CN117795429A - 提高照射器透射率的光刻方法 - Google Patents

Abstract

提供了用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法。示例方法可以包括确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，所述示例方法可以包括修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经1修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，所述示例方法可以包括基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

Description

提高照射器透射率的光刻方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年8月13日递交的美国临时专利申请号63/232,783的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于校正光刻设备和系统中的照射不均匀性的系统和方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可互换地地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在所形成的IC的单层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。传统的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分，在扫描器中，通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时平行或反向平行(反向)于这个扫描方向同步地扫描所述目标部分来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。

随着半导体制造过程持续进步，几十年来，在电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(Moore’s law)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在寻求能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在所述衬底上图案化的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。

极紫外(EUV)辐射，例如波长为约50纳米(nm)或更小的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括波长为约13.5nm的光，可以被用于光刻设备中或与光刻设备一起使用，以在衬底(例如，硅晶片)中或衬底上产生极小的特征。使用EUV辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。

产生EUV光的方法包括但不一定限于将具有发射线在EUV范围内的元素(例如，氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换成等离子体状态。例如，在一种被称为激光产生等离子体(LPP)的方法中，等离子体可以通过用可以被称为驱动激光器的经放大的光束辐照目标材料来产生，所述目标材料在LPP源的情境中可互换地被称为燃料，例如呈材料的液滴、板、带、流或簇的形式的燃料。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生，并使用各种类型的量测装备来监测。

光刻设备通常包括照射系统，所述照射系统在辐射入射到图案形成装置上之前调节由辐射源产生的辐射。照射系统可以例如修改辐射的一个或更多个性质，诸如偏振和/或照射模式。照射系统可以包括均匀性校正系统，所述均匀性校正系统校正或减少辐射中存在的不均匀性(例如，强度不均匀性)。均匀性校正装置可以采用插入到辐射束的边缘中以校正强度变化的致动指状物组件。可以由均匀性校正系统调整的照射的空间宽度依赖于(尤其是)指状物组件的尺寸和用于使指状物组件在均匀性校正系统中移动的致动装置的尺寸。修改来自已知工作设计的指状物参数不是微不足道的，因为这样的修改可能导致辐射束的一个或更多个性质的不期望的改变。

为了在图案形成装置和衬底上实现图像质量的公差，期望具有受控均匀性的照射束。照射束在反射离开或透射通过图案形成装置之前通常具有不均匀的强度轮廓。期望在光刻过程的各个阶段控制照射束以实现改善的均匀性。均匀性可以指横跨照射束的相关横截面的恒定强度，但也可指控制照射以实现选定均匀性参数的能力。图案形成装置将图案施加到辐射束上，然后辐射束被投影到衬底上。该投射束的图像质量受所述束的均匀性的影响。

发明内容

因此，期望控制照射均匀性，使得光刻工具尽可能高效地执行光刻过程，以最大化制造能力和产率，从而最小化制造缺陷，并且降低每个器件的成本。

本公开描述了用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法的各个方面。

在一些方面中，本公开描述了一种系统。所述系统可以包括均匀性校正系统，所述均匀性校正系统包括多个指状物组件和一控制器。所述多个指状物组件可以限定均匀性校正系统的最大曝光场，并且所述多个指状物组件的子集可以限定用于晶片曝光操作的曝光场。所述控制器可以被配置成确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，控制器还可以被配置成修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，控制器可以被配置成基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定在所述多个指状物组件的所述子集中的指状物组件的最优位置。

在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度，并且曝光场可以对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的全场，并且曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的部分场(例如，经移位的或可能移位的半场)。

在一些方面中，所述均匀性校正系统还可以包括运动控制系统，所述运动控制系统被联接到所述指状物组件并且被配置成调整所述指状物组件的所述最优位置。在一些方面中，控制器还可以被配置成确定所述指状物组件的形状的变化。

在一个示例中，所述控制器还可以被配置成基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射的生长来确定所述指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的变化，和基于指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的所确定的变化来确定指状物组件的形状的变化。

在另一示例中，控制器还可以被配置成测量被设置在指状物组件上的参考标记的位置的变化，和基于参考标记的位置的所测量的变化来确定指状物组件的形状的变化。

在一些方面中，所述控制器还可以被配置成产生控制信号，所述控制信号被配置成指示所述运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和指状物组件的形状的所确定的变化来调整指状物组件的最优位置，以及将所述控制信号传输至所述运动控制系统。

在一些方面中，本公开描述了一种设备。所述设备可以包括控制器，所述控制器被配置成确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，控制器还可以被配置成修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，所述控制器可以被配置成基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

在一些方面中，所述均匀性校正系统可以包括多个指状物组件。在一些方面中，最大曝光场可以由多个指状物组件限定，并且曝光场可以由多个指状物组件的子集限定。在一些方面中，所述多个指状物组件的所述子集包括所述指状物组件。

在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度，并且曝光场可以对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的全场，并且所述曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的部分场。

在一些方面中，所述控制器还可以被配置成确定所述指状物组件的形状的变化。

在一个示例中，所述控制器可以被配置成基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于DUV辐射或EUV辐射的生长来确定所述指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的变化，和基于指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的所确定的变化来确定所述指状物组件的形状的变化。

在另一示例中，控制器可以被配置成测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的变化，和基于所述参考标记的位置的所测量的变化来确定所述指状物组件的形状的变化。

在一些方面中，所述控制器还可以被配置成产生控制信号，所述控制信号被配置成指示被联接至所述指状物组件的运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的的变化来调整指状物组件的最优位置，以及将所述控制信号传输至所述运动控制系统。

在一些方面中，本公开描述了一种用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的方法。所述方法可以包括由控制器确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，，所述方法还可以包括由所述控制器修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，所述方法可以包括由所述控制器基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

在一些方面中，所述均匀性校正系统可以包括多个指状物组件。在一些方面中，最大曝光场可以由多个指状物组件限定，并且曝光场可以由多个指状物组件的子集限定。在一些方面中，所述多个指状物组件的所述子集包括所述指状物组件。

在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度，并且所述曝光场可以对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的全场，并且所述曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的部分场。

在一些方面中，所述方法还可以包括由控制器确定指状物组件的形状的变化。在一个示例中，确定指状物组件的形状的变化可以包括：由控制器基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于DUV辐射或EUV辐射的生长来确定所述指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的变化，和由控制器基于指状物组件的指状物尖端的光学边缘的位置的所确定的变化来确定所述指状物组件的形状的变化。

在另一示例中，确定所述指状物组件的形状的变化可以包括：由控制器测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的变化；和由控制器基于所述参考标记的位置的所测量的变化来确定所述指状物组件的形状的变化。

在一些方面中，所述方法还可以包括：由所述控制器产生控制信号，所述控制信号被配置成指示被联接至所述指状物组件的运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的第一变化来调整所述指状物组件的所述最优位置；和由所述控制器将所述控制信号传输到所述运动控制系统。

在下文中参考随附附图详细地描述另外的特征、以及各个方面的结构和操作。应注意，本发明不限于本公开描述的具体方面。本文仅出于说明性的目的来呈现这些方面。基于本发明中所包含的教导，相关领域技术人员将明白额外的方面。

