JP4489783B2 - リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Claims (11)
- 瞳の強度分布からの放射によってマスクパターンを照明するように構成された照明系であって、前記瞳が前記瞳の中心で互いに交差する2つの軸により画定される4つの象限を有し、前記強度分布が、前記象限の1つに配置された第1の極と、前記第1の極が配置されている該象限に対向する前記象限の1つに配置された第2の極と、前記第1および第2の極のいずれも含まない前記象限の1つに配置された第3の極と、前記第3の極が配置された該象限に対向して配置された象限に配置された第4の極とを有し、前記第1、第2、第3および第4の極各々が前記各極を囲む強度よりも強い強度を有する、照明系と、
前記強度分布からの放射により前記パターンから発せられる回折ビームによって形成される前記マスクパターンの像を基板上に被覆されたフォトレジスト層に投影するように構成された投影系であって、前記投影系が前記第1および第2の極に関連するゼロ次回折ビームを透過し、且つ前記第3および第4の極に関連するゼロ次回折ビームをブロックするように配置される開口デバイスを備えた、投影系と、
を備えるリソグラフィ投影装置。 - 前記瞳の中心に対して、前記第3および第4の極の最小半径方向範囲が、前記第1および第2の極の最大半径方向範囲よりも大きいまたは等しい、
請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記第1、第2、第3および第4の極は、
σ2minが0.7乃至0.9単位の範囲の値を有し、
σ1maxが0.6乃至0.83単位の範囲の値を有し、
前記瞳の半径が1単位に等しく、
σ2minが前記瞳の前記中心から前記第3および第4の極への最も近い半径距離であり、
σ1maxが前記瞳の前記中心から延びる前記第1および第2の極への最も遠い半径距離である、
請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記開口デバイスが、アイリス絞り、調節可能なアイリス絞り、および光学素子の1つを備え、これが前記第3および第4の極に関連するゼロ次回折ビームをブロックするように調整された放射吸収サブ要素の空間分布を含む、
請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記照明系に前記放射を与えるように調整された放射源が、パターンをプリントするための目標積分強度よりも高い事前選択された積分強度を前記瞳で提供することができ、前記第3および第4の極の積分強度は前記事前選択された積分強度の一部として調整され、前記一部は前記目標積分強度に補完的である、
請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記照明系に前記放射を与えるように調整された放射源が、パターンをプリントするための目標積分強度よりも高い事前選択された積分強度を前記瞳で提供することができ、前記第3および第4の極の積分強度の前記第1および第2の極の積分強度に対する比率が1.1乃至2の間または0.5乃至0.9の間の値になるよう調整されている、
請求項2に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記照明系に前記放射を与えるように調整された放射源が、パターンをプリントするための目標積分強度よりも高い事前選択された積分強度を前記瞳で提供することができ、前記第3および第4の極の積分強度は前記事前選択された積分強度の一部として調整され、前記一部は前記目標積分強度に補完的である、
請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。 - 前記照明系に前記放射を与えるように調整された放射源が、パターンをプリントするための目標積分強度よりも高い事前選択された積分強度を前記瞳で提供することができ、前記第3および第4の極の積分強度の前記第1および第2の極の積分強度に対する比率が1.1乃至2の間または0.5乃至0.9の間の値になるよう調整されている、
請求項1に記載のリソグラフィ投影装置。 - 基板露光用リソグラフィ投影装置を用いたデバイス製造方法であって、
瞳の強度分布からの放射によってマスクパターンを照明する工程であって、前記瞳が前記瞳の中心で互いに交差する2つの軸により画定される4つの象限を有し、前記強度分布が、前記象限の1つに配置された第1の極と、前記第1の極が配置されている該象限に対向する前記象限の1つに配置された第2の極と、前記第1および第2の極のいずれも含まない前記象限の1つの配置された第3の極と、前記第3の極が配置された該象限に対向して配置された象限に配置された第4の極とを有し、前記第1、第2、第3および第4の極各々が前記各極を囲む強度より強い強度を有するものとする、工程と、
前記強度分布からの放射により前記パターンから発せられる回折ビームによって形成される前記マスクパターンの像を、基板上に被覆されたフォトレジスト層に投影する工程であって、前記第1および第2の極に関連するゼロ次回折ビームを透過する工程と、前記第3および第4の極に関連するゼロ次回折ビームをブロックする工程とを含む、投影工程と、
を含むデバイス製造方法。 - 前記中心に対して、前記第3および第4の極の最小半径方向範囲が前記第1および第2の極の最大半径方向範囲よりも大きいまたは等しい、
請求項9に記載のデバイス製造方法。 - 前記放射をブロックする工程は、放射の部分的な透過、回折、反射、および部分的な反射、吸収、および部分的な吸収のいずれかである、
請求項9に記載のデバイス製造方法。
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US7531295B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-05-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for lithographic imaging using asymmetric illumination |
US8749760B2 (en) * | 2009-03-03 | 2014-06-10 | International Business Machines Corporation | Asymmetric complementary dipole illuminator |
KR101666073B1 (ko) | 2009-03-04 | 2016-10-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 조명 시스템, 리소그래피 장치 및 조명 모드 형성 방법 |
US8355116B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8294878B2 (en) * | 2009-06-19 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2012123000A1 (en) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of operating a microlithographic projection exposure apparatus |
US8927198B2 (en) * | 2013-01-15 | 2015-01-06 | International Business Machines Corporation | Method to print contact holes at high resolution |
US9442384B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask |
CN104345571B (zh) * | 2013-07-24 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 对准标记的成像和测量装置、光刻装置 |
NL2013700A (en) * | 2013-11-25 | 2015-05-27 | Asml Netherlands Bv | An apparatus, a device and a device manufacturing method. |
US9218446B1 (en) * | 2014-06-13 | 2015-12-22 | Globalfoundries Inc. | Optimization of integrated circuits for a reticle transmission process window using multiple fill cells |
