JPH0438737A - 光磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザー光等などの光を用いて情報を記録、
再生する光磁気ディスクに関する。

従来の技術 近年、情報処理システムに於ける情報処理量の急速な増
加に伴って記録容量の大きい記録媒体、とりわけ光ディ
スクが注目されている。この光ディスクの１つとして光
磁気ディスクがある。

ここで、従来の光磁気ディスクの構造は、第７図に示す
ように、ポリカーボネート（以後、ＰＣと称する）基板
１１上には、Ｚ　ｎ　Ｓ　ｅ−３ｉ　０２から成る干渉
層１２と、ＴｂＦｅＣｏから成る光磁気記録層１３と、
Ａｌから成る反射層１４とが形成されるような構造であ
る。このような構造の光磁気ディスクにデジタル記録を
行う際には、上記ＰＣ基板１１側からレーザ光を照射し
て、光磁気記録層１３をキュリー点以上に加熱し、ＰＣ
基板１１に対して垂直方向に向いているＴｂＦｅＣ０の
磁化の向きを外部磁場で制御してすることによって行う
。

ここで、上記光磁気ディスクの記録感度を、記録した信
号の２次高調波が最小になるレーザーパワーと定義する
と、線速６ｍ／ｓｅｃ、記録周波数２ＭＨｚで６ｍｗと
なる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記の如く、反射層１４にＡｆｆｉを用
いた構成では、光磁気ディスクの記録感度が低下する。

これは、反射層１４と光磁気記録層１３とが直接接触し
ており、且つ反射層１４の熱伝導率が高いため、光磁気
記録層３をキュリー点以上に上昇させるために加えられ
た熱が、熱伝導率の高い反射層１４に拡散してしまうと
いうことに起因する。この結果、記録パワーのマージン
が不十分となるという課題を有していた。

本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、キャ
リアレベルを低下させることなく記録感度を向上させる
ことができる光磁気ディスクを提供することを目的とす
る。

課題を解決するための手段 本発明は、上記目的を達成するために、基板上に、干渉
層と、光磁気記録層と、反射層とが順次設けられた光磁
気ディスクにおいて、前記反射層は、Ｂｅ、、Ｂｉ、、
Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ。

Ｔａ、Ｔｈ、Ｔ／２、及びＹから成る群から選択される
１つ以上の元素とＡｌとの合金から成ることを特徴とす
る。

また、基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、”Ｉ
”ａ、Ｔｈ、ＴｊＬ　Ｙ、Ｔｉ、■及びＺｒから成る群
から選択される１つ以上の元素とＡｇとの合金から成る
ことを特徴とする。

更に、基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔａ
、Ｔｈ、Ｔｆｆｉ＝　Ｙ、Ｔｉ、■及びＺｒから成る群
から選択される１つ以上の元素とＣｕとの合金から成る
ことを特徴とする。

加えて、基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層
とが順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射
層は、ＢｅＸＢ１．Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔ
ａ、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｙ、Ｔｉ、■及びＺｒから成る群から
選択される１つ以上の元素とＲｈとの合金から成ること
を特徴とする。

また、基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、、Ｓｂ、、Ｓｅ、
、Ｔａ、Ｔｈ、Ｔ／！、Ｙ、Ｔｉ。

■及びＺｒから成る群から選択される１つ以上の元素と
Ａｕとの合金から成ることを特徴とする。

作用 」１記構成の如く、Ａ／２．、Ａｇ、、Ｃｕ、Ｒｈ、或
いはＡｕ金属と、これらの金属より熱伝導率の低いＢｅ
、Ｂｉ、、Ｉｎ、、ＩｒＸＮｂ、、Ｓｂ、Ｓｅ。

Ｔａ、Ｔｈ−Ｔｌ−Ｙ−Ｔｉ、Ｚｒ、或いは■（八！の
場合にはＴｉ、Ｚｒ、Ｖを除く）との合金を反射層とし
て用いれば、Ａｆｆｉ等のみを反射層として用いる場合
に比べて、反射層の熱伝導率が低くくなる。したがって
、光磁気記録層に加えられた熱が反射層に拡散するのを
抑制することができ、この結果、光磁気ディスクの記録
感度を向上させることが可能となる。