附图说明

被合并入本文中并且形成说明书的一部分的随附附图图示出本公开，并且与描述一起进一步用于解释本公开的各方面的原理并使相关领域的技术人员能够完成并使用本公开的各方面。

图1A是根据本公开或其部分的一些方面的示例反射型光刻设备的示意图。

图1B是根据本公开或其部分的一些方面的示例透射型光刻设备的示意图。

图2是根据本公开或其部分的一些方面的图1A中示出的反射型光刻设备的更详细的示意图。

图3是根据本公开的一些方面或其部分的示例性光刻单元的示意图。

图4是根据本公开的一些方面或其部分的用于示例反射型光刻设备的示例辐射源的示意图。

图5A和图5B是根据本公开或其部分的一些方面的示例照射均匀性校正系统的示意图。

图6是示出根据本公开的一些方面或其部分的用于最大曝光场的示例照射狭缝均匀性校准数据的示例曲线图。

图7是示出根据本公开的一些方面或其部分的用于部分曝光场的示例经修改的照射狭缝均匀性校准数据的示例曲线图。

图8是根据本公开的一些方面或其部分的用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的示例方法。

图9是用于实施本公开的一些方面或其部分的示例计算机系统。

根据以下阐明的详细描述，当与附图结合时，将明白本公开的特征和优点，其中在整个本文中相同的附图标记标识相对应的元件。在附图中，除非另有明确说明，否则相似的附图标记通常指示相同的、功能上类似的、和/或结构上类似的元件。另外，通常，附图标记的最左边的数字标识其中所述附图标记第一次出现的附图。除非另有陈述，否则遍及本公开提供的附图不应被解释为成比例的附图。

具体实施方式

本说明书公开了包含本公开的特征的一个或更多个实施例。所公开的实施例仅描述本公开。本公开的范围不限于所公开的实施例。本公开的广度和范围由所附权利要求及其等同物来限定。

所描述的实施例以及在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等指示所描述的实施例可以包括具体的特征、结构或特性，但是每个实施例可以不一定包括所述具体的特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定指同一实施例。另外，当结合实施例来描述具体的特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，与其它实施例相结合来实现这样的特征、结构或特性均在本领域技术人员的知识范围内。

为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语，例如“下面”、“下方”、“较低”、“上方”、“上”、“较高”等，以描述如附图中图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。所述空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作时除了图中描绘的定向之外的不同定向。装置或器件可以被另外取向(转动90度或处于其它取向)并且本文中使用的空间地相对描述语可以同样被相应地解释。

如本文中使用的术语“约”指示与可以基于具体技术而变化的给定量相关的值。基于所述特定技术，术语“约”可以指示给定量的值，所述值在例如所述值的上下10％-30％(例如，所述值的±10％、±20％或±30％)内变化。

概述

被称为“Unicom”的示例照射均匀性校正系统可以在交叉扫描方向上调整狭缝均匀性，通过将一组指状物组件或“指状物”引入到所述照射狭缝中来衰减照射“热斑”。Unicom可以配置成以两种“模式”中的一种模式来操作：(1)第一模式，所述第一模式涉及每个晶片的均匀性校正以校正照射效果；和(2)第二模式，其中每个管芯修改狭缝均匀性以校正晶片和过程效果，并且其中均匀性校正与步进管芯并行地改变。

当入射光(例如，DUV或EUV辐射)加热Unicom指状物尖端时，来自Unicom位置测量与指状物尖端的未测量距离可以改变，从而导致狭缝均匀性的漂移。例如，随着光刻设备中功率的增加，均匀性漂移的预期临界尺寸(CD)影响可以从约0.06nm(<600W源功率)增加到大于或等于约0.1nm(≥600W源功率)。CD冲击可以等于均匀性百分比的约0.3倍。CD均匀性(CDU)要求可以在约0.7nm与约1.2nm之间。在一些示例中，可以不补偿狭缝均匀性漂移。

在一个示例中，照射狭缝均匀性校正可以由2014年1月14日颁布的题为“Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction anduniformity drift compensation”的美国专利号8,629,973中所描述的Unicom模块执行，该专利的全部内容通过引用而被合并入本文中。在校准期间，基于整个照射狭缝宽度(例如，在晶片尺度的26mm)来确定每个挡光“指状物”的位置。均匀性刷新(UR)功能针对每个批次、以及可选地每个晶片提供校准后漂移保护。然而，在小场(例如，曝光场宽度小于26mm)的情况下，UR可能不提供在所有情况下使Unicom传输损耗最小化的最优补偿。

相比之下，本公开的一些方面可以提供更新的小场UR功能，所述更新的小场UR功能除了最小化传输损耗之外，还在存在漂移的情况下提供狭缝均匀性校正。通过仅基于场宽度内的数据来确定优化目标，优化结果可以包含传输益处。此外，取决于待校正的狭缝的形状和狭缝内的小场图像的部位，则可以实现或多或少的益处。

本文中所披露的系统、设备、方法和计算机程序产品存在许多示例性方面。例如，本公开的各方面提供了减少来自Unicom的CD漂移和CDU影响。在另一示例中，本公开的各方面提供了增加照射器透射率和吞吐量。结果，可以针对基本上所有情况优化照射器透射率(例如，针对参考图7而描述的示例实施例，大于15％的益处)。

然而，在更详细地描述这些方面之前，呈现可以实施本公开的各方面的示例环境是有指导意义的。

示例光刻系统

图1A和图1B分别是可以实施本公开的各方面的光刻设备100和光刻设备100’的示意图。如图1A和图1B中示出的，从垂直于XZ平面的视角(侧视图)(例如，X轴向右指向，Z轴向上指向，并且Y轴从观察者指向页面中)图示出光刻设备100和100’，而从垂直于XY平面的额外的视角(俯视图)(例如，X轴向右指向，Y轴向上指向，并且Y轴从观察者指向页面外)呈现图案化装置MA和衬底W。

在一些方面中，光刻设备100和/或光刻设备100’可以包括以下结构中的一个或更多个：照射系统(例如，照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，DUV或EUV辐射)；支撑结构MT(例如，掩模台)，所述支撑结构被配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)并连接至配置成准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及衬底保持器，诸如衬底台WT(例如，晶片台)，所述衬底台被配置成保持衬底W(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)并连接至配置成准确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和100’也具有投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯的一部分)上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS被反射型的。在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影系统PS透射型的。

在一些方面中，在操作中，照射系统IL可以(例如，经由图1B中示出的束传递系统BD)从辐射源SO接收辐射束。所述照射系统IL可以包括用于引导、成形和控制辐射的各种类型的光学结构，诸如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型和其它类型的光学部件，或其任何组合。在一些方面中，所述照射系统IL可以被配置成调节所述辐射束B以在其横截面中在图案形成装置MA的平面处具有期望的空间性强度分布和角强度分布。

在一些方面中，所述支撑结构MT可以以依赖于所述图案形成装置MA相对于参考系的取向、所述光刻设备100和100’中的至少一个光刻设备的设计、和其它条件(诸如所述图案形成装置MA是否保持在真空环境中)来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的、，或其它夹持技术来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。通过使用传感器，所述支撑结构MT可以确保所述图案形成装置MA例如相对于所述投影系统PS位于期望的位置。

术语“图案形成装置”MA被广义地解释为表示能够用于在辐射束B的横截面中向所述辐射束B赋予图案、以便在衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。赋予所述辐射束B的图案可以与在所述目标部分C中产生以形成集成电路的器件的特定功能层相对应。

