JPH02138463A - スパッタリング用ターゲット材 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット材Info
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- JPH02138463A JPH02138463A JP28783188A JP28783188A JPH02138463A JP H02138463 A JPH02138463 A JP H02138463A JP 28783188 A JP28783188 A JP 28783188A JP 28783188 A JP28783188 A JP 28783188A JP H02138463 A JPH02138463 A JP H02138463A
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- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 64
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 28
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- -1 platinum group metals Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 16
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000010299 mechanically pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録媒体として用いられる希土類金属
−鉄族金属ターゲット材に関し、特に耐食性の改善を目
的とするものである。
−鉄族金属ターゲット材に関し、特に耐食性の改善を目
的とするものである。
最近、ガラスあるいは樹脂基板上にスパッタリング法を
用いて所望組成の希土類金属(Tb、Gd、Dy、Nd
、S齢、Ho等)−鉄族金属(Fe、Co、Ni *
)系の薄膜を形成し、これを磁気記録媒体として用いた
置き換え可能で高密度記録が可能な光磁気ディスクの開
発が行なわれている。しかし、希土類金属−鉄族金属合
4rMは耐食性が悪いため、光磁気ディスクを一般環境
下で長時間使用した場合の信頼性に欠けるという問題が
あった。このため、薄膜媒体の上にit候性向上を目的
としてAINやSiOなどの保5I膜などの保護膜を形
成したり、合金膜自体の耐食性向上を目的として種々の
元素の添加が行なわれてきた。
用いて所望組成の希土類金属(Tb、Gd、Dy、Nd
、S齢、Ho等)−鉄族金属(Fe、Co、Ni *
)系の薄膜を形成し、これを磁気記録媒体として用いた
置き換え可能で高密度記録が可能な光磁気ディスクの開
発が行なわれている。しかし、希土類金属−鉄族金属合
4rMは耐食性が悪いため、光磁気ディスクを一般環境
下で長時間使用した場合の信頼性に欠けるという問題が
あった。このため、薄膜媒体の上にit候性向上を目的
としてAINやSiOなどの保5I膜などの保護膜を形
成したり、合金膜自体の耐食性向上を目的として種々の
元素の添加が行なわれてきた。
光磁気ディスクにおける耐食性改善元素につイテハ、[
金属表面技術J Vol、 38. No、9゜198
7.第89〜95頁、rBOUNDARYJ1988年
3月号が詳しく、C01Ni、Pt等の不動態形成活性
金属等の添加が有効であるとの報告がなされている。
金属表面技術J Vol、 38. No、9゜198
7.第89〜95頁、rBOUNDARYJ1988年
3月号が詳しく、C01Ni、Pt等の不動態形成活性
金属等の添加が有効であるとの報告がなされている。
一方、上記耐食性改善元素を含有する合金ターゲットと
しては、以下のものが提案されている。
しては、以下のものが提案されている。
すなわち、所望組成の希土類金属、鉄族金属および耐食
性向上元素であるTi%A1、Cr、Cuの少なくとも
