JP2017191800A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017191800A5 JP2017191800A5 JP2016078579A JP2016078579A JP2017191800A5 JP 2017191800 A5 JP2017191800 A5 JP 2017191800A5 JP 2016078579 A JP2016078579 A JP 2016078579A JP 2016078579 A JP2016078579 A JP 2016078579A JP 2017191800 A5 JP2017191800 A5 JP 2017191800A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- carbon concentration
- silicon sample
- single crystal
- crystal ingot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 78
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 25
- 102100031920 Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Human genes 0.000 claims description 20
- 101000992065 Homo sapiens Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Proteins 0.000 claims description 20
- 238000001773 deep-level transient spectroscopy Methods 0.000 claims description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002796 luminescence method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016078579A JP6528710B2 (ja) | 2016-04-11 | 2016-04-11 | シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| US16/092,364 US10935510B2 (en) | 2016-04-11 | 2017-01-18 | Method of measuring carbon concentration of silicon sample, method of manufacturing silicon single crystal ingot, silicon single crystal ingot and silicon wafer |
| PCT/JP2017/001443 WO2017179254A1 (ja) | 2016-04-11 | 2017-01-18 | シリコン試料の炭素濃度測定方法、シリコン単結晶インゴットの製造方法、シリコン単結晶インゴットおよびシリコンウェーハ |
| KR1020187029989A KR102170149B1 (ko) | 2016-04-11 | 2017-01-18 | 실리콘 시료의 탄소 농도 측정 방법과 실리콘 단결정 잉곳의 제조 방법 |
| DE112017001965.6T DE112017001965T5 (de) | 2016-04-11 | 2017-01-18 | Verfahren zur Bestimmung der Kohlenstoffkonzentration einer Siliciumprobe, Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinkristallingots, Siliciumeinkristallingot sowie Siliciumwafer |
| CN201780020471.0A CN108886005B (zh) | 2016-04-11 | 2017-01-18 | 硅试样的碳浓度测定方法、硅单晶锭的制造方法、硅单晶锭和硅晶片 |
| TW106104368A TWI650823B (zh) | 2016-04-11 | 2017-02-10 | 矽試料的碳濃度測定方法、矽單結晶鑄錠的製造方法、矽單結晶鑄錠及矽晶圓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016078579A JP6528710B2 (ja) | 2016-04-11 | 2016-04-11 | シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017191800A JP2017191800A (ja) | 2017-10-19 |
| JP2017191800A5 true JP2017191800A5 (https=) | 2018-09-27 |
| JP6528710B2 JP6528710B2 (ja) | 2019-06-12 |
Family
ID=60042450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016078579A Active JP6528710B2 (ja) | 2016-04-11 | 2016-04-11 | シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10935510B2 (https=) |
| JP (1) | JP6528710B2 (https=) |
| KR (1) | KR102170149B1 (https=) |
| CN (1) | CN108886005B (https=) |
| DE (1) | DE112017001965T5 (https=) |
| TW (1) | TWI650823B (https=) |
| WO (1) | WO2017179254A1 (https=) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6531729B2 (ja) | 2016-07-19 | 2019-06-19 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| JP6689494B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2020-04-28 | 信越半導体株式会社 | シリコン中の炭素検出方法 |
| JP6838713B2 (ja) * | 2018-02-07 | 2021-03-03 | 信越半導体株式会社 | シリコン結晶中の炭素濃度測定方法 |
| JP6950581B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2021-10-13 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 |
| JP6977619B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2021-12-08 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、およびシリコン単結晶の製造方法 |
| JP6950639B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2021-10-13 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置 |
| JP6645545B1 (ja) * | 2018-09-03 | 2020-02-14 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| JP6645546B1 (ja) * | 2018-09-03 | 2020-02-14 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| JP7230746B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2023-03-01 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 |
| CN113755944A (zh) * | 2020-06-05 | 2021-12-07 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种单晶炉热场结构、单晶炉及晶棒 |
