CN114391125A - 具有远心转换器的放大率恒定的多级光学装置 - Google Patents

具有远心转换器的放大率恒定的多级光学装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114391125A
CN114391125A CN202080063621.8A CN202080063621A CN114391125A CN 114391125 A CN114391125 A CN 114391125A CN 202080063621 A CN202080063621 A CN 202080063621A CN 114391125 A CN114391125 A CN 114391125A
Authority
CN
China
Prior art keywords
patterning device
lens
image
alignment
alignment system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080063621.8A
Other languages
English (en)
Inventor
L·雷日科夫
Y·乌拉迪米尔斯基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN114391125A publication Critical patent/CN114391125A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7096—Arrangement, mounting, housing, environment, cleaning or maintenance of apparatus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种预对准系统，所述预对准系统包括被配置成收集来自图案形成装置的衍射束的公共物镜组，其中公共物镜组还被配置成在预对准系统的物空间中产生远心度。预对准系统还包括具有至少一个图像透镜系统的多路径传感阵列，其中至少一个图像透镜系统包括远心转换器透镜，所述远心转换器透镜被配置成在预对准系统的像空间中产生远心度。

Description

具有远心转换器的放大率恒定的多级光学装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月9日提交的美国临时专利申请号62/897,675的优先权，其通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及对准设备和系统，例如用于光刻设备和系统的对准传感器设备。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标位置来辐照每个目标位置，以及所谓的扫描器，其中通过在使辐射束以给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时同步地扫描与所述扫描方向平行或反平行的目标位置来辐照每个目标位置。还可以通过将图案印制到衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。
在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要将要被顺序地形成在衬底上的不同层。因此，可能需要相对于形成在衬底上的先前图案以高准确度或精度来定位衬底。通常，对准标记被放置在待对准的衬底上并且相对于第二物体定位。光刻设备可以使用对准设备来检测对准标记的位置，并且使用对准标记来对准衬底以确保来自掩模的准确曝光。两个不同层处的对准标记之间的未对准被测量为重叠误差。
因此，需要一种提供具有高准确度和低变化性的对准的系统和方法。
发明内容
在本公开中描述了预对准系统的实施例。
本公开的一个方面提供了一种预对准系统，所述预对准系统包括被配置成收集来自图案形成装置的衍射束的公共物镜组，其中公共物镜组还被配置成在预对准系统的物空间中产生远心度。预对准系统还包括具有至少一个图像透镜系统的多路径传感阵列，其中至少一个图像透镜系统包括远心转换器透镜，所述远心转换器透镜被配置成在预对准系统的像空间中产生远心度。
在一些实施例中，远心转换器透镜包括单个光学透镜。在一些实施例中，远心转换器透镜包括玻璃、水晶或晶体、或塑料。在一些实施例中，通过数控切割来形成远心转换器透镜，所述数控切割包括热空气射流切割、水射流切割和激光切割。
在一些实施例中，预对准系统还包括光源，所述光源被配置成以倾斜角度照射图案形成装置。
在一些实施例中，预对准系统还包括分束器，所述分束器被配置成将衍射束拆分成两个或更多个衍射子束。
在一些实施例中，预对准系统还包括用于至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器，其中所述检测器被配置成基于衍射束而产生预对准信号。
本公开的另一方面提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括被配置成调节辐射束的照射系统、被配置成支撑图案形成装置的支撑结构、被配置成保持衬底的衬底台、被配置成将由图案形成装置赋予至辐射束的图案投影到衬底的目标部分上的投影系统、以及被配置成分别定位图案形成装置和衬底的第一定位器和第二定位器。第一定位器包括具有至少两个通道的预对准系统。预对准系统包括被配置成收集来自图案形成装置的衍射束并且在预对准系统的物空间中产生远心度的公共物镜组。预对准系统还包括多路径传感阵列，所述多路径传感阵列具有至少一个图像透镜系统。至少一个图像透镜系统包括远心转换器透镜，所述远心转换器透镜被配置成在预对准系统的像空间中产生远心度。预对准系统还包括用于至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器，其中所述检测器被配置成基于衍射束而产生预对准信号。
下面参考附图详细描述本发明的其它特征和优点，以及本发明的各个实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文描述的特定实施例。在本文中呈现这些实施例仅是出于说明性目的。基于本文中包含的教导，相关领域技术人员将明白额外的实施例。
附图说明
并入本文中并且形成说明书的一部分的随附附图与描述一起图示出本发明，随附附图还用于解释本发明的原理并且使相关领域的技术人员能够实施和使用本发明。
图1A是根据示例性实施例的反射型光刻设备的示意图。
图1B是根据示例性实施例的透射型光刻设备的示意图。
图2是根据示例性实施例的反射型光刻设备的更详细示意图。
图3是根据示例性实施例的光刻单元的示意图。
图4图示出根据本公开的实施例的被配置成对图案形成装置进行预对准的预对准系统。
图5图示出根据本公开的实施例的示例性双远心光学系统。
图6图示出根据本公开的实施例的具有双远心度的预对准系统。
根据以下结合附图阐述的详细描述，将明白本发明的特征和优点，其中相似的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。此外，附图标记的最左侧数字通常标识首次出现所述附图标记的附图。除非另有说明，否则在整个公开中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
