RU2016147509A - Распыляемая мишень - Google Patents

Распыляемая мишень Download PDF

Info

Publication number
RU2016147509A
RU2016147509A RU2016147509A RU2016147509A RU2016147509A RU 2016147509 A RU2016147509 A RU 2016147509A RU 2016147509 A RU2016147509 A RU 2016147509A RU 2016147509 A RU2016147509 A RU 2016147509A RU 2016147509 A RU2016147509 A RU 2016147509A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
plate
target plate
mounting plate
thermal expansion
Prior art date
Application number
RU2016147509A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016147509A3 (ru
RU2696910C2 (ru
Inventor
Петер ПОЛЬЦИК
Забине ВЁРЛЕ
Зигфрид КРАСНИТЦЕР
Йюрг ХАГМАНН
Original Assignee
Планзее Композит Материалс Гмбх
Эрликон Серфэйс Солюшнз Аг, Пфеффикон
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Планзее Композит Материалс Гмбх, Эрликон Серфэйс Солюшнз Аг, Пфеффикон filed Critical Планзее Композит Материалс Гмбх
Publication of RU2016147509A publication Critical patent/RU2016147509A/ru
Publication of RU2016147509A3 publication Critical patent/RU2016147509A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2696910C2 publication Critical patent/RU2696910C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/067Borides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3485Sputtering using pulsed power to the target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464Operating strategies
    • H01J37/3467Pulsed operation, e.g. HIPIMS

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Claims (21)

1. Мишень, в частности распыляемая мишень, содержащая пластину мишени, состоящую из хрупкого материала, и монтажную пластину, которая скреплена по поверхности с пластиной мишени, где пластина мишени имеет контактную поверхность, обращенную к монтажной пластине, а монтажная пластина имеет контактную поверхность, обращенную к пластине мишени, при этом пластина мишени имеет микротрещины, проходящие насквозь от передней стороны к задней стороне пластины мишени и разделяющие пластину мишени на граничащие друг с другом фрагменты.
2. Мишень по п. 1, в которой пластина мишени содержит по меньшей мере керамический материал в качестве основного компонента.
3. Мишень по п. 1 или 2, в которой между контактной поверхностью пластины мишени и контактной поверхностью монтажной пластины находится скрепляющий припой.
4. Мишень по любому из предшествующих пп. 1-3, в которой длина и ширина фрагментов пластины мишени в среднем имеют тот же порядок по величине, что и толщина пластины мишени.
5. Мишень по любому из предшествующих пп. 1-4, в которой скрепляющий припой имеет температуру плавления более 400°C.
6. Мишень по любому из предшествующих пп. 1-5, в которой коэффициент термического расширения пластины мишени выше, чем коэффициент расширения монтажной пластины.
7. Мишень по любому из предшествующих пп. 1-6, в которой прочность пластины мишени ниже, чем прочность монтажной пластины.
8. Способ получения мишени, в частности, распыляемой мишени, который включает следующие стадии:
обеспечение пластины мишени, предпочтительно содержащей в качестве основного компонента хрупкий материал,
обеспечение монтажной пластины,
эффективное скрепление по поверхности пластины мишени и монтажной пластины, предпочтительно пайкой при температуре в диапазоне от 400°C до 1000°C, и охлаждение мишени с получением композиционного материала, включающего пластину мишени и монтажную пластину.
9. Способ получения мишени по п. 8, дополнительно включающий стадию дробеструйной обработки мишени частицами.
10. Способ получения мишени п. 8 или 9, в котором применяют припой, имеющий температуру плавления выше 400°C.
11. Способ получения мишени по любому из пп. 8-10, в котором для монтажной пластины выбирают материал с меньшим по сравнению с материалом пластины мишени коэффициентом термического расширения.
12. Способ вакуумного напыления, в котором по меньшей мере одну мишень применяют в качестве распыляемой мишени для нанесения покрытия по меньшей мере на одну поверхность покрываемой основы посредством распыления мишени, при этом:
мишень содержит подлежащую распылению пластину мишени, состоящую из материала А, имеющего переднюю сторону и заднюю сторону, и содержит монтажную пластину, состоящую из материала В, имеющего сторону, обращенную к пластине мишени, причем сторона монтажной пластины, обращенная к пластине мишени, механически прочно скреплена по поверхности с задней стороной пластины мишени, и между материалом А и материалом В в качестве связывающего материала обеспечен материал С,
при этом материал А, по меньшей мере в основном, состоит из одного или более хрупких материалов, а материал В, по меньшей мере в основном, состоит из одного или более материалов, имеющих более высокую способность к пластической деформации по сравнению с хрупкими материалами материала А,
коэффициент термического расширения материала А выше, чем коэффициент термического расширения материала В, и материал В имеет более высокую способность к пластической деформации и/или прочность, чем материал А,
пластина мишени, по меньшей мере при комнатной температуре, находится под действием напряжения растяжения, которое приводит к образованию микротрещин, проходящих насквозь от передней стороны к задней стороне пластины мишени и разделяющих пластину мишени на граничащие друг с другом фрагменты таким образом, что в процессе приложения мощности распыления для распыления пластины мишени кромки фрагментов перемещаются друг относительно друга так, что внутри пластины мишени реализуются более низкие напряжения по сравнению с мишенью без микротрещин, и можно применять более высокую мощность распыления, не разрушая пластину мишени.
13. Способ вакуумного напыления по п. 12, в котором материал А в основном состоит из TiB2, а материал В в основном состоит из Мо, а монтажная пластина соединена с пластиной мишени посредством пайки при температуре от 400°C до 1000°C.
14. Способ вакуумного напыления по п. 12 или 13, в котором процесс нанесения осуществляют методом магнетронного распыления мишени импульсами высокой мощности.
RU2016147509A 2014-06-27 2015-06-26 Распыляемая мишень RU2696910C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462017909P 2014-06-27 2014-06-27
US62/017,909 2014-06-27
PCT/EP2015/001298 WO2015197196A1 (de) 2014-06-27 2015-06-26 Sputtering target

