JP2017199725A5 - - Google Patents
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Description
また、本実施形態にかかる照明光学系の瞳面における光強度分布、及び、検出光学系の検出NAを決める位置は、必ずしもプリズム24の位置でなくてもよい。例えば、図3に示すように、検出光学系21と照明光学系22はそれぞれ個別の開口絞り27および28を有してもよい。この構成では、開口絞り28の開口形状により検出光学系の検出NAが決まり、開口絞り27の開口形状により照明光学系の瞳面における光強度分布が決まる。また、プリズム24にはその貼り合せ面に半透膜を有するハーフプリズム等が用いられる。
図5は、計測装置3の照明光学系22の瞳面における光強度分布(IL1、IL2、IL3、IL4)と、検出光学系21の瞳面における検出開口NAoとの関係を示す図である。図5では、照明光学系22の瞳面(開口絞り27)と、検出光学系21の瞳面の開口(開口絞り28)とを重ね合わせて表示している。本実施形態では、照明光学系22の瞳面における光強度分布は、円形状の光強度分布である第1極IL1と、第2極IL2と、第3極IL3と、第4極IL4とを含む。各極は、各極内において光強度のピークを有する。照明光学系22は、これらの極で、マーク10やマーク11の回折格子の周期方向(第1方向)に対して垂直な方向から斜入射する光と、かかる周期方向に平行な方向から斜入射する光とによって、マーク10やマーク11を照明する。上述したように、開口絞り27を照明光学系22の瞳面に配置することで、1つの光源23から複数の極、即ち、第1極IL1乃至第4極IL4を形成することができる。このように、1つの光源の光から複数の極(ピーク)を有する光強度分布を形成する場合には、計測装置3を簡略化又は小型化することができる。
図6を参照して、回折格子マークからの回折光によるモアレの発生の原理、及び、かかるモアレを用いたマーク間(モールド7と基板8)の相対位置の計測、について説明する。図6(a)に、マーク10に相当する、モールド7に設けられる回折格子41を示す。図6(b)に、マーク11に相当する、基板8に設けられる回折格子42を示す。回折格子41と回折格子42とは、周期パターン(格子)の周期が僅かに異なっている。格子の周期が互いに異なる2つの回折格子を近づけて重ねると、2つの回折格子からの回折光同士の干渉によって、回折格子間の周期差を反映した周期を有するパターン、所謂、モアレが現れる。この際、回折格子同士の相対位置によってモアレの位相が変化するため、モアレを検出することで回折格子41と回折格子42との相対位置、即ち、モールド7と基板8との相対位置を求めることができる。
なお、図10に示すように、マークの種類によってマークからの光量の波長特性が異なる。したがって、各マークに適した波長の光で照明又検出を行うとよいことが分かる。モアレ縞に関しては、波長720nmや780nmで光量が大きい。そのため、モアレ縞を生成する回折格子51a―2及び52a―2については、光量が大きい波長720〜780nm付近の光を検出するとよい。波長720〜780nm付近のみ光を回折格子51a―2及び52a―2を照明してもよいし、より広い帯域の波長で照明して回折格子51a―2及び52a―2からの波長720〜780nm付近のみ光を検出してもよい。また、モールド側マーク51a―1に着目すると、波長540nmから波長780nmになるにしたがって光量が小さくなっている。基板側マーク52a―1は、波長540nm付近で光量が小さく、波長720nm付近で光量が最大になっている。そのため、モールド側マーク51a―1と基板側マーク52a―1に関しては、両者を同等の光量で検出するために、720〜780nmより小さい、600〜660nmの波長の光を検出するとよい。波長600〜660nmのみ光をモールド側マーク51a―1及び基板側マーク52a―1を照明してもよいし、より広い帯域の波長で照明してモールド側マーク51a―1及び基板側マーク52a―1からの波長600〜660nmのみ光を検出してもよい。
例えば、複数の光源30a〜30dのうち、波長720nmの光を射出する光源又は波長780nmの光を射出する光源のみの出力をONにして、回折格子51a―2及び52a―2を照明し、回折格子51a―2及び52a―2からのモアレ縞を撮像素子25で検出する。そして、回折格子51a―2と回折格子52a―2(基板と型)の相対位置を求める。複数の光源30a〜30dのうち、波長600〜660nmの光を射出する光源のみの出力をONにして、モールド側マーク51a―1と基板側マーク52a―1を照明して、モールド側マーク51a―1と基板側マーク52a―1からの光を撮像素子25で検出する。そして、モールド側マーク51a―1と基板側マーク52a―1の相対位置を求める。なお、各マークの照明は同時でもよいし、時間を変えて交互に照明してもよい。また、同時に照明する場合は、各マークからの光を同時に検出してもよいし、時間を変えて交互に検出してもよい。また、照明部側の光量調整に限らず、より広い帯域の波長の照明光を用いて各マークを照明し、検出部側のNDフィルタを用いて撮像素子25によって検出される波長の光量を調整してもよい。
図14(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図14(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
図14(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
Claims (15)
- 第1部材に設けられたアライメントマークと第2部材に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測する計測装置であって、
第1波長の照明光と前記第1波長とは異なる第2波長の照明光とを含む光を射出することが可能であって、前記第1部材に設けられた第1アライメントマークと前記第2部材に設けられた第2アライメントマークとを照明し、前記第1部材に設けられ、前記第1アライメントマークとは異なる第3アライメントマークと、前記第2部材に設けられ、前記第2アライメントマークとは異なる第4アライメントマークとを照明する照明部と、
前記照明部によって照明された、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光、を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光に基づいて前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークとの相対位置を求め、前記検出部によって検出された前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光に基づいて前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークとの相対位置を求める処理部と、
前記検出部によって検出される前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光の検出光量と、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光の検出光量と、の相対値が所定の範囲内に収まるように、前記第1波長の光量と前記第2波長の光量の相対量を調整する調整部と、を有することを特徴とする計測装置。 - 前記調整部は、前記第1波長の照明光を出す第1光源と、前記第2波長の照明光を出す第2光源と、の出力エネルギーを変更する変更部を有し、