本说明书公开了包括本发明的特征的一个或更多个实施例。所公开的实施例仅用于例示本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由本发明所附的权利要求来限定。
所描述的实施例以及对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的参考表示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例不必包括所述特定特征、结构或特性。而且，这些措辞或短语不一定指的是相同的实施例。另外，当与实施例结合来描述特定特征、结构或特性时，应当理解，结合其它实施例来实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内，无论所述其它实施例是否被明确地描述。
为便于描述，可以在本文中使用诸如“在…之下”、“下方”、“下面”、“在…之上”、“上方”、“上面”之类的空间相对术语来描述附图中的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。空间相对术语旨在涵盖装置或器件在使用或操作中的除了附图中描绘的方向之外的不同方向。可以以其它方式来定向设备(旋转90度或以其它方向定向)，并且本文中使用的空间相对描述符也可以被相应地解释。
如本文中使用的术语“大约或约”表示给定量的值，所述值可以基于特定技术而变化。基于特定技术，术语“大约或约”可以表示在例如所述值的上下10％-30％(例如，所述值的±10％、±20％、或±30％)内变化的给定量的值。
本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实施。本公开的实施例也可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，可以由一个或更多个处理器读取和执行所述指令。机器可读介质可以包括用于以机器(例如计算装置)可读形式来存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存装置；电传播信号、光传播信号、声传播信号或其它形式的传播信号(例如载波、红外信号、数字信号等)，等等。此外，在本文中可以将固件、软件、例程、和/或指令描述为执行特定动作。然而，应当理解，这些描述仅是为了方便，并且这些动作实际上是从执行固件、软件、例程、指令等的计算装置、处理器、控制器或其它装置产生的。
然而，在更详细地描述这些实施例之前，呈现可以实施本公开的实施例的示例环境是有指导性的。
示例性光刻系统
图1A和图1B分别是光刻设备100和光刻设备100’的示意性示图，可以在光刻设备100和光刻设备100’中实施本发明的实施例。光刻设备100和光刻设备100’各自包括以下各项：照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如深紫外辐射或极紫外辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构被配置成支撑图案形成装置(例如掩模、掩模版、或动态图案形成装置)MA，并且连接至被配置成准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及衬底台(例如晶片台)WT，所述衬底台被配置成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且连接至被配置成准确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和光刻设备100’还具有投影系统PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型。在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射型。
照射系统IL可以包括用于引导、成形或控制辐射束B的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA相对于参考框架的方向、光刻设备100和100’中的至少一个的设计、和其它条件(诸如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中)的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术以保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或台，支撑结构MT可以根据需要而是固定或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS而处于期望位置。
术语“图案形成装置”MA应广义地解释为指可以用以在辐射束B的横截面中向辐射束B赋予图案，以便在衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。赋予至辐射束B的图案可以对应于目标部分C中所产生的用以形成集成电路的器件中的特定功能层。
图案形成装置MA可以是透射型(如图1B的光刻设备100’中那样)或反射型(如图1A的光刻设备100中那样)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列，或可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移或衰减式相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的每个小反射镜可以被单独地倾斜，以便使入射辐射束在不同方向上反射。被倾斜的反射镜在由小反射镜的矩阵所反射的辐射束B中赋予图案。
术语“投影系统”PS可以涵盖适于所使用的曝光辐射或适于其它因素(诸如浸没液体在衬底W上的使用或真空的使用)的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。由于其它气体可能吸收过多的辐射或电子，因此，可以针对EUV或电子束辐射使用真空环境。因此，通过借助于真空壁和真空泵，可以对整个束路径设置真空环境。
光刻设备100’可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用额外的衬底台WT，或可以在对一个或更多个台执行预备步骤的同时将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在一些情况下，额外的台可以不是衬底台WT。
光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中是众所周知的用于增大投影系统的数值孔径。本文中所使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底之类的结构必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统与衬底之间。