在一些方面中，所述图案形成装置MA可以是透射型的(如图1B的光刻设备100’中那样)或反射型的(如图1A的光刻设备100中那样)。图案形成装置MA可以包括各种结构，诸如掩模版、掩模、可编程反射镜阵列、可编程LCD面板、其它合适的结构或其组合。掩模可以包括诸如二元掩模、交替相移掩模、或衰减相移掩模、以及各种混合掩模类型的掩膜类型。在一个示例中，可编程反射镜阵列的一个示例可以包括小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独地倾斜以便在不同方向反射入射的辐射束。被倾斜的反射镜可以将图案赋予由小反射镜的矩阵反射的所述辐射束B。

术语“投影系统”PS应被宽泛地解释并且可以包括任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、变形型、电磁型以及静电型光学系统或者它们的任何组合，如对于所使用的曝光辐射和/或诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空等其它因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其它气体可能吸收过多的辐射或电子。真空环境可能因此借助于真空壁和真空泵而被提供至整个束路径。此外，在一些方面中，本文中术语“投影透镜”的任何使用可以被解释为与更上位的术语“投影系统”PS同义。

在一些方面中，所述光刻设备100和/或所述光刻设备100’可以是具有两个(例如，“双平台”)或更多个衬底台WT和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多平衬底台”机器中，可以并行地使用额外的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在一个示例中，可以在对位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W进行准备衬底W的后续曝光的步骤的同时将位于这些衬底支撑件WT中的另一衬底支撑件上的另一衬底W用于在另一衬底W上曝光图案。在一些方面中，额外的台可以不是衬底台WT。

在一些方面中，除了衬底台WT之外，光刻设备100和/或光刻设备100’可以包括测量平台。测量平台可以被布置成保持传感器。所述传感器可以被布置成测量投影系统PS的性质、辐射束B的性质，或这两者。在一些方面中，测量平台可以保持多个传感器。在一些方面中，所述测量平台可以在所述衬底台WT远离所述投影系统PS时在所述投影系统PS下方移动。

在一些方面中，光刻设备100和/或光刻设备100’还可以是如下类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统PS与衬底W之间的空间。浸没液体也可以被施加至所述光刻设备中的其它空间，例如所述图案形成装置MA与所述投影系统PS之间的空间。浸没技术提供用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底之类的结构必须浸没在液体中，而是“浸没”仅意味着在曝光期间液体位于所述投影系统与所述衬底之间。在2005年10月4日授权并且标题为“Lithographic apparatus and device manufacturing method”的美国专利号6,952,253中描述了各种浸没技术，该美国专利的全部内容通过引用并入本文中。

参考图1A和图1B，所述照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。当辐射源SO是准分子激光器时，辐射源SO和光刻设备100或100’可以是分立的物理实体。在这种情况下，不认为所述辐射源SO构成光刻设备100或100’的一部分，并且所述辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(在图1B中示出)而从所述辐射源SO传递至所述照射系统IL。在其它情况下，辐射源SO可以是光刻设备100或100’的组成部分--例如，当辐射源SO是汞灯时。可以将所述辐射源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称作辐射系统。

在一些方面中，所述照射系统IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整AD。通常，至少可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的外部径向范围及/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，照射系统IL可以包括各种其它部件，诸如积分器IN和辐射收集器CO(例如，聚光器或收集器光学器件)。在一些方面中，可以将照射系统IL用于调整辐射束B，以便在其截面中具有期望的均一性和强度分布。

参考图1A，在操作中，辐射束B可以入射在图案形成装置MA(例如，掩模、掩模版、可编程反射镜阵列、可编程LCD面板、任何其它合适的结构或其组合)上，所述图案形成装置可以被保持在支撑结构MT(例如，掩模台)上，并且可以通过存在于图案形成装置MA上的图案(例如，设计布局)来图案化。在光刻设备100中，所述辐射束B可以从所述图案形成装置MA反射。在已横穿图案形成装置MA的情况下(例如，在从图案形成装置反射之后)，辐射束B可以穿过投影系统PS，所述投影系统可以将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上或聚焦到布置在平台处的传感器上。

在一些方面中，借助第二定位器PW和位置传感器IFD2(例如干涉装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IFD1(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)可以用来相对于所述辐射束B的路径准确地定位所述图案形成装置MA。

在一些方面中，图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1和M2和衬底对准标记P1和P2来对准。虽然图1A和图1B图示出衬底对准标记P1和P2占据专用目标部分，但是衬底对准标记P1和P2可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1和P2位于所述目标部分C之间时以及这些衬底对准标记被称为划线对准标记。衬底对准标记P1和P2也被布置在目标部分C区域中作为管芯内标记。这些管芯内标记也可以用作量测标记，例如，用于重叠测量。

在一些方面中，出于说明而非限制的目的，本文中的各图中的一个或更多个可以利用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系包括三个轴：X轴；Y轴；和Z轴。三个轴中的每个轴与其它两个轴正交(例如，X轴与Y轴和Z轴正交，Y轴与X轴和Z轴正交，Z轴与X轴和Y轴正交)。围绕X轴的旋转被称为Rx旋转。围绕Y轴的旋转被称为Ry旋转。围绕Z轴的旋转被称为Rz旋转。在一些方面中，X轴和Y轴限定水平面，而Z轴在竖直方向上。在一些方面中，所述笛卡儿坐标系的方向可以是不同的，例如，使得Z轴具有沿水平面的分量。在一些方面中，可以使用另一坐标系，诸如圆柱坐标系。

参考图1B，辐射束B入射到保持在支撑结构MT上的图案形成装置MA上，并且由图案形成装置MA进行图案化。在已横穿所述图案形成装置MA的情况下，所述辐射束B穿过所述投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至所述衬底W的目标部分C上。在一些方面中，投影系统PS可以具有照射系统光瞳的光瞳共轭。在一些方面中，辐射的多个部分可以源自在所述照射系统光瞳处的强度分布，并横穿所述掩模图案而不受所述掩模图案MP处的衍射的影响，并产生在所述照射系统光瞳处的强度分布的图像。

所述投影系统PS将所述掩模图案MP的图像MP'投影到涂覆在所述衬底W上的抗蚀剂层上，其中图像由通过所述强度分布的辐射从所述标记图案MP'所产生的衍射束而形成。例如，所述掩模图案MP可以包括线和间隔的阵列。所述阵列处的与零阶衍射不同的辐射的衍射会产生被转向的衍射束，所述被转向的衍射束在垂直于所述线的方向上具有方向变化。反射光(例如，零阶衍射束)横穿图案而在传播方向上没有任何改变。所述零阶衍射束穿过所述投影系统PS的上部透镜或上部透镜组(位于所述投影系统PS的所述共轭光瞳的上游)，以到达所述共轭光瞳。在所述共轭光瞳平面中并且与所述零阶衍射束相关联的强度分布的一部分是所述照射系统IL的所述照射系统光瞳中的强度分布的图像。在一些方面中，孔装置可以例如被设置在或大致位于包括所述投影系统PS的所述共轭光瞳的平面处。

所述投影系统PS是布置为借助于透镜或透镜组，不仅捕获所述零阶衍射束，而且捕获一阶或一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些方面中，可以使用用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射以利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，一阶衍射束在衬底W的水平上与相应的零阶衍射束干涉，以产生具有尽可能高的分辨率和过程窗口(例如，可用焦深与可容许曝光剂量偏差相结合)的掩模图案MP的图像。在一些方面中，可以通过在所述照射系统光瞳的相对象限中提供辐射极(未示出)来降低像散像差。此外，在一些方面中，可以通过阻挡所述投影系统PS的所述共轭光瞳中的、与相对象限中的辐射极相关联的零阶束来减少像散像差。这在2009年3月31日授权并且标题为“Lithographicprojection apparatus and adevice manufacturing method”的美国专利号7,511,799中更详细地描述，该美国专利的全部内容通过引用并入本文中。

