JP2017501120A5 - - Google Patents

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JP2017501120A5
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他の実施形態
本発明は、その詳細な説明とともに記載されてきたが、前述の説明は、本発明を例証することを意図したものであって、本発明の範囲を限定することを意図しておらず、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定義されることが理解されるべきである。他の態様、利点および改変は、添付の特許請求の範囲内である。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(1)は、以下の構造式:
Figure 2017501120

によって表され、該方法は、
(a)パラジウム触媒および塩基の存在下において、化合物(X)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(Y)
Figure 2017501120

と反応させることにより、化合物(Z)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
(b)化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
を含み;
ここで:
およびX の各々は、独立して、−Fまたは−Clであり;
Tsは、トシルであり;
該パラジウム触媒は、パラジウム−XPhos錯体を含み、XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルであり;
該塩基は、ホスフェート塩基またはカーボネート塩基である、
方法。
(項目2)
前記パラジウム−XPhos錯体が、Pd(0)またはPd(II)源をXPhosと混合することによってインサイチュで調製される、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記Pd(0)またはPd(II)源が、Pd (dba) 、Pd(OAc) 、PdCl またはそれらの任意の組み合わせを含み、dbaが、ジベンジリデンアセトンであり、OAcが、アセテートである、項目2に記載の方法。
(項目4)
前記パラジウム−XPhos錯体が、Pd(OAc) およびXPhosを混合することによってインサイチュで調製される、項目3に記載の方法。
(項目5)
およびX の各々が、−Fである、項目1〜4のいずれか1項に記載の方法。
(項目6)
が、−Clであり、X が、−Fである、項目1〜4のいずれか1項に記載の方法。
(項目7)
前記塩基が、Na CO 、K CO 、K PO またはNa PO から選択されるホスフェート塩基またはカーボネート塩基である、項目1〜6のいずれか1項に記載の方法。
(項目8)
前記塩基が、K CO またはK PO から選択される、項目7に記載の方法。
(項目9)
工程(a)が、水、および2−メチルTHFもしくはTHFまたはそれらの任意の組み合わせから選択される有機溶媒を含む溶媒系において行われる、項目1〜8のいずれか1項に記載の方法。
(項目10)
工程(b)が、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩を、LiOH、NaOH、KOHまたはそれらの任意の組み合わせを含む無機水酸化物で処理する工程を含む、項目1〜9のいずれか1項に記載の方法。
(項目11)
工程(b)が、THFを含む溶媒系において、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩をLiOHで処理する工程を含む、項目10に記載の方法。
(項目12)
(c)化合物(F)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(G)
Figure 2017501120

と反応させることにより、化合物(H)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、R は、C 1−4 アルキルである、工程;および
(d)化合物(H)またはその薬学的に許容され得る塩を加水分解することにより、化合物(X)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
をさらに含む、項目1〜11のいずれか1項に記載の方法。
(項目13)
(e)化合物(C)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩をジフェニルホスホリルアジドおよびベンジルアルコールと反応させることにより、化合物(D)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、Cbzは、カルボキシベンジルである、工程;および
(f)炭素担持Pd触媒の存在下において、化合物(D)またはその薬学的に許容され得る塩をH と反応させることにより、化合物(F)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
をさらに含む、項目12に記載の方法。
(項目14)
(g)化合物(A)
Figure 2017501120

をキニン
Figure 2017501120

および
−OHと反応させることにより、キニンと化合物(C−1)
Figure 2017501120

との付加物を形成する工程であって、ここで、R は、C 1−4 アルキルである、工程;(h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
(i)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩をエピマー化することにより、化合物(C)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
をさらに含む、項目12または13のいずれかに記載の方法。
(項目15)
前記エピマー化工程が、化合物(C−1)をC 1−6 アルコキシドで処理する工程を含む、項目14に記載の方法。
(項目16)
前記C アルコキシドが、tert−ブトキシド、tert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせを含む、項目15に記載の方法。
(項目17)
が、エチルである、項目14〜16のいずれか1項に記載の方法。
(項目18)
パラジウム触媒の存在下において、化合物(S)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を水素化することにより、化合物(F)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程をさらに含み、ここで、Phは、フェニルであり、該パラジウム触媒は、炭素担持Pd(0)(Pd(0)/C)、炭素担持Pd(OH) またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目12に記載の方法。
(項目19)
化合物(R)
Figure 2017501120

をS−(−)−N−ベンジル−アルファ−メチルベンジルアミノリチウムと反応させることにより、化合物(S)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程をさらに含む、項目18に記載の方法。
(項目20)
(j)アルミニウム触媒の存在下において、1,3−シクロヘキサジエンをCH≡CHC(O)OR と反応させることにより、化合物(Q)
Figure 2017501120

を形成する工程であって、ここで、R は、C 1−4 アルキルである、工程、および
(k)化合物(Q)を水素化することにより、化合物(R)
Figure 2017501120

