JP2019502024A5 - - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims 27
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 2
- 229910016005 MoSiB Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910010055 TiB Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims 1
- 230000003628 erosive Effects 0.000 claims 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (20)
- 脆い材料から成り亀裂(4)を有する成膜材料(2)と、
前記成膜材料(2)の表面で前記成膜材料(2)に接合される支持部材(3)と
を含有する物理気相成長プロセス用の成膜源(1)であって、前記成膜材料(2)が前記成膜材料(2)の表面の少なくとも一部に構造化物(5)を有することを特徴とする成膜源(1)。 - 前記亀裂(4)が、大部分、前記構造化物(5)に沿っている請求項1に記載の成膜源(1)。
- 前記亀裂(4)の全長の50%以上が前記構造化物(5)に沿っている請求項1又は2に記載の成膜源(1)。
- 前記構造化物(5)が前記支持部材(3)とは反対側の前記成膜材料(2)の表面に施されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記構造化物(5)が平行線状の凹みの第1のグループと、前記平行線状の凹みの第1のグループに対し70°〜110°の角度に配置された平行線状の第2のグループとの配置から成る請求項1〜4のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記成膜材料(2)の熱膨張係数α2が前記支持部材(3)の熱膨張係数α3よりも大きい請求項1〜5のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記成膜材料(2)がTiB2、SiC、B4C、MoSiB又はCrSiBから成る請求項1〜6のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記支持部材(3)がモリブデン、タングステン、タンタル、モリブデン基合金、タングステン基合金又はタンタル基合金料から成る請求項1〜7のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記支持部材(3)のヤング率E3が300GPa以上である請求項1〜8のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記成膜材料(2)の厚さd2と、前記成膜材料(2)の厚さd2及び前記支持部材(3)の厚さd3の和(d2+d3)と、の比X=d2/(d2+d3)が0.5を超える請求項1〜9のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記成膜源がプレート状である請求項1〜10のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 前記成膜源が管状である請求項1〜10のいずれか1項に記載の成膜源(1)。
- 下記の工程を含む物理気相成長プロセス用成膜源(1)の製造方法。
−脆い材料から成る成膜材料(2)を用意する工程、
−前記成膜材料(2)を構造化して、前記成膜材料(2)の表面の少なくとも一部に構造化物(5)を作る工程、
−支持部材(3)を用意する工程、
−前記成膜材料(2)を前記支持部材(3)に接合する工程、及び
−前記成膜材料(2)に亀裂(4)を導入する工程。 - 前記成膜材料(2)の前記構造化が浸蝕、ワイヤカッティング、研削又は分離切断により実行される請求項13に記載の方法。
- 前記成膜材料(2)の前記構造化が刻み目を付けられたプレス工具のプレスにより実行される請求項13に記載の方法。
- 前記構造化物が前記成膜材料(2)の表面上に導入され、
前記構造化物が、前記支持部材(3)との接合後に、前記成膜材料(2)の、前記支持部材(3)とは反対側の、表面にあるようにされる請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。 - 前記成膜材料(2)と前記支持部材(3)との接合が400℃〜950℃の温度での硬ろう付けにより実行される請求項13〜16のいずれか1項に記載の方法。
- 前記亀裂(4)の導入が高められた温度からの冷却により行なわれる請求項13〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記亀裂(4)の導入が硬ろう付けの温度からの冷却により行なわれる請求項17記載の方法。
- 以下の付加的な工程を含む請求項13〜19のいずれか1項に記載の方法。
−成膜源の粒子ブラスト。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATGM371/2015U AT15050U1 (de) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | Beschichtungsquelle mit Strukturierung |
ATGM371/2015 | 2015-12-18 | ||
PCT/EP2016/002059 WO2017102069A1 (de) | 2015-12-18 | 2016-12-07 | Beschichtungsquelle mit strukturierung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019502024A JP2019502024A (ja) | 2019-01-24 |
JP2019502024A5 true JP2019502024A5 (ja) | 2019-12-12 |
JP7023844B2 JP7023844B2 (ja) | 2022-02-22 |
Family
ID=57227207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018531419A Active JP7023844B2 (ja) | 2015-12-18 | 2016-12-07 | 構造化物を有する成膜源 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190003036A1 (ja) |
EP (1) | EP3390684B1 (ja) |
JP (1) | JP7023844B2 (ja) |
KR (1) | KR102657632B1 (ja) |
CN (1) | CN108391438B (ja) |
AT (1) | AT15050U1 (ja) |
TW (1) | TWI711710B (ja) |
WO (1) | WO2017102069A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102020115914B4 (de) | 2020-06-17 | 2024-03-07 | Sindlhauser Materials Gmbh | Flächiges Sputtertarget |
CN113930744B (zh) * | 2021-09-29 | 2023-12-15 | 西北核技术研究所 | 一种具有高发射阈值的梯度涂层及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61291964A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-22 | Anelva Corp | スパツタ用樹脂タ−ゲツト |
JPS62278261A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Seiko Epson Corp | スパツタ用タ−ゲツトの製造方法 |
JPS63216969A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Daido Steel Co Ltd | 加工方法 |
US5409517A (en) * | 1990-05-15 | 1995-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and method of manufacturing the same |
JPH05214518A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材 |
JPH05230642A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-07 | Nissin High Voltage Co Ltd | スパッタ・ターゲット |
JP3460506B2 (ja) * | 1996-11-01 | 2003-10-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
DE102004020404B4 (de) * | 2004-04-23 | 2007-06-06 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Trägerplatte für Sputtertargets, Verfahren zu ihrer Herstellung und Einheit aus Trägerplatte und Sputtertarget |
EP1851166A2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-11-07 | New York University | System and method for processing nanowires with holographic optical tweezers |
JP5928237B2 (ja) * | 2012-08-08 | 2016-06-01 | 住友金属鉱山株式会社 | Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN104711525B (zh) * | 2013-12-13 | 2018-01-26 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
JP6567048B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-08-28 | プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー | スパッタリングターゲット |
-
2015
- 2015-12-18 AT ATGM371/2015U patent/AT15050U1/de unknown
-
2016
- 2016-10-24 TW TW105134281A patent/TWI711710B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-12-07 WO PCT/EP2016/002059 patent/WO2017102069A1/de active Application Filing
- 2016-12-07 EP EP16819815.8A patent/EP3390684B1/de active Active
- 2016-12-07 KR KR1020187017106A patent/KR102657632B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-07 JP JP2018531419A patent/JP7023844B2/ja active Active
- 2016-12-07 US US16/061,688 patent/US20190003036A1/en not_active Abandoned
- 2016-12-07 CN CN201680074480.3A patent/CN108391438B/zh active Active
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