JPH1041220A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

Info

Publication number
JPH1041220A
JPH1041220A JP8208809A JP20880996A JPH1041220A JP H1041220 A JPH1041220 A JP H1041220A JP 8208809 A JP8208809 A JP 8208809A JP 20880996 A JP20880996 A JP 20880996A JP H1041220 A JPH1041220 A JP H1041220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
reticle
filter
pupil
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8208809A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Hirukawa
茂 蛭川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8208809A priority Critical patent/JPH1041220A/ja
Publication of JPH1041220A publication Critical patent/JPH1041220A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学フィルタを誤使用なく投影光学系の瞳面
近傍に挿脱可能な投影露光装置を提供すること。 【解決手段】 投影光学系(112)の瞳面(P)近傍
に挿脱可能に設けられた光学フィルタ(116)と;マ
スク(111)の光の透過率を計測する計測手段(12
1)と;計測手段(121)の出力に基づいて、光学フ
ィルタ(115)の挿脱を制御する制御手段(132)
とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
表示素子、薄膜磁気ヘッド等の製造のリソグラフィ工程
に用いられる投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】投影露光装置は、レチクル等のマスクに
描画されたパターンの像を、投影レンズや反射鏡等の投
影光学系を介してウェハ等の感光基板上に投影し、転写
するものである。半導体素子製造用の投影露光装置にお
いては、製造されるべき半導体素子の集積度の向上に伴
い、転写すべきパターンの微細化の要求が高まってい
る。これに対して、露光光の短波長化や、投影光学系の
大NA化が行われてきている。転写するパターンの中で
も、周期性をもったパターンについては、たとえば特開
平4−267515に開示されているような、変形照明
によって結像性能を向上させることができる。また、ホ
ールパターンについては、特願平5−175164に開
示されているように、投影光学系の瞳面に位相反転部分
や遮光部を設ける、いわゆる瞳フィルターにより結像性
能の向上が図れることが知られている。
【0003】特願平5−175164に示されている中
心遮光型の瞳フィルターを使用する場合には、マスクに
形成されたホールパターンの結像性能は向上するが、逆
にライン・アンド・スペースパターンのような周期パタ
ーンの結像性能が低下する。このため、1台の露光装置
でホール系のパターンとライン系のパターンの両方を露
光するためには、瞳フィルターの交換機能が必須であ
る。すなわち、瞳フィルターを光路中に挿入した状態で
ホール系のパターンを露光し、瞳フィルターを光路から
待避させた状態でライン系のパターンを露光する。ライ
ン系のパターンかホールパターンかの識別は、従来は目
視による確認、またはレチクルバーコードを読み取るこ
とによって行っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】仮に、ホール系でない
パターンに遮光型の瞳フィルターを用いた場合には、マ
スクを通過する光量が大きく、その光のうち光軸付近を
通過しようとする部分が遮光部材で吸収されるため、投
影光学系の光吸収によって温度上昇が生じる。一般に、
中心遮光部材(瞳フィルタ)は、熱的に外部とはほぼ遮
断されているため、いったん温度が上昇すると、元の状
態に戻るには極めて長い時間が必要である。従って、ラ
イン系のパターンを転写する際に、誤って瞳フィルター
を挿入してしまった場合に、露光のやり直しが必要なの
はもちろんのこと、装置自体が元の状態に戻るのに長い
時間が掛かり、生産性の低下を招くことになる。
【0005】このような問題は、バーコードを用いてパ
ターンの種類を識別した場合にも生じ得る。例えば、同
一マスクの複数領域にそれぞれライン系のパターンとホ
ール系のパターンとが設けられ、レチクルブラインドの
設定によってそれぞれのパターンを別々に露光するよう
な場合に問題が生じる。すなわち、同一のマスクであり
