JPS6076027A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6076027A JPS6076027A JP18487583A JP18487583A JPS6076027A JP S6076027 A JPS6076027 A JP S6076027A JP 18487583 A JP18487583 A JP 18487583A JP 18487583 A JP18487583 A JP 18487583A JP S6076027 A JPS6076027 A JP S6076027A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- magnetic recording
- recording medium
- base plate
- thin metallic
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、特に、ス/
ぐツタリング法にてグラスチックフィルム基板上に金属
薄膜を形成して前記媒体を製造する磁気記録媒体の製造
方法に関する。
ぐツタリング法にてグラスチックフィルム基板上に金属
薄膜を形成して前記媒体を製造する磁気記録媒体の製造
方法に関する。
従来・スパッタリング法によって、磁気記録媒体を製造
する場合、スパッタリング後に1グラ8チツクフイルム
基板(正確には、グラスチックフィルム基板を含む磁気
記録媒体自体)に・そりが発生する事があった。
する場合、スパッタリング後に1グラ8チツクフイルム
基板(正確には、グラスチックフィルム基板を含む磁気
記録媒体自体)に・そりが発生する事があった。
このそシの発生は、チーブ状の磁気記録媒体においても
好ましくないものであったが、特に70ツピーデイスク
の場合には、磁気ヘッドとの相対的走行位置関係を阻害
し、その結果、丹生エンペローグ(再生レベル)を変動
させる原因ともなシ、好ましくないものであった。
好ましくないものであったが、特に70ツピーデイスク
の場合には、磁気ヘッドとの相対的走行位置関係を阻害
し、その結果、丹生エンペローグ(再生レベル)を変動
させる原因ともなシ、好ましくないものであった。
とのそシの発生原因は、周知の様に1スパツタリング金
属と、グラスチックフィルム基板との熱に対する寸法変
化挙動、すなわち膨張収縮状態か異なることによるもの
である。
属と、グラスチックフィルム基板との熱に対する寸法変
化挙動、すなわち膨張収縮状態か異なることによるもの
である。
前述のように、磁気記録媒体にそシが生じるのは、主に
、ゲラステックフィルム基板の寸法変化挙動によるもの
であるが、このグラスチックフィルム基板の寸法変化挙
動は、グラスチックフィル −ム基板の温度と、スノや
ツタリング原子の数と、ス・やツタリング原子−個が持
っている運動エネルギーとの3条件の兼ね合いで決定さ
れる。
、ゲラステックフィルム基板の寸法変化挙動によるもの
であるが、このグラスチックフィルム基板の寸法変化挙
動は、グラスチックフィル −ム基板の温度と、スノや
ツタリング原子の数と、ス・やツタリング原子−個が持
っている運動エネルギーとの3条件の兼ね合いで決定さ
れる。
したがって、投入電圧、導入アルゴン(スハッタ雰囲気
〕圧力等のスパッタリング条件を一定にして、前記3条
件をある関係に保てば、理論的には、安定的に、そシの
発生しない磁気記録媒体を得る事は可能である。
〕圧力等のスパッタリング条件を一定にして、前記3条
件をある関係に保てば、理論的には、安定的に、そシの
発生しない磁気記録媒体を得る事は可能である。
しかしながら、前記ス/IPツタリング東件を一定に保
持することは難しく、又前記ス/f yタリング条件が
変ると、前記3条件全てが変化するため、実際上は、安
定的にそシの発生しない磁気記録媒体を得る事は困難で
あった。
持することは難しく、又前記ス/f yタリング条件が
変ると、前記3条件全てが変化するため、実際上は、安
定的にそシの発生しない磁気記録媒体を得る事は困難で
あった。
この発明の目的は、前述した従来技術の欠点をなくシ、
どの様な実用上のスノ4 ツタリング条件においても、
容易な手段で、安定的に、そシの発生しない磁気記録媒
体の製造方法を提供するにちる。
どの様な実用上のスノ4 ツタリング条件においても、
容易な手段で、安定的に、そシの発生しない磁気記録媒
体の製造方法を提供するにちる。
このような目的を達成するため、本発明では、スノf、
クリング法によってグラスチック基板上に金属薄膜を形
成する際に、上記グラスチック基板の上記金属薄膜非形
成面を均一に加熱するようにする。なお、この加熱温度
は、上記グラスチック基板における金属薄膜形成面の表
面温度と同一温度に設定した場合に最も効果が高い〇 〔実施例〕 はじめに、この発明の原理について説明する。
クリング法によってグラスチック基板上に金属薄膜を形
成する際に、上記グラスチック基板の上記金属薄膜非形
成面を均一に加熱するようにする。なお、この加熱温度
は、上記グラスチック基板における金属薄膜形成面の表
面温度と同一温度に設定した場合に最も効果が高い〇 〔実施例〕 はじめに、この発明の原理について説明する。