在一些方面中，借助于第二定位器PW和位置测量系统PMS(例如，包括位置传感器，诸如干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以准确地移动，例如，以便将辐射束B的路径中的不同目标部分C定位在经聚焦和对准的位置处。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器(例如，干涉测量装置、线性编码器、或电容传感器)(图1B中未示出)可以将第一定位器PM和另一位置传感器(未在图1B中示出)用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1和M2和衬底对准标记P1和P2来对准。

通常，可以借助于构成所述第一定位器PM的一部分的长行程定位器(粗定位)和短行程定位器(精定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用构成第二定位器PW的一部分的长行程定位器和短行程定位器来实现所述衬底台WT的移动。在步进器的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。图案形成装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1和M2和衬底对准标记P1和P2来对准。虽然图示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间(例如，划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，图案形成装置对准标记M1和M2可以位于这些管芯之间。

支撑结构MT和图案形成装置MA可以位于真空腔室中，其中真空内机器人可以被用于将图案形成装置(诸如掩模或掩模版)移入和移出真空腔室。替代地，当支撑结构MT和图案形成装置MA处于真空腔室以外时，真空外机器人可以类似于真空内机器人那样用于各种运输操作。在一些情况下，处于真空和真空外机器人两者都需要被校准以将任何有效负载(例如，掩模)流畅地转移至转移站的固定的运动学安装件。

在一些方面中，光刻设备100和100'可以用于以下模式中的至少一种：

1.在步进模式，支撑结构MT和衬底台WT基本上保持静止，而赋予到辐射束的整个图案被一次投影到目标部分C上(即，单次静态曝光)。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上移动，使得可以曝光不同的目标部分C。

2.在扫描模式，同步扫描支撑结构MT和衬底台WT，同时赋予到辐射束的图案被投影到目标部分C上(例如，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT(例如，掩模台)的速度和方向，可以通过投射系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式中，在将保持可编程图案形成装置MA的支撑结构MT保持为大致固定且所述衬底台WT是移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用于利用可编程图案形成装置MA(诸如，可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

在一些方面中，光刻设备100和100’可以采用上文描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

在一些方面中，如图1A中示出的，光刻设备100可以包括EUV源，所述EUV源被配置成产生用于EUV光刻的EUV辐射束B。通常，EUV源可以被配置在辐射源SO中，并且相应的照射系统IL可以被配置成调节EUV源的EUV辐射束B。

图2更详细地示出了所述光刻设备100，包括所述辐射源SO(例如，源收集器设备)、所述照射系统IL和所述投影系统PS。如图2中示出的，从垂直于XZ平面(例如，X轴向右指向，并且Z轴向上指向)的视角(例如，侧视图)图示出光刻设备100。

辐射源SO是构造并布置成使得保持在围封结构220中的真空环境。辐射源SO包括源腔室211和收集器腔室212，并且被配置成产生和发射EUV辐射。可以通过气体或蒸汽(例如氙(Xe)气体、锂(Li)蒸汽或锡(Sn)蒸汽)产生EUV辐射，在这些气体或蒸汽中EUC辐射发射等离子体210被产生以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。至少被部分电离的EUV辐射发射等离子体210可以通过例如放电或激束来产生。为了有效产生辐射，可以使用例如分压约为10.0帕斯卡(Pa)的Xe气体、Li蒸气、Sn蒸汽，或任何其它合适的气体或蒸汽。在一些方面中，提供被激发的锡的等离子体以产生EUV辐射。

由EUV辐射发射等离子体210发射的辐射从源腔室211经由可选的定位在源腔室211中的开口中或所述开口后方的气体阻挡部或污染物陷阱230(例如，在一些情况下也被称为污染物阻挡部或翼片阱)而被传递到收集器腔室212中。所述污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230也可以包括气体阻挡部，或气体阻挡件与通道结构的组合。本文中另外指出的所述污染物陷阱230至少包括通道结构。

所述收集器腔室211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO(例如，聚光器或收集器光学器件)。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿辐射收集器CO的辐射可以被反射出以被聚焦在虚源点IF处。所述虚源点通常被称为中间焦点IF，并且所述源收集器设备被布置成使得虚源点IF位于所述围封结构220中的开口219处或附近。所述虚源点IF是EUV辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤波器240可以用于抑制红外(IR)辐射。

随后，所述辐射横穿所述照射系统IL，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，所述琢面场反射镜装置222和所述琢面光瞳反射镜装置224被布置成在所述图案形成装置MA处提供辐射束221的期望的角分布，以及在所述图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均一性。当辐射束221在所述图案形成装置MA处被反射时，由所述支撑结构MT保持，形成图案化束226，并且所述图案化束226由所述投影系统PS经由反射元件228、229成像到由晶片台或衬底台WT所保持的衬底W上。

照射系统IL和投影系统PS中通常可能存在比所示出的更多的元件。可选地，光栅光谱滤波器240可以存在，这依赖于光刻设备的类型。此外，可能存在比图2中所示出的那些反射镜更多的反射镜。例如，在投影系统PS中可以存在与图2中示出的反射元件相比的一到六个额外的反射元件。

辐射收集器CO(如图2中图示的)被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器仅作为收集器(或收集器反射镜)的一个示例。所述掠入射反射器253、254和255围绕光轴O被轴向对称地设置并且这种类型的辐射收集器CO优选地与放电产生等离子体(DPP)源结合使用。

示例性光刻单元

图3示出了光刻单元300，有时也称为光刻元或簇。如图3中示出的，从垂直于XY平面(例如，X轴向右指向，并且Z轴向上指向)的视角(例如，侧视图)图示出光刻单元300。

光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行曝光前过程和曝光后过程的一个或更多个设备。例如，这些设备可以包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影被曝光的抗蚀剂的显影装置DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底输送装置RO(例如，机器人)从输入/输出端口I/O1和I/O2拾取衬底，在不同过程设备之间移动所述衬底，并且将所述衬底传递至所述光刻设备100或100’的进料台LB。这些装置通常被统称为轨道或涂覆显影系统，并且处于轨道或涂覆显影系统控制单元TCU的控制下，所述轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制所述光刻设备。因此，可以操作不同设备以最大化生产量和处理效率。

示例辐射源

在图4中示出了用于示例反射型光刻设备(例如，图1A的光刻设备100)的辐射源SO的示例。如图4中示出的，从垂直于XY平面的视角(例如，俯视图)图示出辐射源SO，如下文描述的。

图4中示出的辐射源SO属于可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光系统401(其可以例如包括二氧化碳(CO₂)激光器)被布置成经由一个或更多个激光束402将能量沉积到燃料目标403’中，诸如一个或更多个离散锡(Sn)液滴，所述离散锡液滴从燃料目标产生器403(例如，燃料发射器、液滴产生器)提供。根据一些方面，激光系统401可以是脉冲、连续波或准连续波激光器，或者可以以脉冲、连续波或准连续波激光器的方式操作。从燃料目标产生器403发射的燃料目标403’(例如，液滴)的轨迹可以平行于x轴。根据一些方面，一个或更多个激光束402在平行于Y轴的方向上传播，Y轴垂直于X轴。Z轴垂直于X轴和Y轴两者，并且通常延伸到页面的平面内(或外)，但是在其它方面中，使用其它配置。在一些实施例中，一个或更多个激光束402可以在不同于平行于Y轴的方向上(例如，在不同于与燃料目标403’的轨迹的X轴方向正交的方向上)传播。

