JP2013123048A - リソグラフィ方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、投影システム内の光位相調整装置を使用して、パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、位相修正が基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、アシストフィーチャ像によるパターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、方法。
【選択図】図3
Description
− 放射ビームPB(例えば、UV放射又はEUV放射)を調節する照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えば、マスク)を支持し、部品PLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第1の位置決めデバイスPMに接続された支持構造(例えば、支持構造)MTと、
− 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持し、部品PLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に結像するように構成された投影システム(例えば、屈折型投影レンズ)PLと、
− 投影システムPLの瞳面PP内又はそれに隣接して位置し、放射ビームの電界の少なくとも一部の位相を調整するように配置された位相変調素子PMEと、
を備える。
1.ステップモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、ビームPBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、ビームPBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(すなわち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び像反転特性によって決定される。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、ビームPBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
1.投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、方法。
2.投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止し、前記位相修正が前記パターンの機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、方法。
3.前記位相修正は、前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減する、条項1又は条項2に記載の方法。
4.前記光位相調整装置によって施される前記位相修正が前記機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、条項1〜3のいずれかに記載の方法。
5.前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記基板上の前記レジスト内に露光される前記機能フィーチャ像に及ぼす影響がごく僅かである、条項1〜4のいずれかに記載の方法。
6.前記位相修正は、特定の回折次数の放射に対して施され、1つ以上の別の回折次数の放射に対しては顕著には施されない、条項1〜5のいずれかに記載の方法。
7.前記特定の回折次数は、3次回折次数である、条項6に記載の方法。
8.前記位相修正は、前記光位相調整装置の進相領域を通過する放射の前記光路長を短縮するステップと、前記光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の前記光路長を延長するステップと、を含む、条項1〜7のいずれかに記載の方法。
9.前記進相領域によって施される前記光路長の短縮は、前記遅相領域によって施される前記光路長と実質的に等しい、条項8に記載の方法。
10.前記光路長の短縮は前記進相領域内で変化し、前記光路長の延長は前記遅相領域内で変化する、条項8に記載の方法。
11.進相領域と遅相領域とが対で備えられる、条項8〜10のいずれかに記載の方法。
12.前記光位相調整装置の前記修正領域のすべてによって施される前記位相修正の総計は、実質的にゼロである、条項8〜11のいずれかに記載の方法。
13.進相領域及び前記遅相領域は、点対称分布、又は点非対称分布で備えられる、条項8〜12のいずれかに記載の方法。
14.条項1〜13のいずれかに記載の方法を適用するように構成された光位相調整装置を備える、リソグラフィ装置。
15.リソグラフィ装置であって、
断面にパターンを有する放射ビームを与える役割を果たすパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの瞳面に又はそれに隣接して配置される光位相調整装置と、
前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に対して位相修正を施す光位相調整装置を動作するように構成されたコントローラであって、前記位相修正が前記基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか、又は前記基板上のレジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、コントローラと、
を備える、装置。
16.前記位相修正は、前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減するように構成された、条項15に記載の装置。
17.前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、条項15又は条項16に記載の装置。
18.前記コントローラは、特定の回折次数の放射に前記位相修正を施し、1つ以上の別の回折次数の放射には前記位相修正を顕著には施さないように前記光位相調整装置を動作させるように構成された、条項15〜17のいずれかに記載の装置。
19.前記特定の回折次数は、3次回折次数である、条項18に記載の装置。
20.前記位相修正は、前記光位相調整装置の進相領域を通過する放射の前記光路長を短縮するステップと、前記光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の前記光路長を延長するステップと、を含む、条項15〜19のいずれかに記載の装置。
21.前記進相領域によって施される前記光路長の短縮は、前記遅相領域によって施される光路長の延長と実質的に等しい、条項20に記載の装置。
22.進相領域及び遅相領域は、対で備えられる、条項20又は条項21に記載の装置。
23.前記光位相調整装置の修正領域のすべてによって施される前記位相修正の総計は、実質的にゼロである、条項20〜22のいずれかに記載の装置。
24.進相領域及び遅相領域は、点対称分布又は点非対称分布で備えられる、条項20〜23のいずれかに記載の装置。
Claims (15)
- 投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、
前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、方法。 - 投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、
前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止し、前記位相修正が前記パターンの機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、方法。 - 前記位相修正は、前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記基板上の前記レジスト内に露光される前記機能フィーチャ像に及ぼす影響がごく僅かである、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記位相修正は、特定の回折次数の放射に対して施され、1つ以上の別の回折次数の放射に対しては顕著には施されない、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記特定の回折次数は、3次回折次数である、請求項5に記載の方法。
- 前記位相修正は、前記光位相調整装置の進相領域を通過する放射の前記光路長を短縮するステップと、前記光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の前記光路長を延長するステップと、を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記光路長の短縮は前記進相領域内で変化し、前記光路長の延長は前記遅相領域内で変化する、請求項7に記載の方法。
- 進相領域と遅相領域とが対で備えられる、請求項7又は8に記載の方法。
- 進相領域及び前記遅相領域は、点対称分布又は点非対称分布で備えられる、請求項7〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法を行う光位相調整装置を備える、リソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置であって、
断面にパターンを有する放射ビームを与える役割を果たすパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの瞳面に又はそれに隣接して配置される光位相調整装置と、
前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に対して位相修正を施す光位相調整装置を動作させるコントローラであって、前記位相修正が前記基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか、又は前記基板上のレジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、コントローラと、
を備える、装置。 - 前記位相修正は、前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減させる、請求項12に記載の装置。
- 前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、請求項12又は請求項13に記載の装置。
- 前記コントローラは、特定の回折次数の放射に前記位相修正を施し、1つ以上の別の回折次数の放射には前記位相修正を顕著には施さないように前記光位相調整装置を動作させる、請求項12〜14のいずれか一項に記載の装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041220A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2006245270A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2007149807A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 位置検出装置及び露光装置 |
JP2011109088A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法および装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3275863B2 (ja) | 1999-01-08 | 2002-04-22 | 日本電気株式会社 | フォトマスク |
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JP4332331B2 (ja) | 2002-08-05 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
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NL1036905A1 (nl) * | 2008-06-03 | 2009-12-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4970498B2 (ja) | 2008-06-24 | 2012-07-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041220A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2006245270A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2007149807A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 位置検出装置及び露光装置 |
JP2011109088A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法および装置 |
Also Published As
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