スパッタリングにおいては、ターダット材料からfcた
き出されたスパッタリング原子が基板の被堆積面に付着
する際、その運動エネルギはほとんどが熱エネルギNに
変換される。このため、その局所的な温度は比較的高い
温度にある。そしてその熱はすぐに基板に吸収されるた
め、同基板はその表面から内部にわたって急峻な温度勾
配を持つことになる口したがって、前記のようなグラス
チックからなる基板においては、上記スノ4 yタリン
グ原子の堆積面、すなわち磁性面となる金属薄膜形成面
は高い温度にざらされる反面、その裏面、すなわち金属
薄膜非形成面はそれほど旨い温度にならず、これら2面
間で異なった熱履歴が生じることになる・この2面間の
異なった熱履歴に基づく熱収縮および熱膨張の差が前述
したそシとなる・ところでこのことは、逆に上記グラス
チ、り基板の2面間の熱履歴の差さえなくすことができ
れば、上記そ勺の原因も解消することができることを意
味する。事実、上記のような基板の2前間の熱履歴を等
しく保った場合には、その後その周辺温度が常温に戻っ
たとしても、これら2面間に等しい熱収縮が生じてそシ
は発生しない。
き出されたスパッタリング原子が基板の被堆積面に付着
する際、その運動エネルギはほとんどが熱エネルギNに
変換される。このため、その局所的な温度は比較的高い
温度にある。そしてその熱はすぐに基板に吸収されるた
め、同基板はその表面から内部にわたって急峻な温度勾
配を持つことになる口したがって、前記のようなグラス
チックからなる基板においては、上記スノ4 yタリン
グ原子の堆積面、すなわち磁性面となる金属薄膜形成面
は高い温度にざらされる反面、その裏面、すなわち金属
薄膜非形成面はそれほど旨い温度にならず、これら2面
間で異なった熱履歴が生じることになる・この2面間の
異なった熱履歴に基づく熱収縮および熱膨張の差が前述
したそシとなる・ところでこのことは、逆に上記グラス
チ、り基板の2面間の熱履歴の差さえなくすことができ
れば、上記そ勺の原因も解消することができることを意
味する。事実、上記のような基板の2前間の熱履歴を等
しく保った場合には、その後その周辺温度が常温に戻っ
たとしても、これら2面間に等しい熱収縮が生じてそシ
は発生しない。
そこで本発明のように、ゲラステック基板上に全屈薄膜
をス・母ツタ形成する際、上記グラスチック基板の金属
薄膜非形成面を均一に、最も好ましくは同基板における
上記ス・やツタ時の金属薄膜形成面温度と同一温度に加
熱するようにすれば〜これら2面間の熱履歴を同等にす
ることができ、ひいてはそシの発生も良好に回避するこ
とができるようになる。
をス・母ツタ形成する際、上記グラスチック基板の金属
薄膜非形成面を均一に、最も好ましくは同基板における
上記ス・やツタ時の金属薄膜形成面温度と同一温度に加
熱するようにすれば〜これら2面間の熱履歴を同等にす
ることができ、ひいてはそシの発生も良好に回避するこ
とができるようになる。
以下に実施例を示す。
図に、この発明で用いられるスパッタリング装置の概要
を模式的に示す。
を模式的に示す。
すなわち図において、lは基板、2はターダット〜3は
真空容器、4は高周波電源、PlおよびP2は電極S5
は上記高周波電源4から出力される高周波電力をこれら
電極PI、P2間に効率よく供給するためのマ、チング
デ、クス、6は上記真空容器3内に導入されるアルゴン
ガスの圧力を測定するための圧力グージ、7は上記基板
1の裏面を加熱するための加熱装置である。なおこの加
熱装置7としては、赤外ラングや抵抗線ヒータ等を用い
ることができる。
真空容器、4は高周波電源、PlおよびP2は電極S5
は上記高周波電源4から出力される高周波電力をこれら
電極PI、P2間に効率よく供給するためのマ、チング
デ、クス、6は上記真空容器3内に導入されるアルゴン
ガスの圧力を測定するための圧力グージ、7は上記基板
1の裏面を加熱するための加熱装置である。なおこの加
熱装置7としては、赤外ラングや抵抗線ヒータ等を用い
ることができる。
さて、この発明にかかる磁気記録媒体の製造方法におい
ては、このようなスパッタリング装置を用いて同記録媒
体の磁性層とする金属薄膜を形成するものであシ、ここ
に一実施例として、厚さ100μmの耐熱性グラスチッ
クフィルム上にニッケル(Nt)−鉄(Fe)合金薄膜
、およびコバルト(Co)−クロム(Cr)合金薄膜を
それぞれマグネトロンスノ!ツタリングにてスバ、り形
成する場合の形成方法を同図を参照して順次説明する。
ては、このようなスパッタリング装置を用いて同記録媒
体の磁性層とする金属薄膜を形成するものであシ、ここ
に一実施例として、厚さ100μmの耐熱性グラスチッ
クフィルム上にニッケル(Nt)−鉄(Fe)合金薄膜
、およびコバルト(Co)−クロム(Cr)合金薄膜を
それぞれマグネトロンスノ!ツタリングにてスバ、り形
成する場合の形成方法を同図を参照して順次説明する。
■ 真空容器3内に基@1とするポリエステルフィルム
およびターr、ト2とする二、クルー鉄合金を同図のよ
うにセットする〇 ■ 真空容器3内にアルゴンガスを導入し、該真空容器
3内の圧力、すなわち導入アルゴン圧力を適宜な値(例
えtJ1mtorr程度)に設定する・勿論、この設定
に際しては圧力ダージ6の指示値を参照する。
