JP6470528B2 - 検出装置、計測装置、露光装置、物品の製造方法、および計測方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100の構成を示す概略図である。第1実施形態では、スリット光により基板を走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置について説明するが、それに限られるものではなく、例えばステップ・アンド・リピート方式の露光装置についても本発明を適用することができる。第1実施形態の露光装置100は、例えば、マスクステージ10と、基板ステージ20と、投影光学系30と、照明光学系40と、検出部50(検出装置)と、制御部90とを含みうる。制御部90は、例えばCPUやメモリなどを有し、マスク11のパターンを投影光学系30を介して基板21に形成された複数のショット領域の各々に転写する処理(基板21を露光する処理)を制御する。
投影光学系30の内部において温度分布が生じている場合では、投影光学系30の内部における光路の位置によって屈折率が異なりうる。そのため、第2実施形態では、マスクマーク12、基板マーク22、第1マーク82Uおよび第2マーク82Dが配置される画像上の領域が第1実施形態に比べて狭くなるように、それらのマークが構成されている。ここで、第2実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置100と装置構成が同等であるため、以下では、装置構成についての説明を省略する。
第1マーク82Uおよび第2マーク82Dをマスク上および基板上にそれぞれ結像するための光学系がテレセントリシティ(光軸に対する主光線の傾き角)がゼロでない場合、デフォーカスによって検出部50による検出結果に誤差が生じうる。特に、第2マーク82Dを結像させる基板21の面には、基板21の厚みのばらつきや、基板21を保持する基板ステージ20の保持面の平坦度などの影響によって歪みが生じうる。そのため、その歪みに起因するデフォーカスにより、検出部50で検出された第2マーク82Dの位置の検出結果に誤差が生じることがある。そのため、第3実施形態の露光装置300は、第1マーク82Uをマスク上に結像させる光(光源72からの光)のテレセントリシティを調整する第1調整部172を含みうる。また、露光装置300は、第2マーク82Dをマスク上に結像させる光(光源71からの光)のテレセントリシティを調整する第2調整部171を含みうる。ここで、第3実施形態の露光装置300は、第1調整部172および第2調整部171の両方を含むように構成されているが、第1調整部172および第2調整部171の少なくとも一方を含むように構成されていてもよい。また、テレセントリシティは、テレセントリシティ度とも呼ばれる。
第1実施形態では、撮像部60で得られた画像62における第1マーク82Uと第2マーク82Dとの差Sの基準値Rを、露光装置100を立ち上げた直後など基板21への露光処理を開始する前に予め決定する例について説明した。第4実施形態の露光装置は、複数の基板マーク22の各々を、マスクマーク12、第1マーク82Uおよび第2マーク82Dとともに撮像部60に撮像させる。そして、それによって得られた複数の画像62における第1マーク82Uの位置と第2マーク82Dの位置との差の平均値を基準値Rとしている。ここで、第4実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置100と装置構成が同等であるため、以下では、装置構成についての説明を省略する。
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (15)
- 投影光学系を介して配置された、原版または原版基準部材上の原版マークと基板または基板基準部材上の基板マークとを検出する検出装置であって、
第1マークと第2マークとが形成された検出基準部材を含み、前記原版または原版基準部材の遮光領域上に前記第1マークを結像し、且つ前記原版または原版基準部材と前記投影光学系とを介して前記基板または基板基準部材上に前記第2マークを結像する光学系と、
前記原版マーク、前記基板マーク、前記光学系により前記原版または原版基準部材の前記遮光領域上に結像された前記第1マーク、および、前記光学系により前記基板または基板基準部材上に結像された前記第2マークを撮像する撮像部と、
を含むことを特徴とする検出装置。 - 前記光学系は、第1光を用いて前記原版または原版基準部材の前記遮光領域上に前記第1マークを結像し、前記第1光とは波長の異なる第2光を用いて前記基板または基板基準部材上に前記第2マークを結像することを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記光学系は、第1光を用いて前記原版または原版基準部材の前記遮光領域上に前記第1マークを結像し、前記第1光とは強度の異なる第2光を用いて前記基板または基板基準部材上に前記第2マークを結像することを特徴とする請求項1又は2に記載の検出装置。
- 前記第1光を射出する第1光源と、前記第2光を射出する第2光源とを含むことを特徴とする請求項2又は3に記載の検出装置。
- 前記第1マークは、前記光学系によって前記原版または原版基準部材の前記遮光領域上に結像され、前記基板または基板基準部材上には結像されないことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記第2マークは、前記原版または原版基準部材の光透過領域と前記投影光学系とを介して、前記基板または基板基準部材上に結像されることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記撮像部で得られる画像において前記第1マークの像と前記第2マークの像とが互いに異なる位置に配置されるように、前記光学系によって前記第1マークおよび前記第2マークがそれぞれ結像されることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記第1マークの像を形成するための光のテレセントリシティを調整する第1調整部および前記第2マークの像を形成するための光のテレセントリシティを調整する第2調整部のうち少なくとも一方を更に含むことを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記第2マークは、前記基板マークと位置合わせされている場合、前記第2マークの像の重心と前記基板マークの像の重心とが一致しつつ、前記第2マークの像と前記基板マークの像とが重なり合わないように、前記検出基準部材に形成されていることを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記撮像部は、前記原版マーク、前記基板マーク、前記光学系により前記原版または原版基準部材の前記遮光領域上に結像された前記第1マーク、および、前記光学系により前記基板または基板基準部材上に結像された前記第2マークを並行して撮像することを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 原版または原版基準部材上の原版マークと基板または基板基準部材上の基板マークとの相対位置を計測する計測装置であって、
請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の検出装置と、
前記検出装置の撮像部で得られた画像における前記原版マークの像と前記基板マークの像との相対位置、および、前記画像における前記第1マークの像と前記第2マークの像との相対位置に基づいて、前記原版マークと前記基板マークとの相対位置を求める制御部と、
を含むことを特徴とする計測装置。 - 前記制御部は、前記原版マークの像と前記基板マークの像との相対位置を、前記第1マークの像と前記第2マークの像との相対位置の変化量で補正することにより、前記原版マークと前記基板マークとの相対位置を求めることを特徴とする請求項11に記載の計測装置。
- 前記制御部は、前記第1マークの像と前記第2マークの像との初期の相対位置の情報を予め記憶することを特徴とする請求項11又は12に記載の計測装置。
- 原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記原版からの光を前記基板上に投影する投影光学系と、
前記原版または原版基準部材上の原版マークと前記基板または基板基準部材上の基板マークとの相対位置を計測する請求項11乃至13のうちいずれか1項に記載の計測装置と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項14に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、を含み、
現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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