| JP7452314B2 (ja) | 2020-07-31 | 2024-03-19 | 信越半導体株式会社 | Fz用シリコン原料結晶の製造方法及びfz用シリコン原料結晶の製造システム |
| JP7413992B2 (ja) * | 2020-12-28 | 2024-01-16 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| JP7447786B2 (ja) * | 2020-12-28 | 2024-03-12 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| CN112786472B (zh) * | 2021-01-06 | 2023-01-10 | 电子科技大学 | 一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法 |
| JP7626052B2 (ja) * | 2021-12-20 | 2025-02-04 | 株式会社Sumco | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 |
| CN114544855B (zh) * | 2022-02-08 | 2024-02-02 | 内蒙古众元测试技术有限公司 | 一种废物中非金属元素含量的检测装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07297246A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | シリコン半導体の金属汚染モニタ方法 |
| JP2003045928A (ja) | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体シリコンウェーハ中のCu汚染評価方法 |
| JP4760729B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2011-08-31 | 株式会社Sumco | Igbt用のシリコン単結晶ウェーハ及びigbt用のシリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| JP5524894B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2014-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン中の炭素濃度測定方法 |
| JP5615303B2 (ja) | 2012-01-24 | 2014-10-29 | 三菱電機株式会社 | 不純物濃度測定方法および不純物濃度測定装置 |
| KR101419751B1 (ko) * | 2012-10-18 | 2014-07-15 | 주식회사 위닉스 | 순간 냉각장치 |
| JP6107068B2 (ja) | 2012-11-13 | 2017-04-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 |
| JP5921498B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2016-05-24 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP6098891B2 (ja) | 2013-11-28 | 2017-03-22 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の炭素濃度測定方法 |
| JP6048381B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2016-12-21 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| JP6075307B2 (ja) | 2014-02-20 | 2017-02-08 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6268039B2 (ja) | 2014-05-23 | 2018-01-24 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | 検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法 |
| JP6464505B2 (ja) | 2014-10-15 | 2019-02-06 | 秋雄 大坪 | 帆走/漕走兼用ボード |
| JP6300104B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2018-03-28 | 信越半導体株式会社 | シリコン結晶の炭素濃度測定方法、シリコン結晶の炭素関連準位測定方法 |
| JP6631498B2 (ja) | 2016-12-26 | 2020-01-15 | 株式会社Sumco | シリコン材料製造工程の評価方法およびシリコン材料の製造方法 |
-
2016
- 2016-04-11 JP JP2016078579A patent/JP6528710B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-18 US US16/092,364 patent/US10935510B2/en active Active
- 2017-01-18 DE DE112017001965.6T patent/DE112017001965T5/de active Granted
- 2017-01-18 KR KR1020187029989A patent/KR102170149B1/ko active Active
- 2017-01-18 CN CN201780020471.0A patent/CN108886005B/zh active Active
- 2017-01-18 WO PCT/JP2017/001443 patent/WO2017179254A1/ja not_active Ceased
- 2017-02-10 TW TW106104368A patent/TWI650823B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017191800A5 (https=) | ||
| JP6528710B2 (ja) | シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP6645546B1 (ja) | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| WO2018159108A1 (ja) | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット | |
| JP5595318B2 (ja) | 単結晶引上装置及び単結晶引き上げ方法 | |
| JP6958632B2 (ja) | シリコン単結晶及びその製造方法並びにシリコンウェーハ | |
| JP6862916B2 (ja) | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置 | |
| JP6729445B2 (ja) | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP2018140915A5 (https=) | ||
| JP6645545B1 (ja) | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| US4496424A (en) | Method for manufacture of III-V compound semiconducting single crystal | |
| JPS6156162B2 (https=) | ||
| JP2005015314A (ja) | 単結晶の製造方法及び単結晶 | |
| JP7626052B2 (ja) | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| TW200528592A (en) | Method for manufacturing single crystal semiconductor | |
| JP7447786B2 (ja) | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP7363762B2 (ja) | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP2583811B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 |