加えて、Ｂｅ等の添加金属を余り多く添加しなければ（
５ａｔｍ％程度以下）、反射率もＡ／２等と路間等とな
るので、キャリアレベルを低下させることもない。

実施例 本発明の実施例を、第１図〜第６図に基づいて、以下に
説明する。

（第１実施例） 第１図は、本発明の第１実施例に係る光磁気ディスクの
構造を示す断面図であり、ＰＣ基板１上には、Ｚｎ５ｅ
−３ｉＯｚから成る干渉層２（膜厚：９０ｎｍ）と、Ｔ
　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏから成る光磁気記録層３（膜厚：ｌ
Ｏｌｏｏｎと、Ａｊ２Ｂｅから成る反射層４（膜厚：１
０１００ｎとが順に形成されている。尚、ＡＩの反射率
は９０％、熱伝導率は２２３．１／　［ｍ−５−ｋ）で
あり、また、Ｂｅの熱伝導率は１８．９Ｊ／［ｍ−５−
ｋ）である。

ここで、上記構造の光磁気ディスクは、以下のようにし
て作製した。

先ず、スパッタリング装置のチャンノ＜内にＰＣ基板１
を装着した後、チャンバ内を真空状態とし、更にチャン
バ内にアルゴンガスを導入する。次いで、ＰＣ基板１上
に、干渉層２と、光磁気記録層３と、反射層４とを順に
形成するごとにより作製した。

尚、本実施例では、干渉層２のスパッタリングにおいて
はＺｎ５ｅ−３ｉＯ７のスパッタリングターゲット（以
下、ターゲットと称する）を用い、光磁気記録層３のス
パッタリングにおいてはＴｂＦｅＣｏターゲットを用い
、反射層４のスパッタリングにおいてはＡＩ！、ターゲ
ット上にＢｅチップを配置したものを用いている。但し
、干渉層２スパツタリングにおいてはＺｎ５ｅターゲツ
ト上にＳｉＯ□を配置したものを用いることも可能であ
る。

〔実験Ｉ〕

ここで、上記構造の光磁気ディスクにおけるＡｌ合金中
のＢｅ含有量を変化させて、光磁気ディスクの記録、再
生を行い、Ａｆｆｉ合金中のＢｅ含有量と記録感度との
関係を調べたので、その結果を第２図に示す。尚、記録
、再生条件は以下の通りである。

記録条件：線速二６ｍ／ｓｅｃ 記録周波数：２ＭＴ（ｚ Ｄｕｔｙ：５０％ 再生条件：線速：５ｍ／ｓｅｃ 再生パワー：１．６ｍＷ 第２図から明らかなように、Ａ１合金中のＢｅ含有量が
増加すれば、記録感度が向上していることが認められる
。特に、Ｂｅ含有量が５ａｔｍ％程度になると記録感度
が約３ｍＷとなり、飛躍的に向上することが認められる
。これは、上記の如くＡｐ、の熱伝導率は２２３Ｊ／Ｉ
：ｍ−５−に：ｌであるのに対し、Ｂｅの熱伝導率は１
８．９Ｊ／（ｍ・５−ｋ）であるので、ＡＩにＢｅを添
加することにより反射層４の熱伝導率が低下するという
理由による。

〔実験■〕

へ！合金中のＢｅ含有量を変化させて、光磁気ディスク
の記録、再生を行い、Ａ／２合金中のＢｅ含有量とキャ
リアレベル（以下、Ｃレベルと称する）との関係を調べ
たので、その結果を第２図に併せて示す。尚、記録、再
生条件は上記実験Ｉと同様の条件であり、またＣレベル
の基準としては第７図に示した従来の構造の光磁気ディ
スクのＣレベルを用いている。更に、記録パワーは記録
感度の値で行った。