を形成する工程
をさらに含む、項目19に記載の方法。
(項目21)
が、エチルである、項目20に記載の方法。
(項目22)
前記アルミニウム触媒が、EtAlCl 、Et AlCl、AlCl とトリオクチルアルミニウムとの混合物またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目20または21に記載の方法。
(項目23)
化合物(R)の前記水素化が、Rh(I)触媒または被毒化Pd(0)触媒の存在下において、化合物(R)をH と反応させる工程を含む、項目20〜22のいずれか1項に記載の方法。
(項目24)
前記Rh(I)触媒が、(PPh RhCl、(PPh RhClとプロピオル酸エチルとの混合物またはそれらの任意の組み合わせを含み、ここで、Phは、フェニルである、項目23に記載の方法。
(項目25)
前記被毒化Pd(0)触媒が、CaCO 担持鉛被毒化Pd(0)触媒(Pd(Pb)/CaCO )を含む、項目23に記載の方法。
(項目26)
ホスフィンリガンドを含むパラジウム触媒の存在下において、化合物(O)
Figure 2017501120

をビス(ピナコラト)ジボロンと反応させることにより、化合物(Y)
Figure 2017501120

を形成する工程をさらに含む、項目1〜25のいずれか1項に記載の方法。
(項目27)
前記ホスフィンリガンドを含むパラジウム触媒が、Pd(Ph P) である、項目26に記載の方法。
(項目28)
化合物(N)
Figure 2017501120

を、Br 、N−ブロモスクシンイミド、1,3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントインまたはそれらの任意の組み合わせを含む臭素化剤で処理することにより、化合物(O)を形成する工程をさらに含む、項目26または27に記載の方法。
(項目29)
(l)化合物(J)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩をヨウ素化剤または臭素化剤と反応させることにより、化合物(K)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、X は、BrまたはIである、工程;
(m)化合物(K)またはその薬学的に許容され得る塩をトリメチルシリルアセチレンと反応させることにより、化合物(L)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、TMSは、トリメチルシリルである、工程;
(n)化合物(L)またはその薬学的に許容され得る塩をC 1−6 アルコキシド塩基と反応させることにより、化合物(P)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(o)化合物(P)をカリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせと反応させることにより、化合物(M)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
(p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
Figure 2017501120

を形成する工程
をさらに含む、項目26〜28のいずれか1項に記載の方法。
(項目30)
前記C 1−6 アルコキシド塩基が、カリウムtert−アミレート、カリウムtert−ブトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムtert−アミレート、ナトリウムtert−ブトキシド、ナトリウムメトキシドまたはそれらの任意の組み合わせを含む、項目29に記載の方法。
(項目31)
化合物(K)またはその薬学的に許容され得る塩とトリメチルシリルアセチレンとの前記反応が、Pd(Ph P) 、Pd(PPh Cl 、Pd(dppf) Cl もしくはそれらの任意の組み合わせを含むパラジウム触媒、ハロゲン化銅(I)触媒またはそれらの任意の組み合わせの存在下において行われる、項目29〜30のいずれか1項に記載の方法。
(項目32)
化合物(K)またはその薬学的に許容され得る塩とトリメチルシリルアセチレンとの前記反応が、CuI、Pd(Ph P) 、Pd(PPh Cl 、Pd(dppf) Cl またはそれらの任意の組み合わせの存在下において行われる、項目31に記載の方法。
(項目33)
前記トシル化工程xiv)が、化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をTsClと反応させることによって行われる、項目29〜32のいずれか1項に記載の方法。
(項目34)
化合物(J)またはその薬学的に許容され得る塩が、I 、ICl、N−ヨードスクシンイミドを含むヨウ素化剤と反応され、X が、Iである、項目29〜33のいずれか1項に記載の方法。
(項目35)
前記ヨウ素化剤が、I である、項目34に記載の方法。
(項目36)
化合物(J)またはその薬学的に許容され得る塩が、Br 、N−ブロモスクシンイミド、1,3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントインまたはそれらの任意の組み合わせを含む臭素化剤と反応され、X が、Brである、項目29〜34のいずれか1項に記載の方法。
(項目37)
前記臭素化剤が、Br である、項目36に記載の方法。
(項目38)
(q)ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウムと第3級ホスフィンリガンドPR との混合物を含むパラジウム触媒の存在下において、化合物(K)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩をアセトアルデヒドと反応させることにより、化合物(M)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、Rは、C 1−6 アルキルまたはC 5−6 シクロアルキルであり、X は、BrまたはIである、工程;および
(p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
Figure 2017501120