NL2014881A (en) * | 2014-08-25 | 2016-07-08 | Asml Holding Nv | Measuring method, measurement apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US10866523B2 (en) * | 2015-06-16 | 2020-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Process window tracker |
KR102527672B1 (ko) | 2018-04-06 | 2023-04-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 비선형 광학계를 갖는 검사 장치 |
US11175593B2 (en) | 2018-04-26 | 2021-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Alignment sensor apparatus for process sensitivity compensation |
WO2019219389A1 (en) | 2018-05-16 | 2019-11-21 | Asml Holding N.V. | High stability collimator assembly, lithographic apparatus, and method |
CN113424108A (zh) | 2019-02-15 | 2021-09-21 | Asml控股股份有限公司 | 量测系统、光刻装置和校准方法 |
CN113439240A (zh) | 2019-02-19 | 2021-09-24 | Asml控股股份有限公司 | 量测系统、光刻设备和方法 |
CN113454538A (zh) | 2019-02-21 | 2021-09-28 | Asml控股股份有限公司 | 使用目标或产品的形状双折射的晶片对准 |
WO2020187713A1 (en) | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Asml Holding N.V. | Micromanipulator devices and metrology system |
KR20220005468A (ko) | 2019-04-26 | 2022-01-13 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 리소그래피 장치 및 조명 균일성 보정 시스템 |
KR20210148328A (ko) | 2019-05-07 | 2021-12-07 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 리소그래피 장치, 기판 테이블, 및 불균일 코팅 방법 |
NL2025510A (en) | 2019-05-24 | 2020-11-30 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus, substrate table, and method |
WO2020239516A1 (en) | 2019-05-30 | 2020-12-03 | Asml Holding N.V. | Self-referencing interferometer and dual self-referencing interferometer devices |
TWI777193B (zh) | 2019-07-31 | 2022-09-11 | 荷蘭商Asml控股公司 | 基於波長掃描之對準感測器 |
US11815675B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Metrology device and phase modulator apparatus therefor comprising a first moving grating and a first compensatory grating element |
US11803130B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Phase modulators in alignment to decrease mark size |
CN114391125A (zh) | 2019-09-09 | 2022-04-22 | Asml控股股份有限公司 | 具有远心转换器的放大率恒定的多级光学装置 |
WO2021209273A1 (en) | 2020-04-15 | 2021-10-21 | Asml Holding N.V. | Contaminant analyzing metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
WO2021058338A1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Metrology systems, coherence scrambler illumination sources and methods thereof |
CN114514474A (zh) | 2019-09-27 | 2022-05-17 | Asml控股股份有限公司 | 光刻设备、量测系统和具有结构化照射的照射系统 |
CN114450638A (zh) | 2019-09-27 | 2022-05-06 | Asml控股股份有限公司 | 量测系统和相控阵列照射源 |
JP7378265B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-11-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 |
WO2021122341A1 (en) | 2019-12-20 | 2021-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Calibration system for an extreme ultraviolet light source |
EP4081863A1 (en) | 2019-12-23 | 2022-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Collector flow ring |
JP2023508199A (ja) | 2019-12-26 | 2023-03-01 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | ウェハクランプの硬いバールの製造および改修 |
US20230058714A1 (en) | 2019-12-30 | 2023-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, metrology systems, illumination sources and methods thereof |
US11803119B2 (en) | 2019-12-31 | 2023-10-31 | Asml Holding N.V. | Contaminant detection metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
KR20220122634A (ko) | 2019-12-31 | 2022-09-02 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 양면 정전 클램프를 제조하기 위한 시스템 및 방법 |
KR20220166280A (ko) | 2020-04-09 | 2022-12-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스용 시드 레이저 시스템 |
CN115461683A (zh) | 2020-04-24 | 2022-12-09 | Asml控股股份有限公司 | 污染物标识量测系统、光刻设备及其方法 |
KR20220163476A (ko) | 2020-05-04 | 2022-12-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판의 표면에 대한 레벨 데이터를 생성하기 위한 시스템 및 방법 |
WO2021239479A1 (en) | 2020-05-26 | 2021-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, multi-wavelength phase-modulated scanning metrology system and method |
WO2021254810A1 (en) | 2020-06-18 | 2021-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, metrology systems, and methods thereof |