前記調整部は、前記第1光源から射出される前記第1波長の光量と、前記第2光源から射出される前記第2波長の光量と、の相対量を調整するように前記変更部を制御することを特徴とする請求項1に記載の計測装置。 - 前記調整部は、前記検出部によって検出される前記第3アライメントマークからの光の検出光量と前記第4アライメントマークからの光の検出光量との相対値が所定の範囲内に収まるように、前記第1波長の光量と前記第2波長の光量の相対量を調整する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の計測装置。
- 前記検出部は、アライメントマークの画像を取得する1つの撮像素子を有し、
前記1つ撮像素子の撮像面で、前記第1アライメントマーク、前記第2アライメントマーク、前記第3アライメントマーク及び前記第4アライメントマークによる画像を取得する、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の計測装置。 - 前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光を前記検出部によって検出することにより得られる前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークとの相対位置の計測精度は、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光を前記検出部によって検出することにより得られる前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークとの相対位置の計測精度より高い、ことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の計測装置。
- 前記第1アライメントマークは、第1方向と、前記第1方向と異なる第2方向にそれぞれ周期をもつ第1回折格子であり、前記第2アライメントマークは、前記第1回折格子の前記第2方向の周期と異なる周期を前記第2方向にもつ第2回折格子である、ことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の計測装置。
- 前記検出部は、アライメントマークの画像を取得する撮像素子を有し、
前記撮像素子は、前記第1回折格子と前記第2回折格子によるモアレ縞の画像と、前記第3アライメントマークの画像と、前記第4アライメントマークの画像とを取得する、ことを特徴とする請求項6に記載の計測装置。 - 前記調整部は、前記検出部により検出される前記第1回折格子及び前記第2回折格子の端からの光の検出光量が、前記第1回折格子及び前記第2回折格子の中央部からの光の検出光量の倍より小さくなるように、前記第1波長の光量と前記第2波長の光量の相対量を調整する、ことを特徴とする請求項7に記載の計測装置。
- 前記検出部によって検出される前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光の検出光量と、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光の検出光量と、の相対値が所定の範囲内に収まるように、前記第1波長の照明光の目標光量と前記第2波長の照明光の目標光量を決定する制御部を有し、
前記調整部は、該決定された目標光量となるように前記第1波長の照明光の光量と前記第2波長の照明光の光量を調整することを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の計測装置。 - 前記調整部は、前記検出部によって検出される前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光の検出光量と、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光の検出光量と、が、前記検出部が検出できる最大光量の40%以上となるように、前記第1波長の光量と前記第2波長の光量の相対量を調整する、ことを特徴とする請求項1乃至9の何れか1項に記載の計測装置。
- 第1部材に設けられたアライメントマークと第2部材に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測する計測装置であって、
第1波長の照明光と前記第1波長より短い第2波長の照明光とを射出することが可能であって、前記第1部材に設けられた、第1方向と、前記第1方向と異なる第2方向にそれぞれ周期をもつ第1回折格子と前記第2部材に設けられた、前記第1回折格子の前記第2方向の周期と異なる周期を前記第2方向にもつ第2回折格子とを照明し、前記第1部材に設けられ、前記第1回折格子とは異なる第3アライメントマークと、前記第2部材に設けられ、前記第2回折格子とは異なる第4アライメントマークとを照明する照明部と、
前記照明部によって照明された、前記第1回折格子と前記第2回折格子からの前記第1波長の光、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの前記第2波長の光、を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記第1回折格子と前記第2回折格子からの前記第1波長の光に基づいて前記第1回折格子と前記第2回折格子との相対位置を求め、前記検出部によって検出された前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの前記第2波長の光に基づいて前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークとの相対位置を求める処理部と、を有することを特徴とする計測装置。 - 基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置において、前記基板に設けられたアライメントマークと前記型に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測する、請求項1乃至11の何れか1項に記載の計測装置と、
前記計測装置によって計測された前記相対位置に基づいて前記基板と前記型との位置合わせを行う位置合わせ部と、
前記位置合わせ部により前記基板と前記型との位置合わせを行って、前記基板上のインプリント材に前記型を用いてパターンを形成することを特徴とするインプリント装置。 - 請求項12に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された基板を処理する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。 - 第1波長の照明光と前記第1波長とは異なる第2波長の照明光とを含む照明光を用いて第1部材に設けられたアライメントマークと第2部材に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測する計測工程における、前記第1波長の照明光の光量と前記第2波長の照明光の光量を決定する決定方法であって、
前記計測工程は、
前記第1波長の照明光と前記第2波長の照明光とを含む照明光を用いて、前記第1部材に設けられた第1アライメントマークと前記第2部材に設けられた第2アライメントマークとを照明し、前記第1部材に設けられ、前記第1アライメントマークとは異なる第3アライメントマークと、前記第2部材に設けられ、前記第2アライメントマークとは異なる第4アライメントマークとを照明する照明工程と、
前記照明光で照明された、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光、をセンサで検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光に基づいて前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークとの相対位置を求め、前記検出工程で検出された前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光に基づいて前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークとの相対位置を求める工程と、を有し、
