JPS62278261A - スパツタ用タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents
スパツタ用タ−ゲツトの製造方法Info
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- JPS62278261A JPS62278261A JP12055286A JP12055286A JPS62278261A JP S62278261 A JPS62278261 A JP S62278261A JP 12055286 A JP12055286 A JP 12055286A JP 12055286 A JP12055286 A JP 12055286A JP S62278261 A JPS62278261 A JP S62278261A
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- Japan
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- target
- sputtering
- cracks
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- crack
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタ用ターゲットの製造方法に関する。
従来、記録媒体用薄膜の製造方法として、スパッタリン
グが多く用いられてきている。これらの記録媒体におい
て、例えば光磁気記録媒体に見られるように（例えば特
開昭５７−９４９４８）多元素の金属組成から成り立つ
ものが多く、従ってスパッタリング用ターゲットも多元
素金属を含まなければならないものが多い、ところで、
このように多元素金属にて合金を作る場合、金属間化合
物を成し、非常に脆くなる場合が多い。従って、スパッ
タリング用ターゲツト材には、このように脆い材料が多
く使われるようになってきた。
グが多く用いられてきている。これらの記録媒体におい
て、例えば光磁気記録媒体に見られるように（例えば特
開昭５７−９４９４８）多元素の金属組成から成り立つ
ものが多く、従ってスパッタリング用ターゲットも多元
素金属を含まなければならないものが多い、ところで、
このように多元素金属にて合金を作る場合、金属間化合
物を成し、非常に脆くなる場合が多い。従って、スパッ
タリング用ターゲツト材には、このように脆い材料が多
く使われるようになってきた。
脆い材料を用いたスパックリング用クーゲットにてスパ
ッタした場合、熱膨張により生じる応力の影響でターゲ
ットが割れる場合がある。このようにターゲットが割れ
た瞬間プラズマが不安定になり、付着速度にむらができ
たり、組成ずれが起き生成膜は、仕様を満たさない膜が
成形されてしまうという問題点を有する。しかしこのよ
うなプラズマの不安定な状態は長く続かず、ある時間が
経過すると、安定な状態に落ちつく。
ッタした場合、熱膨張により生じる応力の影響でターゲ
ットが割れる場合がある。このようにターゲットが割れ
た瞬間プラズマが不安定になり、付着速度にむらができ
たり、組成ずれが起き生成膜は、仕様を満たさない膜が
成形されてしまうという問題点を有する。しかしこのよ
うなプラズマの不安定な状態は長く続かず、ある時間が
経過すると、安定な状態に落ちつく。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、スパンタリング時にターゲット
が割れることを防ぐところにある。
の目的とするところは、スパンタリング時にターゲット
が割れることを防ぐところにある。
本発明のスパック用ターゲットの製造方法は、スパック
用ターゲットをバッキングプレートにボンディングした
後スパッタリング時にかかる以上の熱衝撃を加え、ター
ゲットにひび割れを入れることを特徴とする。
用ターゲットをバッキングプレートにボンディングした
後スパッタリング時にかかる以上の熱衝撃を加え、ター
ゲットにひび割れを入れることを特徴とする。
本発明の製造法のように、ボンディング済のターゲット
に熱ショックを加えると、熱応力によりひび割れが入る
。このひび割れの程度は、その熱衝撃が大きいほど、大
きい。従って予めスパッタリング時にかかる以上の熱衝
撃を加えてひび割れを成したスパッタ用クーゲットを用
い、スパッタリングを行なった場合、新たにひび割れが
形成されることはない、従ってこのようなターゲットを
用いると、スパッタリング時にプラズマが不安定となる
ことはない。
に熱ショックを加えると、熱応力によりひび割れが入る
。このひび割れの程度は、その熱衝撃が大きいほど、大
きい。従って予めスパッタリング時にかかる以上の熱衝
撃を加えてひび割れを成したスパッタ用クーゲットを用
い、スパッタリングを行なった場合、新たにひび割れが
形成されることはない、従ってこのようなターゲットを
用いると、スパッタリング時にプラズマが不安定となる
ことはない。
以下に、本発明の実施例を示す。本実施例に用いたター
ゲットは、（Ｎ ｄｏ、ｚａ Ｄ ｙｏ、ｔｉ） ｉ
ｓ （Ｆｅ ６．４ｓ ＣＯ６，３ｓ） ７Ｓに示され
る組成を持つ４インチの円形の光磁気記録媒体用ターゲ
７）であり、鋳造で作られており、その靭性は低い、こ
れをＩｎ系合金を用いて、銅製バンキングプレートにボ
ンディングした後、約６０’Ｃに加熱し、その後にター
ゲツト材表面に液体窒素をかけ熱衝撃を与える。その結
果図１の様にターゲットにひび割れが入った。しかしボ
ンディング済であるために、ひび割れのすき間はほとん
どなく、また、小片が剥離することもなかった。熱シラ
ツクの与え方としては、ヒーターによる加熱等も考えら
れるが、ボンディング材として低融点ハンダであるＩｎ
系合金（融点１５７°Ｃ以下）を使用していること、ま
たターゲツト材は、酸化しやすいこと等を考慮すると、
あまり高温にすることはできず、効果が小さいと考えら
れる。従って冷却による熱ショックを選択した。但し本
実施例に当っては、より冷却による熱ｊｉ馨を大きくす
るために、上述の障害の出ない温度範囲でターゲットを
加熱した。
ゲットは、（Ｎ ｄｏ、ｚａ Ｄ ｙｏ、ｔｉ） ｉ
ｓ （Ｆｅ ６．４ｓ ＣＯ６，３ｓ） ７Ｓに示され
る組成を持つ４インチの円形の光磁気記録媒体用ターゲ
７）であり、鋳造で作られており、その靭性は低い、こ
れをＩｎ系合金を用いて、銅製バンキングプレートにボ
ンディングした後、約６０’Ｃに加熱し、その後にター
ゲツト材表面に液体窒素をかけ熱衝撃を与える。その結
果図１の様にターゲットにひび割れが入った。しかしボ
ンディング済であるために、ひび割れのすき間はほとん
どなく、また、小片が剥離することもなかった。熱シラ
ツクの与え方としては、ヒーターによる加熱等も考えら
れるが、ボンディング材として低融点ハンダであるＩｎ
系合金（融点１５７°Ｃ以下）を使用していること、ま
たターゲツト材は、酸化しやすいこと等を考慮すると、
あまり高温にすることはできず、効果が小さいと考えら
れる。従って冷却による熱ショックを選択した。但し本
実施例に当っては、より冷却による熱ｊｉ馨を大きくす
るために、上述の障害の出ない温度範囲でターゲットを
加熱した。
上記実施例により処理したスパッタリング用ターゲット