ながら、一方では瞳フィルターを挿入した条件で、また
一方では瞳フィルターなしで露光を行うことになり、管
理方法として破綻してしまう。
【0006】本発明は、上記のような状況に鑑みた成さ
れたものであり、光学フィルタを誤使用なく投影光学系
の瞳面近傍に挿脱可能な投影露光装置を提供することを
目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、マスク(111)のパターン(111A)を投影光
学系(112)を介して感光基板(114)上に転写す
る本発明にかかる投影露光装置は、投影光学系(11
2)の瞳面(P)近傍に挿脱可能に設けられた光学フィ
ルタ(116)と;マスク(111)の光の透過率を計
測する計測手段(121)と;計測手段(121)の出
力に基づいて、光学フィルタの挿脱を制御する制御手段
(132)とを備えている。
【0008】また、計測手段(121)による計測値を
所定の閾値と比較する比較手段(138)を更に備え、
制御手段(132)によって、比較手段(138)によ
る比較の結果、計測値が閾値よりも小さい場合にのみ、
光学フィルタ(116)を瞳面(P)近傍に設置するよ
うにしても良い。計測手段(121)としては、マスク
(111)に対する照明条件毎に、強度を計測するよう
に構成することもできる。また、計測手段(121)
は、マスク(111)が存在しない場合の投影光学系
(112)を透過する光の強度に対する、マスク(11
1)を介して投影光学系(112)を透過する光の強度
の相対的な値を計測値として求めるようにしてもよい。
【0009】
【発明の作用及び効果】一般に、マスクに形成されたホ
ールパターンよりもラインパターンの方が多くの光を透
過するため、マスク(111)を透過する光の強度から
マスク(111)上で照明されているパターンがホール
系のパターンかライン系のパターンかを判別できる。す
なわち、マスク(111)を透過する光の光量が所定の
基準値以下の場合には、ホール系のパターンと判断し、
基準値以上の場合には、ライン系パターンと判断する。
そして、ホール系のパターンと判断された場合には、光
学フィルタ(116)を投影光学系(112)の瞳面近
傍に挿入する。一方、ライン系のパターンと判断された
場合には、瞳フィルターの光路への挿入を中止するとと
もに、オペレータに対して警告を出したり、露光を中止
したりする。これにより、光学フィルタ(116)の誤
使用が回避される。
【0010】マスク(111)に対する照明条件毎に、
マスク(111)を透過する光の強度を計測した場合に
は、実際の露光状態でのマスク透過率を計測できる。す
なわち、マスクブラインド毎にマスクへの光の照射量が
異なるため、各マスクブラインド毎に基準値を設定し、
これに基づいて光フィルタ(116)の使用、不使用を
判断する。これにより、1枚のマスクを複数の領域に分
割して使用するような場合にも、それぞれの露光パター
ンに応じて瞳フィルターの使用、不使用を的確に切り替
えることが出来る。
【0011】
【発明の実施の態様】以下、本発明の実施の形態を実施
例を参照して説明する。本実施例は、半導体製造用の投
影露光装置に本発明を適用したものである。
【0012】
【実施例】図1は、本発明の第1実施例にかかる投影露
光装置を示す。以下、この投影露光装置を露光光の光路
に沿って説明する。高圧水銀灯100から射出された光
は、楕円鏡101によってレンズ102に入射する。レ
ンズ102を透過した光は、ロータリーシャッタ103
によって、通過及び遮断が制御されるようになってい
る。ロータリーシャッター103を通過した光は、イン
プット光学系104を介してフライアイレンズ105に
入射する。フライアイレンズ105に入射した光は、フ
ライアイレンズ105の複数のレンズエレメントによっ
て分割され、各レンズエレメントの各々の射出側に2次
光源像が形成される。すなわち、フライアイレンズ10
5の射出側には、レンズエレメントの数と同じ数の点光
源像が分布し、これら複数の点光源像によって1つの面
光源像が形成される。フライアイレンズ105の射出側
には、面光源像の大きさを調整する照明系開口絞り10
6が配置されている。照明系開口絞り106を透過した
光は、第1リレーレンズ107を介して結像式ブライン
ド108の矩形開口部を均一な照度分布で照射する。
【0013】照明系開口絞り106を透過した光は、第
2リレーレンズ109、メインコンデンサーレンズ11
0を介して、レチクル111上のパターン111Aを照
明する。ここで、照明系開口絞り106の矩形開口面と
レチクル111のパターン面とは、リレーレンズ109
とメインコンデンサレンズ110の合成系によって、互
いに共役に配置され、照明系ブラインド108の矩形開
口の像が、レチクル111のパターン面内に形成された
矩形パターン形成領域を含むように結像される。レチク
ル111を透過した光は、投影レンズ112によって、
ウェハステージ113上に載置されたウエハ114上に
集光する。すなわち、レチクル111のパターン111
Aの像がレジスト塗布済みのウェハ114上に転写され
