JPS63241167A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS63241167A JPS63241167A JP7674087A JP7674087A JPS63241167A JP S63241167 A JPS63241167 A JP S63241167A JP 7674087 A JP7674087 A JP 7674087A JP 7674087 A JP7674087 A JP 7674087A JP S63241167 A JPS63241167 A JP S63241167A
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- JP
- Japan
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- target
- sputtering
- columnar crystal
- peeling
- backing plate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタリング用ターゲットの組織陶造に関
する。
する。
近年、スパッタリング法を用い作成する薄暎は。
多元素系のものが多くなＶ、従ってスノ（ツタリングに
用いるスパッタリング用ターゲットもその組成が多元素
系となってきた。例えば、光田気記録媒体としては、希
土類−遷移金属系合金が多く提案されている。このよう
な合金においては各元素は、金属間化合物を成し非常に
脆くなることが多い、従がってそれを、等方的な鮪造法
にて屹Ｊ造。
用いるスパッタリング用ターゲットもその組成が多元素
系となってきた。例えば、光田気記録媒体としては、希
土類−遷移金属系合金が多く提案されている。このよう
な合金においては各元素は、金属間化合物を成し非常に
脆くなることが多い、従がってそれを、等方的な鮪造法
にて屹Ｊ造。
加工してターゲットを形成した場合、スパッタリング時
の熱歪等によりターゲットが割れ鋳造組織が等方的であ
るため剥＃Ｉを起こす場合かめる。ターゲットに入った
割れは、そのターゲットの物性、スパッタリング方法に
もよるが、成映特性に対し影響は少ない、それに対して
ターゲットの剥離は第２図の断面図に示す如く、ターゲ
ット厚さの減少を意味し、ターゲットの使用寿命が激減
し、ターゲット表面形状の変化も割れに対して大きいた
め、成膜特注に対しても大きな影＋１Ｉ１１（ｉ−与え
る１図２中、２０１はターゲツト材％２０２は剥離片、
２０３はボンディング層、２０４はバッキンググレート
。
の熱歪等によりターゲットが割れ鋳造組織が等方的であ
るため剥＃Ｉを起こす場合かめる。ターゲットに入った
割れは、そのターゲットの物性、スパッタリング方法に
もよるが、成映特性に対し影響は少ない、それに対して
ターゲットの剥離は第２図の断面図に示す如く、ターゲ
ット厚さの減少を意味し、ターゲットの使用寿命が激減
し、ターゲット表面形状の変化も割れに対して大きいた
め、成膜特注に対しても大きな影＋１Ｉ１１（ｉ−与え
る１図２中、２０１はターゲツト材％２０２は剥離片、
２０３はボンディング層、２０４はバッキンググレート
。
このような割れ、剥離を防ぐために、従米焼結ターゲッ
トが使われていた。焼結ターゲットは。
トが使われていた。焼結ターゲットは。
構成組織の微細化、靭性の強い物質相での粉末の結合、
粉末間隙による熱歪の緩和等の原因によフ。
粉末間隙による熱歪の緩和等の原因によフ。
スパッタリング時のひび割れ、剥離が少ない。
しかし前述の焼結法により作製したターゲットは、鋳偕
法によシ作裂したそれに比し非常に酸素含有量が増大す
る。酸素含有量増大は、成膜特性の劣下音引き起こし、
特に光磁気記録用媒体にと・ りては、致命的な欠陥と
なる。
法によシ作裂したそれに比し非常に酸素含有量が増大す
る。酸素含有量増大は、成膜特性の劣下音引き起こし、
特に光磁気記録用媒体にと・ りては、致命的な欠陥と
なる。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、スパッタリング時にターゲッ
トの本体よりターゲット小片の剥離の起こらなくかつ成
膜性能の良好なターゲットを提供するところにある。
その目的とするところは、スパッタリング時にターゲッ
トの本体よりターゲット小片の剥離の起こらなくかつ成
膜性能の良好なターゲットを提供するところにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明のスパッタリング用ターゲットは少なくトモエロ
ージョン進行部のターゲットの組織が柱状晶であること
を特徴とする。
ージョン進行部のターゲットの組織が柱状晶であること
を特徴とする。
本発明の上記の溝底によれば、スパッタリング以前の何
らかの熱ショクかまたは、スパッタリング時の熱ショク
によりスパッタリングターゲットにひび割れが入った時
、そのひび割れ方向はバッキンググレート面に対して垂
直である。従って何本かのひび割れによってターゲット
の大部分と分離したターゲットの小片は、それ自体がバ
ッキンググレートとは、ボンディング層を介して接着し
ている。従って、上述のターゲット小片は、バッキング
グレートより剥離しない。
らかの熱ショクかまたは、スパッタリング時の熱ショク
によりスパッタリングターゲットにひび割れが入った時
、そのひび割れ方向はバッキンググレート面に対して垂
直である。従って何本かのひび割れによってターゲット
の大部分と分離したターゲットの小片は、それ自体がバ
ッキンググレートとは、ボンディング層を介して接着し
ている。従って、上述のターゲット小片は、バッキング
グレートより剥離しない。
本実施列にあたっては１組成比が浮子比率で、Ｄｙ８゜
”４７７１ｍ の光磁気用合金をスパッタリングター
ゲットとして作成した。前記合金を冷却方向に異方性の
ある金型を用い鋳造を行ない、鋳造した合金を柱状晶組
織とした。この合金をその柱状晶の柱状方向でターゲッ
ト平面との角度が９００ ＜垂１ｊｉ）、６０’、４０
°、３０’、０°（平行）の５水準となるように、ター
ゲットを切り出し４インチ円形ターゲットとした。上述
の角度ｒｉ、金属顕微鏡にょる組織観察によフ測定した
。前記５水準のターゲットをバッキングプレートにボン
ディングを行ない、ＤＣスパッタリングにて＊ａｘｈ、
電圧ａｏｏｖ、アルゴン圧１ ｍ Ｔ ｏデデの条件下
にてスパッタリングを行なった。
”４７７１ｍ の光磁気用合金をスパッタリングター
ゲットとして作成した。前記合金を冷却方向に異方性の
ある金型を用い鋳造を行ない、鋳造した合金を柱状晶組
織とした。この合金をその柱状晶の柱状方向でターゲッ
ト平面との角度が９００ ＜垂１ｊｉ）、６０’、４０
°、３０’、０°（平行）の５水準となるように、ター
ゲットを切り出し４インチ円形ターゲットとした。上述
の角度ｒｉ、金属顕微鏡にょる組織観察によフ測定した
。前記５水準のターゲットをバッキングプレートにボン