参考图1A和图1B，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源SO是准分子激光器时，源SO与光刻设备100和100’可以是分立的物理实体。在这样的情况下，不认为源SO形成光刻设备100和100’的一部分，并且辐射束B是借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(图1B中)而从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如，当源SO是汞灯时，源SO可以是光刻设备100和100’的组成部分。源SO和照射器IL连同束传递系统BD(在需要时)可以被称为辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD(图1B中)。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。另外，照射器IL可以包括各个其它部件(图1B中)，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器IL可以被用于调节辐射束B，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
参考图1A，辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如掩模台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并且通过图案形成装置MA而被图案化。在光刻设备100中，辐射束B从图案形成装置(例如掩模)MA被反射。在从图案形成装置(例如掩模)MA被反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束B聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉量测装置、线性编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器IF1来相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。
参考图2B，辐射束B入射在保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且由图案形成装置图案化。在穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有相对于光瞳共轭PPU的照射系统光瞳IPU。辐射的一部分从照射系统光瞳IPU处的强度分布发出，并且穿过掩模图案而不受掩模图案处的衍射的影响，并且在照射系统光瞳IPU处产生强度分布的图像。
投影系统PS将掩模图案MP的图像MP’投影到涂覆在衬底W上的光致抗蚀剂层上，其中图像MP’是由衍射束形成的，所述衍射束产生于由来自强度分布的辐射所导致的掩模图案MP。例如，掩模图案MP可以包括线和间隔的阵列。阵列处的且不同于零阶衍射的辐射衍射产生被转向的衍射束，所述被转向的衍射束具有沿垂直于线的方向的方向改变。未衍射束(即，所谓的零阶衍射束)在传播方向没有任何改变的情况下穿过图案。零阶衍射束穿过投影系统PS的上透镜或上透镜组(位于投影系统PS的光瞳共轭件或共轭光瞳PPU的上游)以到达光瞳共轭件PPU。强度分布中的在光瞳共轭件PPU的平面中且与零阶衍射束相关联的部分是照射系统IL的照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。孔或孔阑装置PD例如设置在或大致设置在投影系统PS的包括光瞳共轭件PPU的平面处。
投影系统PS被布置成通过透镜或透镜组L，不仅捕获零阶衍射束，而且还捕获一阶衍射束或者一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些实施例中，用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射可以被用于利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，在晶片W的水平处，一阶衍射束与相应的零阶衍射束发生干涉，以产生具有最高可能的分辨率和过程窗口(即，可用焦深与可容许曝光剂量偏差)的线图案MP的图像。在一些实施例中，可以通过在照射系统光瞳IPU的相对象限中提供辐射极(未示出)来减少像散像差。另外，在一些实施例中，可以通过阻挡投影系统的光瞳共轭件PPU中的与相对象限中的辐射极相关联的零阶束来减少像散像差。这在2009年3月31日发布的US 7,511,799 B2中进行了更详细地描述，其全部内容通过引用整体并入本文。
借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉量测装置、线性编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1B中未示出)来相对于辐射束B的路径准确地定位掩模MA(例如，在从掩模库进行机械获取之后或在扫描期间)。
通常，可以借助于形成第一定位器PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现掩模台MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器(相对于扫描器)的情况下，掩模台MT可以仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA与衬底W。虽然衬底对准标记(如图示的)占据专用目标部分，但这些标记可以位于目标部分之间的空间中(称为划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯被设置在掩模MA上的情形中，掩模对准标记可以位于管芯之间。
掩模台MT和图案形成装置MA可以处于真空室V中，可以使用真空内机器人IVR来将图案形成装置(诸如掩模)移动到真空室之中和之外。可选地，当掩模台MT和图案形成装置MA在真空室之外时，可以使用真空外机器人来进行各种运输操作，这类似于真空内机器人IVR。为了将任何有效负载(例如掩模)平稳传递到转移站的固定运动支架，真空内机器人和真空外机器人都需要被校准。
光刻设备100和100’可以用于以下模式中的至少一种模式中：
1.在步进模式中，在将赋予至辐射束B的整个图案一次性投影至目标部分C上时，使支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。接着使衬底台WT在X方向和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。
2.在扫描模式中，在将赋予至辐射束B的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向。
3.在另一模式中，在将赋予至辐射束B的图案投影至目标部分C上时，使支撑结构(例如掩模台)MT保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT。可以使用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。
也可以采用所描述的使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。