1種以上を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で溶解し
た後、同じく真空中あるいは不活性ガス中で所定の形状
に鈎遺して得られるIllll−デッド (特開昭63
−45366号)、および希土類金属粉末と鉄族金属粉
末およびC,Si 、P、B、Cr 、Ti SZr、
BiおよびAIの耐食性元素1種以上含有する合金粉末
を所望組成に混合し、この混合粉末を液相発現温度未満
の温度範囲で加圧焼結した後、液相発現温度より200
℃低い温度範囲内で熱処理し得られる焼結ターゲット
(特開昭62−205556号)である。
性向上元素であるTi%A1、Cr、Cuの少なくとも
1種以上を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で溶解し
た後、同じく真空中あるいは不活性ガス中で所定の形状
に鈎遺して得られるIllll−デッド (特開昭63
−45366号)、および希土類金属粉末と鉄族金属粉
末およびC,Si 、P、B、Cr 、Ti SZr、
BiおよびAIの耐食性元素1種以上含有する合金粉末
を所望組成に混合し、この混合粉末を液相発現温度未満
の温度範囲で加圧焼結した後、液相発現温度より200
℃低い温度範囲内で熱処理し得られる焼結ターゲット
(特開昭62−205556号)である。
しかしながら、前記の鋳造ターゲットは、(a) I
II造時に耐食性向上元素として添加するTi 、AI
、Cr、Cuが偏析しやすく、組成的に均質ではないた
め、スパッタリング膜中に存在する耐食性向上元素が不
均質となり十分な耐食性向上効果が得にくい。
II造時に耐食性向上元素として添加するTi 、AI
、Cr、Cuが偏析しやすく、組成的に均質ではないた
め、スパッタリング膜中に存在する耐食性向上元素が不
均質となり十分な耐食性向上効果が得にくい。
(b) 希土類金属−鉄族金属系合金は非常に脆弱な
金属間化合物を形成するため、鋳造なとの組織均質化プ
ロセスがとりにくい。このため、vJ造時に生じた巣な
どの欠陥を除去することが不可能である。
金属間化合物を形成するため、鋳造なとの組織均質化プ
ロセスがとりにくい。このため、vJ造時に生じた巣な
どの欠陥を除去することが不可能である。
(c) 材質的に脆いため、ターゲット形状に加工す
る際、チアピングや割れを生じゃすく機械加工が非常に
困難である。またボンディング時およびスパッタ時の熱
応力でターゲットが割れてしまう。
る際、チアピングや割れを生じゃすく機械加工が非常に
困難である。またボンディング時およびスパッタ時の熱
応力でターゲットが割れてしまう。
(d) 本製造方法によるターゲットをスパッタして
作成した薄膜の組成は、ターデッド組成から7〜10a
t%近く鉄族金属単体にずれを生ずると同時に、耐食性
向上元素の含有量についても非常に不安定であるため、
薄膜の組成制御が非常に難しい。
作成した薄膜の組成は、ターデッド組成から7〜10a
t%近く鉄族金属単体にずれを生ずると同時に、耐食性
向上元素の含有量についても非常に不安定であるため、
薄膜の組成制御が非常に難しい。
(e) Ti 、AI %Cr 、Cuの単独および
複合添加では光磁気ディスクメモリーとして十分な特性
、信頼性が得られない。
複合添加では光磁気ディスクメモリーとして十分な特性
、信頼性が得られない。
などの問題点がある。
また、前記焼結ターゲットにおいては、C5Si %P
、B、Cr%Ti 、Zr、Bi 、AIを添加しても
、光磁気記録媒体として十分なレベルの耐食性が得られ
なかったり、耐食性向上は認められる場合であっても、
光磁気特性が劣化し良好なS/N比が得にくいという問
題点がある。
、B、Cr%Ti 、Zr、Bi 、AIを添加しても
、光磁気記録媒体として十分なレベルの耐食性が得られ
なかったり、耐食性向上は認められる場合であっても、
光磁気特性が劣化し良好なS/N比が得にくいという問
題点がある。
本発明者等は、種々検討を行なった結果、(a) 耐
食性向上には、Cr、Ti、Nb、Ta、の1種または
2種以上とPL 、Pd、R1+のうち1種または2種
以上を複合添加せしめることが非常に有効であること、 (b) 薄膜J11威を均一にするには、ターデッド
