特性の勾配の変化が前記光学エレメントの前記部分の所望の時間温度特性の勾配の関連する変化に先行するようなものである、ステップと、を含み、
    前記信号を制御するステップが、前記所望の時間温度特性と前記実際の時間温度特性の間の低減された誤差をもたらす勾配を決定するステップを含む
    リソグラフィ方法。
  2. 記信号を制御するステップが、該所望の時間温度特性の中の将来の時点での前記所望の時間温度特性に少なくとも関連する情報を使用するステップを含む、
    請求項1に記載のリソグラフィ方法。
  3. 前記所望および/または実際の時間温度特性の前記勾配の変化が、正の勾配から負の勾配への、または負の勾配から正の勾配への、またはゼロ勾配から負の勾配への、またはゼロ勾配から正の勾配への、変化である、
    請求項1または2に記載のリソグラフィ方法。
  4. 前記所望の時間温度特性の前記勾配の変化と前記実際の時間特性の前記関連の先行する変化がどちらも、正の勾配から負の勾配への、または負の勾配から正の勾配への、またはゼロ勾配から負の勾配への、またはゼロ勾配から正の勾配への変化である、
    請求項3に記載のリソグラフィ方法。
  5. 前記所望の時間温度特性の前記勾配の変化が、前記リソグラフィ装置の投影システムの温度の変化に関連する、
    請求項1から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
  6. 前記投影システムの温度の前記変化が、アイドル状態から動作状態への前記リソグラフィ装置の状態の変化によって生じ、あるいは前記投影システムの温度の前記変化が、前記投影システムを通り抜ける放射ビームの線量および/または分布の変化によって生じる、
    請求項5に記載のリソグラフィ方法。
  7. 前記位相アジャスタに供給される前記信号が、前記投影システムの温度の前記変化によって生じる、前記投影システムにおける収差を少なくとも一部補正する、
    請求項5又は6に記載のリソグラフィ方法。
  8. 前記位相アジャスタに供給される前記信号が、前記光学エレメントの前記部分の加熱または冷却を生じさせる、
    請求項1から7のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。
  9. 放射ビームを調節する照明システムと、前記放射ビームの断面内にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するパターニングデバイスサポートと、基板を保持する基板ホルダーと、前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、その光学エレメントを通り抜ける前記放射ビームの電界の位相を調整する位相アジャスタと、使用の際に、前記位相アジャスタに供給される、前記光学エレメントのある部分の実際の時間温度特性を生じさせる信号を制御するコントローラであって、前記信号の前記制御が、前記実際の時間温度特性の勾配の変化が前記光学エレメントの前記部分の所望の時間温度特性の勾配の関連する変化に先行するようなものである、コントローラと、を備え
    前記コントローラは、前記所望の時間温度特性と前記実際の時間温度特性の間の低減された誤差をもたらす勾配を決定する
    リソグラフィ装置。
  10. 前記コントローラが、
    前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する情報が供給されるもの、および/または、
    前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する情報を受け取るもの、および/または、
    前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する情報を取り出すもの
    のうちの1つまたは複数である、
    請求項9に記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記コントローラが、前記光学エレメントの前記部分の前記所望の時間温度特性に関連する前記情報を使用して前記位相アジャスタに供給される前記信号を制御する、
    請求項10に記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記光学エレメントが複数の制御可能部分を備える、
    請求項9から11のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  13. 各部分に電熱線が設けられる、
    請求項9から12のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記位相アジャスタが、使用の際に前記光学エレメントの前記部分上に誘導される赤外放射をもたらすレーザを備える、
    請求項9から13のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
  15. 前記位相アジャスタに、赤外放射を前記光学エレメントの1つまたは複数の部分上に案内するガイドが設けられる、
    請求項14に記載のリソグラフィ装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2005449A (en) * 2009-11-16 2012-04-05 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
DE102011077784A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsanordnung
US9192039B2 (en) * 2011-09-02 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Radiation source
NL2009850A (en) 2011-12-02 2013-06-05 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
US10128017B1 (en) * 2017-05-12 2018-11-13 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of controlling debris in an EUV light source
JP6951498B2 (ja) 2019-06-25 2021-10-20 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法および物品製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342941B1 (en) * 1996-03-11 2002-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method preheating a mask before exposing; a conveyance method preheating a mask before exposing; and a device manufacturing system and method manufacturing a device according to the exposure apparatus and method
JP3548464B2 (ja) * 1999-09-01 2004-07-28 キヤノン株式会社 露光方法及び走査型露光装置
DE19956353C1 (de) * 1999-11-24 2001-08-09 Zeiss Carl Optische Anordnung
DE19963587B4 (de) * 1999-12-29 2007-10-04 Carl Zeiss Smt Ag Projektions-Belichtungsanlage
DE19963588C2 (de) * 1999-12-29 2002-01-10 Zeiss Carl Optische Anordnung
DE10000191B8 (de) * 2000-01-05 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Projektbelichtungsanlage der Mikrolithographie
KR20060120629A (ko) * 2003-08-28 2006-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조방법
EP1724816A4 (en) * 2004-02-13 2007-10-24 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US7221430B2 (en) * 2004-05-11 2007-05-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403264B2 (en) * 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
JP2006032831A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Sanyo Electric Co Ltd 露光装置及び露光方法
US7375794B2 (en) * 2004-08-04 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7715107B2 (en) * 2006-04-25 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Optical element for correction of aberration, and a lithographic apparatus comprising same
JP2007317847A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7580113B2 (en) * 2006-06-23 2009-08-25 Asml Netherlands B.V. Method of reducing a wave front aberration, and computer program product
US7525640B2 (en) 2006-11-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG143178A1 (en) 2006-11-27 2008-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7692766B2 (en) * 2007-05-04 2010-04-06 Asml Holding Nv Lithographic apparatus
NL2005449A (en) * 2009-11-16 2012-04-05 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.

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