在另外的实施例中，光刻设备100包括极紫外(EUV)源，所述EUV源被配置成产生用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源被配置在辐射系统中，并且相应的照射系统被配置成调节EUV源的EUV辐射束。
图2更详细地示出了光刻设备100，包括源收集器设备SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器设备SO被构造和布置成使得可以在封闭结构20中维持真空环境。源收集器设备SO包括源室11和收集器室12，并且被配置成产生和透射EUV辐射。EUV辐射可以由气体或蒸气(例如Xe气、Li蒸气、或Sn蒸气)产生，其中产生EUV辐射发射等离子体10即发射EUV辐射的等离子体10来发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。可以例如通过放电或激光束来产生至少部分电离的EUV辐射发射等离子体10。可能需要例如10Pa分压的Xe、Li、Sn蒸气或任何其它合适气体或蒸气来有效地产生辐射。在实施例中，提供被激发的锡(Sn)的等离子体来产生EUV辐射。
由EUV辐射发射等离子体10发射的辐射从源室11经由可选的气体屏障或污染物陷阱30(在一些情况下也称为污染物屏障或翼片阱)而进入收集器室12，气体屏障或污染物陷阱30被定位在源室11的开口中或后面。污染物陷阱30可以包括通道结构。污染物陷阱30还可以包括气体屏障或者气体屏障与通道结构的组合。在本文中，污染物陷阱或污染物屏障30另外被指示为至少包括通道结构。
收集器室12可以包括辐射收集器CO，辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧51和下游辐射收集器侧52。穿过收集器CO的辐射可以被光栅光谱滤光片40反射出以聚焦在虚拟源点IF处。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得中间焦点IF被定位在封闭结构20的开口19处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体10的像。光栅光谱滤光片240尤其用于抑制红外(IR)辐射。
随后，辐射穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，它们被布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的期望角度分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均一性。当辐射束21在图案形成装置MA(由支撑结构MT保持)处反射时，形成图案化束26，并且通过投影系统PS经由反射元件28、29将图案化束26成像在由晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。
通常可以在照射光学单元IL和投影系统PS中存在比所示出的更多的元件。光栅光谱滤光片40可以依赖于光刻设备的类型而可选地存在。此外，可以存在比图2中所示的反射镜更多的反射镜，例如相比于图2中所示的，可以在投影系统PS中存在一个至六个额外的反射元件。
如图2中图示的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器53、54和55的巢状收集器，这仅仅是收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器53、54和55被设置为围绕光轴O轴向对称，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与放电产生等离子体源(通常被称为DPP源)结合使用。
示例性光刻单元
图3示出了光刻单元300，其有时也被称为光刻元或簇。光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括在衬底上执行曝光前过程和曝光后过程的一个或更多个设备。常规地，这些设备包括用以沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用以显影曝光后的抗蚀剂的显影器DE、激冷板CH、以及焙烤板BK。衬底输送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同过程设备之间移动衬底且将衬底传递至光刻设备100或100’的进料台LB。常常共同地称为轨道或涂覆显影系统的这些装置处于轨道或涂覆显影系统控制单元TCU的控制下，所述轨道或涂覆显影系统控制单元TCU自身受到管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，不同设备可以被操作以使生产量和处理效率最大化。
示例性预对准系统
图4示出了根据本公开的一些实施例的被配置为预对准图案形成装置(例如掩模版)402的预对准系统400的示意图。在一些实施例中，预对准系统400可以是与图1A和图1B中的光刻设备100或100’结合使用的第一定位器PM。在一些实施例中，预对准系统400包括至少两个通道。在一些实施例中，预对准系统400包括光源404和多路径传感阵列406，其中多路径传感阵列406提供预对准系统400的至少两个通道。
光源404被配置成用针对掩模版预对准所使用的预定波长的辐射束414来照射掩模版402。在实施例中，由光源404产生的辐射束414在650nm至1000nm的近红外区内。在另一实施例中，可以使用波长为880nm的辐射束414。如本领域技术人员所理解的，由光源404产生的用于掩模版预对准的辐射束414的波长可以在其它光学范围内，例如可以是在390nm至700nm之间的可见光。在实施例中，光源404包括双光源404a和404b。在一些实施例中，光源404可以包括单个光源或多于两个光源。
在一些实施例中，预对准系统400被配置成以倾斜角度将辐射束414引导到掩模版402的对准标记416上。根据照射或照度，对准标记416可以反射光并且产生衍射束418，其中衍射束418和辐射束414之间的角度θ对应于衍射角。
在一些实施例中，掩模版402可以是用于极紫外(EUV)光刻的反射型图案形成装置。在一些实施例中，掩模版402可以是如图1A和图1B所示的掩模版MA，并且对准标记416可以是如图1A和图1B所示的对准标记M1和M2。
在一些实施例中，预对准系统400被配置成使用公共物镜组420和分束器412来将衍射束418引导到多路径传感阵列406。
多路径传感阵列406可以包括一个或更多个系统，例如光学系统、图像系统或透镜系统，每个系统包括路径，例如光路、光通道、透镜通道等。在一个实施例中，多路径传感阵列406包括各自对应于预对准系统400的通道的上图像透镜系统408和下图像透镜系统410。在所述示例中，预对准系统400也称为分叉反射型预对准系统。在一些实施例中，分束器412位于公共物镜组420和上/下图像透镜系统408/410之间。在一些实施例中，分束器412可以将接收到的衍射束418拆分成两个衍射子束418-1和418-2，第一衍射子束可以被引导到上图像透镜系统408上，并且第二衍射子束可以被朝向下图像透镜系统410引导。在一些实施例中，多路径传感阵列406的图像透镜系统还可以包括独立透镜组424。
