CN114434107A - 一种提高ito靶材焊合率的生产加工方法 - Google Patents
一种提高ito靶材焊合率的生产加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114434107A CN114434107A CN202210136473.9A CN202210136473A CN114434107A CN 114434107 A CN114434107 A CN 114434107A CN 202210136473 A CN202210136473 A CN 202210136473A CN 114434107 A CN114434107 A CN 114434107A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- back plate
- ito target
- solder
- welding
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003466 welding Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- -1 indium tin metal oxide Chemical class 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000002147 killing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
- B23K31/02—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to soldering or welding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，先在背板的焊接面等距设置多个标点，每个标点采用电钻形成一个标记孔，然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理，然后将圆锥磨头更换为球形磨头，对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面，在凹面内继续钻孔，形成多个沿凹面径向方向分布的针孔，最后，对扩孔进行再次打磨，使孔内表面光滑，待所有孔位打磨好后，在背板上形成多个均匀布设的凹坑，再将背板焊接面的平整区打磨光滑。本发明通过在背板的焊接面打磨多个球形凹面，同时在凹面内钻有沿凹面径向方向的针孔，在焊料浇筑过程，焊料流入凹面和针孔内，冷却后加强焊料与背板的吸附强度，有效提高靶材的焊合率。
Description
技术领域
本发明属于ITO靶材加工领域，具体是一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法。
背景技术
镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。简单说的话，靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同输出波形、不同波长的激光与不同的靶材相互作用时，会产生不同的杀伤破坏效应。例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜、铝膜等。更换不同的靶材，即可得到不同的膜系。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。
ITO薄膜的用处越来越广，而镀膜过程的主要原料需使用ITO靶材，ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。但在ITO靶材的加工过程，容易发生靶材焊合效果不佳的问题，导致ITO靶材的焊合率降低。为此，本领域技术人员现提供了一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，背板的处理中，先在背板的焊接面等距设置多个标点，每个标点采用电钻形成一个标记孔，标记孔的外径为0.5-1mm，钻孔深度1-2mm，然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理，扩孔深度为2.5-3mm，扩孔直径为5-6mm，然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头，对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面，在凹面内继续钻孔，形成多个沿凹面径向方向分布的针孔，针孔内径为0.5-0.8mm，深度为2-3mm，最后，对扩孔进行再次打磨，使孔内表面光滑，待所有孔位打磨好后，在背板上形成多个均匀布设的凹坑，再将背板焊接面的平整区打磨光滑；将处理好的背板与ITO靶坯之间涂满焊料，高温压合后冷却得到ITO靶材。
作为本发明再进一步的方案：所述背板形状为矩形。
作为本发明再进一步的方案：还包括以下步骤：
A，ITO靶坯的焊接面在加热的真空环境中涂刷铟层，使铟层均匀的覆盖ITO靶坯的焊接面，后冷却硬化；
B，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的焊料，使焊料布满所有凹坑，然后在背板表面铺设一层铜丝，继续涂抹焊料，使焊料刚好覆盖好铜丝，在表面形成一定厚度的焊料层；
C，将镀铟处理后的ITO靶坯镀铟面覆盖于涂满焊料层的背板焊接面，对ITO靶坯和背板同时施加压力，定位压合得到ITO靶材初品；
D，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
作为本发明再进一步的方案：步骤B中，在铺满铜丝后的焊料涂抹过程中采用多次涂抹的方式，从背板外圈向内侧反复涂抹，焊料层的厚度为0.3-0.5mm。
作为本发明再进一步的方案：所述背板形状为圆柱形。
作为本发明再进一步的方案：包括以下步骤：
a，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的焊料，使焊料布满所有凹坑后，在背板的外侧等距缠绕一圈铜丝，然后继续涂抹焊料，使焊料刚好覆盖好铜丝，使铜丝沾附于背板表面；