る。ウェハステージ113上には光強度センサー121
が設けられており、投影レンズ112を通過した光の強
度を計測できるようになっている。光強度センサー12
1の感光部分は、露光フィールド全体の大きさをもって
おり、ウェハステージ113の駆動により、投影レンズ
112の露光フィールドの位置に移動可能に構成されて
いる。
【0014】投影レンズ112の瞳面Pの近傍には、可
変式のNA開口絞り115と、光路中に出し入れ可能な
遮光部材116が設けられており、フィルタ駆動装置1
30(図2参照)により、所定のNAの設定や、瞳フィ
ルター116の光路への出し入れの設定が可能となって
いる。
【0015】図2は、本実施例のフィルタ駆動に関する
制御系を示す。遮光部材116を駆動するフィルタ駆動
装置130は、制御装置132によってコントロールさ
れる。制御装置132は、光強度センサ121からの計
測値を入力すると共に、キーボードやネットワーク等の
入力装置134から供給されるパターン形状およびパタ
ーンサイズに関するデータを入力可能となっている。記
憶装置136は、光強度センサ121や入力装置134
等から制御装置132に供給されるデータを保持する。
記憶装置136は、比較回路138における比較動作に
使用される瞳フィルター使用透過率閾値を記憶する。比
較回路138は、光強度センサ121の計測結果から求
められるレチクル111の透過率と、記憶装置136に
記憶させている透過率閾値とを比較するようになってい
る。
【0016】制御装置132は、使用するレチクル11
1がホールパターンである場合には、フィルタ駆動装置
130を介して遮光部材116を光路中の所定の位置に
配置し、ホール系パターン以外(ライン系パターン)の
場合には、遮光部材116を光路外の所定の位置に待避
させる。また、装置のキャリブレーションや投影レンズ
112への光の照射量のチェック等で遮光部材116が
不要、ないしは悪影響を与える場合にも、フィルタ駆動
装置130を介して遮光部材116を光路外の所定の位
置に移動させる。
【0017】以下、遮光部材116の駆動制御について
更に具体的に説明する。レチクル111を光軸上の所定
の位置にセットするに際し、制御装置132は、ファイ
ルとして記憶装置136(コンピュータのディスク装
置)に格納されたデータに従い、レチクルブラインド開
口の設定を行う。次に、光強度センサー121を計測位
置に移動し、投影レンズ112を介して照射される光の
強度を計測する。同一レチクルで複数のレチクルブライ
ンド設定を行って露光する場合には、各々の開口設定毎
に光強度計測を行う。この計測時には、制御装置132
は、遮光部材116を光路外の所定の位置に待避させる
ようにフィルタ駆動装置130を制御する。この操作を
レチクルが無い状態とレチクルがある状態に対してそれ
ぞれ行い、各ブラインド開口でのレチクル111の光透
過率を以下のように求める。 透過率=(レチクルセット時の光強度)/(レチクル非
セット時の光強度)
【0018】そして、求めた透過率と、予め記憶装置1
36に記憶させている瞳フィルター使用透過率閾値と
を、比較回路138で比較する。そして、実際のレチク
ル透過率が閾値より小さい場合には、ホール系のパター
ンと判断し、瞳フィルターの使用を許可する。一方、実
際のレチクル透過率が閾値(例えば10%)より大きい
場合には、ホール系のパターンでないと判断し、瞳フィ
ルターの使用を禁止する。なお、瞳フィルターの使用許
可は、記憶装置136に記憶された露光条件設定ファイ
ルに瞳フィルターの使用が記述されている場合にのみ有
効であり、露光条件設定ファイルに瞳フィルターの使用
が記述されていない場合には、レチクル透過率が閾値よ
り小さい場合でも瞳フィルターは使用しない。
【0019】上記のような機能により、同一レチクルに
多種のパターンが描画されており、ブラインド設定によ
り特定のブラインド設定のみホールパターン用の露光を
行うような場合にも、そのブラインド設定時のみ瞳フィ
ルター(遮光部材116)を使用し、残りのブラインド
設定では瞳フィルターを使用しない設定にすることも可
能である。また、一連のブラインド設定で一つでもレチ
クルの光透過率が高い状態があれば、全てのブラインド
設定に対して瞳フィルターを使用しない設定にすること
も可能である。
【0020】以上説明したように、本実施例によれば、
中心遮光型瞳フィルターを使用する場合に、ライン系の
パターンの露光において、瞳フィルターの誤使用を防止
することができる。また、同一のレチクル内に遮光帯で
区切られたホールパターンとライン系のパターンの両方
が描画されており、それぞれをブラインド設定により別
のレイヤーに露光を行うような場合にも、露光用データ
ファイルの記述に従って、露光に使用するブラインド開
口位置の透過率を計測するため、従来のように、レチク
ルの種類により瞳フィルター使用の有無を決定する場合
のような不具合がない。なお、上記閾値は一つの値を全
ての条件に対して用いても良いし、また、ハーフトーン
レチクルのようにある程度光を透過するレチクルと、そ
の他のレチクルとの間で区別を行っても良い。この場合