在一些实施例中，预对准系统400还包括上图像透镜系统408和下图像透镜系统410各自的检测器422和控制器(图4中未示出)。检测器422可以是传感器或传感器阵列。每个传感器可以是光检测器(例如光电二极管)、图像传感器，等等。控制器可以基于衍射束418生成用于预对准掩模版402的控制信号。
在一些实施例中，预对准系统400利用图4中描述的双通道配置来测量图案形成装置位置偏移。例如，预对准系统400可以利用上图像透镜系统408和下图像透镜系统410来测量掩模版402的X-Y位置和方向。
在一些实施例中，上图像透镜系统408和下图像透镜系统410可以被设置有不同的配置以测量衍射束418的不同特性。例如，当照射掩模版402时，入射光(例如辐射束414)可以被掩模版402上的对准标记416衍射(或在一些实施例中被散射)并且被部分地改变。在接收衍射束418时，上图像透镜系统408和下图像透镜系统410可以提供对掩模版402的不同光学特性的分析和测量。在一个示例中，上图像透镜系统408可以接收衍射子束418-1并且将掩模版402的对准标记416的图像投影到检测器422-1上。类似地，下图像透镜系统410可以接收衍射子束418-2并且将对准标记416的另一图像投影到检测器422-2上。在一些实施例中，下图像透镜系统410可以产生掩模版402的颠倒图像以测量不同的对准和/或定位属性。
在一些实施例中，检测器422可以被配置成通过处理掩模版402上的对准标记416的图像来测量掩模版402的X-位置和Y-位置。另外，检测器422可以是被配置成读取掩模版402的识别码的条形码读取器。在一些实施例中，上图像透镜系统408和下图像透镜系统410可以被配置成对掩模版402的图像执行其它光学测量和分析。
在一些实施例中，预对准系统400还可以包括图案形成装置转移设备(例如图1B中的真空内机器人IVR)，其可以被配置成最小化图案形成装置(例如掩模版402)交换时间、颗粒产生，并且减少来自夹盘和/或图案形成装置的接触力或应力。真空内机器人IVR也可以增加用于光刻(例如在图1A和图1B中的光刻设备100或100’中)的图案形成装置交换过程的总体生产量。
远心度和示例性预对准系统
在一些实施例中，预对准系统400可以被用于在具有竖直分离度的两个独立的水平或高度(La和Lb)上来预对准掩模版402(参见图4)。竖直分离度可以例如介于1mm至100mm的范围内。在一些实施例中，可以为预对准系统400创建远心度，其中掩模版402的图像放大率可以在掩模版402与公共物镜组420之间的距离改变时保持相同。换言之，图案形成装置(例如掩模版402)可以被定位在距公共物镜组420多个工作距离处，并且预对准系统400可以被配置成使图案形成装置在至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统(例如上/下图像透镜系统408/410)的检测器(例如检测器422-1、422-2等)处提供相同的放大率。
在一些实施例中，透镜具有使得随着透镜与物体之间的距离增大放大率减小的角视场。因此，当将这些透镜用于公共物镜组420时，角视场可能导致透视误差，这在物体(即掩模版402)移动时可能由于所检测的图像将改变而导致测量中的准确度或精度下降。远心透镜可以通过具有恒定且无角视场来消除透视误差。在距透镜各距离处，远心透镜可以提供物体的相同视场。在所述示例中，远心透镜在物空间中产生远心度。
在一些实施例中，远心透镜也可以在像空间中产生远心度，其中远心透镜可以是在一远距离处具有出射光瞳的复合透镜。穿过孔径光阑的中心的主射线可以在光学系统后平行于光轴传播。
图5图示了根据一些实施例的示例性双远心光学系统500，其中物空间和像空间两者都是远心的。主射线在物空间和像空间两者中都可以平行于光轴。在双远心光学系统500的一些实施例中，物体502的图像对于放大率变化或者物体502或图像传感器503的位置都不敏感。
在一些实施例中，双远心光学系统500包括第一透镜526和第二透镜528。第一透镜526和第二透镜528中的每个透镜可以是由延伸和/或颠倒物体502的图像的光学透镜或透镜组制成的中继透镜(relay lens)。在一些实施例中，第一透镜526和第二透镜528的焦点可以被放置在相同位置。
在一些实施例中，双远心光学系统500可以提供物体502的放大图像。例如，光刻设备100或100’可以被配置成提供掩模版MA的介于2至6范围内的放大率值，以实现高分辨率图案化。在一些实施例中，第一透镜526和第二透镜528的焦距比率对应于物体502的图像的放大率值。因此，在具有高放大率的光学系统中，以紧凑设计实现双远心度是具有挑战性的。
在一些实施例中，双远心光学系统500还可以包括聚光透镜组530，其中聚光透镜组530具有负光强度并且可以为双远心光学系统500提供更紧凑的设计。例如，在添加了聚光透镜组530的情况下，双远心光学系统500的第二透镜528可以更靠近第一透镜526，从而如图5所示从位置L1移动到位置L2。然而，在一些实施例中，双远心光学系统500的总体尺寸可能受到放大率要求以及聚光透镜组530的尺寸的限制。
返回参考图4，预对准系统400可以被配置成在物体空间中提供远心度，其中掩模版402的图像对于放大率或掩模版402的位置不敏感。然而，设计具有紧凑尺寸并且在像空间中具有远心度的预对准系统400可能具有挑战性。因此，预对准系统400可以是半远心度，并且可以在补偿器调整中执行多次迭代以实现可靠的性能。
图6示出了根据本公开的一些实施例的预对准系统600的示意图。预对准系统600可以类似于预对准系统400并且也在物空间中具有远心度。然而，预对准系统600可以包括一个或更多个远心转换器透镜640，所述远心转换器透镜被配置成还在预对准系统600的像空间中提供远心度。例如，如图6中所示，在检测器422前方的主射线平行于光轴，或等同地，光瞳在像空间中处于无穷远处。
在一些实施例中，远心转换器透镜640可以是位于像平面附近(例如靠近检测器422)的单个光学透镜，用以将像空间中的衍射束418-1转换成远心束。换言之，远心转换器透镜640可以在用于预对准系统600的图像透镜系统(例如，上图像透镜系统408和下图像透镜系统410)的像空间中产生远心度。通过使用单个光学透镜，可以使光学设计紧凑并且可以最小化从预对准系统400到预对准系统600的改变。
在一些实施例中，远心转换器透镜640可以由诸如玻璃、水晶、塑料等或其任何组合之类的材料制成。可以基于数值模拟(例如射线追踪)来设计远心转换器透镜640的曲率(例如三维轮廓)。因此，远心转换器透镜640的三维(3D)轮廓或形状可以是定制设计的，以针对多路径传感阵列406的每个衍射子束(例如418-1、418-2等)产生远心度。
在一些实施例中，可以将利用旁轴射线追踪的数值模拟用于具有光轴的预对准系统600，从而可以获得远心转换器透镜640的3D形状，而无需考虑表面倾斜度、表面类型(诸如样条)、全息图、梯度指数、衍射元件等。
在一些实施例中，可以执行利用真实射线追踪的数值模拟来找到远心转换器透镜640的3D轮廓。真实射线(或精确射线)遵循斯涅尔(Snell)定律。在一些实施例中，模拟程序可以使用两种类型的真实射线(例如普通射线和参考射线)来评估预对准系统600。普通射线可以是起始于物体表面(例如图案形成装置402上的对准标记416的表面)上的给定点、以预定方向追踪通过预对准系统600的射线。参考射线可以是起始于物体表面上的给定点、沿初始未知的方向的射线。可以通过射线穿过预对准系统600中的一些预定内部点的要求来确定参考射线的方向。在一个示例中，主射线可以用作参考射线，其中主射线从光场的边缘发射并且穿过孔径光阑的中心。