を形成する工程
をさらに含む、項目27〜28のいずれか1項に記載の方法。
(項目39)
前記第3級ホスフィンリガンドPR が、P( Bu) 、PCy 、P(i−Pr) 、P(Bu )、PEt 、PMe またはそれらの任意の組み合わせを含む、項目38に記載の方法。
(項目40)
前記第3級ホスフィンリガンドが、P( Bu) を含む、項目39に記載の方法。
(項目41)
水および1つまたはそれを超える有機溶媒を含む溶媒系において、前記脱保護工程(b)の後の化合物(1)をHClで処理することにより、化合物(1)のHCl塩を形成する工程をさらに含み、ここで、該有機溶媒は、アセトニトリル、クロロベンゼン、クロロホルム、シクロヘキサン、1,2−ジクロロエテン、ジクロロメタン、1,2−ジメトキシエタン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、1,4−ジオキサン、2−エトキシエタノール、エチレングリコール、ホルムアミド、ヘキサン、メタノール、2−メトキシエタノール、メチルブチルケトン、メチルシクロヘキサン、N−メチルピロリドン、ニトロメタン、ピリジン、スルホラン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラリン、トルエン、1,1,2−トリクロロエテン、キシレン、酢酸、アセトン、アニソール、1−ブタノール、2−ブタノール、酢酸ブチル、tert−ブチルメチルエーテル、クメン、ヘプタン、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸メチル、3−メチル−1−ブタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−メチル−1−プロパノール、ジメチルスルホキシド、エタノール、酢酸エチル、エチルエーテル、ギ酸エチル、ギ酸、ペンタン、1−ペンタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、酢酸プロピルまたはそれらの任意の組み合わせから選択される、項目1〜40のいずれか1項に記載の方法。
(項目42)
前記溶媒系の有機溶媒が、2−エトキシエタノール、エチレングリコール、メタノール、2−メトキシエタノール、1−ブタノール、2−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、エタノール、1−ペンタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、メチルブチルケトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、ピリジン、トルエンおよびキシレンからなる群より選択される、項目41に記載の方法。
(項目43)
前記溶媒系が、水およびアセトン、または水およびイソプロパノールを含む、項目42に記載の方法。
(項目44)
化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(1)は、以下の構造式:
Figure 2017501120

によって表され、該方法は、
(g)化合物(A)
Figure 2017501120

をキニン
Figure 2017501120

およびエチルアルコールと反応させることにより、キニンと化合物(C−1)
Figure 2017501120

との付加物を形成する工程;
(h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(i)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩をエピマー化することにより、化合物(C)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(e)化合物(C)またはその薬学的に許容され得る塩をジフェニルホスホリルアジドおよびベンジルアルコールと反応させることにより、化合物(D)
Figure 2017501120

を形成する工程であって、ここで、Cbzは、カルボキシルベンジルである、工程;
(f)炭素担持Pd触媒(Pd(0)/C)の存在下において、化合物(D)またはその薬学的に許容され得る塩をH と反応させることにより、化合物(F)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(c)化合物(F)またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(G)
Figure 2017501120

と反応させることにより、化合物(H)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(d)化合物(H)またはその薬学的に許容され得る塩を加水分解することにより、化合物(X)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(a)パラジウム触媒の存在下において、化合物(X)またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(Y)
Figure 2017501120

と反応させることにより、化合物(Z)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
(b)化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
を含み;
ここで:
およびX は、独立して、−Fまたは−Clであり;
Tsは、トシルであり;
各R は、独立して、エチルである、
方法。
(項目45)
工程(h)の前記パラジウム触媒が、パラジウム−XPhos錯体およびホスフェート塩基またはカーボネート塩基を含み、ここで、XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルである、項目44に記載の方法。
(項目46)
前記カーボネート塩基が、Na CO 、K CO またはそれらの組み合わせを含み、前記ホスフェート塩基が、K PO 、Na PO またはそれらの組み合わせを含む、項目45に記載の方法。
(項目47)
カーボネート塩基が、K CO を含み、前記ホスフェート塩基が、K PO を含む、項目46に記載の方法。
(項目48)
前記塩基が、K CO を含む、項目45に記載の方法。
(項目49)
脱保護工程(i)が、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩を、LiOH、NaOH、KOHまたはそれらの任意の組み合わせを含む無機水酸化物で処理する工程を含む、項目44〜48のいずれか1項に記載の方法。
(項目50)
およびX の各々が、−Fである、項目44〜49のいずれか1項に記載の方法。
(項目51)
が、−Clであり、X が、−Fである、項目44〜50のいずれか1項に記載の方法。
(項目52)
工程(c)の前記エピマー化が、化合物(C−1)をC 1−6 アルコキシドで処理する工程を含む、項目44〜51のいずれか1項に記載の方法。
(項目53)
前記C 1−6 アルコキシドが、tert−ブトキシド、tert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせを含む、項目52に記載の方法。
(項目54)
化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(1)は、以下の構造式:
Figure 2017501120