b，将ITO靶坯卷在沾附好铜丝的背板表面，并在ITO靶坯和背板之间留有间隙；
c，将ITO靶坯与背板贴合的一端密封处理，从另一端向间隙内继续浇筑焊料，待焊料填满间隙后，密封浇筑端，对ITO靶坯的表面施加压力，定位压合得到ITO靶材初品；
d，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
作为本发明再进一步的方案：所述背板材料为铜或铝的合金。
作为本发明再进一步的方案：所述焊料为铟或锡与粘黏剂混合制成。
作为本发明再进一步的方案：压合过程保持150～160℃的真空环境，施压方式为超声施压。
作为本发明再进一步的方案：步骤b中，ITO靶坯和背板之间的间隙宽度为2-3mm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过在背板的焊接面打磨多个球形凹面，同时在凹面内钻有沿凹面径向方向的针孔，在焊料浇筑过程，焊料流入凹面和针孔内，冷却后加强焊料与背板的吸附强度，有效提高靶材的焊合率；通过在背板表面设置铜丝，同时焊料采用熔点低的铟或锡和粘黏剂混合制成，进一步加强ITO靶材的焊合强度。
附图说明
为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为背板形状为矩形的ITO靶材；
图2为背板形状为圆柱形的ITO靶材。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，取一块10cm*30cm的矩形铜合金背板材料，在背板的焊接面等距设置多个标点，每个标点采用电钻形成一个标记孔，标记孔的外径为0.5mm，钻孔深度为1mm，然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理，扩孔深度为2.5mm，扩孔直径为5mm，然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头，对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面，在凹面内继续钻孔，形成多个沿凹面径向方向分布的针孔，针孔内径为0.5mm，深度为2mm，最后，对扩孔进行再次打磨，使孔内表面光滑，待所有孔位打磨好后，在背板上形成多个均匀布设的凹坑，再将背板焊接面的平整区打磨光滑；
然后进行下述步骤：
A，ITO靶坯的焊接面在加热的真空环境中涂刷铟层，使铟层均匀的覆盖ITO靶坯的焊接面，后冷却硬化；
B，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的由铟和粘黏剂制成的混合焊料，使焊料布满所有凹坑，然后在背板表面铺设一层直径为0.3mm的铜丝，继续涂抹焊料，从背板外圈向内侧反复涂抹，使焊料刚好覆盖好铜丝，在表面形成一定0.3mm厚的焊料层；
C，将镀铟处理后的ITO靶坯镀铟面覆盖于涂满焊料层的背板焊接面，对ITO靶坯和背板同时施加压力，压合过程保持150～160℃的真空环境，施压方式为超声施压，定位压合得到ITO靶材初品；
D，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
实施例2
一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，取一块10cm*30cm的矩形铜合金背板材料，在背板的焊接面等距设置多个标点，每个标点采用电钻形成一个标记孔，标记孔的外径为1mm，钻孔深度2mm，然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理，扩孔深度为3mm，扩孔直径为6mm，然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头，对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面，在凹面内继续钻孔，形成多个沿凹面径向方向分布的针孔，针孔内径为0.8mm，深度为3mm，最后，对扩孔进行再次打磨，使孔内表面光滑，待所有孔位打磨好后，在背板上形成多个均匀布设的凹坑，再将背板焊接面的平整区打磨光滑；
然后进行下述步骤：
A，ITO靶坯的焊接面在加热的真空环境中涂刷铟层，使铟层均匀的覆盖ITO靶坯的焊接面，后冷却硬化；
B，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的由锡和粘黏剂制成的混合焊料，使焊料布满所有凹坑，然后在背板表面铺设一层直径为0.3mm的铜丝，继续涂抹焊料，从背板外圈向内侧反复涂抹，使焊料刚好覆盖好铜丝，在表面形成一定0.3mm厚的焊料层；
C，将镀铟处理后的ITO靶坯镀铟面覆盖于涂满焊料层的背板焊接面，对ITO靶坯和背板同时施加压力，压合过程保持150～160℃的真空环境，施压方式为超声施压，定位压合得到ITO靶材初品；
D，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
实施例3
一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，取一块直径为10cm长30cm的圆柱形铝合金背板材料，在背板的焊接面等距设置多个标点，每个标点采用电钻形成一个标记孔，标记孔的外径为0.5mm，钻孔深度为1mm，然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理，扩孔深度为2.5mm，扩孔直径为5mm，然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头，对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面，在凹面内继续钻孔，形成多个沿凹面径向方向分布的针孔，针孔内径为0.5mm，深度为2mm，最后，对扩孔进行再次打磨，使孔内表面光滑，待所有孔位打磨好后，在背板上形成多个均匀布设的凹坑，再将背板焊接面的平整区打磨光滑；
然后进行下述步骤：
a，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的由锡和粘黏剂制成的混合焊料，使焊料布满所有凹坑后，在背板的外侧等距缠绕一圈直径为0.3mm的铜丝，然后继续涂抹焊料，使焊料刚好覆盖好铜丝，使铜丝沾附于背板表面；