在一些实施例中，可以基于模拟结果来创建具有期望的3D轮廓的远心转换器透镜640。可以通过使用数控切割(例如，热空气射流切割、水射流切割、激光切割或其组合)来创建远心转换器透镜640的期望的3D轮廓。热空气射流切割通过将热应力引入材料中来使透镜材料(例如玻璃)产生裂纹。由于射流冲击的区域内的热应力很高，因此裂纹在热空气射流的方向上传播。高压水射流也可以将玻璃切割成期望的3D轮廓。在一些实施例中，可以在玻璃切割中使用磨料和非磨料水射流切割技术。在非磨料技术中仅使用纯去离子高压水，而在磨料切割技术中还可以与高压水一起使用如石榴石、橄榄石、二氧化硅等研磨材料。在一些实施例中，可以使用准分子激光消融来产生远心转换器透镜640的期望的3D轮廓。可以使用高功率激光器，例如CO2、Nd:YAG或氩激光器。在一些实施例中，可以实施从纳秒至飞秒范围内的短脉冲激光器。在一些实施例中，激光器可以处于连续波(CW)模式。在一些实施例中，创建远心转换器透镜640的期望的3D轮廓还可以包括接地、机械抛光、模制、铣削或其组合。
还可以使用以下方面来描述实施例：
1.一种具有至少两个通道的预对准系统，包括：
公共物镜组，所述公共物镜组被配置成收集来自图案形成装置的衍射束，其中所述公共物镜组还被配置成在所述预对准系统的物空间中产生远心度；
多路径传感阵列，所述多路径传感阵列包括至少一个图像透镜系统，其中所述至少一个图像透镜系统包括：
远心转换器透镜，所述远心转换器透镜被配置成在所述预对准系统的像空间中产生远心度；以及
用于所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器，其中所述检测器被配置成基于所述衍射束而创建预对准信号。
2.根据方面1所述的预对准系统，其中，所述远心转换器透镜包括单个光学透镜。
3.根据方面2所述的预对准系统，其中，所述远心转换器透镜包括玻璃、水晶或塑料。
4.根据方面2所述的预对准系统，其中，通过数控切割来创建所述远心转换器透镜，所述数控切割包括热空气射流切割、水射流切割和激光切割。
5.根据方面1所述的预对准系统，还包括：
光源，所述光源被配置成以倾斜角度照射所述图案形成装置。
6.根据方面1所述的预对准系统，还包括：
分束器，所述分束器被配置成将所述衍射束拆分成两个或更多个衍射子束。
7.根据方面6所述的预对准系统，其中，所述分束器位于所述公共物镜组与所述至少一个图像透镜系统之间。
8.根据方面1所述的预对准系统，其中，所述图案形成装置位于距所述公共物镜组多个工作距离处，并且所述预对准系统被配置成使所述图案形成装置在所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的所述检测器处提供相同的放大率。
9.一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置成调节辐射束；
支撑结构，所述支撑结构被配置成支撑图案形成装置；
衬底台，所述衬底台被配置成保持衬底；
投影系统，所述投影系统被配置成将由所述图案形成装置赋予至所述辐射束的图案投影到所述衬底的目标部分上；以及
第一定位器和第二定位器，所述第一定位器和第二定位器被配置成分别定位所述图案形成装置和所述衬底，其中所述第一定位器包括：
具有至少两个通道的预对准系统，所述预对准系统包括：
公共物镜组，所述公共物镜组被配置成收集来自所述图案形成装置的衍射束，其中所述公共物镜组还被配置成在所述预对准系统的物空间中产生远心度；
多路径传感阵列，所述多路径传感阵列包括至少一个图像透镜系统，其中所述至少一个图像透镜系统包括：
远心转换器透镜，所述远心转换器透镜被配置成在所述预对准系统的像空间中产生远心度；以及
用于所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器，其中所述检测器被配置成基于所述衍射束而产生预对准信号。
10.根据方面9所述的光刻设备，其中，所述远心转换器透镜包括单个光学透镜。
11.根据方面10所述的光刻设备，其中，所述远心转换器透镜包括玻璃、水晶或塑料。
12.根据方面10所述的光刻设备，其中，通过数控切割来创建所述远心转换器透镜，所述数控切割包括热空气射流切割、水射流切割和激光切割。
13.根据方面9所述的光刻设备，还包括：
光源，所述光源被配置成以倾斜角度照射所述图案形成装置。
14.根据方面9所述的光刻设备，还包括：
分束器，所述分束器被配置成将所述衍射束拆分成两个或更多个衍射子束。
15.根据方面14所述的光刻设备，其中，所述分束器位于所述公共物镜组与所述至少一个图像透镜系统之间。
16.根据方面9所述的光刻设备，其中，所述图案形成装置位于距所述公共物镜组多个工作距离处，并且所述预对准系统被配置成使所述图案形成装置在所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器处提供相同的放大率。
尽管在本文中可以具体地参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在此类替代应用的情境下，术语“衬底”或“目标部分”在本文中的任何使用可以认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在例如轨道单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底并使曝光后的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检测工具中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这些和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以便形成多层IC，使得本文中使用的术语“衬底”也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。
应当理解，本文中的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由相关领域技术人员根据本文中的教导进行解释。
如本文所使用的术语“衬底”描述了其上添加有材料层的材料。在一些实施例中，衬底本身可以被图案化，并且添加在衬底的顶部上的材料也可以被图案化，或者可以被保持不进行图案化。
本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的实施例还也可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，可以由一个或更多个处理器读取和执行所述指令。机器可读介质可以包括用于以机器(例如计算装置)可读形式来存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存装置；电传播信号、光传播信号、声传播信号或其它形式的传播信号，等等。此外，在本文中可以将固件、软件、例程、和/或指令描述为执行特定动作。然而，应当理解，这些描述仅是为了方便，并且这些动作实际上是从执行固件、软件、例程、指令等的计算装置、处理器、控制器或其它装置产生的。
随附的示例是说明性的，而非限制本公开的实施例。对于本领域中通常遇到的各种条件和参数的其它合适修改和调整(并且相关领域的技术人员将明白这些修改和调整)将落入本公开的精神和范围内。