によって表され、該方法は、
(q)第1のパラジウム触媒の存在下において、化合物(K)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩をアセトアルデヒドと反応させることにより、化合物(M)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(s)化合物(N)を臭素化することにより、化合物(O)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(t)パラジウム触媒の存在下において、化合物(O)をビス(ピナコラト)ジボロンと反応させることにより、化合物(Y)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(a)第2のパラジウム触媒の存在下において、化合物(X):
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(Y)と反応させることにより、化合物(Z):
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
(b)化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
を含み、ここで、X およびX は、独立して、−Fまたは−Clであり;X は、−Brであり;Tsは、トシルである、方法。
(項目55)
工程(e)の前記第2のパラジウム触媒が、パラジウム−XPhos錯体およびホスフェート塩基またはカーボネート塩基を含み、ここで、XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルである、項目54に記載の方法。
(項目56)
前記ホスフェート塩基が、K PO を含み、前記カーボネート塩基が、K CO を含む、項目55に記載の方法。
(項目57)
工程(f)の前記脱保護が、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩を、LiOH、NaOH、KOHまたはそれらの任意の組み合わせを含む無機水酸化物で処理する工程を含む、項目54〜56のいずれか1項に記載の方法。
(項目58)
工程(a)の前記第1のパラジウム触媒が、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウムと第3級ホスフィンリガンドPR との混合物を含み、ここで、Rは、C 1−6 アルキルまたはC 5−6 シクロアルキルである、項目54〜57のいずれか1項に記載の方法。
(項目59)
前記第3級ホスフィンリガンドが、P( Bu) を含む、項目58に記載の方法。
(項目60)
およびX の各々が、−Fである、項目54〜59のいずれか1項に記載の方法。
(項目61)
が、−Clであり、X が、−Fである、項目54〜59のいずれか1項に記載の方法。
(項目62)
化合物(2)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(2)は、以下の構造式:
Figure 2017501120

によって表され、該方法は、
(g)化合物(A)
Figure 2017501120

をキニン
Figure 2017501120

およびエチルアルコールと反応させることにより、キニンと化合物(C−1):
Figure 2017501120

との付加物を形成する工程;
(h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(i−1)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を、tert−ブトキシドまたはtert−アミレートから選択されるC 1−6 アルコキシドと反応させることにより、化合物(C)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(e)化合物(C)をジフェニルホスホリルアジドと反応させ、次いで、ベンジルアルコールと反応させることにより、化合物(D)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(f)炭素担持Pd触媒(Pd(0)/C)の存在下において、化合物(D)またはその薬学的に許容され得る塩をH と反応させることにより、化合物(F)
Figure 2017501120

のHCl塩を形成する工程;
(r)化合物(F)のHCl塩を化合物(G)
Figure 2017501120

と反応させることにより、化合物(H)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(h−1)化合物(H)を加水分解することにより、化合物(X−2)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(l)化合物(J):
Figure 2017501120

をヨウ素化するかまたは臭素化することにより、化合物(K)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(q−1)化合物(K)をトリメチルシリルアセチレンと反応させることにより、化合物(L)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(j)化合物(L)をC 1−6 アルコキシドと反応させることにより、化合物(M)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(k)化合物(M)をトシル化することにより、化合物(N)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(s)化合物(N)を臭素化することにより、化合物(O)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(t)Pd(Ph P) の存在下において、化合物(O)をビス(ピナコラト)ジボロンと反応させることにより、化合物(Y−2)
Figure 2017501120

を形成する工程;
(n)パラジウム−XPhos錯体およびK CO またはK PO から選択されるホスフェート塩基またはカーボネート塩基の存在下において、化合物(X−2)を化合物(Y−2)と反応させることにより、化合物(Z−2)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
(o)化合物(Z−2)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(2)その薬学的に許容され得る塩を形成する工程
を含み;
ここで:
Cbzは、カルボキシルベンジルであり;
XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルであり;
Tsは、トシルであり;
各R は、独立して、エチルであり;
各X は、独立して、Fであり;
各X は、独立して、Fであり;
各X は、独立して、BrまたはIである、
方法。
(項目63)
化合物(C)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、該方法は、
(g)化合物(A)
Figure 2017501120

をキニン
Figure 2017501120

およびエチルアルコールと反応させることにより、キニンと化合物(C−1)
Figure 2017501120

との付加物を形成する工程であって、ここで、R は、エチルである、工程;
(h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
(i)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩をエピマー化することにより、化合物(C)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
を含む、方法。
(項目64)
エピマー化工程(c)が、化合物(C−1)をC 1−6 アルコキシドで処理する工程を含む、項目63に記載の方法。
(項目65)
前記C 1−6 アルコキシドが、tert−ブトキシド、tert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせを含む、項目64に記載の方法。
(項目66)
化合物(N)を調製する方法であって、該方法は、
(q)パラジウム触媒の存在下において、化合物(K)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩をアセトアルデヒドと反応させることにより、化合物(M)
Figure 2017501120

またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、X は、独立して、−Fまたは−Clであり、X は、−Brである、工程;および
(p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
Figure 2017501120

を形成する工程
を含む、方法。
(項目67)
工程(a)の前記パラジウム触媒が、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウムと第3級ホスフィンリガンドPR との混合物を含み、ここで、Rは、C 1−6 アルキルまたはC 5−6 シクロアルキルである、項目66に記載の方法。
(項目68)
前記第3級ホスフィンリガンドが、P( Bu) を含む、項目67に記載の方法。

