JP2019502024A5 - - Google Patents

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  1. 脆い材料から成り亀裂(4)を有する成膜材料(2)と、
    前記成膜材料(2)の表面で前記成膜材料(2)に接合される支持部材(3)と
    を含有する物理気相成長プロセス用の成膜源(1)であって、前記成膜材料(2)が前記成膜材料(2)の表面の少なくとも一部に構造化物(5)を有することを特徴とする成膜源(1)。
  2. 前記亀裂(4)が、大部分、前記構造化物(5)に沿っている請求項1に記載の成膜源(1)。
  3. 前記亀裂(4)の全長の50%以上が前記構造化物(5)に沿っている請求項1又は2に記載の成膜源(1)。
  4. 前記構造化物(5)が前記支持部材(3)とは反対側の前記成膜材料(2)の表面に施されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  5. 前記構造化物(5)が平行線状の凹みの第1のグループと、前記平行線状の凹みの第1のグループに対し70°〜110°の角度に配置された平行線状の第2のグループとの配置から成る請求項1〜4のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  6. 前記成膜材料(2)の熱膨張係数αが前記支持部材(3)の熱膨張係数αよりも大きい請求項1〜5のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  7. 前記成膜材料(2)がTiB、SiC、BC、MoSiB又はCrSiBから成る請求項1〜6のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  8. 前記支持部材(3)がモリブデン、タングステン、タンタル、モリブデン基合金、タングステン基合金又はタンタル基合金料から成る請求項1〜7のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  9. 前記支持部材(3)のヤング率Eが300GPa以上である請求項1〜8のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  10. 前記成膜材料(2)の厚さdと、前記成膜材料(2)の厚さd及び前記支持部材(3)の厚さdの和(d+d)と、の比X=d/(d+d)が0.5を超える請求項1〜9のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  11. 前記成膜源がプレート状である請求項1〜10のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  12. 前記成膜源が管状である請求項1〜10のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
  13. 下記の工程を含む物理気相成長プロセス用成膜源(1)の製造方法。
    −脆い材料から成る成膜材料(2)を用意する工程、
    −前記成膜材料(2)を構造化して、前記成膜材料(2)の表面の少なくとも一部に構造化物(5)を作る工程、
    −支持部材(3)を用意する工程、
    −前記成膜材料(2)を前記支持部材(3)に接合する工程、及び
    −前記成膜材料(2)に亀裂(4)を導入する工程。
  14. 前記成膜材料(2)の前記構造化が浸蝕、ワイヤカッティング、研削又は分離切断により実行される請求項13に記載の方法。
  15. 前記成膜材料(2)の前記構造化が刻み目を付けられたプレス工具のプレスにより実行される請求項13に記載の方法。
  16. 前記構造化物が前記成膜材料(2)の表面上に導入され、
    前記構造化物が、前記支持部材(3)との接合後に、前記成膜材料(2)の、前記支持部材(3)とは反対側の、表面にあるようにされる請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。
  17. 前記成膜材料(2)と前記支持部材(3)との接合が400℃〜950℃の温度での硬ろう付けにより実行される請求項13〜16のいずれか1項に記載の方法。
  18. 前記亀裂(4)の導入が高められた温度からの冷却により行なわれる請求項13〜17のいずれか1項に記載の方法。
  19. 前記亀裂(4)の導入が硬ろう付けの温度からの冷却により行なわれる請求項17記載の方法。
  20. 以下の付加的な工程を含む請求項13〜19のいずれか1項に記載の方法。
    −成膜源の粒子ブラスト。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020115914B4 (de) 2020-06-17 2024-03-07 Sindlhauser Materials Gmbh Flächiges Sputtertarget
CN113930744B (zh) * 2021-09-29 2023-12-15 西北核技术研究所 一种具有高发射阈值的梯度涂层及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61291964A (ja) * 1985-06-17 1986-12-22 Anelva Corp スパツタ用樹脂タ−ゲツト
JPS62278261A (ja) * 1986-05-26 1987-12-03 Seiko Epson Corp スパツタ用タ−ゲツトの製造方法
JPS63216969A (ja) * 1987-03-05 1988-09-09 Daido Steel Co Ltd 加工方法
US5409517A (en) * 1990-05-15 1995-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target and method of manufacturing the same
JPH05214518A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材
JPH05230642A (ja) * 1992-02-21 1993-09-07 Nissin High Voltage Co Ltd スパッタ・ターゲット
JP3460506B2 (ja) * 1996-11-01 2003-10-27 三菱マテリアル株式会社 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
DE102004020404B4 (de) * 2004-04-23 2007-06-06 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Trägerplatte für Sputtertargets, Verfahren zu ihrer Herstellung und Einheit aus Trägerplatte und Sputtertarget
EP1851166A2 (en) * 2005-01-12 2007-11-07 New York University System and method for processing nanowires with holographic optical tweezers
JP5928237B2 (ja) * 2012-08-08 2016-06-01 住友金属鉱山株式会社 Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN104711525B (zh) * 2013-12-13 2018-01-26 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射靶及其制造方法
JP6567048B2 (ja) 2014-06-27 2019-08-28 プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー スパッタリングターゲット

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