ディングを行ない、ＤＣスパッタリングにて＊ａｘｈ、
電圧ａｏｏｖ、アルゴン圧１ ｍ Ｔ ｏデデの条件下
にてスパッタリングを行なった。
第１表に、５水準の角度金持ったそれぞれのり、−ゲッ
トのスパッタリング後の割れ剥離状態ヲ示す１表中１割
れ、剥離のあったものｌｘ、割れ剥３Ｆ＆のなかったも
のを○の記号で示す。
トのスパッタリング後の割れ剥離状態ヲ示す１表中１割
れ、剥離のあったものｌｘ、割れ剥３Ｆ＆のなかったも
のを○の記号で示す。
第−表
第一表より割れはいずれもあるが剥離は ｇ０９．。
４０’までの柱状晶の角度ではない。
第１図に本実施列のうち割れだけあって剥離のなかった
ターゲットの正面（α）及び断面（６）図を示す。
ターゲットの正面（α）及び断面（６）図を示す。
図中１０２は、ターゲットの大部分１０１から分離した
ターゲット小片部であるが、小母部はバッキングプレー
ト１０４とボンディング層１０３ｔ−介してボンディン
グされているため、バッキングプレートより剥離しない
、−）の点線に沿い（６）断面図を作成した。なお、本
実ｍ例は、ターゲットを鋳造法にて作成したが、一方向
凝固にて柱状組織′ｆｔ作成しても同等な効果が得られ
る。
ターゲット小片部であるが、小母部はバッキングプレー
ト１０４とボンディング層１０３ｔ−介してボンディン
グされているため、バッキングプレートより剥離しない
、−）の点線に沿い（６）断面図を作成した。なお、本
実ｍ例は、ターゲットを鋳造法にて作成したが、一方向
凝固にて柱状組織′ｆｔ作成しても同等な効果が得られ
る。
以上述べたように発明によれば。
α）少なくともエロージョン進行部のターゲットの組織
が柱状晶であることを特徴とし。
が柱状晶であることを特徴とし。
（２）上記の柱状晶組織の成長方向がバッキングプレー
ト平面に対して、４０°〜９０°の角度をなすことを特
徴とする、スパッタリングターゲットを使用することに
より、スパッタリング時にスパッタリングターゲット小
片がバッキングプレートより剥離を起こさない、また本
ターゲットは。
ト平面に対して、４０°〜９０°の角度をなすことを特
徴とする、スパッタリングターゲットを使用することに
より、スパッタリング時にスパッタリングターゲット小
片がバッキングプレートより剥離を起こさない、また本
ターゲットは。
焼結法で作成してないため、含有酸素量は少なく、成膜
ｑ！ｉ性は損われない。
ｑ！ｉ性は損われない。
第１μ）（ｂ）は１本発明の一実施１３１４を示すスパ
ッタリングターゲットの主要正面及び断面図。 第２図は、従来のターゲットの剥離の状預ヲ示す主要断
面図。 以 上 出ｍ人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最 上 務他１名 、１．。 第１ 図 ２図
ッタリングターゲットの主要正面及び断面図。 第２図は、従来のターゲットの剥離の状預ヲ示す主要断
面図。 以 上 出ｍ人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最 上 務他１名 、１．。 第１ 図 ２図
Claims (2)
- （１）少なくともエロージヨン進行部のターゲットの組
織が柱状晶であることを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲット。 - （２）上記の柱状晶組織の成長方向がパッキングプレー
ト平面に対して４０°〜９０°の角度をなすことを特徴
とする特許請求の第１項記載のスパッタリング用ターゲ
ット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7674087A JPS63241167A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7674087A JPS63241167A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241167A true JPS63241167A (ja) | 1988-10-06 |
Family
ID=13613997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7674087A Pending JPS63241167A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63241167A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012108074A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
| WO2015197196A1 (de) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244013A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-03 | Sony Corp | 磁性材料の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7674087A patent/JPS63241167A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244013A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-03 | Sony Corp | 磁性材料の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012108074A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
| JP2012162792A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | インジウムターゲット及びその製造方法 |
| WO2015197196A1 (de) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
| CN106471151A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-03-01 | 攀时复合材料有限公司 | 溅镀靶 |
| JP2017524831A (ja) * | 2014-06-27 | 2017-08-31 | プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー | スパッタリングターゲット |
| US10109468B2 (en) | 2014-06-27 | 2018-10-23 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
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