b，将ITO靶坯卷在沾附好铜丝的背板表面，并在ITO靶坯和背板之间留有间隙，ITO靶坯和背板之间的间隙宽度为2mm。；
c，将ITO靶坯与背板贴合的一端密封处理，从另一端向间隙内继续浇筑焊料，待焊料填满间隙后，密封浇筑端，对ITO靶坯的表面施加压力，定位压合得到ITO靶材初品，压合过程保持150～160℃的真空环境，施压方式为超声施压；
d，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
实施例4
一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，取一块直径为10cm长30cm的圆柱形铝合金背板材料，在背板的焊接面等距设置多个标点，每个标点采用电钻形成一个标记孔，标记孔的外径为1mm，钻孔深度2mm，然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理，扩孔深度为3mm，扩孔直径为6mm，然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头，对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面，在凹面内继续钻孔，形成多个沿凹面径向方向分布的针孔，针孔内径为0.8mm，深度为3mm，最后，对扩孔进行再次打磨，使孔内表面光滑，待所有孔位打磨好后，在背板上形成多个均匀布设的凹坑，再将背板焊接面的平整区打磨光滑；
然后进行下述步骤：
a，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的由锡和粘黏剂制成的混合焊料，使焊料布满所有凹坑后，在背板的外侧等距缠绕一圈直径为0.3mm的铜丝，然后继续涂抹焊料，使焊料刚好覆盖好铜丝，使铜丝沾附于背板表面；
b，将ITO靶坯卷在沾附好铜丝的背板表面，并在ITO靶坯和背板之间留有间隙，ITO靶坯和背板之间的间隙宽度为3mm。；
c，将ITO靶坯与背板贴合的一端密封处理，从另一端向间隙内继续浇筑焊料，待焊料填满间隙后，密封浇筑端，对ITO靶坯的表面施加压力，定位压合得到ITO靶材初品，压合过程保持150～160℃的真空环境，施压方式为超声施压；
d，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
焊合率测验
对实施例1-4进行C-Scan检测，测得焊合率数据如表1所示，
| 焊合率 | |
| 实施例1 | 99.20％ |
| 实施例2 | 99.00％ |
| 实施例3 | 99.40％ |
| 实施例4 | 99.10％ |
表1
综上可知，经过本申请方法焊合的ITO靶材，其焊合率均到达99％以上，相较于传统的焊合方法，焊合率明显提高。
以上内容仅仅是对本发明结构所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，背板的处理中，先在背板的焊接面等距设置多个标点，每个标点采用电钻形成一个标记孔，标记孔的外径为0.5-1mm，钻孔深度1-2mm，然后将电钻钻头更换为圆锥磨头进行扩孔处理，扩孔深度为2.5-3mm，扩孔直径为5-6mm，然后将圆锥磨头更换为直径为3mm的球形磨头，对扩孔进行打磨至形成光滑的球形凹面，在凹面内继续钻孔，形成多个沿凹面径向方向分布的针孔，针孔内径为0.5-0.8mm，深度为2-3mm，最后，对扩孔进行再次打磨，使孔内表面光滑，待所有孔位打磨好后，在背板上形成多个均匀布设的凹坑，再将背板焊接面的平整区打磨光滑；将处理好的背板与ITO靶坯之间涂满焊料，高温压合后冷却得到ITO靶材。
2.根据权利要求1所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，所述背板形状为矩形。
3.根据权利要求2所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
A，ITO靶坯的焊接面在加热的真空环境中涂刷铟层，使铟层均匀的覆盖ITO靶坯的焊接面，后冷却硬化；
B，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的焊料，使焊料布满所有凹坑，然后在背板表面铺设一层铜丝，继续涂抹焊料，使焊料刚好覆盖好铜丝，在表面形成一定厚度的焊料层；
C，将镀铟处理后的ITO靶坯镀铟面覆盖于涂满焊料层的背板焊接面，对ITO靶坯和背板同时施加压力，定位压合得到ITO靶材初品；
D，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
4.根据权利要求1所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，所述背板形状为圆柱形。
5.根据权利要求4所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
a，将打磨好的背板焊接面置于真空环境中进行加热，同时在背板焊接面涂抹熔化的焊料，使焊料布满所有凹坑后，在背板的外侧等距缠绕一圈铜丝，然后继续涂抹焊料，使焊料刚好覆盖好铜丝，使铜丝沾附于背板表面；
b，将ITO靶坯卷在沾附好铜丝的背板表面，并在ITO靶坯和背板之间留有间隙；
c，将ITO靶坯与背板贴合的一端密封处理，从另一端向间隙内继续浇筑焊料，待焊料填满间隙后，密封浇筑端，对ITO靶坯的表面施加压力，定位压合得到ITO靶材初品；
d，对压合好的ITO靶材初品进行匀速降温处理，冷却至室温后，得到焊合好的ITO靶材。
6.根据权利要求3或5所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，所述背板材料为铜或铝的合金。
7.根据权利要求3或5所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，所述焊料为铟或锡与粘黏剂混合制成。
8.根据权利要求3或5所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，压合过程保持150～160℃的真空环境，施压方式为超声施压。
9.根据权利要求3所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，步骤B中，在铺满铜丝后的焊料涂抹过程中采用多次涂抹的方式，从背板外圈向内侧反复涂抹，焊料层的厚度为0.3-0.5mm。