およびターr、ト2とする二、クルー鉄合金を同図のよ
うにセットする〇 ■ 真空容器3内にアルゴンガスを導入し、該真空容器
3内の圧力、すなわち導入アルゴン圧力を適宜な値(例
えtJ1mtorr程度)に設定する・勿論、この設定
に際しては圧力ダージ6の指示値を参照する。
■ 高周波電源4の出力、すなわちfi Fi4ワーを
適宜な値に設定し、基板lt−適宜に回転させながら、
かつ加熱装置7によ・って該基板1の裏面を所定に加熱
しながらスパッタリングを開始する。
適宜な値に設定し、基板lt−適宜に回転させながら、
かつ加熱装置7によ・って該基板1の裏面を所定に加熱
しながらスパッタリングを開始する。
■ ス・(ツタ形成されたニッケルー鉄合金膜の膜厚が
所望の厚さとなった時点で上記ス・f、タリングを打切
る。
所望の厚さとなった時点で上記ス・f、タリングを打切
る。
■ ターダット2をコバルト−クロム合金に交換して上
記■〜■の操作を繰シ返す。
記■〜■の操作を繰シ返す。
以上によシ、そ夛のない磁気記録媒体を得ることができ
た。
た。
また他の例として、厚さ50μmの耐熱性グラスチック
フィルム上にコバルト−クロム合金薄膜を一層だけ非マ
グネトロンス/り、タリングにてスパッタ形成する際も
、同様の方法を用いて上記フィルムの合金薄膜非形成面
を加熱しなからス・フッタリングを行なったことによシ
、そかのない磁気記録媒体を得ることができた。
フィルム上にコバルト−クロム合金薄膜を一層だけ非マ
グネトロンス/り、タリングにてスパッタ形成する際も
、同様の方法を用いて上記フィルムの合金薄膜非形成面
を加熱しなからス・フッタリングを行なったことによシ
、そかのない磁気記録媒体を得ることができた。
以上のように、この発明にかかる磁気記録媒体の製造方
法によれば、そシのない、したがって安定した磁気記録
再生を可能にする磁気記録媒体を得ることができる。
法によれば、そシのない、したがって安定した磁気記録
再生を可能にする磁気記録媒体を得ることができる。
なお、この発明の製造方法が、上記の実施例で示した垂
直磁気記録媒体に限らないいかなる磁気記録媒体を得る
場合であっても有効に適用されることは勿論であシ、該
適用される全ての磁気記録媒体について上述同様の効果
を奏する。
直磁気記録媒体に限らないいかなる磁気記録媒体を得る
場合であっても有効に適用されることは勿論であシ、該
適用される全ての磁気記録媒体について上述同様の効果
を奏する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1ン グラスチック基板上に金属薄膜をスパッタ形成
して磁気記録媒体を得る磁気記録媒体の製造方法におい
て、前記グラスチック基板の前記金属薄膜非形成口を均
一に加熱した状態で前記スノぐツタリングを行なうよう
にしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 (2ン 前記加熱温度を、前記グラスチック基板におけ
る金属薄膜形成面の表面温度と同一温度に設定する特許
請求の範囲第(0項記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18487583A JPS6076027A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18487583A JPS6076027A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6076027A true JPS6076027A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16160837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18487583A Pending JPS6076027A (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6076027A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6326828A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH05135989A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP18487583A patent/JPS6076027A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6326828A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH05135989A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-06-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 軟磁性薄膜の製造方法 |
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