財の組織を所定の形態に制御した焼結組織とすれば良い
こと、 を知見し、本発明を完成するに至った。
食性向上には、Cr、Ti、Nb、Ta、の1種または
2種以上とPL 、Pd、R1+のうち1種または2種
以上を複合添加せしめることが非常に有効であること、 (b) 薄膜J11威を均一にするには、ターデッド
財の組織を所定の形態に制御した焼結組織とすれば良い
こと、 を知見し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、希土類金属としてTblGd%D
y、Nd、S16、HoおよびTmの1種または2種以
上を10〜45at%、耐食性改善元素としてCr%T
i 、NbおよびTaの1種または2種以上とPt5P
d、Rhのうち1種または2種以上とを合計で15at
%以下、残部Fe、CoおよびNiの1種または2種以
上の鉄族金属かC2なる組成を有し、前記希土類金属が
、前記鉄族金属および前記耐食性改善元素の1種または
241との共晶合金もしくは金属間化合物として存在し
、前記共晶合金または前記金属間化合物が、前記鉄族金
属単体および前記耐食性改善元素単体、または前記鉄族
金属と耐食性改善元素との合金と焼結により結合した組
織を有することを特徴とするスパッタリング用ターゲッ
ト材である。
y、Nd、S16、HoおよびTmの1種または2種以
上を10〜45at%、耐食性改善元素としてCr%T
i 、NbおよびTaの1種または2種以上とPt5P
d、Rhのうち1種または2種以上とを合計で15at
%以下、残部Fe、CoおよびNiの1種または2種以
上の鉄族金属かC2なる組成を有し、前記希土類金属が
、前記鉄族金属および前記耐食性改善元素の1種または
241との共晶合金もしくは金属間化合物として存在し
、前記共晶合金または前記金属間化合物が、前記鉄族金
属単体および前記耐食性改善元素単体、または前記鉄族
金属と耐食性改善元素との合金と焼結により結合した組
織を有することを特徴とするスパッタリング用ターゲッ
ト材である。
以下本発明の詳細な説明する。
希土類金属−鉄族金属合金薄膜の腐食によって生ずる現
象として、希土類金属が選択的に酸化されて、その結果
、膜の全面または一部に腐食生成物を生じ、その結果、
膜の保磁力が変動する現象と、高温、高湿時において膜
の全面または一部に腐食生成物を生じ、その結果、膜の
光透過率が変動する現象の2つがある。
象として、希土類金属が選択的に酸化されて、その結果
、膜の全面または一部に腐食生成物を生じ、その結果、
膜の保磁力が変動する現象と、高温、高湿時において膜
の全面または一部に腐食生成物を生じ、その結果、膜の
光透過率が変動する現象の2つがある。
第1図に耐食元素M=A1%Si 、Cr 、T1Nb
、Ta、Pt、Pd%Rhを添加したTbFeCo膜(
T t+HF essCOHM S I at%)の初
期の保磁力と火気中で120℃で5時間加熱した後、測
定した保磁力の測定結果を示す。
、Ta、Pt、Pd%Rhを添加したTbFeCo膜(
T t+HF essCOHM S I at%)の初
期の保磁力と火気中で120℃で5時間加熱した後、測
定した保磁力の測定結果を示す。
添加元素のうち、希土類の選択酸化には、どの元素につ
いても一定の効果が認められるが、特にCr、Ti%N
b、Taの効果が優れていることがわかる。
いても一定の効果が認められるが、特にCr、Ti%N
b、Taの効果が優れていることがわかる。
この効果は、Cr、Ti、Nb、Taが強固な酸化皮膜
を形成し易く、かつ侵入酸素のブラタ−として作用する
ためと考えられる。
を形成し易く、かつ侵入酸素のブラタ−として作用する
ためと考えられる。
次に、第2図に、前記の耐食元素を添加したTbFeC
o膜(T bzs F essc osM s r a
t%)を2規定のNaCff1溶液に30分間浸した後
、測定した光透過率の変化率(%)を示す。
o膜(T bzs F essc osM s r a
t%)を2規定のNaCff1溶液に30分間浸した後
、測定した光透過率の変化率(%)を示す。
耐食元素の)ち、Pt、Pd、Rhを添加した場合は光
