JP2017524831A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
−好適には主要構成部として脆い物質を含んでいる、ターゲットプレートの準備。
−バッキングプレートの準備。
−ターゲットプレート−バッキングプレート複合体を生じるための、好適には400℃〜1,000℃の温度でのろう付けによるターゲットプレートとバッキングプレートとの全面に亘る有効な接合(Wirkverbindungen)及びターゲットの冷却。
−より小さい熱膨張係数
−より大きい強度(降伏強度ないし0.2%の伸び限界ないし引張強度)
−より大きいヤング率
−より大きい熱伝導率
−ターゲットプレート上の均質な温度分布を可能にするための、ボンディング材料(ボンディングろう材)の面全体に亘る濡れ。もし、面全体にわたる濡れが達成されていない場合には、ターゲットプレートからバッキングプレートへの熱伝達が制限されるので、スパッタリングターゲットが強く加熱され、その結果、ボンディングろう材も高温に達する。ボンディングろう材の融点を超えると、ターゲットプレートのバッキングプレートからの完全な分離が生じる。不均質な温度分布の場合には、熱的に誘起された機械的な応力が発生し、これはターゲットプレートの破断を導きかねない(この場合、破断した破片の剥離による故障)。
−ボンディング材料の良好な熱伝導性。
−高い接着力。
−高いスパッタリング出力密度を適用可能とするための、ボンディング材料の高い融点。
1.インジウムボンディング:
利点:非常に容易に使用可能。インジウムボンディングろう材の大きい熱伝導性。
欠点:インジウムの融点が156℃であるので、スパッタリングプロセスにおいて低い出力密度しか適用できない。
2.AgSn(銀−錫 ろう材)ボンディング:
利点:インジウムよりも幾分高い、即ち、220℃の融点。
欠点:適用がより困難、濡れ及び面全体への適用がより困難。場合によっては、より高コストの「ナノフォイル(Nanofoil)」プロセスの適用。より小さい熱伝導性。
3.電気伝導性及び熱伝導性を有する接着剤の使用による接着。
利点:より高い温度耐性。
欠点:低熱伝導性、これによる、スパッタリングプロセスにおけるターゲットの高温。このことにより、接着剤の熱安定性が或る特定の温度に制限されている場合に、接合の破損。
−前記ターゲットは、前面と背面とを備えた材料Aから成るスパッタリングすべきターゲットプレート、及び、前記ターゲットプレートに面する面を備えた材料Bから成るバッキングプレートを有し、前記ターゲットプレートに面する前記バッキングプレートの面は、材料Cを用いて、ターゲットプレートの背面と全面に亘って機械的に安定に接合されており、
−前記材料Aは、少なくとも大部分が1つ又は複数の脆い物質から成り、前記材料Bは少なくとも大部分が、材料Aの脆い物質よりも大きい延性を有する1つ又は複数の物質から成り、
−材料Aの膨張係数は、材料Bの膨張係数より大きく、材料Bは、材料Aよりも大きい延性及び/又は強度を有し、
−前記ターゲットプレートは少なくとも室温において引張応力下にあり、その結果、ターゲットプレートの前面から背面へ貫通してターゲットプレートを互いに隣接する断片に分割するマイクロクラックが発生し、その結果、ターゲットプレートをスパッタリングするためのスパッタリング出力の適用中に、これらの断片の縁が互いにずれるので、マイクロクラックのないターゲットに比べてターゲットプレート内部に発生する応力がより少なく、これによって、ターゲットプレートが破壊されることなしにより高いスパッタリング出力を適用することができる。
2 ボンディングろう材
3 脆い、特にセラミックの、ターゲットプレート
2a バッキングプレートの接触面
3a ターゲットプレートの接触面
Claims (14)
- 脆い物質から成るターゲットプレートとこのターゲットプレートに全面に亘って接合しているバッキングプレートとを含むターゲット、特にスパッタリングターゲット、であって、前記ターゲットプレートが前記バッキングプレートに面する接触面を有し、前記バッキングプレートが前記ターゲットプレートに面した接触面を有しているターゲットにおいて、前記ターゲットプレートが、前記ターゲットプレートの前面から背面に貫通して前記ターゲットプレートを互いに隣接する断片に分割するマイクロクラックを有することを特徴とするターゲット。