在一些方面中，一个或更多个激光束402可以包括预脉冲激光束和主脉冲激光束。在这些方面中，激光系统401可以被配置成用预脉冲激光束撞击每个燃料目标403’，以产生经修改的燃料目标。激光系统401还可以被配置成用主脉冲激光束撞击每个经修改的燃料目标以产生等离子体407。

虽然在下面的描述中提到了锡，但是可以使用任何合适的目标材料。目标材料可以例如是液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料目标产生器403可以包括喷嘴，所述喷嘴被配置成沿轨迹朝向等离子体形成区404引导锡，所述锡例如呈燃料目标403’(例如，离散液滴)的形式。在说明书的其余部分中，对“燃料”、“燃料目标”或“燃料液滴”的引用应理解为是指由燃料目标产生器403发射的目标材料(例如，液滴)。燃料目标产生器403可以包括燃料发射器。一个或更多个激光束402入射到等离子体形成区404处的目标材料(例如，锡)上。将激光能量沉积到目标材料中会在等离子体形成区404处产生等离子体407。在等离子体的离子和电子的去激励和复合期间，从等离子体407发射包括EUV辐射的辐射。

EUV辐射由辐射收集器405(例如，辐射收集器CO)收集和聚焦。在一些方面中，辐射收集器405可以包括近正入射型辐射收集器(有时更一般地称为正入射型辐射收集器)。辐射收集器405可以是多层结构，这些多层结构被布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如约13.5nm的期望波长的EUV辐射)。根据一些方面，辐射收集器405可以具有椭圆形配置，具有两个焦点。如本文所论述，第一焦点可以在等离子体形成区404处，第二焦点可以在中间焦点406处。

在一些方面中，激光系统401可以位于距辐射源SO相对较长的距离处。在这种情况下，所述一个或更多个激光束402可以借助于束传递系统(未示出)从所述激光系统401传递到所述辐射源SO，所述束传递系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器、和/或其它光学器件。激光系统401和辐射源SO可以一起被认为是辐射系统。

由辐射收集器405反射的辐射形成辐射束B。辐射束B被聚焦在一点(例如，中间焦点406)处以形成等离子体形成区404的图像，所述等离子体形成区用作照射系统IL的虚拟辐射源。辐射束B被聚焦的点可以被称为中间焦点(IF)(例如，中间焦点406)。所述辐射源SO被布置成使得所述中间焦点406位于所述辐射源SO的封闭结构409中的开口408处或附近。

辐射束B从辐射源SO传递进入照射系统IL中，所述照射系统IL被配置成调节辐射束B。辐射束B从照射系统IL穿过并且入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA反射辐射束B并使辐射束B图案化。在从图案形成装置MA反射之后，经图案化的辐射束B进入投影系统PS。投影系统包括多个反射镜13、14，所述多个反射镜被配置成将辐射束B投影到由衬底台WT保持的衬底W上。投影系统PS可以将减小因子应用于辐射束，从而形成具有小于图案形成装置MA上的对应特征的图像。例如，可以应用减小因子4。虽然所述投影系统PS在图2中被示出为具有两个反射镜，但是所述投影系统可以包括任意数目个反射镜(例如，六个反射镜)。

所述辐射源SO还可以包括图4中未图示的部件。例如，可以在辐射源SO中提供光谱滤波器。光谱滤波器可以对EUV辐射实质上是透射的，但是对其它波长的辐射(诸如红外辐射)实质上是阻挡的。

辐射源SO(或辐射系统)还可以包括燃料目标成像系统，以获得等离子体形成区404中的燃料目标(例如，液滴)的图像，或者更特别地，获得燃料目标的阴影图像。燃料目标成像系统可以检测从燃料目标的边缘衍射的光。在下文中对燃料目标的图像的引用应当被理解为还指燃料目标的阴影图像或由燃料目标引起的衍射图案的图像。

燃料目标成像系统可以包括光电探测器，诸如CCD阵列或CMOS传感器，但是将理解，可以使用适合于获得燃料目标的图像的任何成像装置。将理解，除了光电探测器之外，燃料目标成像系统还可以包括光学部件，诸如一个或更多个透镜。例如，燃料目标成像系统可以包括相机410，例如光传感器或光检测器和一个或更多个透镜的组合。可以选择光学部件，使得光电传感器或相机410获得近场图像和/或远场图像。相机410可以定位在辐射源SO内的任何适当部位处，相机具有从所述部位到等离子体形成区404和设置在辐射收集器405上的一个或更多个标记(图4中未示出)的视线。然而，在一些方面中，可能有必要将相机410定位成远离一个或更多个激光束402的传播路径并且远离从燃料目标产生器403发射的燃料目标的轨迹，以便避免对相机410的损坏。根据一些方面，相机410被配置成经由连接412向控制器411提供燃料目标的图像。虽然连接412被示出为有线连接，但是将理解，连接412(以及本文中提到的其它连接)可以被实现为有线连接或无线连接或其组合。

如图4中示出的，辐射源SO可以包括燃料目标产生器403，所述燃料目标产生器被配置成产生燃料目标403’(例如，离散的锡液滴)并将其朝向等离子体形成区404发射。辐射源SO还可以包括激光系统401，所述激光系统被配置成用一个或更多个激光束402撞击一个或更多个燃料目标403’，以在等离子体形成区404处产生等离子体407。辐射源SO还可以包括配置成收集由等离子体407发射的辐射收集器405(例如，辐射收集器CO)。

示例照射均匀性校正系统

图5A和图5B是根据本公开的一些方面的示例照射均匀性校正系统500的示意图。

如图5A中示出的，示例性照射均匀性校正系统500可以包括一组指状物组件502(例如，间距为约4mm的28个指状物组件)、一组指状物尖端504(例如，每个指状物组件包括相应的指状物尖端)、框架528、一组挠曲件530、以及一组挠曲件532。在一些方面中，示例照射均匀性校正系统500可以(例如，使用控制器590和运动控制系统，所述运动控制系统包括，但不限于，和一个或更多个磁体组件)单独地控制在所述一组指状物组件502中的每个指状物组件的位置以修改照射狭缝的强度，以便实现目标均匀性。在一些方面中，所述一组指状物尖端504中的一个或更多个指状物尖端的光学边缘可以在光刻设备的晶片曝光操作期间被曝光于辐射580(例如，DUV或EUV辐射)，这可能导致一个或更多个指状物尖端由于曝光(或在多次曝光的过程中)而生长。

如图5B中示出的，所述一组指状物组件502可以包括指状物组件520。所述指状物组件520可以包括指状物本体522、指状物尖端524、致动器526(例如，用以调整所述指状物组件520的位置)、位置传感器529(例如，包括但不限于编码器标尺)、挠曲件531、以及挠曲件533。所述指状物尖端524可以包括光学边缘524a和机械边缘524b。在一些方面中，指状物尖端524的光学边缘524a可以在光刻设备的晶片曝光操作期间被曝光于辐射580(例如，DUV或EUV辐射)，这可能导致指状物尖端524由于曝光(或在多次曝光的过程中)而生长。

现在参考图5A和图5B，在一些方面中，示例照射均匀性校正系统500可以包括控制器590，所述控制器被配置成确定所述一组指状物组件502中的一个或更多个指状物组件的形状的变化。