透過率の変化が小さく、次いでTi、Nb、Taによる
影響が小さい。
透過率の変化が小さく、次いでTi、Nb、Taによる
影響が小さい。
このように、保磁力の変動については、Cr。
Ti 、Nb%Taが優ね、光透過率の変化については
、PL、Pd、Rhが優れるというように耐食性向上効
果に差異があるのは、Cr、Ti。
、PL、Pd、Rhが優れるというように耐食性向上効
果に差異があるのは、Cr、Ti。
Nb5Taの場合は強固な酸化皮膜の形成により耐食性
を向上しているのに対し、Pt 、Pd、Rhの場合は
合金膜自体を電気化学的に責な状態にし、その結果、腐
食が抑制されるという、耐食向上の機構の差異によるも
のと考えられる。
を向上しているのに対し、Pt 、Pd、Rhの場合は
合金膜自体を電気化学的に責な状態にし、その結果、腐
食が抑制されるという、耐食向上の機構の差異によるも
のと考えられる。
本発明は、以上のように耐食性に対し異なる作用を有す
るCr 、Ti SNb 、Taの1種または2種以上
とpt%Pd、R1+ とを複合添加している点に第1
の特徴を有するのである。
るCr 、Ti SNb 、Taの1種または2種以上
とpt%Pd、R1+ とを複合添加している点に第1
の特徴を有するのである。
第3図にカー回転角に及ぼす耐食元素の影響を示す、評
価に用いた膜組成は、上記と同様、Tb、sFessC
osMsである。
価に用いた膜組成は、上記と同様、Tb、sFessC
osMsである。
tI43図から、カー回転角に対するPt 、 Pd
。
。
Rh添加の影響は小さいのに対し、Cr、Ti、Nb
、Taを添加した場合には大きくカー回転角を減少させ
、悪影響を及ぼすことが理解される。
、Taを添加した場合には大きくカー回転角を減少させ
、悪影響を及ぼすことが理解される。
すなわち、第1図および第2図にて説明したように、C
r 、Ti 、NbおよびTaは保磁力の変動および光
透過率の変動の両者に討]7所定の効果を有するが、こ
の効果を十分に得ようとした場合、逆にカー回転角を減
少させてしまう。
r 、Ti 、NbおよびTaは保磁力の変動および光
透過率の変動の両者に討]7所定の効果を有するが、こ
の効果を十分に得ようとした場合、逆にカー回転角を減
少させてしまう。
そこで本発明では、カー回転角に対し悪影響を及ぼさず
、しかも、それ自体、耐食性向上に有効なPi、Pd、
Rhの1種または2種以上と Cr、Ti、Nb、Ta
の1種または2種以上とを複合して耐食性向上に必要な
量を添加することにより、カー回転角に影響を怪えずに
優れた11食性を有する希土類金属−鉄族金属膜を形成
せんとするものである。
、しかも、それ自体、耐食性向上に有効なPi、Pd、
Rhの1種または2種以上と Cr、Ti、Nb、Ta
の1種または2種以上とを複合して耐食性向上に必要な
量を添加することにより、カー回転角に影響を怪えずに
優れた11食性を有する希土類金属−鉄族金属膜を形成
せんとするものである。
しかし、複合添加の場合もあまり添加量が多すぎると光
磁気特性に悪影響を及ぼすため、15aL%以下に限定
する。
磁気特性に悪影響を及ぼすため、15aL%以下に限定
する。
本発明ターゲット材において、希土類金属には従来から
公知のT b、Gd、Dy、Nd、S曽、Ho、Tw等
の1種または2種以上を用いることができる。
公知のT b、Gd、Dy、Nd、S曽、Ho、Tw等
の1種または2種以上を用いることができる。
その含有量は10at%未満お上+745at%を越え
ると光磁気記録媒体としての機能を有する薄膜を得るこ
とが困難になるので、10〜45at%とする必要があ
るニ 一方、鉄族金属についても、従来がら用いられているF
e、Co、Niの1種または2種以上を適用することが
できる。
ると光磁気記録媒体としての機能を有する薄膜を得るこ
とが困難になるので、10〜45at%とする必要があ
るニ 一方、鉄族金属についても、従来がら用いられているF
e、Co、Niの1種または2種以上を適用することが
できる。
次に、本発明ターゲット材の組織に一ついて説明する。
希土類金属は、鉄族金属に比ベスパッタリング速度が速
いため、希土類金属と鉄族金属がそれぞれ単独で存在す