には、レチクルタイプは記憶装置136に記憶された露
光条件ファイルから読み込んでもよいし、レチクルバー
コードリーダー等(入力装置134)から読み込んでも
よい。なお、上記実施例では光源を高圧水銀灯とした
が、エキシマレーザ等のレーザ光源としてもよい。ま
た、投影光学系はレンズを用いるとしたが、反射鏡を用
いたものでもよい。
【0021】図3は、本発明の第2実施例にかかる投影
露光装置の構成を示す。本実施例は、上記第1実施例の
瞳フィルタ(115,116)の構成を改良したもので
あり、2枚の平行平面板201,202を使用してい
る。また、他の多くの構成は基本的には共通であるた
め、重複した説明はせず、相違部分についてのみ詳細に
説明する。
【0022】投影レンズ112の瞳面P上には、透明な
平行平面板201、202が設けられている。図4は、
平行平面板201、202の断面の様子を示す。平行平
面板201、202の中心部分(遮光部分)には、それ
ぞれ位相型回折格子が設けられている。この回折格子
は、互いにピッチが等しく、そのデューティが1/2で
あるような、互いに平行な位相型回折格子である。な
お、回折格子のピッチが粗い場合には回折光が露光エリ
アの他の部分に到達する可能性があるため、極力微細で
あることが望ましい。平行平面板201の回折格子部分
は、透過光の位相が変化しない部分Aと、位相がπ/2
遅れる部分Bとから構成されている。また、平行平面板
202の回折格子部分も、透過光の位相が変化しない部
分aと、それに対して位相がπ/2進む部分bとから構
成されている。
【0023】平行平面板201には回折格子のピッチ方
向と垂直な方向への平行駆動機構203と、照明光の光
軸に関しての回転駆動機構204が設けられている。な
お、平行平面板201及び202の移動量は微少である
ため、平行駆動機構203と回転駆動機構204として
は、マイクロヘッドやピエゾ素子等を用いることが出来
る。
【0024】次に、平行平面板201,202の相対位
置による、遮光状態(透過状態)の変化について説明す
る。図4(1)に示すように、2枚の平行平面板20
1、202が、部分Aと部分a、部分Bと部分bとがそ
れぞれ重なるように配置された場合には、位置K、L、
Mを通過する光の位相はそれぞれ図5に示すようにな
る。このように、全ての位置K、L、Mで透過光の位相
が等しくなり、位相変化は生じない。従って、全ての領
域で光が透過し、瞳フィルタとしては機能しない。
【0025】一方、図4(2)に示すように、図4
(1)の状態から平行平面板201を回折格子のピッチ
の1/2だけ横にシフトし、部分Aとb、Bとaとがそ
れぞれ重なるように配置した場合には、位置K’、
L’、M’を通過する光の位相は、それぞれ図6に示す
ようになる。このように、位置K’とL’の間で透過光
の位相差がπとなり、通過する光は回折されるので、回
折格子部分が遮光部として作用することになる。
【0026】本実施例においては、投影レンズ112の
瞳面における確実なフィルタリングを行うために、平行
平面板201と202の相対的な位置関係が正しく調整
されている必要がある。そこで、平行駆動機構203及
び回転駆動機構204の制御が重要になる。図7は、上
述した平行駆動機構203及び回転駆動機構204の制
御系の構成を示す。平行駆動機構203及び回転駆動機
構204は、光強度センサ121からの信号等に基づ
き、制御装置132によって以下のように制御される。
【0027】先ず、瞳フィルターとして遮光部となる領
域のみが照射されるような照明系開口絞り106を選択
し、レチクル111が無い状態で投影レンズ112を通
過する光量を光強度センサー121により計測する。次
に、制御装置132は、平行平面板201を平行駆動手
段203により移動させながら、センサー121の出力
をモニターする。この時、瞳フィルターの効果を必要と
しない場合には、制御装置132は、光量センサー10
5の出力(通過光量)が最大になる位置に、平行駆動機
構203を介して平行平面板201を移動させる。ま
た、遮光型のフィルターとして使用する場合には、通過
光量が最小になる位置に平行平面板201を移動する。
また、平行平面板201、202が互いに回転方向にず
れていると、回折格子部全面で平行平面板201と20
2の位置関係が等しくならないため、制御装置132
は、同様にセンサー121の出力が最大または最小にな
るように平行平面板201を回転させる。これにより、
完全な平面板(遮光無し)の状態、および部分的に遮光
する状態の両方を実現することができる。
【0028】図8は本発明の第3実施例にかかる投影露
光装置に用いられる瞳フィルターの構成を示す。この瞳
フィルタは、2枚の平行平面板301,302から構成
される。なお、瞳フィルタ以外の構成は、上記第2実施
例と共通のものを使用することが出来る。各平行平面板
301,302は、図に示すように、それぞれ位相型回
折格子が設けられた中心部301a、302aと中間部
301b、302b、及び回折格子が形成されていない
外周部301c、302cとから構成されている。中心