WO2021259619A1 (en) | 2020-06-23 | 2021-12-30 | Asml Holding N.V. | Sub micron particle detection on burl tops by applying a variable voltage to an oxidized wafer |
CN115702392A (zh) | 2020-06-23 | 2023-02-14 | Asml控股股份有限公司 | 光刻设备、量测系统、照射开关及其方法 |
US20230266255A1 (en) | 2020-06-24 | 2023-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Monolithic particle inspection device |
US20230266681A1 (en) | 2020-06-24 | 2023-08-24 | Asml Holding N.V. | Self-referencing integrated alignment sensor |
JP2023530849A (ja) | 2020-07-01 | 2023-07-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 迅速な計測回復のための精密真空ウィンドウビューポート及びペリクル |
KR20230031288A (ko) | 2020-07-06 | 2023-03-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 레이저-대-액적 정렬을 위한 시스템 및 방법 |
CN116157745A (zh) | 2020-07-16 | 2023-05-23 | Asml控股股份有限公司 | 基于多模式干涉的光谱量测系统和光刻设备 |
KR20230044214A (ko) | 2020-07-30 | 2023-04-03 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 입자 검사 시스템의 처리량 개선을 위한 이중 스캐닝 광학 기계식 구성체 |
US20230324817A1 (en) | 2020-08-26 | 2023-10-12 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, metrology system, and intensity imbalance measurement for error correction |
KR20230095971A (ko) | 2020-11-04 | 2023-06-29 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 편광 선택 메트롤로지 시스템, 리소그래피 장치, 및 그 방법 |
WO2022112064A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-06-02 | Asml Holding N.V. | Multiple objectives metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
WO2022122560A1 (en) | 2020-12-08 | 2022-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system and coherence adjusters |
US20240094641A1 (en) | 2020-12-10 | 2024-03-21 | Asml Holding N.V. | Intensity order difference based metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
CN116635795A (zh) | 2020-12-23 | 2023-08-22 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、量测系统及其方法 |
US20230384694A1 (en) | 2020-12-29 | 2023-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum sheet bond fixturing and flexible burl applications for substrate tables |
CN116783556A (zh) | 2021-01-19 | 2023-09-19 | Asml控股股份有限公司 | 用于在光刻对准设备中测量强度的系统和方法 |
KR20230132487A (ko) | 2021-01-27 | 2023-09-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 투영 광학기 가열을 위한 멀티-채널 광 소스 |
WO2022161795A1 (en) | 2021-01-28 | 2022-08-04 | Asml Holding N.V. | Fast uniformity drift correction |
WO2022175025A1 (en) | 2021-02-16 | 2022-08-25 | Asml Holding N.V. | Augmented reality (ar) assisted particle contamination detection |
KR20230145077A (ko) | 2021-02-17 | 2023-10-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오염물 검출 시스템 및 방법 |
CN116981995A (zh) | 2021-03-02 | 2023-10-31 | Asml荷兰有限公司 | 操作量测系统、光刻设备及其方法 |
TW202243107A (zh) | 2021-03-18 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於經改良疊對之夾具電極修改 |
CN117157586A (zh) | 2021-03-29 | 2023-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 用于晶片对准的不对称性扩展栅格模型 |
WO2022214392A1 (en) | 2021-04-08 | 2022-10-13 | Asml Holding N.V. | Metrology systems, measurement of wear systems and methods thereof |
JP2024515477A (ja) | 2021-04-23 | 2024-04-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 光学系、計測システム、リソグラフィ装置における収差の制御及びその方法 |
CN117337412A (zh) | 2021-05-19 | 2024-01-02 | Asml控股股份有限公司 | 模块化晶片台以及制造模块化晶片台的方法 |
CN117441134A (zh) | 2021-06-07 | 2024-01-23 | Asml荷兰有限公司 | 集成光学对准传感器 |
WO2022258274A1 (en) | 2021-06-08 | 2022-12-15 | Asml Holding N.V. | Metrology systems, temporal and spatial coherence scrambler and methods thereof |
WO2022258371A1 (en) | 2021-06-08 | 2022-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Intensity imbalance calibration on an overfilled bidirectional mark |
WO2022263148A1 (en) | 2021-06-14 | 2022-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Cooling hood for reticle |
WO2022268559A1 (en) | 2021-06-22 | 2022-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, substrate table, and manufacturing method |
WO2023285139A1 (en) | 2021-07-13 | 2023-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithography system, substrate sag compensator, and method |