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016147509A true RU2016147509A (ru) 2018-07-27
RU2016147509A3 RU2016147509A3 (ru) 2018-11-15
RU2696910C2 RU2696910C2 (ru) 2019-08-07

Family

ID=53717965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016147509A RU2696910C2 (ru) 2014-06-27 2015-06-26 Распыляемая мишень

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10109468B2 (ru)
EP (1) EP3161180B1 (ru)
JP (1) JP6567048B2 (ru)
KR (2) KR20180135120A (ru)
CN (1) CN106471151B (ru)
BR (1) BR112016029142A2 (ru)
MX (1) MX2016016573A (ru)
RU (1) RU2696910C2 (ru)
TW (1) TWI713457B (ru)
WO (1) WO2015197196A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT15050U1 (de) 2015-12-18 2016-11-15 Plansee Composite Mat Gmbh Beschichtungsquelle mit Strukturierung
CN110670030A (zh) * 2019-09-29 2020-01-10 洛阳丰联科绑定技术有限公司 一种ito拼接型靶材的粘结方法
CN111118459A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 有研亿金新材料有限公司 一种高性能铁磁性靶材的制备方法
CN114434107A (zh) * 2022-02-15 2022-05-06 株洲火炬安泰新材料有限公司 一种提高ito靶材焊合率的生产加工方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209375A (en) * 1979-08-02 1980-06-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Sputter target
DE2933835A1 (de) * 1979-08-21 1981-03-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum befestigen von in scheiben- oder plattenform vorliegenden targetmaterialien auf kuehlteller fuer aufstaeubanlagen
US4740429A (en) * 1985-07-22 1988-04-26 Ngk Insulators, Ltd. Metal-ceramic joined articles
JPS62278261A (ja) 1986-05-26 1987-12-03 Seiko Epson Corp スパツタ用タ−ゲツトの製造方法
JPS63216969A (ja) * 1987-03-05 1988-09-09 Daido Steel Co Ltd 加工方法
JPS63241167A (ja) 1987-03-30 1988-10-06 Seiko Epson Corp スパツタリング用タ−ゲツト
RU2091501C1 (ru) * 1991-04-22 1997-09-27 Акционерное общество открытого типа "Всероссийский алюминиево-магниевый институт" Способ изготовления мишени для магнетронного распыления из алюминия особой чистоты
RU2068459C1 (ru) * 1991-06-03 1996-10-27 Центральный научно-исследовательский институт технологии судостроения Способ обработки поверхности изделий из стали и сплавов на основе меди
JPH05214518A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材
WO2002014571A2 (en) * 2000-08-17 2002-02-21 Tosoh Smd, Inc. High purity sputter targets with target end-of-life indication and method of manufacture
AT4240U1 (de) 2000-11-20 2001-04-25 Plansee Ag Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle
MY138584A (en) * 2003-10-06 2009-07-31 Heraeus Inc Sputter target having modified surface texture
US20050072668A1 (en) * 2003-10-06 2005-04-07 Heraeus, Inc. Sputter target having modified surface texture
JP4562400B2 (ja) * 2004-01-28 2010-10-13 京セラ株式会社 活性金属を含むロウ材を用いた接合体及びその製造方法
RU2305717C2 (ru) * 2005-11-14 2007-09-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) Мишень для получения функциональных покрытий и способ ее изготовления
SE533395C2 (sv) * 2007-06-08 2010-09-14 Sandvik Intellectual Property Sätt att göra PVD-beläggningar
EP2072637B1 (en) * 2007-12-21 2018-08-15 Sandvik Intellectual Property AB Coated cutting tool and a method of making a coated cutting tool
CN101518851B (zh) * 2009-02-19 2011-07-20 宁波江丰电子材料有限公司 靶材与背板的焊接结构及方法
CN101879640B (zh) 2009-05-06 2012-07-25 光洋应用材料科技股份有限公司 陶瓷溅镀靶材组件及其焊合方法
US9056386B2 (en) 2009-09-30 2015-06-16 Sintokogio, Ltd. Method of shot-peening treatment of steel product
CN101745710A (zh) 2010-01-07 2010-06-23 宁波江丰电子材料有限公司 靶材组件的焊接方法
JP5437919B2 (ja) 2010-06-04 2014-03-12 三井金属鉱業株式会社 Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN102039459B (zh) * 2010-11-18 2012-09-19 宁波江丰电子材料有限公司 一种靶材焊接方法
US20130029178A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Shih-Ying Chang Active solder