部301a、302aの回折格子と、中間部301b、
302bの回折格子は互いに直交する方向に配置されて
いる。各位相型回折格子は、互いにピッチが等しく、そ
のデューティが1/2であるような、互いに平行な位相
型回折格子である。また、平行平面板301の回折格子
部分は、透過光の位相が変化しない部分Aと、位相がπ
/2遅れる部分Bとから構成されている。一方、平行平
面板302の回折格子部分は、透過光の位相が変化しな
い部分aと、位相がπ/2進む部分bとから構成されて
いる。
【0029】本実施例において、瞳フィルタ(301,
302)の各位置での透過状態は中心部301a、30
2aと中間部301b、302bの回折格子の上下の重
なり具合によって変わってくる。以下、中心部に位置
Q、Rをとり、中間部に位置S、Tをとり、外周部に位
置Uをとった場合の各位置での光の透過状態(遮光状
態)について3つの異なるケースに分けて説明する。
【0030】まず、図9(1)、(2)に示すように、
中心部(301a、302a)中の位置Q,Sにおいて
Aとaが重なり、中間部(301b、302b)中の位
置R,TにおいてBとbとが重なるような配置にする。
なお、図9(1)と(2)は、瞳フィルタ(301,3
02)の互いに直交する方向の断面を示すものとする。
このとき、各位置Q〜Uを通過する光の位相は、図10
のように、全ての位置Q〜Uにおいて位相が等しく、瞳
フィルタ(301,302)は単純な平行平面板として
作用することになる。図11は、この様な状態を模式的
に示したものであり、中心部(301a、302a)、
中間部(301b、302b)及び外周部(301c、
302c)の全ての領域で光が透過する状態を、白抜き
で表示してある。
【0031】次に、回折格子301をX方向に1/2ピ
ッチ分移動し、図12に示すように、位置QでAとb、
位置RでBとaが重なるようにする。なお、図12
(1)と(2)は、瞳フィルタ(301,302)の互
いに直交する方向の断面を示すものとする。この時、位
置S、Tでの重なり方は変化しない。このため、各位置
Q〜Uを通過する光の位相は、図13に示すように、中
心部分(301a,302a)のみで±π/2の位相差
が生じ、位相差回折格子として作用し、中心部(301
a,302a)のみ遮光効果をもつ中心遮光型フィルタ
ーとなる。図12は、この様な状態を模式的に示したも
のであり、中心部(301a、302a)で光が遮光さ
れる状態を斜線で示し、中間部(301b、302b)
及び外周部(301c、302c)で光が透過する状態
を白抜きで表示してある。
【0032】次に、回折格子301をX,Y両方向に1
/2ピッチ分移動し、図15に示すように、位置Q,S
でAとb、位置R,TでBとaが重なるようにする。な
お、図15(1)と(2)は、瞳フィルタ(301,3
02)の互いに直交する方向の断面を示すものとする。
この時、各位置Q〜Uを通過する光の位相は、図16に
示すように、中心部分(301a,302a)及び中間
部(301b,302b)の両方の領域で±π/2の位
相差が生じ、両領域が位相差回折格子として作用し、中
心部(301a,302a)及び中間部(301b,3
02b)で遮光効果をもつ中心遮光型フィルターとな
る。図17は、この様な状態を模式的に示したものであ
り、中心部(301a、302a)及び中間部(301
b、302b)で光が遮光される状態を斜線で示し、外
周部(301c、302c)で光が透過する状態を白抜
きで表示してある。
【0033】以上のように本実施例の瞳フィルタ(30
1,302)を用いることにより、中心遮光部の径を2
段階に変更することができる。また、同様に、Y方向に
のみ平行平面板301を移動すれば、輪帯状の遮光部を
形成することも可能である。なお、上記の平行平面板3
01,302の移動は、第2実施例と同様に平行駆動機
構203及び回転駆動機構204によって行われる。ま
た、各平行平面板301,302の位置の計測について
も、第2の実施例と同様に行うことができる。なお、上
述の説明では、平行平面板301のみを駆動している
が、これに代えて、平行平面板302をX,Y方向に駆
動するように構成しても良い。また、上記第2及び第3
実施例においては、一方の平行平面板のみ移動および回
転可能としたが、一方の平行平面板には平行移動機構、
もう一方の平行平面板には回転機構を持たせてもよい。
【0034】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、特
許請求の範囲に示された本発明の技術的思想としての要
旨を逸脱しない範囲で変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1実施例にかかる投影露光
装置の構成を示す概念斜視図である。
【図2】図2は、第1実施例の制御系の構成の一部を示
すブロック図である。
【図3】図3は、本発明の第2実施例にかかる投影露光
装置の構成を示す概念斜視図である。
【図4】図4は、第2実施例の要部を示す断面図であ
る。
【図5】図5は、第2実施例の作用を示す表である。