前記決定方法は、
前記センサで検出される、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの光の検出光量、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの光の検出光量との相対値が所定の範囲内に収まるように、前記第1波長の光量と前記第2波長の光量を決定する決定工程と、
を含むことを特徴とする決定方法。 - 第1波長の照明光と前記第1波長とは異なる第2波長の照明光とを含む照明光を用いて第1部材に設けられたアライメントマークと第2部材に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測する計測工程における、前記第1波長の照明光の光量と前記第2波長の照明光の光量を調整する調整方法であって、
前記第1波長の照明光を用いて、前記第1部材に設けられた第1アライメントマークと前記第2部材に設けられた第2アライメントマークとを照明し、前記第1部材に設けられ、前記第1アライメントマークとは異なる第3アライメントマークと、前記第2部材に設けられ、前記第2アライメントマークとは異なる第4アライメントマークとを照明する第1照明工程と、
前記第1波長の照明光で照明された、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの前記第1波長の光、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの前記第1波長の光、をセンサで検出する第1検出工程と、
前記第2波長の照明光を用いて、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークとを照明し、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークとを照明する第2照明工程と、
前記第2波長の照明光で照明された、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの前記第2波長の光、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの前記第2波長の光、をセンサで検出する第2検出工程と、
前記第1検出工程で検出された、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの前記第1波長の光の検出光量、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの前記第1波長の光の検出光量と、
前記第2検出工程で検出された、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの前記第2波長の光の検出光量、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの前記第2波長の光の検出光量と、に基づいて、
前記センサで検出される、前記第1アライメントマークと前記第2アライメントマークからの前記第1波長及び前記第2波長の光の検出光量、及び、前記第3アライメントマークと前記第4アライメントマークからの前記第1波長及び前記第2波長の光の検出光量との相対値が所定の範囲内に収まるように、前記第1波長の光量と前記第2波長の光量を調整する調整工程と、
を含むことを特徴とする調整方法。
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US11256177B2 (en) | 2019-09-11 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Imaging overlay targets using Moiré elements and rotational symmetry arrangements |
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US11686576B2 (en) | 2020-06-04 | 2023-06-27 | Kla Corporation | Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration |
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CN113985245B (zh) * | 2021-10-13 | 2023-10-31 | 深钛智能科技(苏州)有限公司 | 一种半导体芯片测试系统 |
US11796925B2 (en) | 2022-01-03 | 2023-10-24 | Kla Corporation | Scanning overlay metrology using overlay targets having multiple spatial frequencies |
EP4390540A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-26 | Koninklijke Philips N.V. | Alignment method |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1211868A (en) * | 1982-04-16 | 1986-09-23 | Yoshikazu Nishiwaki | Method of forming diffraction gratings and optical branching filter elements produced thereby |
JPS59232416A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | アライメントマ−ク |
US4734746A (en) * | 1985-06-24 | 1988-03-29 | Nippon Kogaku K. K. | Exposure method and system for photolithography |
JP3368017B2 (ja) * | 1993-10-29 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
KR100541272B1 (ko) | 1995-02-01 | 2006-05-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판상의마크위치를검출하는방법과그의방법에의한위치검출장치및그의위치검출장치를이용한노광장치 |
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
JPH09293674A (ja) | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
WO2001037049A1 (fr) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Composition photosensible, element a guide d'onde optique et procede de production dudit element |