Claims (68)

  1. 化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(1)は、以下の構造式:
    Figure 2017501120
    によって表され、該方法は、
    (a)パラジウム触媒および塩基の存在下において、化合物(X)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(Y)
    Figure 2017501120
    と反応させることにより、化合物(Z)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
    (b)化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    を含み;
    ここで:
    およびXの各々は、独立して、−Fまたは−Clであり;
    Tsは、トシルであり;
    該パラジウム触媒は、パラジウム−XPhos錯体を含み、XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルであり;
    該塩基は、ホスフェート塩基またはカーボネート塩基である、
    方法。
  2. 前記パラジウム−XPhos錯体が、Pd(0)またはPd(II)源をXPhosと混合することによってインサイチュで調製される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記Pd(0)またはPd(II)源が、Pd(dba)、Pd(OAc)、PdClまたはそれらの任意の組み合わせを含み、dbaが、ジベンジリデンアセトンであり、OAcが、アセテートである、請求項2に記載の方法。
  4. 前記パラジウム−XPhos錯体が、Pd(OAc)およびXPhosを混合することによってインサイチュで調製される、請求項3に記載の方法。
  5. およびXの各々が、−Fである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. が、−Clであり、Xが、−Fである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記塩基が、NaCO、KCO、KPOまたはNaPOから選択されるホスフェート塩基またはカーボネート塩基である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記塩基が、KCOまたはKPOから選択される、請求項7に記載の方法。
  9. 工程(a)が、水、および2−メチルTHFもしくはTHFまたはそれらの任意の組み合わせから選択される有機溶媒を含む溶媒系において行われる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 工程(b)が、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩を、LiOH、NaOH、KOHまたはそれらの任意の組み合わせを含む無機水酸化物で処理する工程を含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
  11. 工程(b)が、THFを含む溶媒系において、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩をLiOHで処理する工程を含む、請求項10に記載の方法。
  12. (c)化合物(F)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(G)
    Figure 2017501120
    と反応させることにより、化合物(H)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、Rは、C1−4アルキルである、工程;および
    (d)化合物(H)またはその薬学的に許容され得る塩を加水分解することにより、化合物(X)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    をさらに含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
  13. (e)化合物(C)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩をジフェニルホスホリルアジドおよびベンジルアルコールと反応させることにより、化合物(D)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、Cbzは、カルボキシベンジルである、工程;および
    (f)炭素担持Pd触媒の存在下において、化合物(D)またはその薬学的に許容され得る塩をHと反応させることにより、化合物(F)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    をさらに含む、請求項12に記載の方法。
  14. (g)化合物(A)
    Figure 2017501120
    をキニン
    Figure 2017501120
    および
    −OHと反応させることにより、キニンと化合物(C−1)
    Figure 2017501120
    との付加物を形成する工程であって、ここで、Rは、C1−4アルキルである、工程;
    (h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
    (i)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩をエピマー化することにより、化合物(C)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    をさらに含む、請求項12または13のいずれかに記載の方法。
  15. 前記エピマー化工程が、化合物(C−1)をC1−6アルコキシドで処理する工程を含む、請求項14に記載の方法。
  16. 前記Cアルコキシドが、tert−ブトキシド、tert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項15に記載の方法。
  17. が、エチルである、請求項14〜16のいずれか1項に記載の方法。
  18. パラジウム触媒の存在下において、化合物(S)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を水素化することにより、化合物(F)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程をさらに含み、ここで、Phは、フェニルであり、該パラジウム触媒は、炭素担持Pd(0)(Pd(0)/C)、炭素担持Pd(OH)またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項12に記載の方法。
  19. 化合物(R)
    Figure 2017501120
    をS−(−)−N−ベンジル−アルファ−メチルベンジルアミノリチウムと反応させることにより、化合物(S)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程をさらに含む、請求項18に記載の方法。
  20. (j)アルミニウム触媒の存在下において、1,3−シクロヘキサジエンをCH≡CHC(O)ORと反応させることにより、化合物(Q)
    Figure 2017501120
    を形成する工程であって、ここで、Rは、C1−4アルキルである、工程、および
    (k)化合物(Q)を水素化することにより、化合物(R)
    Figure 2017501120
    を形成する工程
    をさらに含む、請求項19に記載の方法。
  21. が、エチルである、請求項20に記載の方法。