- 前記ターゲットプレートが少なくとも主要構成部としてセラミック材料を含んでなることを特徴とする請求項1に記載のターゲット。
- 前記ターゲットプレートの前記接触面と前記バッキングプレートの前記接触面との間にボンディングろう材が存在していることを特徴とする請求項1又は2に記載のターゲット。
- 前記ターゲットプレートの前記断片の長さ及び幅が、平均で、ほぼ、そのターゲットプレートの厚さであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のターゲット。
- 前記ボンディングろう材が400℃を超える融点を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のターゲット。
- 前記ターゲットプレートの熱膨張係数が前記バッキングプレートの熱膨張係数より大きいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のターゲット。
- 前記ターゲットプレートの強度が前記バッキングプレートの強度より小さいことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のターゲット。
- ターゲット、特にスパッタリングターゲット、の製造方法であって、以下のステップを有することを特徴とする方法:
−好適には、主要構成部として脆い物質を含んでなるターゲットプレートの準備。
−バッキングプレートの準備。
−ターゲットプレート−バッキングプレート複合体を生じるための、好適には400℃〜1,000℃の温度でのろう付けによる、前記ターゲットプレートと前記バッキングプレートとの全面に亘る有効な接合、及び、このターゲットの冷却。 - 付加的に次のステップ、即ち、前記ターゲットの粒子ブラスト、を含むことを特徴とする請求項8に記載のターゲット製造方法。
- 400℃を超える融点を有するろう材が使用されることを特徴とする請求項8又は9に記載のターゲット製造方法。
- 前記ターゲットプレートの材料よりも小さい熱膨張係数を有する材料が前記バッキングプレート用に選ばれることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1項に記載のターゲット製造方法。
- ターゲットのスパッタリングにより塗被されるべき基板の少なくとも1つの表面を塗被するためのスパッタリングターゲットとして、少なくとも1つのターゲットが使用される真空成膜法であって、
−前記ターゲットは、前面と背面とを備えた材料Aから成るスパッタリングすべきターゲットプレート、及び、前記ターゲットプレートに面する面を備えた材料Bから成るバッキングプレートを有し、前記ターゲットプレートに面する前記バッキングプレートの面は、材料Cを用いて、ターゲットプレートの背面と全面に亘って機械的に安定に接合されており、
−前記材料Aは、少なくとも大部分が1つ又は複数の脆い物質から成り、前記材料Bは少なくとも大部分が、材料Aの脆い物質よりも大きい延性を有する1つ又は複数の物質から成り、
−材料Aの膨張係数は、材料Bの膨張係数より大きく、材料Bは、材料Aよりも大きい延性及び/又は強度を有し、
−前記ターゲットプレートは少なくとも室温において引張応力下にあり、その結果、ターゲットプレートの前面から背面へ貫通してターゲットプレートを互いに隣接する断片に分割するマイクロクラックが発生し、その結果、ターゲットプレートをスパッタリングするためのスパッタリング出力の適用中に、これらの断片の縁が互いにずれるので、マイクロクラックのないターゲットに比べてターゲットプレート内部に発生する応力がより少なく、これによって、ターゲットプレートが破壊されることなしにより高いスパッタリング出力を適用することができる、
ことを特徴とする真空成膜法。 - 前記材料Aが実質的にTiB2から成り、前記材料Bが実質的にMoから成り、前記バッキングプレートが前記ターゲットプレートに、ろう付けにより400℃〜1,000℃の温度で接合されることを特徴とする請求項12に記載の真空成膜法。
- 前記成膜がターゲットの高出力インパルスマグネトロンスパッタリングにより行なわれることを特徴とする請求項12又は13に記載の真空成膜法。
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