るターゲット材をスパッタリングした場合、希土類金属
が優先的にスパッタされるため、生成される薄膜の組成
がスパッタリング時間の経過に伴ない変動してしまう。
いため、希土類金属と鉄族金属がそれぞれ単独で存在す
るターゲット材をスパッタリングした場合、希土類金属
が優先的にスパッタされるため、生成される薄膜の組成
がスパッタリング時間の経過に伴ない変動してしまう。
そこで、本発明ターゲット材においては、希土類金属が
単独で存在しない組織、詳しくは本発明ターゲット材を
構成する他の元素である鉄族金属、耐食性元素との共晶
合金、あるいは金属間化合物として存在せしめるのであ
る。
単独で存在しない組織、詳しくは本発明ターゲット材を
構成する他の元素である鉄族金属、耐食性元素との共晶
合金、あるいは金属間化合物として存在せしめるのであ
る。
一方、ターゲット材が共晶合金、金属間化合物のみから
構成される場合には、機械的強度の面で不十分となる。
構成される場合には、機械的強度の面で不十分となる。
本発明では、十分な機械的強度を得るために前記共晶合
金または金属間化合物と、前記鉄族金属および前記耐食
性改善元素とが焼結により結合した組織とする。
金または金属間化合物と、前記鉄族金属および前記耐食
性改善元素とが焼結により結合した組織とする。
すなわち、鉄族金属および耐食性改善元素の一部を独立
しで存在させることにより8!械的強度を保証しようと
するものである。
しで存在させることにより8!械的強度を保証しようと
するものである。
なお、当該鉄族金属、耐食性改善元素の存在形態として
は、鉄族金属、耐食性改善元素がそれぞれ単体、鉄族金
属と耐食性改善元素との合金、あるいは該合金と鉄族金
属単体および耐食性改善元素単体のINiまたは2種と
の混合等があげられるが、いずれであっても良い。
は、鉄族金属、耐食性改善元素がそれぞれ単体、鉄族金
属と耐食性改善元素との合金、あるいは該合金と鉄族金
属単体および耐食性改善元素単体のINiまたは2種と
の混合等があげられるが、いずれであっても良い。
次に本発明ターゲット材の製造方法について説明する。
本発明ターゲット材は、粉末冶金法により製造される。
したがって、その原料粉末が特定される必要がある。
すなわち、ターゲット材中に前記共晶組織を存在させる
場合には、共晶組織を有する合金粉末を用意する。
場合には、共晶組織を有する合金粉末を用意する。
この合金粉末を製造する方法としては、ガス7トマイズ
法、回転ロール法等の急冷凝固処理法、匍造インゴット
を機械的に粉砕する粉砕法などが採用される。不純物含
有量抑制の点からは、急冷凝固処理法が望ましい。
法、回転ロール法等の急冷凝固処理法、匍造インゴット
を機械的に粉砕する粉砕法などが採用される。不純物含
有量抑制の点からは、急冷凝固処理法が望ましい。
一方、ターゲット材中に金属間化合物を存在せしめる場
合には、金属間化合物粉末を用意する。製造方法は、前
記共晶合金粉末と同様である。
合には、金属間化合物粉末を用意する。製造方法は、前
記共晶合金粉末と同様である。
以上の共晶合金粉末、金属間化合物粉末にターデッド材
の目標M戊に対し不足分の鉄#金属、耐食性改善元素を
添加、混合する。
の目標M戊に対し不足分の鉄#金属、耐食性改善元素を
添加、混合する。
鉄族金属および耐食性改善元素の添加形態としては、鉄
族金属単体粉末(Fe −Co 、 Fe−N i等の
合金粉末を含む)と耐食性改善元素単体粉末(T i
−P t + N b −P L等の合金粉末を含む)
を添加する、鉄族金属と耐食性元素との合金粉末(Fe
−Ta 、Fe−Nb等)を添加する等が掲げられる。
族金属単体粉末(Fe −Co 、 Fe−N i等の
合金粉末を含む)と耐食性改善元素単体粉末(T i
−P t + N b −P L等の合金粉末を含む)
を添加する、鉄族金属と耐食性元素との合金粉末(Fe
−Ta 、Fe−Nb等)を添加する等が掲げられる。
以上の原料粉末を混合した後、混合物組成の液相発現温
度未満の温度で加圧焼結を行なう。
度未満の温度で加圧焼結を行なう。
加圧焼結の温度を液相発現温度未満とするのは、液相発
現温度以上の温度にすると、前記共晶合金粉末あるいは