【図6】図6は、第2実施例の作用を示す表である。
【図7】図7は、第2実施例の制御系の構成の一部を示
すブロック図である。
【図8】図8は、本発明の第3実施例にかかる瞳フィル
タの構成を示す概念斜視図である。
【図9】図9(1),(2)は、第3実施例の作用を説
明するための断面図である。
【図10】図10は、図9の状態における第3実施例の
作用を示す表である。
【図9】図9は、図7の状態における第2実施例の作用
を示す模式図である。
【図12】図12(1),(2)は、第3実施例の作用
を説明するための断面図である。
【図13】図13は、図12の状態における第3実施例
の作用を示す表である。
【図14】図14は、図12の状態における第3実施例
の作用を示す模式図である。
【図15】図15(1),(2)は、第3実施例の作用
を説明するための断面図である。
【図16】図16は、図15の状態における第3実施例
の作用を示す表である。
【図17】図17は、図15の状態における第3実施例
の作用を示す模式図である。
【符号の説明】
111・・・レチクル 112・・・投影レンズ 114・・・ウエハ 115・・・ 116・・・遮光部材 121・・・光強度センサ 130・・・フィルタ駆動装置 132・・・制御装置 134・・・入力装置 136・・・記憶装置 138・・・比較回路 P・・・瞳面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年10月1日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の第1実施例にかかる投影露光
装置の構成を示す概念斜視図である。
【図2】図2は、第1実施例の制御系の構成の一部を示
すブロック図である。
【図3】図3は、本発明の第2実施例にかかる投影露光
装置の構成を示す概念斜視図である。
【図4】図4は、第2実施例の要部を示す断面図であ
る。
【図5】図5は、第2実施例の作用を示す表である。
【図6】図6は、第2実施例の作用を示す表である。
【図7】図7は、第2実施例の制御系の構成の一部を示
すブロック図である。
【図8】図8は、本発明の第3実施例にかかる瞳フィル
タの構成を示す概念斜視図である。
【図9】図9(1),(2)は、第3実施例の作用を説
明するための断面図である。
【図10】図10は、図9の状態における第3実施例の
作用を示す表である。
【図11】図11は、図9の状態における第3実施例の
作用を示す模式図である。
【図12】図12(1),(2)は、第3実施例の作用
を説明するための断面図である。
【図13】図13は、図12の状態における第3実施例
の作用を示す表である。
【図14】図14は、図12の状態における第3実施例
の作用を示す模式図である。
【図15】図15(1),(2)は、第3実施例の作用
を説明するための断面図である。
【図16】図16は、図15の状態における第3実施例
の作用を示す表である。
【図17】図17は、図15の状態における第3実施例
の作用を示す模式図である。
【符号の説明】 111・・・レチクル 112・・・投影レンズ 114・・・ウエハ 115・・・ 116・・・遮光部材 121・・・光強度センサ 130・・・フィルタ駆動装置 132・・・制御装置 134・・・入力装置 136・・・記憶装置 138・・・比較回路 P・・・瞳面

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクのパターンを投影光学系を介して
    感光基板上に転写する投影露光装置において、 前記投影光学系の瞳面近傍に挿脱可能に設けられた光学
    フィルタと;前記マスクの光の透過率を計測する計測手
    段と;前記計測手段の出力に基づいて、前記光学フィル
    タの挿脱を制御する制御手段とを備えたことを特徴とす
    る投影露光装置。
  2. 【請求項2】 前記計測手段による計測値を所定の閾値
    と比較する比較手段を更に備え、 前記制御手段は、前記比較手段による比較の結果、前記
    計測値が前記所定の閾値よりも小さい場合にのみ、前記
    光学フィルタを前記瞳面近傍に設置することを特徴とす
    る請求項1に記載の投影光学装置。
  3. 【請求項3】 前記計測手段は、前記マスクに対する照
    明条件毎に、前記強度を計測することを特徴とする請求
    項1又は2に記載の投影露光装置。
  4. 【請求項4】 前記計測手段は、前記マスクが存在しな
    い場合の前記投影光学系を透過する光の強度に対する、
    前記マスクを介して前記投影光学系を透過する光の強度
    の相対的な値を計測値として求めることを特徴とする請
    求項1又は2に記載の投影露光装置。