第２図から明らかなように、Ａρ金合金中ｅ含有量が５
ａｔｍ％程度であれば、Ｃレベルの低下は約１ｄＢであ
り、実用上余り問題のない程度であることが認められる
。

上記実験Ｉ、ＩＩより、反射層４としてＡＩ！、Ｂｅを
用いれば、Ｃレベルを余り低下させることなく記録感度
を飛躍的に向上させうることが窺える。

特に、Ａ！金合金中ｅ含有量が５ａｔｍ％程度であれば
、上記の効果は顕著となる。

（第２実施例） 反射層４として、Ａｊ２Ｂ　ｅの代わりに、ＡＮ１ｒ、
、Ａ１２ＮｂＸ　ＡｎＳｅ、、Ａ／！Ｓｂ、、Ａ／２Ｔ
ａ。

Ａｐ、Ｔｈ、ＡｎＴｆｆ、Ａｐ、Ｙ、ＡｎＢ　ｉ、及び
△ｎｌｎを用いる他は、上記第１実施例と同様の構造で
ある。尚、Ａｆｆ　Ｉ　ｒ、ＡｆｆＮｂ、、ＡｎＳｅ。

△ｘｓｂ、ΔｆｆＴａ、Ａｊ２　Ｔｈ、Ａｊ２Ｔｆｆｉ
、及びＡ！Ｙのスパッタリングにおいては、上記Ａｆｆ
ｉＢｅと同様、Ａｐクーゲット」−にＪｒ、Ｎｂ、Ｓｅ
、Ｓｂ、、Ｔａ、Ｔｈ、、Ｔｌ、、Ｙ、■、Ｚｒチップ
をそれぞれ配置したものを用いる一方、Ａｆ２Ｂｉ及び
Ａ／！Ｉｎのスパッタリングにおいては、Ｂｉ、Ｉｎは
融点が低いということを考慮して、Ａ／２Ｂｉ、及びＡ
、ｊ２Ｉｎのターゲントを用いた。

尚、下記第１表に、上記Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｅ、、Ｓ
ｂ、、Ｔａ、Ｔ１．、Ｙ、Ｎｂ、及びＴｈの熱伝導率を
示す。単位は、Ｊ／Ｃｍ−５−ｋ）である。

〔以下、余白〕 第１表 〔実験Ｉ］ ここで、上記構造の光磁気ディスクにおけるＡｌ合金中
のＢｉ等の含有量を変化させて、光磁気ディスクの記録
、再生を行い、８１等の含有量と記録感度との関係を調
べたので、その結果を第３図に示す。尚、記録、再生条
件は上記実施例の実験Ｉと同一の条件である。

第３図から明らかなように、Ｂｉ等の含有量が増加すれ
ば、上記第１実施例の実験■と同様、記録感度が向上し
ていることが認められる。

〔実験■〕

Ａｌ合金中のＢ＋等の含有量を変化させて、光磁気ディ
スクの記録、再生を行い、Ｒｉ等の含有量とＣレベルと
の関係を調べたので、その結果を】　１ 第４図に示す。尚、記録、再生条件は」１記実験Ｉと同
様の条件であり、またＣレベルの基準としては第７図に
示した従来の構造の光磁気ディスクのＣレベルを用いて
いる。

第４図から明らかなように、Ｂ　ｉ等の含有量が５ａＬ
ｍ％程度であれば、Ｃレベルの低下は約１ｄＢであり、
実用上余り問題のない程度であることが認められる。

」１記実験Ｉ、■より、反射層４としてＡｆｆＢｉ等を
用いれば、Ｃレベルを余り低下させることなく記録感度
を飛躍的に向上させうることか窺える。

特に、Ｂｉ等の含有量が５ａＬｍ％程度であれば、上記
の効果は顕著となる。

（第３実施例） 反射層４として、Ａ／！Ｂｅの代わりに、ＡｆｆＹ、Ａ
（ＨＹ、ＣｕＹ＝　ＲｈＹ、ＡｕＹを用いる他は、上記
第１実施例と同様の構造である。

尚、下記第２表に、上記ＡＰ、、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ａ
ｕの反射率を示す。

第２表 ［実験Ｉ］ ここで、」１記構造の光磁気ディスクにおＩｌ、ｌる合
金中のＹの含有量を変化させて、光磁気ディスクの記録
、再生を行い、Ｙの含有量と記録感度との関係を調べた
ので、その結果を第５図に示す。尚、記録、再生条件は
」１記第１実施例の実験Ｉと同一の条件である。