  22. 前記アルミニウム触媒が、EtAlCl、EtAlCl、AlClとトリオクチルアルミニウムとの混合物またはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項20または21に記載の方法。
  23. 化合物()の前記水素化が、Rh(I)触媒または被毒化Pd(0)触媒の存在下において、化合物()をHと反応させる工程を含む、請求項20〜22のいずれか1項に記載の方法。
  24. 前記Rh(I)触媒が、(PPhRhCl、(PPhRhClとプロピオル酸エチルとの混合物またはそれらの任意の組み合わせを含み、ここで、Phは、フェニルである、請求項23に記載の方法。
  25. 前記被毒化Pd(0)触媒が、CaCO担持鉛被毒化Pd(0)触媒(Pd(Pb)/CaCO)を含む、請求項23に記載の方法。
  26. ホスフィンリガンドを含むパラジウム触媒の存在下において、化合物(O)
    Figure 2017501120
    をビス(ピナコラト)ジボロンと反応させることにより、化合物(Y)
    Figure 2017501120
    を形成する工程をさらに含む、請求項1〜25のいずれか1項に記載の方法。
  27. 前記ホスフィンリガンドを含むパラジウム触媒が、Pd(PhP)である、請求項26に記載の方法。
  28. 化合物(N)
    Figure 2017501120
    を、Br、N−ブロモスクシンイミド、1,3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントインまたはそれらの任意の組み合わせを含む臭素化剤で処理することにより、化合物(O)を形成する工程をさらに含む、請求項26または27に記載の方法。
  29. (l)化合物(J)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩をヨウ素化剤または臭素化剤と反応させることにより、化合物(K)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、Xは、BrまたはIである、工程;
    (m)化合物(K)またはその薬学的に許容され得る塩をトリメチルシリルアセチレンと反応させることにより、化合物(L)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、TMSは、トリメチルシリルである、工程;
    (n)化合物(L)またはその薬学的に許容され得る塩をC1−6アルコキシド塩基と反応させることにより、化合物(P)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (o)化合物(P)をカリウムtert−ブトキシド、カリウムtert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせと反応させることにより、化合物(M)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
    (p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
    Figure 2017501120
    を形成する工程
    をさらに含む、請求項26〜28のいずれか1項に記載の方法。
  30. 前記C1−6アルコキシド塩基が、カリウムtert−アミレート、カリウムtert−ブトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムtert−アミレート、ナトリウムtert−ブトキシド、ナトリウムメトキシドまたはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項29に記載の方法。
  31. 化合物(K)またはその薬学的に許容され得る塩とトリメチルシリルアセチレンとの前記反応が、Pd(PhP)、Pd(PPhCl、Pd(dppf)Clもしくはそれらの任意の組み合わせを含むパラジウム触媒、ハロゲン化銅(I)触媒またはそれらの任意の組み合わせの存在下において行われる、請求項29〜30のいずれか1項に記載の方法。
  32. 化合物(K)またはその薬学的に許容され得る塩とトリメチルシリルアセチレンとの前記反応が、CuI、Pd(PhP)、Pd(PPhCl、Pd(dppf)Clまたはそれらの任意の組み合わせの存在下において行われる、請求項31に記載の方法。
  33. 前記トシル化工程(p)が、化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をTsClと反応させることによって行われる、請求項29〜32のいずれか1項に記載の方法。
  34. 化合物(J)またはその薬学的に許容され得る塩が、I、ICl、N−ヨードスクシンイミドまたはそれらの任意の組み合わせを含むヨウ素化剤と反応され、Xが、Iである、請求項29〜33のいずれか1項に記載の方法。
  35. 前記ヨウ素化剤が、Iである、請求項34に記載の方法。
  36. 化合物(J)またはその薬学的に許容され得る塩が、Br、N−ブロモスクシンイミド、1,3−ジブロモ−5,5−ジメチルヒダントインまたはそれらの任意の組み合わせを含む臭素化剤と反応され、Xが、Brである、請求項29〜33のいずれか1項に記載の方法。
  37. 前記臭素化剤が、Brである、請求項36に記載の方法。
  38. (q)ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウムと第3級ホスフィンリガンドPRとの混合物を含むパラジウム触媒の存在下において、化合物(K)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩をアセトアルデヒドと反応させることにより、化合物(M)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、Rは、C1−6アルキルまたはC5−6シクロアルキルであり、Xは、BrまたはIである、工程;および
    (p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
    Figure 2017501120
    を形成する工程
    をさらに含む、請求項26〜28のいずれか1項に記載の方法。
  39. 前記第3級ホスフィンリガンドPRが、P(Bu)、PCy、P(i−Pr)、P(Bu)、PEt、PMeまたはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項38に記載の方法。
  40. 前記第3級ホスフィンリガンドが、P(Bu)を含む、請求項39に記載の方法。
  41. 水および1つまたはそれを超える有機溶媒を含む溶媒系において、前記脱保護工程(b)の後の化合物(1)をHClで処理することにより、化合物(1)のHCl塩を形成する工程をさらに含み、ここで、該有機溶媒は、アセトニトリル、クロロベンゼン、クロロホルム、シクロヘキサン、1,2−ジクロロエテン、ジクロロメタン、1,2−ジメトキシエタン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、1,4−ジオキサン、2−エトキシエタノール、エチレングリコール、ホルムアミド、ヘキサン、メタノール、2−メトキシエタノール、メチルブチルケトン、メチルシクロヘキサン、N−メチルピロリドン、ニトロメタン、ピリジン、スルホラン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラリン、トルエン、1,1,2−トリクロロエテン、キシレン、酢酸、アセトン、アニソール、1−ブタノール、2−ブタノール、酢酸ブチル、tert−ブチルメチルエーテル、クメン、ヘプタン、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸メチル、3−メチル−1−ブタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−メチル−1−プロパノール、ジメチルスルホキシド、エタノール、酢酸エチル、エチルエーテル、ギ酸エチル、ギ酸、ペンタン、1−ペンタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、酢酸プロピルまたはそれらの任意の組み合わせから選択される、請求項1〜40のいずれか1項に記載の方法。