在一些方面中，所述一组指状物组件502可以限定所述均匀性校正系统的最大曝光场，并且所述一组指状物组件502的子集可以限定用于晶片曝光操作的曝光场。所述控制器590可以被配置成确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，所述控制器590还可以被配置成修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，所述控制器590可以被配置成基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定指状物组件520在所述一组指状物组件502的子集中的最优位置。

在一些方面中，最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度，并且所述曝光场可以对应于小于最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。在一些方面中，所述最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的全场，并且所述曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的部分场(例如，经移位的或可能移位的半场)。

在一些方面中，所述均匀性校正系统还可以包括运动控制系统，所述运动控制系统包括但不限于被联接到指状物本体522的致动器526。所述运动控制系统可以被联接到所述指状物组件520并且被配置成调整所述指状物组件520的最优位置。在一些方面中，所述控制器590还可以被配置成确定所述指状物组件520的形状的变化。

在一个示例中，所述控制器590还可以被配置成基于响应于所述指状物尖端524曝光于DUV或EUV辐射的所述指状物尖端524生长来确定所述指状物组件520的指状物尖端524的光学边缘524a的位置的变化。所述控制器590还可以被配置成基于所述指状物组件520的所述指状物尖端524的所述光学边缘524a的位置的所确定的变化来确定所述指状物组件520的形状的变化。

在另一示例中，所述控制器590还可以被配置成测量被设置在所述指状物组件520上的参考标记的位置的变化。所述控制器590还可以被配置成基于所述参考标记的位置的所测量的变化来确定所述指状物组件520的形状的变化。

在一些方面中，所述控制器590还可以被配置成产生控制信号，所述控制信号被配置成指示所述运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件520的形状的所确定的变化来调整指状物组件520的最优位置。所述控制器590还可以被配置成将所述控制信号传输到所述运动控制系统。

在一个说明性且非限制性示例中，所述控制器590可以被配置成基于响应于指状物组件520的指状物尖端524曝光于辐射580的指状物尖端524的生长来确定所述指状物组件520的所述指状物尖端524的光学边缘524a的位置的变化。控制器590可以被配置成产生控制信号，所述控制信号被配置成基于指状物组件520的形状的所确定的变化来修改指状物组件520的位置。控制器590还可以被配置成将所述控制信号传输到被联接到所述指状物组件520的运动控制系统，诸如被联接到指状物本体522的致动器526。

图6示出根据本公开的一些方面的示出用于最大曝光场(例如，“开放狭缝”即“敞开狭缝”或“全场”)的示例照射狭缝均匀性校准数据的示例曲线图600。如图6中示出的，示例曲线图600包括针对所述最大曝光场的测量强度曲线602和与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据604。例如，可以使用照射狭缝均匀性校准数据604来针对所述最大曝光场提供Unicom校正。然而，如果仅所述掩模版的左侧(在半场或四分之一场上被移位)用于曝光，则UR的结果仍然处于伴随完整校准数据的低水平(例如，可以复制0.95任意单位(AU)作为小场UR的强度)。

图7示出根据本发明的一些方面的示出用于部分曝光场(例如，左半场)的示例经修改的照射狭缝均匀性校准数据的示例曲线图700。如图7中示出的，示例曲线图700包括针对所述部分曝光场的测量强度曲线702、与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据704、以及与所述部分曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据706。例如，可以使用经修改的照射狭缝均匀性校准数据706来为所述部分曝光场提供Unicom校正。在一些方面中，照射狭缝均匀性校准数据704可以将所有图像宽度设置在0.95水平，并且经修改的照射狭缝均匀性校准数据706可以取决于每个场图像宽度内的数据并且因而可以将图像宽度设置在超1.10水平。因此，可以针对基本上所有情况来优化照射器透射率(例如，对于此示例，大约17％益处)

用于调整照射狭缝均匀性的示例过程

图8是根据本公开的一些方面或其部分的用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的示例方法800。参考示例方法800而描述的操作可以由或根据本文中所描述的任何系统、设备、部件、技术或其组合来执行，诸如参考上面的图1至图7和下面的图9所描述的那些。

在操作802处，所述方法可以包括由控制器(例如，控制器590)确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统(例如，示例照射均匀性校正系统500)的最大曝光场。在一些方面中，所述均匀性校正系统可以包括多个指状物组件(例如，所述一组指状物组件502)，其中所述最大曝光场由所述多个指状物组件限定，并且所述曝光场由所述多个指状物组件的子集(例如，所述一组指状物组件502的子集)限定。在一些方面中，所述最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度，并且所述曝光场可以对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。在一些方面中，所述最大曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的全场，并且所述曝光场可以对应于所述均匀性校正系统的部分场(例如，经移位的或可能移位的半场)。在一些方面中，确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场可以通过使用合适的机械或其它方法来完成，并且包括根据参考以上图1至图7和以下图9所描述的任何方面或方面的组合来确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场。

在操作804处，所述方法可以包括由所述控制器且响应于确定所述曝光场小于最大曝光场来修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据。在一些方面中，可以使用合适的机械或其它方法来完成所述照射狭缝均匀性校准数据的修改，并且所述照射狭缝均匀性校准数据的修改包括根据参考以上图1至图7和以下图9所描述的任何方面或方面的组合来修改所述照射狭缝均匀性校准数据。

在操作806处，所述方法可以包括由所述控制器基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件(例如，所述一组指状物组件502中的一指状物组件)的最优位置。在一些方面，所述指状物组件的最优位置的确定可以使用合适的机械或其它方法来实现，并且包括根据参考上面图1至图7和下面图9所描述的任何方面或方面的组合来确定所述指状物组件的最优位置。

可选地，在可选的操作808处，所述方法可以包括由控制器确定所述指状物组件的形状的变化。

在一些方面中，确定所述指状物组件的形状的变化可以包括由所述控制器基于响应于所述指状物组件的指状物尖端曝光于DUV辐射或EUV辐射的所述指状物尖端的生长来确定所述指状物尖端的光学边缘的位置的变化，和由所述控制器基于所述指状物组件的所述指状物尖端的所述光学边缘的位置的所确定的变化来确定所述指状物组件的形状的变化。

在一些方面中，确定所述指状物组件的形状的变化可以包括由所述控制器来测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的变化，和由所述控制器基于所述参考标记的位置的所测量的变化来确定所述指状物组件的所述形状的变化。在一些方面，所述指状物组件的形状的变化的确定可以是使用合适的机械或其它方法被实现的，并且包括根据参考上面图1至图7和下面图9所描述的任何方面或方面的组合来确定所述指状物组件的形状的变化。

可选地，在可选的操作810处，所述方法可以包括由所述控制器产生控制信号，所述控制信号被配置成指示被联接到所述指状物组件的运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的变化来调整所述指状物组件的最优位置。在一些方面，所述控制信号的产生可以是使用合适的机械或其它方法被实现的，并且包括根据参考上面图1至图7和下面图9所描述的任何方面或方面的组合来产生所述控制信号。

可选地，在可选的操作812处，所述方法可以包括由所述控制器将所述控制信号传输到所述运动控制系统。在一些方面，所述控制信号的传输可以使用合适的机械或其它方法来实现，并且包括根据参考上面图1至图7和下面图9描述的任何方面或方面的组合来传输所述控制信号。