金属間化合物粉末と、これに添加した鉄族金属および耐
食性改善元素(粉末)との間の接合層が異常に成長し、
成形体の機械的強度が低下すること、および共晶合金粉
末を用いる場合、共晶合金粉末に晶出している希土類金
属のα相が鉄族金属と反応しIY滅してしまうことによ
る。望ましくは、液相発現温度未満の温度から(液相発
現温度未m−100℃)の範囲内、さらに望ましくは、
液相発現温度未満の温度から (液相発現温度未満−3
0℃)の範囲内である。
現温度以上の温度にすると、前記共晶合金粉末あるいは
金属間化合物粉末と、これに添加した鉄族金属および耐
食性改善元素(粉末)との間の接合層が異常に成長し、
成形体の機械的強度が低下すること、および共晶合金粉
末を用いる場合、共晶合金粉末に晶出している希土類金
属のα相が鉄族金属と反応しIY滅してしまうことによ
る。望ましくは、液相発現温度未満の温度から(液相発
現温度未m−100℃)の範囲内、さらに望ましくは、
液相発現温度未満の温度から (液相発現温度未満−3
0℃)の範囲内である。
なお、液相発現温度の一例を上げると、Tb−Feの場
合840℃、Tb −Fe−Coの場合695℃、Tb
−Gd−Feの場合830 ’Cである。
合840℃、Tb −Fe−Coの場合695℃、Tb
−Gd−Feの場合830 ’Cである。
以上の液相発現温度未満の加圧焼結により接合層の極薄
化を達成し、8!機械的度低下防止に効果を有するが、
さらに、 i)原料粉末レベルで得C)れている希土類金属のα相
と金属間化合物の量および良好な分散状態の維持、制御
が容易になされる。
化を達成し、8!機械的度低下防止に効果を有するが、
さらに、 i)原料粉末レベルで得C)れている希土類金属のα相
と金属間化合物の量および良好な分散状態の維持、制御
が容易になされる。
11)組織中にむらを生じさせることがない、iii
>酸素含有量を低レベルに抑制でさる、といった効果が
得られ、長時間スパッタ時の薄膜特性の安定化に寄与す
るものである。
>酸素含有量を低レベルに抑制でさる、といった効果が
得られ、長時間スパッタ時の薄膜特性の安定化に寄与す
るものである。
加圧焼結の手法としては、熱間静水圧プレス(HIP)
、ホットプレス、 熱間バック圧延、熱間パック鍛造等
を適用できる。具体的な条件としては熱間静水圧プレス
の場合、液相発現温度未満から (液相発現温度未満−
30°C)の範囲内かつ不活性がス圧1000〜150
0気圧で、2〜3時間保持すると、接合層の厚さを、1
0〜30μ熱以内に抑えることが可能で、成形体の密度
も97%以上に達する。
、ホットプレス、 熱間バック圧延、熱間パック鍛造等
を適用できる。具体的な条件としては熱間静水圧プレス
の場合、液相発現温度未満から (液相発現温度未満−
30°C)の範囲内かつ不活性がス圧1000〜150
0気圧で、2〜3時間保持すると、接合層の厚さを、1
0〜30μ熱以内に抑えることが可能で、成形体の密度
も97%以上に達する。
ホットプレスの場合、密度95%以との成形体を得よう
とする場合、加熱温度を液相発現温度未満から (液相
発現温度未満−30℃)以内、成形圧力150 k4/
0m2以上で2時間程度保持することが望ましい。
とする場合、加熱温度を液相発現温度未満から (液相
発現温度未満−30℃)以内、成形圧力150 k4/
0m2以上で2時間程度保持することが望ましい。
熱間パック圧延、熱間パック鍛造の場合は、加熱温度は
HIPと同様で良いが、1バスごとの圧下率を10%以
内にして加工する必要がある。
HIPと同様で良いが、1バスごとの圧下率を10%以
内にして加工する必要がある。
なお、ターゲット材中に金属間化合物を存在せしめる場
合には、上記のごとく金属間化合物粉末を使用する以外
に、例えば、希土類金属、耐食性改善元素、鉄族金属を
それぞれ単独で添加、混合した後に加圧焼結し、しかる
後に熱処理を施すことによってターゲット材中に金属間
化合物を生成せしめることができるので、これによって
もよい。
合には、上記のごとく金属間化合物粉末を使用する以外
に、例えば、希土類金属、耐食性改善元素、鉄族金属を
それぞれ単独で添加、混合した後に加圧焼結し、しかる
後に熱処理を施すことによってターゲット材中に金属間