  42. 前記溶媒系の有機溶媒が、2−エトキシエタノール、エチレングリコール、メタノール、2−メトキシエタノール、1−ブタノール、2−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、エタノール、1−ペンタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、メチルブチルケトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、ピリジン、トルエンおよびキシレンからなる群より選択される、請求項41に記載の方法。
  43. 前記溶媒系が、水およびアセトン、または水およびイソプロパノールを含む、請求項42に記載の方法。
  44. 化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(1)は、以下の構造式:
    Figure 2017501120
    によって表され、該方法は、
    (g)化合物(A)
    Figure 2017501120
    をキニン
    Figure 2017501120
    およびエチルアルコールと反応させることにより、キニンと化合物(C−1)
    Figure 2017501120
    との付加物を形成する工程;
    (h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (i)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩をエピマー化することにより、化合物(C)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (e)化合物(C)またはその薬学的に許容され得る塩をジフェニルホスホリルアジドおよびベンジルアルコールと反応させることにより、化合物(D)
    Figure 2017501120
    を形成する工程であって、ここで、Cbzは、カルボキシルベンジルである、工程;
    (f)炭素担持Pd触媒(Pd(0)/C)の存在下において、化合物(D)またはその薬学的に許容され得る塩をHと反応させることにより、化合物(F)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (c)化合物(F)またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(G)
    Figure 2017501120
    と反応させることにより、化合物(H)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (d)化合物(H)またはその薬学的に許容され得る塩を加水分解することにより、化合物(X)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (a)パラジウム触媒の存在下において、化合物(X)またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(Y)
    Figure 2017501120
    と反応させることにより、化合物(Z)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
    (b)化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    を含み;
    ここで:
    およびXは、独立して、−Fまたは−Clであり;
    Tsは、トシルであり;
    各Rは、独立して、エチルである、
    方法。
  45. 工程()の前記パラジウム触媒が、パラジウム−XPhos錯体およびホスフェート塩基またはカーボネート塩基を含み、ここで、XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルである、請求項44に記載の方法。
  46. 前記カーボネート塩基が、NaCO、KCOまたはそれらの組み合わせを含み、前記ホスフェート塩基が、KPO、NaPOまたはそれらの組み合わせを含む、請求項45に記載の方法。
  47. カーボネート塩基が、KCOを含み、前記ホスフェート塩基が、KPOを含む、請求項46に記載の方法。
  48. 前記塩基が、KCOを含む、請求項45に記載の方法。
  49. 脱保護工程()が、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩を、LiOH、NaOH、KOHまたはそれらの任意の組み合わせを含む無機水酸化物で処理する工程を含む、請求項44〜48のいずれか1項に記載の方法。
  50. およびXの各々が、−Fである、請求項44〜49のいずれか1項に記載の方法。
  51. が、−Clであり、Xが、−Fである、請求項44〜50のいずれか1項に記載の方法。
  52. 工程()の前記エピマー化が、化合物(C−1)をC1−6アルコキシドで処理する工程を含む、請求項44〜51のいずれか1項に記載の方法。
  53. 前記C1−6アルコキシドが、tert−ブトキシド、tert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項52に記載の方法。
  54. 化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(1)は、以下の構造式:
    Figure 2017501120
    によって表され、該方法は、
    (q)第1のパラジウム触媒の存在下において、化合物(K)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩をアセトアルデヒドと反応させることにより、化合物(M)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (s)化合物(N)を臭素化することにより、化合物(O)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (t)パラジウム触媒の存在下において、化合物(O)をビス(ピナコラト)ジボロンと反応させることにより、化合物(Y)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (a)第2のパラジウム触媒の存在下において、化合物(X):
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を化合物(Y)と反応させることにより、化合物(Z):
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
    (b)化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    を含み、ここで、XおよびXは、独立して、−Fまたは−Clであり;Xは、−Brであり;Tsは、トシルである、方法。
  55. 工程()の前記第2のパラジウム触媒が、パラジウム−XPhos錯体およびホスフェート塩基またはカーボネート塩基を含み、ここで、XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルである、請求項54に記載の方法。
  56. 前記ホスフェート塩基が、KPOを含み、前記カーボネート塩基が、KCOを含む、請求項55に記載の方法。