JP8208809A 1996-07-19 1996-07-19 投影露光装置 Pending JPH1041220A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8208809A JPH1041220A (ja) 1996-07-19 1996-07-19 投影露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8208809A JPH1041220A (ja) 1996-07-19 1996-07-19 投影露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1041220A true JPH1041220A (ja) 1998-02-13

Family

ID=16562488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8208809A Pending JPH1041220A (ja) 1996-07-19 1996-07-19 投影露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1041220A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243172A (ja) * 2006-02-17 2007-09-20 Asml Netherlands Bv マイクロリソグラフィにおける光学システム用フォトンシーブ
JP2013123048A (ja) * 2011-12-02 2013-06-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ方法及び装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243172A (ja) * 2006-02-17 2007-09-20 Asml Netherlands Bv マイクロリソグラフィにおける光学システム用フォトンシーブ
JP2013123048A (ja) * 2011-12-02 2013-06-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ方法及び装置
TWI474133B (zh) * 2011-12-02 2015-02-21 Asml Netherlands Bv 微影方法及裝置
US9280064B2 (en) 2011-12-02 2016-03-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3291818B2 (ja) 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
TWI276924B (en) Exposure apparatus and method
EP0969327B1 (en) Multiple exposure apparatus and method
US6366341B1 (en) Exposure method and exposure apparatus
KR101267144B1 (ko) 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크
JP2019196943A (ja) 計測装置、露光装置及び物品の製造方法
EP1698940B1 (en) Exposure method and apparatus
JP3647272B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JPH1041220A (ja) 投影露光装置
JP3296296B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JP3647270B2 (ja) 露光方法及び露光装置
EP1118910B1 (en) Microlithography projection apparatus
JPH1041218A (ja) 投影露光装置
JP3554246B2 (ja) 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2668834B2 (ja) 露光装置
JP3102087B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法
JP3647271B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JP2800731B2 (ja) 走査露光方法、及び走査露光による回路素子製造方法
US20090269681A1 (en) Method of detecting exposure boundary position, and method of fabricating semiconductor device
JPH06325994A (ja) パターン形成方法、パターン形成装置及びマスク
JPH05326365A (ja) 投影露光装置
JPH10281934A (ja) 投影光学系の結像特性計測方法、及び該方法を使用する投影露光装置
JP4465644B2 (ja) 転写方法及びデバイス製造方法
JP2000250226A (ja) 露光装置
JP2000306830A (ja) 露光方法