10.根据权利要求5所述的一种提高ITO靶材焊合率的生产加工方法，其特征在于，步骤b中，ITO靶坯和背板之间的间隙宽度为2-3mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210136473.9A CN114434107A (zh) | 2022-02-15 | 2022-02-15 | 一种提高ito靶材焊合率的生产加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210136473.9A CN114434107A (zh) | 2022-02-15 | 2022-02-15 | 一种提高ito靶材焊合率的生产加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114434107A true CN114434107A (zh) | 2022-05-06 |
Family
ID=81374586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210136473.9A Pending CN114434107A (zh) | 2022-02-15 | 2022-02-15 | 一种提高ito靶材焊合率的生产加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114434107A (zh) |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102039459A (zh) * | 2010-11-18 | 2011-05-04 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 一种靶材焊接方法 |
| CN102181836A (zh) * | 2011-04-14 | 2011-09-14 | 北京有色金属研究总院 | 一种靶材与背板的连接方法 |
| CN104195513A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-12-10 | 昆山海普电子材料有限公司 | 带有铜合金背板的镍铂合金靶材及其制备方法 |
| CN104646817A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-05-27 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种作为溅射靶材的铝靶材与铝合金背板的连接方法 |
| CN106555161A (zh) * | 2015-09-29 | 2017-04-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件及其制造方法 |
| US20170133209A1 (en) * | 2014-06-27 | 2017-05-11 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
| CN107457495A (zh) * | 2016-06-06 | 2017-12-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 背板及其制造方法以及靶材组件的制造方法 |
| CN108149203A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的制造方法 |
| CN108620813A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶坯及其加工方法 |
| CN111155059A (zh) * | 2018-11-07 | 2020-05-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件及其制造方法 |
| CN213061006U (zh) * | 2020-08-31 | 2021-04-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材与背板的焊接结构 |
| CN112958864A (zh) * | 2021-02-18 | 2021-06-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种圆形靶材和背板的钎焊焊接方法 |
| CN113084289A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-09 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种靶材与背板的高性能焊接方法 |
| CN113210785A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-08-06 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铝钪合金靶材的钎焊方法 |
-
2022
- 2022-02-15 CN CN202210136473.9A patent/CN114434107A/zh active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102039459A (zh) * | 2010-11-18 | 2011-05-04 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 一种靶材焊接方法 |
| CN102181836A (zh) * | 2011-04-14 | 2011-09-14 | 北京有色金属研究总院 | 一种靶材与背板的连接方法 |
| US20170133209A1 (en) * | 2014-06-27 | 2017-05-11 | Plansee Composite Materials Gmbh | Sputtering target |
