JP2017524831A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 脆い物質から成るターゲットプレートとこのターゲットプレートに全面に亘って接合しているバッキングプレートとを含むターゲットであって、前記ターゲットプレートが前記バッキングプレートに面する接触面を有し、前記バッキングプレートが前記ターゲットプレートに面した接触面を有しているターゲットにおいて、前記ターゲットプレートが、前記ターゲットプレートの前面から背面に貫通して前記ターゲットプレートを互いに隣接する断片に分割するマイクロクラックを有することを特徴とするターゲット。
2. 前記ターゲットプレートがスパッタリングターゲットである請求項１に記載のターゲット。
3. 前記ターゲットプレートが少なくとも主要構成部としてセラミック材料を含んでなることを特徴とする請求項１又は２に記載のターゲット。
4. 前記ターゲットプレートの前記接触面と前記バッキングプレートの前記接触面との間にボンディングろう材が存在していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のターゲット。
5. 前記ターゲットプレートの前記断片の長さ及び幅が、平均で、そのターゲットプレートの厚さであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のターゲット。
6. 前記ボンディングろう材が４００℃を超える融点を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のターゲット。
7. 前記ターゲットプレートの熱膨張係数が前記バッキングプレートの熱膨張係数より大きいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のターゲット。
8. 前記ターゲットプレートの強度が前記バッキングプレートの強度より小さいことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のターゲット。
9. ターゲットの製造方法であって、以下のステップを有することを特徴とする方法：
   −ターゲットプレートの準備。
   −バッキングプレートの準備。
   −ターゲットプレート−バッキングプレート複合体を生じるためのろう付けによる、前記ターゲットプレートと前記バッキングプレートとの全面に亘る有効な接合、及び、このターゲットの冷却。
10. 前記ターゲットプレートがスパッタリングターゲットである請求項９に記載のターゲットの製造方法。
11. 前記ターゲットプレートが主要構成部として脆い物質を含んでなることを特徴とする請求項９又は１０に記載のターゲットの製造方法。
12. 前記ターゲットプレートと前記バッキングプレートとの全面に亘る有効な接合が４００℃〜１，０００℃の温度でのろう付けによって行なわれる請求項９〜１１のいずれか１項に記載のターゲットの製造方法。
13. 付加的に前記ターゲットの粒子ブラストステップを含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載のターゲット製造方法。
14. ４００℃を超える融点を有するろう材が使用されることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載のターゲット製造方法。
15. 前記ターゲットプレートの材料よりも小さい熱膨張係数を有する材料が前記バッキングプレート用に選ばれることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載のターゲット製造方法。
16. ターゲットのスパッタリングにより塗被されるべき基板の少なくとも１つの表面を塗被するためのスパッタリングターゲットとして、少なくとも１つのターゲットが使用される真空成膜法であって、
    −前記ターゲットは、前面と背面とを備えた材料Ａから成るスパッタリングすべきターゲットプレート、及び、前記ターゲットプレートに面する面を備えた材料Ｂから成るバッキングプレートを有し、前記ターゲットプレートに面する前記バッキングプレートの面は、材料Ｃを用いて、ターゲットプレートの背面と全面に亘って機械的に安定に接合されており、
    −前記材料Ａは、少なくとも大部分が１つ又は複数の脆い物質から成り、前記材料Ｂは少なくとも大部分が、材料Ａの脆い物質よりも大きい延性を有する１つ又は複数の物質から成り、
    −材料Ａの膨張係数は、材料Ｂの膨張係数より大きく、材料Ｂは、材料Ａよりも大きい延性及び／又は強度を有し、
    −前記ターゲットプレートは少なくとも室温において引張応力下にあり、その結果、ターゲットプレートの前面から背面へ貫通してターゲットプレートを互いに隣接する断片に分割するマイクロクラックが発生し、その結果、ターゲットプレートをスパッタリングするためのスパッタリング出力の適用中に、これらの断片の縁が互いにずれるので、マイクロクラックのないターゲットに比べてターゲットプレート内部に発生する応力がより少なく、これによって、ターゲットプレートが破壊されることなしにより高いスパッタリング出力を適用することができる、
    ことを特徴とする真空成膜法。
17. 前記材料Ａが実質的にＴｉＢ_２から成り、前記材料Ｂが実質的にＭｏから成り、前記バッキングプレートが前記ターゲットプレートに、ろう付けにより４００℃〜１，０００℃の温度で接合されることを特徴とする請求項１６に記載の真空成膜法。
18. 前記成膜がターゲットの高出力インパルスマグネトロンスパッタリングにより行なわれることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の真空成膜法。