を未処理のターゲットと比較するために、スパッタリン
グ装置を装着し成膜を行ない、その膜特性による評価を
行なった。
を未処理のターゲットと比較するために、スパッタリン
グ装置を装着し成膜を行ない、その膜特性による評価を
行なった。
媒体は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、プラスチ
ックディスクに成膜した。アルゴン圧２Ｘ １０−’Ｔ
ｏ ｒ ｒ、印加電圧３００■、印加電流０．５Ａで行
なった。
ックディスクに成膜した。アルゴン圧２Ｘ １０−’Ｔ
ｏ ｒ ｒ、印加電圧３００■、印加電流０．５Ａで行
なった。
未処理のターゲットを用いたときは、電圧が２５０ｖ〜
３５０Ｖのあいだで液加し不安定であり、成膜されたデ
ィスクの動特性を調査したところピントエラーレートが
１０４であった。実施例を施したターゲットを用いた場
合、電圧は安定し３００ｖでほぼ一定値を示しており、
成膜されたディスクのピントエラーレートが１０−Ｓと
なり性能が向上した。
３５０Ｖのあいだで液加し不安定であり、成膜されたデ
ィスクの動特性を調査したところピントエラーレートが
１０４であった。実施例を施したターゲットを用いた場
合、電圧は安定し３００ｖでほぼ一定値を示しており、
成膜されたディスクのピントエラーレートが１０−Ｓと
なり性能が向上した。
以上述べたように、スパック用ターゲットをバンキング
プレートにボンディングした後スパッタリング時にかか
る以上の熱衝撃を加え、ターゲットにひび割れを入れる
ことにより、スパッタリング時にターゲットが割れるこ
とを防ぎ、成膜が仕様どおりにできるという効果を有す
る。
プレートにボンディングした後スパッタリング時にかか
る以上の熱衝撃を加え、ターゲットにひび割れを入れる
ことにより、スパッタリング時にターゲットが割れるこ
とを防ぎ、成膜が仕様どおりにできるという効果を有す
る。
第１図は、本発明によりひび割れを生じたターゲットを
示す図である。 １・・・・・・ターゲット ２・・・・・・バンキングプレート ３・・・・・・ターゲット上のひび 以 上
示す図である。 １・・・・・・ターゲット ２・・・・・・バンキングプレート ３・・・・・・ターゲット上のひび 以 上
Claims (1)
- スパッタ用ターゲットをバッキングプレートにボンディ
ングした後スパッタリング時にかかる以上の熱衝撃を加
え、ターゲットにひび割れを入れることを特徴とするス
パッタ用ターゲットの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12055286A JPS62278261A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | スパツタ用タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12055286A JPS62278261A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | スパツタ用タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278261A true JPS62278261A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14789131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12055286A Pending JPS62278261A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | スパツタ用タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278261A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015197196A1 (de) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
| WO2017102069A1 (de) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Plansee Composite Materials Gmbh | Beschichtungsquelle mit strukturierung |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP12055286A patent/JPS62278261A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015197196A1 (de) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
| KR20170017936A (ko) * | 2014-06-27 | 2017-02-15 | 플란제 콤포지트 마테리얼스 게엠베하 | 스퍼터링 타겟 |
| CN106471151A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-03-01 | 攀时复合材料有限公司 | 溅镀靶 |
| JP2017524831A (ja) * | 2014-06-27 | 2017-08-31 | プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー | スパッタリングターゲット |
| US10109468B2 (en) | 2014-06-27 | 2018-10-23 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
| RU2696910C2 (ru) * | 2014-06-27 | 2019-08-07 | Планзее Композит Материалс Гмбх | Распыляемая мишень |
| WO2017102069A1 (de) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Plansee Composite Materials Gmbh | Beschichtungsquelle mit strukturierung |
| CN108391438A (zh) * | 2015-12-18 | 2018-08-10 | 普兰西复合材料有限公司 | 结构化涂层源 |
| KR20180094910A (ko) * | 2015-12-18 | 2018-08-24 | 플란제 콤포지트 마테리얼스 게엠베하 | 구조부를 갖는 코팅 소스 |
| CN108391438B (zh) * | 2015-12-18 | 2020-04-14 | 普兰西复合材料有限公司 | 结构化涂层源 |
| TWI711710B (zh) * | 2015-12-18 | 2020-12-01 | 德商攀時組成物質有限公司 | 結構化披覆源 |
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