| CN104195513A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-12-10 | 昆山海普电子材料有限公司 | 带有铜合金背板的镍铂合金靶材及其制备方法 |
| CN104646817A (zh) * | 2014-12-22 | 2015-05-27 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种作为溅射靶材的铝靶材与铝合金背板的连接方法 |
| CN106555161A (zh) * | 2015-09-29 | 2017-04-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件及其制造方法 |
| CN107457495A (zh) * | 2016-06-06 | 2017-12-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 背板及其制造方法以及靶材组件的制造方法 |
| CN108149203A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的制造方法 |
| CN108620813A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶坯及其加工方法 |
| CN111155059A (zh) * | 2018-11-07 | 2020-05-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件及其制造方法 |
| CN213061006U (zh) * | 2020-08-31 | 2021-04-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材与背板的焊接结构 |
| CN112958864A (zh) * | 2021-02-18 | 2021-06-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种圆形靶材和背板的钎焊焊接方法 |
| CN113084289A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-09 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种靶材与背板的高性能焊接方法 |
| CN113210785A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-08-06 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种铝钪合金靶材的钎焊方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 王键: "机械工人学习材料 车工硬质合金车刀的合理使用", 机械工业出版社, pages: 25 - 33 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100791725B1 (ko) | 기능성층을 갖는 기능성 필름 및 그 기능성층이 부여된 물체 | |
| CN106555161B (zh) | 靶材组件及其制造方法 | |
| US10874016B2 (en) | Method of manufacturing physical structure for high frequency signal transmission | |
| CN108990406B (zh) | 超薄电磁屏蔽片及应用其的电子设备 | |
| CN105448466B (zh) | 一种金属化铁粉芯磁芯及其制备方法 | |
| CN102360443B (zh) | 一种生产双界面卡的方法 | |
| CN114434107A (zh) | 一种提高ito靶材焊合率的生产加工方法 | |
| CN112276271A (zh) | 一种钛铝合金靶材的焊接方法 | |
| CN105491806A (zh) | 一种嵌铜块边缘溢胶的去除方法 | |
| CN106001932A (zh) | 包含脆性层的多层结构的切割方法 | |
| CN113141712A (zh) | 双面铝基板制作方法 | |
| CN106624235A (zh) | 靶材组件及其制造方法 | |
| CN113873788A (zh) | 一种多层玻璃基板的制备方法、玻璃基板及Mini-LED玻璃基板 | |
| CN102792786B (zh) | 2层挠性基板及其制造方法 | |
| TWI528875B (zh) | Rolled copper foil for flexible printed wiring boards | |
| CN113365429A (zh) | 一种介电常数一致性好的高频高速覆铜板及制备与应用 | |
| JPH10280137A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN211841488U (zh) | 一种靶材辅助抛光装置 | |
| CN100489151C (zh) | 多层膜金属化的靶材 | |
| CN211165354U (zh) | 一种易剥离的3d打印基板及3d打印系统 | |
| CN208016117U (zh) | 一种高强度超薄表面贴装载板 | |
| CN116828734A (zh) | 一种在多层pcb线路板上嵌铜块的工艺方法 | |
| CN215250447U (zh) | 一种易于单层切割的tft玻璃器件 | |
| CN116574998A (zh) | 一种增强聚合物薄膜与金属镀层结合力的方法 | |
| US20230274921A1 (en) | Sputtering target, method of bonding target material and backing plate, and method of manufacturing sputtering target |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220506 |