US7322287B2 (en) * | 2000-07-18 | 2008-01-29 | Nanonex Corporation | Apparatus for fluid pressure imprint lithography |
KR20030040378A (ko) * | 2000-08-01 | 2003-05-22 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법 |
JP2004022797A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Nikon Corp | マーク位置検出装置およびマーク位置検出方法 |
KR100464854B1 (ko) | 2002-06-26 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 정렬 방법 및 정렬 장치 |
JP2006516065A (ja) * | 2002-08-01 | 2006-06-15 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
US7027156B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
TW571087B (en) * | 2003-06-02 | 2004-01-11 | Chen-Hung He | Method and system for monitoring the mold strain in nanoimprint lithography technique |
US20050270516A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing |
US7292326B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-11-06 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices |
JP4795300B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2011-10-19 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法、インプリント方法、位置合わせ装置、インプリント装置、及び位置計測方法 |
CN101059650A (zh) | 2006-04-18 | 2007-10-24 | 佳能株式会社 | 图案转印设备、压印设备和图案转印方法 |
JP2007299909A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nsk Ltd | 半導体ウェハ撮像装置 |
US8221963B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-07-17 | Seiko Epson Corporation | Method for producing fine structure |
EP2131245A3 (en) * | 2008-06-02 | 2012-08-01 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and its focus determination method |
WO2009153925A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 株式会社ニコン | ナノインプリント方法及び装置 |
NL2003871A (en) | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
JP2011040523A (ja) | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Canon Inc | 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP5451450B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及びそのテンプレート並びに物品の製造方法 |
JP5539011B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、検出装置、位置合わせ装置、及び物品の製造方法 |
JP2012073188A (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光量決定装置、位置検出装置、描画装置、および、光量決定方法 |
JP5773735B2 (ja) | 2011-05-09 | 2015-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および、デバイス製造方法 |
JP5713961B2 (ja) | 2011-06-21 | 2015-05-07 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、インプリント装置及び位置検出方法 |
JP5686779B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2015-03-18 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP6140966B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP5706861B2 (ja) | 2011-10-21 | 2015-04-22 | キヤノン株式会社 | 検出器、検出方法、インプリント装置及び物品製造方法 |
JP6029495B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP6271920B2 (ja) | 2013-09-06 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 計測装置、計測方法、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
JP6097704B2 (ja) * | 2014-01-06 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6294680B2 (ja) * | 2014-01-24 | 2018-03-14 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP6341883B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2018-06-13 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、位置検出方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6470528B2 (ja) * | 2014-09-05 | 2019-02-13 | キヤノン株式会社 | 検出装置、計測装置、露光装置、物品の製造方法、および計測方法 |
-
2016
- 2016-04-25 JP JP2016087314A patent/JP6685821B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-05 SG SG10201702818UA patent/SG10201702818UA/en unknown
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