WO2023285138A1 (en) | 2021-07-13 | 2023-01-19 | Asml Holding N.V. | Metrology systems with phased arrays for contaminant detection and microscopy |
CN117882013A (zh) | 2021-08-12 | 2024-04-12 | Asml荷兰有限公司 | 使用离轴照射的强度测量 |
CN117795429A (zh) | 2021-08-13 | 2024-03-29 | Asml荷兰有限公司 | 提高照射器透射率的光刻方法 |
WO2023020791A1 (en) | 2021-08-20 | 2023-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Compensating optical system for nonuniform surfaces, a metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
WO2023030832A1 (en) | 2021-08-30 | 2023-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system, lithographic apparatus, and method |
WO2023072880A1 (en) | 2021-10-29 | 2023-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, polarization-maintaining rotatable beam displacer, and method |
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WO2023208475A1 (en) | 2022-04-26 | 2023-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Thermally actuated cooling system |
WO2023217553A1 (en) | 2022-05-12 | 2023-11-16 | Asml Netherlands B.V. | A movable stage for a lithographic apparatus |
WO2023242012A1 (en) | 2022-06-14 | 2023-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Integrated optical system for scalable and accurate inspection systems |
WO2024022839A1 (en) | 2022-07-25 | 2024-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system using multiple radiation spots |
WO2024041827A1 (en) | 2022-08-22 | 2024-02-29 | Asml Netherlands B.V. | Metrology system and method |
WO2024052061A1 (en) | 2022-09-08 | 2024-03-14 | Asml Netherlands B.V. | Measuring contrast and critical dimension using an alignment sensor |
WO2024056318A1 (en) | 2022-09-15 | 2024-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Illumination adjustment apparatuses and lithographic apparatuses |
WO2024078830A1 (en) | 2022-10-10 | 2024-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Electrostatic clamp with a structured electrode by post bond structuring |
WO2024078818A1 (en) | 2022-10-11 | 2024-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Inspection systems using metasurface and integrated optical systems for lithography |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001076993A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Canon Inc | 露光方法及びそれを用いた走査型露光装置 |
JP2001185483A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-07-06 | Carl Zeiss:Fa | 光学装置 |
WO2005022614A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2005078774A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2005311020A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5712698A (en) * | 1996-03-04 | 1998-01-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Independently controllable shutters and variable area apertures for off axis illumination |
JP3790833B2 (ja) * | 1996-08-07 | 2006-06-28 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
US20040197672A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Numerical Technologies, Inc. | Programmable aperture for lithographic imaging systems |
US6873938B1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Adaptive lithographic critical dimension enhancement |
US7384725B2 (en) * | 2004-04-02 | 2008-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for fabricating contact holes |
-
2006
- 2006-01-27 US US11/340,842 patent/US7511799B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-19 JP JP2007009655A patent/JP4489783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001076993A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Canon Inc | 露光方法及びそれを用いた走査型露光装置 |
JP2001185483A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-07-06 | Carl Zeiss:Fa | 光学装置 |
WO2005022614A1 (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2005078774A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2005311020A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007221114A (ja) | 2007-08-30 |
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US7511799B2 (en) | 2009-03-31 |
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