示例计算系统

可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实施本公开的各方面。本公开的各方面也可以被实施为存储在机器可读介质上的可以由一个或更多个处理器读取和执行的指令。机器可读介质可以包括用于以能够由机器(例如，计算装置)读取的形式存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读磁存储介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪速存储装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等等。另外，本文中，可以将固件、软件、例程、指令及其组合描述为执行某些动作。然而，应理解，这样的描述仅是为了方便，并且这些动作实际上由计算装置，处理器，控制器，或执行固件、软件、例程、指令或其组合的其它装置产生，并且这样做可以使致动器或其它装置(例如，伺服马达、机器人装置)与实体世界相互作用。

例如，可以使用一个或更多个计算系统(诸如图9中示出的示例计算系统900)来实现各个方面。示例计算系统900可以是能够执行本文中描述的功能的专用计算机，诸如：图5A和图5B中示出的示例照射均匀性校正系统500；任何其它合适的系统、子系统或部件；或其任何组合。示例计算系统900包括一个或更多个处理器(也被称为中央处理单元或CUP)，诸如处理器904。处理器904被连接到通信基础设施906(例如，总线)。示例计算系统900还可以包括用户输入/输出装置903，诸如通过用户输入/输出接口902与通信基础设施906通信的监视器、键盘、定点装置等。示例计算系统900还可以包括主存储器908(例如，一个或更多个主存储装置)，诸如随机存取存储器(RAM)。主存储器908可以包括一级或更多级高速缓存。主存储器908已经在其中存储了控制逻辑(例如，计算机软件)和/或数据。

示例计算系统900还可以包括辅助存储器910(例如，一个或更多个辅助存储装置)。辅助存储器910可以包括例如硬盘驱动器912和/或可移除存储驱动器914。可移除储存驱动器914可以是软盘驱动器、磁带驱动器、高密度磁盘驱动器、光学存储装置、磁带备份装置和/或任何其它存储装置/驱动器。

可移除储存驱动器914可以与可移除存储单元918相互作用。可移除存储单元918包括其上存储有计算机软件(控制逻辑)和/或数据的计算机可用或可读存储装置。可移除存储单元918可以是软盘、磁带、高密度磁盘、DVD、光学存储盘和/或任何其它计算机数据存储装置。可移除存储驱动器914从可移除存储单元918读取和/或写入。

根据一些方面，辅助存储器910可以包括用于允许计算机程序和/或其它指令和/或数据由示例计算系统900存取的其它装置、工具或其它方法。这样的装置、工具或其它方法可以包括例如可移除存储单元922和接口920。所述可移除存储单元922和所述接口920的示例可以包括程序盒和盒式接口(诸如在视频游戏装置中发现的)、可移除存储芯片(诸如EPROM或PROM)和相关联的插座、记忆棒和USB端口、存储卡和相关的存储卡插槽、和/或任何其它可移除存储单元和相关的接口。

示例计算系统900还可以包括通信接口924(例如，一个或更多个网络接口)。通信接口924使得示例计算系统900能够与远程装置、远程网络、远程实体等(单独地和统称为远程装置928)的任何组合进行通信和交互。例如，通信接口924可以允许示例计算系统900通过通信路径926与远程装置928通信，所述通信路径可以是有线和/或无线的，并且可以包括LAN、WAN、互联网等的任何组合。控制逻辑、数据或这两者可以经由通信路径926传输到示例计算系统900和从其传输。

本公开的前述方面中的操作可以以各种各样的配置和架构来实现。因此，前述方面中的一些或全部操作可以在硬件、软件或这两者中执行。在一些方面中，包括具有其上存储有控制逻辑(软件)的有形计算机可用或可读介质的有形的非暂时性设备或制品在本文中也被称为计算机程序产品或程序存储装置。这包括但不限于示例计算系统900、主存储器908、辅助存储器910、以及可移除存储单元918和922，以及包含先前任一组合的有形制品。这样的控制逻辑当由一个或更多个数据处理装置(诸如，示例计算系统900)执行时使这样的数据处理装置如本文中描述的那样操作。

基于本公开中包含的教导，相关领域技术人员将明白如何使用除了图9中示出的之外的数据处理装置、计算机系统和/或计算机体系结构来制作和使用本公开的方面。特别地，本公开的各方面可以与除了本文描述的那些之外的软件、硬件和/或操作系统实现方式一起操作。

可以使用下方面进一步描述这些实施例：

1.一种系统，包括：

均匀性校正系统，所述均匀性校正系统包括：

多个指状物组件，

其中所述多个指状物组件限定所述均匀性校正系统的最大曝光场，并且

其中所述多个指状物组件的子集限定用于晶片曝光操作的曝光场；和

控制器，所述控制器被配置成：

确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场；

响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据；以及

基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定在所述多个指状物组件的所述子集中的指状物组件的最优位置。

2.根据方面1所述的系统，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度；并且

所述曝光场对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。

3.根据方面1所述的系统，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的全场；并且

所述曝光场对应于所述均匀性校正系统的部分场。

4.根据方面1所述的系统，其中：

所述均匀性校正系统还包括运动控制系统，所述运动控制系统被联接到所述指状物组件并且被配置成调整所述指状物组件的所述最优位置；并且

所述控制器还被配置成：

确定所述指状物组件的形状的第一变化；

产生控制信号，所述控制信号被配置成指示所述运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的第一变化来调整所述指状物组件的所述最优位置；以及将所述控制信号传输到所述运动控制系统。

5.根据方面4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：

基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射的生长来确定所述指状物尖端的光学边缘的位置的第二变化；和

基于所述指状物组件的所述指状物尖端的所述光学边缘的位置的所确定的第二变化来确定所述指状物组件的形状的所述第一变化。

6.根据方面4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：

测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的第二变化；和

基于所述参考标记的位置的所测量的第二变化来确定所述指状物组件的形状的第一变化。

7.一种设备，包括：

控制器，所述控制器被配置成：

确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场；

响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据；以及

基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

8.根据方面7所述的设备，其中：

所述均匀性校正系统包括多个指状物组件；

所述最大曝光场由所述多个指状物组件限定；

所述曝光场由所述多个指状物组件的子集限定；以及

所述多个指状物组件的所述子集包括所述指状物组件。

9.根据方面7所述的设备，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度；并且

所述曝光场对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。

10.根据方面7所述的设备，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的全场；并且

所述曝光场对应于所述均匀性校正系统的部分场。

11.根据方面7所述的设备，其中，所述控制器还被配置成：

确定所述指状物组件的形状的第一变化；

产生控制信号，所述控制信号被配置成指示被联接至所述指状物组件的运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的第一变化来调整所述指状物组件的所述最优位置；以及

将所述控制信号传输到所述运动控制系统。

12.根据方面11所述的设备，其中，所述控制器还被配置成：

基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射的生长来确定所述指状物尖端的光学边缘的位置的第二变化；和

基于所述指状物组件的所述指状物尖端的所述光学边缘的位置的所确定的第二变化来确定所述指状物组件的形状的所述第一变化。

13.根据方面11所述的设备，其中，所述控制器还被配置成：

测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的第二变化；和

基于所述参考标记的位置的所测量的第二变化来确定所述指状物组件的形状的第一变化。

14.一种用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的方法，包括：

由控制器确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场；

响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，由所述控制器修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据；以及