化合物を生成せしめることができるので、これによって
もよい。
なお、この場合の加圧焼結の条件は、前述の金属間化合
物粉末を使用する場合と同条件でよく、また熱処理条件
としては、ターデッド材組成の液相発現温度±200℃
の範囲において、該温度以上の場合には、比較的短時間
(例えば数10秒)、該温度未満の場合は、比較的短時
間(例えば数10時間)の保持を行なえばよい。
物粉末を使用する場合と同条件でよく、また熱処理条件
としては、ターデッド材組成の液相発現温度±200℃
の範囲において、該温度以上の場合には、比較的短時間
(例えば数10秒)、該温度未満の場合は、比較的短時
間(例えば数10時間)の保持を行なえばよい。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
第1表に実施例に用いた試料の組成(粉末も含む)を示
す、全試料とも平均粒径0.31以下の粉末を使用した
。各々の粉末は、第1表、混合物組成の欄に示すそれぞ
れの組成になるよう秤量、添加した後、V型混合器内に
装入し、混合器内を一度真空に引いた後【こ、Arff
スで置換した6粉末混合に関しては、可能な限り均一な
混合粉末を作るため、積算回転数で6,000以上回転
を加えた。
す、全試料とも平均粒径0.31以下の粉末を使用した
。各々の粉末は、第1表、混合物組成の欄に示すそれぞ
れの組成になるよう秤量、添加した後、V型混合器内に
装入し、混合器内を一度真空に引いた後【こ、Arff
スで置換した6粉末混合に関しては、可能な限り均一な
混合粉末を作るため、積算回転数で6,000以上回転
を加えた。
次に、混合粉末を軟鋼製カプセルに充填し、カプセル内
部を10−’ torr以上に真空排気した後で、40
0℃に加熱し、カプセル全体が400℃に達した後で5
時間保持した状態のまま封入を行なった。
部を10−’ torr以上に真空排気した後で、40
0℃に加熱し、カプセル全体が400℃に達した後で5
時間保持した状態のまま封入を行なった。
前記カプセルを熱間静水圧プレス装置(HTP)を用い
て、温度685℃、1200気圧、2Hr保持の加圧焼
結を実施した。
て、温度685℃、1200気圧、2Hr保持の加圧焼
結を実施した。
焼結を完了した成形体より旋盤と平面研削盤を用いて外
側の鉄皮を除去した後で、直径101011o厚さ3I
の薄膜評価用ターデッド、抗折力測定用試験片を作成し
た。
側の鉄皮を除去した後で、直径101011o厚さ3I
の薄膜評価用ターデッド、抗折力測定用試験片を作成し
た。
薄膜評価には、高周波電源を有するマグネトロンタイプ
のスパッタ装置を用いて、0.15a−の板厚を有する
コーニング社製の7059.fラス上に成膜を行なった
。成膜条件は高周波出力200W、Ar*ス圧5 X
10−’ torr 1ターゲットとガラス基板間の跋
離は70mmで、I&模膜時はガラス基板を回転せずタ
ーデッドとガラス基板を対向させている。
のスパッタ装置を用いて、0.15a−の板厚を有する
コーニング社製の7059.fラス上に成膜を行なった
。成膜条件は高周波出力200W、Ar*ス圧5 X
10−’ torr 1ターゲットとガラス基板間の跋
離は70mmで、I&模膜時はガラス基板を回転せずタ
ーデッドとガラス基板を対向させている。
第4図に、第1表の試料1,2.3,4および9を用い
て成膜した薄膜の光透過率の変化率(%)を示す。
て成膜した薄膜の光透過率の変化率(%)を示す。
なお、該変化率とは、2N%NaC1溶液に30分浸漬
後の光透過率と浸漬面の光透過率との変化率をいう。
後の光透過率と浸漬面の光透過率との変化率をいう。
Tit独添加の試料9を月いた場合に比較して、ptと
Cr 、Ti 、Nb 、Taを複合添加した試料1.
2.3および4を用いた場合には、同じ5at%の添加
量でも光透過率の変化率が少なく耐食性向上に優れた効
果を有することが理解できる。
Cr 、Ti 、Nb 、Taを複合添加した試料1.
2.3および4を用いた場合には、同じ5at%の添加
量でも光透過率の変化率が少なく耐食性向上に優れた効
果を有することが理解できる。
第2表に本発明(試料1〜7)および従来例(試料8.