Also Published As

Publication number Publication date
MX2016016573A (es) 2017-08-18
TWI713457B (zh) 2020-12-21
EP3161180B1 (de) 2019-02-06
TW201615875A (zh) 2016-05-01
BR112016029142A2 (pt) 2017-08-22
JP2017524831A (ja) 2017-08-31
CN106471151B (zh) 2019-06-18
EP3161180A1 (de) 2017-05-03
US20170133209A1 (en) 2017-05-11
JP6567048B2 (ja) 2019-08-28
WO2015197196A1 (de) 2015-12-30
KR20180135120A (ko) 2018-12-19
KR102111833B1 (ko) 2020-05-18
US10109468B2 (en) 2018-10-23
CN106471151A (zh) 2017-03-01
RU2016147509A3 (ru) 2018-11-15
KR20170017936A (ko) 2017-02-15
RU2696910C2 (ru) 2019-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016147509A (ru) Распыляемая мишень
WO2012047636A3 (en) Vacuum process chamber component and methods of making
JP2011012948A5 (ru)
EP3418420A3 (en) Impurity barrier layer for ceramic matrix composite substrate
KR102234455B1 (ko) Tib2 층 및 그의 사용
SG10201803000QA (en) High density bond coat for ceramic or ceramic matrix composites
JP2017125837A5 (ru)
RU2015130685A (ru) Способ изготовления тормозного диска, а также тормозной диск
JP2017524831A5 (ru)
JP2013516084A5 (ru)
WO2015150071A3 (de) Verfahren zum herstellen eines hohlkörpers mittels kaltgasspritzen und zur durchführung dieses verfahrens geeigneter formkern
RU2016150139A (ru) Прижимание керамики
JP6514444B2 (ja) 成膜法及び被覆物品
JP2013245375A (ja) ツバ付きターゲットの製造方法
CN104193419A (zh) 一种陶瓷表面金属涂层的制备方法
CN104617213A (zh) 一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法
RU2016135416A (ru) Компонент с истираемым покрытием и способ нанесения истираемого покрытия
EP3480011A1 (en) Method to create a good bonding between a free standing thermal barrier coating and a green cmc
CN112894111A (zh) 高钪含量铝钪合金靶材的扩散焊接方法及制备的焊接组件
CN110735115A (zh) 一种基于电子束辐照的三氧化二铝陶瓷涂层与金属基体的连接方法
CN104357784B (zh) 一种在半导体材料表面制备厚镍涂层的方法
EP2309024A3 (en) Process of forming a coating system, coating system formed thereby, and components coated therewith
JP2016005867A5 (ru)
JP6273734B2 (ja) 平板形スパッタリングターゲットとその製造方法
CN107190244B (zh) 负热膨胀系数材料在镀膜载盘中的应用及负热膨胀型载盘