第５図から明らかなよ・うに、Ｙの含有量が増加すれば
、」１記第１実施例の実験Ｉと同様、記録感度が向上し
ていることが認められる。

〔実験■〕

合金中のＹの含有量を変化させて、光磁気ディスクの記
録、再生を行い、Ｙの含有量とＣレベルとの関係を調べ
たので、その結果を第６図に示す。

尚、記録　再生条件は上記実験Ｉと同様の条件であり、
またＣレベルの基準としては第７図に示した従味の４１
４造の光磁気ディスクのＣ１／ヘルを用いている。

第（１図から明らかなようるご、Ｙの含有量が５，１ｔ
ｍ％程度であれば、Ｃレベルの低下は約１　ｄ　ｌ−３
であり、実用り余り問題のない程度である、二とか認め
られる。

上記実験１．１１より、反射層４としてＡ　ｇ　Ｙ等を
用いれば、ＣＬ、−ヘルを余り低下させることなく記録
感度を飛躍的に向トさせうるごとが窺える。

特に、Ｙの含有量が５ａｔｍ％程度であれば、上記の効
果は顕著となる。

尚、上記実施例には示さないが、Ａｇ、Ｃｕ、Ｒｈ、或
いはＡ　ｕと、Ａｉｌ記Ｂ　ｅ、Ｂ　ｉ、Ｉｎ、■ｒ、
Ｎｂ、Ｓｅ、Ｓｌ）、Ｔ’　ａ、′ｒ　ｈ、′ｒ　ｚ、
或いは１゛ｊ、■、Ｚｒとの合金を反射層４に用いれは
、−Ｉ記実流側と同様の効果を有することを実験により
確認している。尚、下記第３表に、上記Ｔｉ、■、Ｚｒ
の熱伝導率を示す。

第３表 発明の詳細 な説明したように本発明によれば、キャリアレベルを低
下さ一ロることなく記録感度を向」ニさせるごとができ
るので、光磁気ディスクの性能を飛躍的に向上させるこ
とかできるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気ディスクの構造を示す断面図、
第２図はＡＩ金合金中Ｂｅ含有用と記録感度及びキャリ
アレベルとの関係を示すグラフ、第３Ｍはへ〇合金中の
元素含有量と記録感度との関係を示すグラフ、第４図は
Ａｆｆｉ合金中の元素含有量とキャリアレベルとの関係
を示すグラフ、第５図はＡ、ｆｆ１Ｙ、ＡｇＹ、ＣｕＹ
、ＲｈＹ、ＡｕＹ合金中のＹ含有量と記録感度との関係
を示すグラフ、第６図はＡＡＹ、ＡｇＹ、ＣｕＹ、Ｒｈ
ＹＡＩＪＹ合金中合金金有量とキャリアレベルとの関係
を示すクラブ、第７図は従来の光磁気ディスクの構造を
示す断面図である。 １・・・丁ン０基板、２・・・干渉層、３・・・光磁気
記録層、４・・・反射層。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
   が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
   は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔａ
   、Ｔｈ、Ｔｌ、及びＹから成る群から選択される１つ以
   上の元素とＡｌとの合金から成ることを特徴とする光磁
   気ディスク。
2. （２）基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
   が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
   は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔａ
   、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ及びＺｒから成る群から選
   択される１つ以上の元素とＡｇとの合金から成ることを
   特徴とする光磁気ディスク。
3. （３）基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
   が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
   は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔａ
   、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ及びＺｒから成る群から選
   択される１つ以上の元素とＣｕとの合金から成ることを
   特徴とする光磁気ディスク。
4. （４）基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
   が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
   は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔａ
   、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ及びＺｒから成る群から選
   択される１つ以上の元素とＲｈとの合金から成ることを
   特徴とする光磁気ディスク。
5. （５）基板上に、干渉層と、光磁気記録層と、反射層と
   が順次設けられた光磁気ディスクにおいて、前記反射層
   は、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｔａ
   、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｙ、Ｔｉ、Ｖ及びＺｒから成る群から選
   択される１つ以上の元素とＡｕとの合金から成ることを
   特徴とする光磁気ディスク。