由所述控制器基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

15.根据方面14所述的方法，其中：

所述均匀性校正系统包括多个指状物组件；

所述最大曝光场由所述多个指状物组件限定；

所述曝光场由所述多个指状物组件的子集限定；以及

所述多个指状物组件的所述子集包括所述指状物组件。

16.根据方面14所述的方法，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度；并且

所述曝光场对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。

17.根据方面14所述的方法，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的全场；并且

所述曝光场对应于所述均匀性校正系统的部分场。

18.根据方面14所述的方法，还包括：

由所述控制器确定所述指状物组件的形状的第一变化；

由所述控制器产生控制信号，所述控制信号被配置成指示被联接至所述指状物组件的运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的第一变化来调整所述指状物组件的所述最优位置；以及

由所述控制器将所述控制信号传输到所述运动控制系统。

19.根据方面18所述的方法，其中，确定所述指状物组件的形状的所述第一变化包括：

由所述控制器基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射的生长来确定所述指状物尖端的光学边缘的位置的第二变化；和

由所述控制器基于所述指状物组件的所述指状物尖端的所述光学边缘的位置的所确定的第二变化来确定所述指状物组件的形状的所述第一变化。

20.根据方面18所述的方法，其中，确定所述指状物组件的形状的所述第一变化包括：

由所述控制器测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的第二变化；和

由所述控制器基于所述参考标记的位置的所测量的第二变化来确定所述指状物组件的形状的第一变化。

虽然本文具体提及的是光刻设备用于集成电路的制造中，但是，应理解，这里所述的光刻设备可以具有其它应用，例如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的上下文中，这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提及的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道单元或涂覆显影系统单元(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对曝光后的抗蚀剂进行显影的工具)、量测单元和/或检查单元中进行处理。在适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以产生多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指已经包含多个经处理的层的衬底。

应理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制性目的，使得本说明书中的术语或措辞将由相关领域技术人员按照本文中的教导来解释。

如本文中使用的术语“衬底”描述其上添加有各材料层的材料。在一些方面中，所述衬底其本身可以被图案化，并且添加在其顶部的材料还可以被图案化，或者可以保持不被图案化

这里公开的示例是本公开的实施例的说明性但非限制性的示例。相关领域技术人员将明白，对本领域中通常遇到的各种条件和参数的其它合适的修改和适应在本公开的精神和范围内。

虽然上文已经描述了本公开的具体方面中，但将理解，这些方面可以以除所描述的以外的方式来实践。本说明书不旨在限制本公开的实施例。

将理解，具体实施方式章节而不是背景技术、发明内容和说明书摘要章节被旨在用于解释权利要求。如由发明者考虑到的，发明内容章节和说明书摘要章节可以阐明一个或更多个而不是所有示例实施例，并且因此不旨在以任何方式限制本实施例和随附权利要求。

上文已经借助于图示出指定功能的实施方式及其相互关系的功能性构件块描述了本公开的一些方面。为了描述方便，在本文中已经任意地限定了这些功能性构造块的边界。只要适当地执行指定功能及其关系，就可以定义替换的边界。

本公开的具体方面的前述描述将如此充分地揭示这些方面的一般性质，在不背离本公开的总体构思且不进行过度实验的情况下，其它人可以通过应用本领域技术范围内的知识而容易地修改和/或适应例如这些具体方面的各种应用。因此，基于本文中提出的教导和指导，这样的适应和修改旨在落入所公开的方面的等同物的含义和范围内。

本公开的广度和范围不应受到任何上文描述的示例方面的限制，而应仅由随附的权利要求及其等同物来限定。

Claims (15)

1.一种系统，包括：

均匀性校正系统，所述均匀性校正系统包括：

多个指状物组件，

其中所述多个指状物组件限定所述均匀性校正系统的最大曝光场，并且

其中所述多个指状物组件的子集限定用于晶片曝光操作的曝光场；和

控制器，所述控制器被配置成：

确定所述曝光场是否小于所述最大曝光场；

响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据；以及

基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定在所述多个指状物组件的所述子集中的指状物组件的最优位置。

2.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度；并且

所述曝光场对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。

3.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的全场；并且

所述曝光场对应于所述均匀性校正系统的部分场。

4.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述均匀性校正系统还包括运动控制系统，所述运动控制系统被联接到所述指状物组件并且被配置成调整所述指状物组件的所述最优位置；并且

所述控制器还被配置成：

确定所述指状物组件的形状的第一变化；

产生控制信号，所述控制信号被配置成指示所述运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的第一变化来调整所述指状物组件的所述最优位置；以及

将所述控制信号传输到所述运动控制系统。

5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：

基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射的生长来确定所述指状物尖端的光学边缘的位置的第二变化；和

基于所述指状物组件的所述指状物尖端的所述光学边缘的位置的所确定的第二变化来确定所述指状物组件的形状的所述第一变化。

6.根据权利要求4所述的系统，其中，所述控制器还被配置成：

测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的第二变化；和

基于所述参考标记的位置的所测量的第二变化来确定所述指状物组件的形状的第一变化。

7.一种设备，包括：

控制器，所述控制器被配置成：

确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场；

响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据；以及

基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

8.根据权利要求7所述的设备，其中：

所述均匀性校正系统包括多个指状物组件；

所述最大曝光场由所述多个指状物组件限定；

所述曝光场由所述多个指状物组件的子集限定；

所述多个指状物组件的所述子集包括所述指状物组件；

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度；并且

所述曝光场对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。

9.根据权利要求7所述的设备，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的全场；

所述曝光场对应于所述均匀性校正系统的部分场；并且

所述控制器还被配置成：

确定所述指状物组件的形状的第一变化；

产生控制信号，所述控制信号被配置成指示被联接至所述指状物组件的运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的第一变化来调整所述指状物组件的所述最优位置；以及

将所述控制信号传输到所述运动控制系统。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述控制器还被配置成：

基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射的生长来确定所述指状物尖端的光学边缘的位置的第二变化；和

基于所述指状物组件的所述指状物尖端的所述光学边缘的位置的所确定的第二变化来确定所述指状物组件的形状的所述第一变化。

11.根据权利要求9所述的设备，其中，所述控制器还被配置成：

测量被设置在所述指状物组件上的参考标记的位置的第二变化；和

基于所述参考标记的位置的所测量的第二变化来确定所述指状物组件的形状的第一变化。

12.一种用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的方法，包括：

由控制器确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场；

响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，由所述控制器修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经修改的照射狭缝均匀性校准数据；以及

由所述控制器基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

所述均匀性校正系统包括多个指状物组件；

所述最大曝光场由所述多个指状物组件限定；

所述曝光场由所述多个指状物组件的子集限定；

所述多个指状物组件的所述子集包括所述指状物组件；

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的最大照射狭缝宽度；并且

所述曝光场对应于小于所述最大照射狭缝宽度的照射狭缝宽度。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

由所述控制器确定所述指状物组件的形状的第一变化；

由所述控制器产生控制信号，所述控制信号被配置成指示被联接至所述指状物组件的运动控制系统基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据和所述指状物组件的形状的所确定的第一变化来调整所述指状物组件的所述最优位置；以及

由所述控制器将所述控制信号传输到所述运动控制系统，其中：

所述最大曝光场对应于所述均匀性校正系统的全场；并且

所述曝光场对应于所述均匀性校正系统的部分场。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，确定所述指状物组件的形状的所述第一变化包括：

由所述控制器基于所述指状物组件的指状物尖端响应于所述指状物尖端曝光于深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射的生长来确定所述指状物尖端的光学边缘的位置的第二变化；和

由所述控制器基于所述指状物组件的所述指状物尖端的所述光学边缘的位置的所确定的第二变化来确定所述指状物组件的形状的所述第一变化。