  57. 工程()の前記脱保護が、化合物(Z)またはその薬学的に許容され得る塩を、LiOH、NaOH、KOHまたはそれらの任意の組み合わせを含む無機水酸化物で処理する工程を含む、請求項54〜56のいずれか1項に記載の方法。
  58. 工程()の前記第1のパラジウム触媒が、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウムと第3級ホスフィンリガンドPRとの混合物を含み、ここで、Rは、C1−6アルキルまたはC5−6シクロアルキルである、請求項54〜57のいずれか1項に記載の方法。
  59. 前記第3級ホスフィンリガンドが、P(Bu)を含む、請求項58に記載の方法。
  60. およびXの各々が、−Fである、請求項54〜59のいずれか1項に記載の方法。
  61. が、−Clであり、Xが、−Fである、請求項54〜59のいずれか1項に記載の方法。
  62. 化合物(2)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、ここで、化合物(2)は、以下の構造式:
    Figure 2017501120
    によって表され、該方法は、
    (g)化合物(A)
    Figure 2017501120
    をキニン
    Figure 2017501120
    およびエチルアルコールと反応させることにより、キニンと化合物(C−1):
    Figure 2017501120
    との付加物を形成する工程;
    (h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (i−1)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を、tert−ブトキシドまたはtert−アミレートから選択されるC1−6アルコキシドと反応させることにより、化合物(C)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (e)化合物(C)をジフェニルホスホリルアジドと反応させ、次いで、ベンジルアルコールと反応させることにより、化合物(D)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (f)炭素担持Pd触媒(Pd(0)/C)の存在下において、化合物(D)またはその薬学的に許容され得る塩をHと反応させることにより、化合物(F)
    Figure 2017501120
    のHCl塩を形成する工程;
    (r)化合物(F)のHCl塩を化合物(G)
    Figure 2017501120
    と反応させることにより、化合物(H)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (h−1)化合物(H)を加水分解することにより、化合物(X−2)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (l)化合物(J):
    Figure 2017501120
    をヨウ素化するかまたは臭素化することにより、化合物(K)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (q−1)化合物(K)をトリメチルシリルアセチレンと反応させることにより、化合物(L)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (j)化合物(L)をC1−6アルコキシドと反応させることにより、化合物(M)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (k)化合物(M)をトシル化することにより、化合物(N)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (s)化合物(N)を臭素化することにより、化合物(O)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (t)Pd(PhP)の存在下において、化合物(O)をビス(ピナコラト)ジボロンと反応させることにより、化合物(Y−2)
    Figure 2017501120
    を形成する工程;
    (n)パラジウム−XPhos錯体およびKCOまたはKPOから選択されるホスフェート塩基またはカーボネート塩基の存在下において、化合物(X−2)を化合物(Y−2)と反応させることにより、化合物(Z−2)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;および
    (o)化合物(Z−2)またはその薬学的に許容され得る塩のTs基を脱保護することにより、化合物(2)その薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    を含み;
    ここで:
    Cbzは、カルボキシルベンジルであり;
    XPhosは、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,4’,6’−トリイソプロピルビフェニルであり;
    Tsは、トシルであり;
    各Rは、独立して、エチルであり;
    各Xは、独立して、Fであり;
    各Xは、独立して、Fであり;
    各Xは、独立して、BrまたはIである、
    方法。
  63. 化合物(C)またはその薬学的に許容され得る塩を調製する方法であって、該方法は、
    (g)化合物(A)
    Figure 2017501120
    をキニン
    Figure 2017501120
    およびエチルアルコールと反応させることにより、キニンと化合物(C−1)
    Figure 2017501120
    との付加物を形成する工程であって、ここで、Rは、エチルである、工程;
    (h)キニンと化合物(C−1)との該付加物をHClで処理することによって該付加物を分割することにより、化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程;
    (i)化合物(C−1)またはその薬学的に許容され得る塩をエピマー化することにより、化合物(C)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程
    を含む、方法。
  64. エピマー化工程()が、化合物(C−1)をC1−6アルコキシドで処理する工程を含む、請求項63に記載の方法。
  65. 前記C1−6アルコキシドが、tert−ブトキシド、tert−アミレートまたはそれらの任意の組み合わせを含む、請求項64に記載の方法。
  66. 化合物(N)を調製する方法であって、該方法は、
    (q)パラジウム触媒の存在下において、化合物(K)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩をアセトアルデヒドと反応させることにより、化合物(M)
    Figure 2017501120
    またはその薬学的に許容され得る塩を形成する工程であって、ここで、Xは、独立して、−Fまたは−Clであり、Xは、−Brである、工程;および
    (p)化合物(M)またはその薬学的に許容され得る塩をトシル化することにより、化合物(N)
    Figure 2017501120
    を形成する工程
    を含む、方法。
  67. 工程()の前記パラジウム触媒が、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウムと第3級ホスフィンリガンドPRとの混合物を含み、ここで、Rは、C1−6アルキルまたはC5−6シクロアルキルである、請求項66に記載の方法。
  68. 前記第3級ホスフィンリガンドが、P(Bu)を含む、請求項67に記載の方法。

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