9)のターゲットの抗折力および111記ターゲットを
用いで成膜した薄膜の組成と保磁力カー回転角を示す。
9)のターゲットの抗折力および111記ターゲットを
用いで成膜した薄膜の組成と保磁力カー回転角を示す。
本発明によるターゲット材は10 kg/ cm”以上
の良好な抗折力を有している。
の良好な抗折力を有している。
このように良好な抗折力を有している理由は、ターゲッ
ト中に存在する鉄族金属単体相の効果によるものと考え
られる。
ト中に存在する鉄族金属単体相の効果によるものと考え
られる。
また、薄膜組成の点でも、ターゲット組成に比して±2
aL%以内しか、ずれを生ぜず、かつ膜中の耐食性元素
の含有量もターゲット組成とほぼ同程度であることがわ
かる。
aL%以内しか、ずれを生ぜず、かつ膜中の耐食性元素
の含有量もターゲット組成とほぼ同程度であることがわ
かる。
本実施例で用いた組成系のターデッド材を用いた薄膜の
標準的カー回転角は0,35°であるが、本発明ターデ
ッド材によるカー回転角は、0.34〜0.35’ と
耐食性元素添加の影響はほとんどない。
標準的カー回転角は0,35°であるが、本発明ターデ
ッド材によるカー回転角は、0.34〜0.35’ と
耐食性元素添加の影響はほとんどない。
これに対し、試料8 (比較例)のターゲットは抗折力
が小さく脆い。薄膜組成についても、鉄富側に6〜7a
t%近く変動すること、およびカー回転角の低下が大き
い等種々問題点を有している。
が小さく脆い。薄膜組成についても、鉄富側に6〜7a
t%近く変動すること、およびカー回転角の低下が大き
い等種々問題点を有している。
試料9 (比較例)については、ターゲットと薄膜間の
組成ずれは比較的小さいが、T i単独で添加した場合
、カー回転角の低下が大きいという問題点を有している
。
組成ずれは比較的小さいが、T i単独で添加した場合
、カー回転角の低下が大きいという問題点を有している
。
なお、第5図に試料1〜4 (本発明)および試料9
(比較例)により成膜の初期の保磁力と大気中で120
℃、5時間加熱した後に測定した保磁力の測定結果を示
しておく。
(比較例)により成膜の初期の保磁力と大気中で120
℃、5時間加熱した後に測定した保磁力の測定結果を示
しておく。
/
〔発明の効果〕
以上のよう1こ本発明によれば、良好な耐食性を有する
簿膜が得られるため、産業上大きな利益を与える。
簿膜が得られるため、産業上大きな利益を与える。
第1図は選択酸化に及ばず耐食性改善元素の影響を示す
グラフ、第2図は光透過率に及ぼす耐食性改善元素の影
響を示すグラフ、第3図はカー回転角に及ぼす耐食性改
善元素の影響を示すグラフ、第4図は実施例中で評価し
た光透過率に及ぼす耐食性改善元素の影響を示すグラフ
、第5図は実施例中で評価した選択酸化に及ぽ゛1耐食
性改善元素の影響を示すグラフである。 代理人 弁理士 本 間 崇療 図 M (AT%) 第 図 卒 図
グラフ、第2図は光透過率に及ぼす耐食性改善元素の影
響を示すグラフ、第3図はカー回転角に及ぼす耐食性改
善元素の影響を示すグラフ、第4図は実施例中で評価し
た光透過率に及ぼす耐食性改善元素の影響を示すグラフ
、第5図は実施例中で評価した選択酸化に及ぽ゛1耐食
性改善元素の影響を示すグラフである。 代理人 弁理士 本 間 崇療 図 M (AT%) 第 図 卒 図
Claims (1)
- 希土類金属としてTb、Gd、Dy、Nd、Sm、Ho
およびTmの1種または2種以上を10〜45at%、
耐食性改善元素としてCr、Ti、Nb、Taのうちの
1種または2種以上とPt、Pd、Rhのうちの1種ま
たは2種以上とを合計で15at%以下、残部Fe、C
oおよびNiの1種または2種以上の鉄族金属からなる
組成を有し、前記希土類金属が、前記鉄族金属および前
記耐食性改善元素の1種または2種との共晶合金もしく
は金属間化合物として存在し、前記共晶合金または前記
金属間化合物が、前記鉄族金属単体および前記耐食性改
善元素単体、または前記鉄族金属と耐食性改善元素との
合金と焼結により結合した組織を有することを特徴とす
るスパッタリング用ターゲット材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28783188A JPH02138463A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | スパッタリング用ターゲット材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28783188A JPH02138463A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | スパッタリング用ターゲット材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02138463A true JPH02138463A (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=17722328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28783188A Pending JPH02138463A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | スパッタリング用ターゲット材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02138463A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5447801A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording media and method for producing same |
US5607780A (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP28783188A patent/JPH02138463A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5447801A (en) * | 1992-12-17 | 1995-09-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording media and method for producing same |
US5607780A (en) * | 1993-07-30 | 1997-03-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production thereof |
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