尽管在本文中可以具体地参考根据本发明的设备和/或系统在IC的制造中的使用，但应当明确理解，这种设备和/或系统具有许多其它可能的应用。例如，可用于制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、LCD面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在此类替代应用的情境下，术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用应当认为可以分别被更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标”替代。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。所述描述并非旨在限制本发明。
应当理解，具体实施方式部分(而不是发明内容和摘要部分)旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述发明人所设想的本发明的一个或更多个示例性实施例，但不是全部示例性实施例，因此发明内容和摘要部分不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。
上面已经借助于功能构建块描述了本发明，所述功能构建块图示了特定功能的实现及其关系。为了便于描述，已经在本文中任意地定义了这些功能构建块的边界。只要适当地执行特定功能及其关系，就可以定义替代边界。
具体实施例的上述描述将充分地揭示本发明的一般性质，使得其他人可以通过应用本领域技术内的知识而容易地修改和/或调整这些具体实施例的各种应用，而无需过度实验，并且不会偏离本发明的一般概念。因此，基于本文所呈现的教导和指导，这种修改和调整旨在落入所公开的实施例的等同物的含义和范围内。
本发明的广度和范围不应受任何上述示例性实施例的限制，而应仅根据随附权利要求及其等同物来限定。

Claims (16)

1.一种具有至少两个通道的预对准系统，包括：
公共物镜组，所述公共物镜组被配置成收集来自图案形成装置的衍射束，其中所述公共物镜组还被配置成在所述预对准系统的物空间中产生远心度；
多路径传感阵列，所述多路径传感阵列包括至少一个图像透镜系统，其中所述至少一个图像透镜系统包括：
远心转换器透镜，所述远心转换器透镜被配置成在所述预对准系统的像空间中产生远心度；以及
用于所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器，其中所述检测器被配置成基于所述衍射束而产生预对准信号。
2.根据权利要求1所述的预对准系统，其中，所述远心转换器透镜包括单个光学透镜。
3.根据权利要求2所述的预对准系统，其中，所述远心转换器透镜包括玻璃、水晶或塑料。
4.根据权利要求2所述的预对准系统，其中，所述远心转换器透镜是通过数控切割来被制造的，所述数控切割包括热空气射流切割、水射流切割和激光切割。
5.根据权利要求1所述的预对准系统，还包括：
光源，所述光源被配置成以倾斜角度照射所述图案形成装置。
6.根据权利要求1所述的预对准系统，还包括：
分束器，所述分束器被配置成将所述衍射束拆分成两个或更多个衍射子束。
7.根据权利要求6所述的预对准系统，其中，所述分束器位于所述公共物镜组与所述至少一个图像透镜系统之间。
8.根据权利要求1所述的预对准系统，其中，所述图案形成装置位于与所述公共物镜组相距多个工作距离的位置处，并且所述预对准系统被配置成使所述图案形成装置在所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器处提供相同的放大率。
9.一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置成调节辐射束；
支撑结构，所述支撑结构被配置成支撑图案形成装置；
衬底台，所述衬底台被配置成保持衬底；
投影系统，所述投影系统被配置成将由所述图案形成装置赋予至所述辐射束的图案投影到所述衬底的目标部分上；以及
第一定位器和第二定位器，所述第一定位器和所述第二定位器被配置成分别定位所述图案形成装置和所述衬底，其中所述第一定位器包括：
具有至少两个通道的预对准系统，所述预对准系统包括：
公共物镜组，所述公共物镜组被配置成收集来自所述图案形成装置的衍射束，其中所述公共物镜组还被配置成在所述预对准系统的物空间中产生远心度；
多路径传感阵列，所述多路径传感阵列包括至少一个图像透镜系统，其中所述至少一个图像透镜系统包括：
远心转换器透镜，所述远心转换器透镜被配置成在所述预对准系统的像空间中产生远心度；以及
用于所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器，其中所述检测器被配置成基于所述衍射束而产生预对准信号。
10.根据权利要求9所述的光刻设备，其中，所述远心转换器透镜包括单个光学透镜。
11.根据权利要求10所述的光刻设备，其中，所述远心转换器透镜包括玻璃、水晶或塑料。
12.根据权利要求10所述的光刻设备，其中，所述远心转换器透镜是通过数控切割被制造的，所述数控切割包括热空气射流切割、水射流切割和激光切割。
13.根据权利要求9所述的光刻设备，还包括：
光源，所述光源被配置成以倾斜角度照射所述图案形成装置。
14.根据权利要求9所述的光刻设备，还包括：
分束器，所述分束器被配置成将所述衍射束拆分成两个或更多个衍射子束。
15.根据权利要求14所述的光刻设备，其中，所述分束器位于所述公共物镜组与所述至少一个图像透镜系统之间。
16.根据权利要求9所述的光刻设备，其中，所述图案形成装置位于与所述公共物镜组相距多个工作距离的位置处，并且所述预对准系统被配置成使所述图案形成装置在所述至少一个图像透镜系统中的每个图像透镜系统的检测器处提供相同的放大率。
CN202080063621.8A 2019-09-09 2020-08-25 具有远心转换器的放大率恒定的多级光学装置 Pending CN114391125A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962897675P 2019-09-09 2019-09-09
US62/897,675 2019-09-09
PCT/EP2020/073778 WO2021047903A1 (en) 2019-09-09 2020-08-25 Invariable magnification multilevel optical device with telecentric converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114391125A true CN114391125A (zh) 2022-04-22

Family

ID=72322426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080063621.8A Pending CN114391125A (zh) 2019-09-09 2020-08-25 具有远心转换器的放大率恒定的多级光学装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11960216B2 (zh)
CN (1) CN114391125A (zh)
TW (1) TW202125127A (zh)
WO (1) WO2021047903A1 (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5754299A (en) * 1995-01-13 1998-05-19 Nikon Corporation Inspection apparatus and method for optical system, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and alignment apparatus and optical system thereof applicable to the exposure apparatus
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP4046961B2 (ja) 2001-09-03 2008-02-13 キヤノン株式会社 位置検出方法、位置検出装置、露光装置及び露光方法
US20050275841A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Asml Netherlands B.V. Alignment marker and lithographic apparatus and device manufacturing method using the same
US7511799B2 (en) 2006-01-27 2009-03-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method
JP2009031561A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Adtec Engineeng Co Ltd 投影露光装置及び分割露光方法
CN101963766B (zh) * 2009-07-23 2012-02-01 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻机的掩模预对准装置及方法
CN103681426B (zh) 2012-09-10 2016-09-28 上海微电子装备有限公司 大翘曲硅片预对准装置及方法
CN104345574B (zh) 2013-08-02 2018-01-26 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种基于位置传感器的光刻机掩模预对准系统
EP3926404A1 (en) 2014-12-24 2021-12-22 Nikon Corporation Measurement device and measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
CN108508713B (zh) 2017-02-28 2020-04-10 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种掩模传输预对准装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021047903A1 (en) 2021-03-18
TW202125127A (zh) 2021-07-01
US20240053688A1 (en) 2024-02-15
US11960216B2 (en) 2024-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230269858A1 (en) Systems and methods for laser-to-droplet alignment
KR102331099B1 (ko) 정렬 시스템에서 2 차원 정렬을 위한 정렬 마크
WO2023030832A1 (en) Metrology system, lithographic apparatus, and method
US11754935B2 (en) Lithographic patterning device multichannel position and level gauge
US11960216B2 (en) Invariable magnification multilevel optical device with telecentric converter
CN113557477B (zh) 光刻设备、量测设备、光学系统和方法
US11537055B2 (en) Lithographic apparatus, metrology apparatus, optical system and method
US20230266255A1 (en) Monolithic particle inspection device
US20230236519A1 (en) Lithographic pre-alignment imaging sensor with build-in coaxial illumination
US20240134289A1 (en) Operating a metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof
US20240231242A9 (en) Operating a metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof
WO2023016815A1 (en) Lithographic method to enhance illuminator transmission
WO2023285139A1 (en) Lithography system, substrate sag compensator, and method
CN117836722A (zh) 用于不均匀表面的补偿光学系统、量测系统、光刻设备及其方法
US20100178612A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN116134382A (zh) 用于衬底的多重曝光的光刻设备和方法
WO2022161795A1 (en) Fast uniformity drift correction
WO2022258371A1 (en) Intensity imbalance calibration on an overfilled bidirectional mark
WO2023247178A1 (en) Design for multiple off-axis illumination beams for wafer alignment sensor
JP2024525751A (ja) リソグラフィシステム、基板撓み補償器、および方法
TW202238214A (zh) 擴增實境(ar)輔助之粒子污染偵測
CN116762042A (zh) 快速均匀性漂移校正
CN117581161A (zh) 具有用于污染物检测和显微镜检查的相控阵列的量测系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination