JP2017183583A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017183583A5 JP2017183583A5 JP2016070543A JP2016070543A JP2017183583A5 JP 2017183583 A5 JP2017183583 A5 JP 2017183583A5 JP 2016070543 A JP2016070543 A JP 2016070543A JP 2016070543 A JP2016070543 A JP 2016070543A JP 2017183583 A5 JP2017183583 A5 JP 2017183583A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drift layer
- concentration
- donor
- carbon
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 14
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 claims 1
Claims (12)
- ｎ型の半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられ、ドナーおよび炭素を含む窒化ガリウムからなるドリフト層と、
を有し、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下であって、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中でアクセプタとして機能する前記炭素の濃度以上であり、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少している窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少し、
前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に増加している
請求項１に記載の窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少し、
前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって一定となっている
請求項１に記載の窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少し、
前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少している
請求項１に記載の窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって単調に減少している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって線形に徐々に減少している
請求項５に記載の窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって階段状に徐々に減少している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって非線形に徐々に減少している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。 - 前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中の前記炭素の全濃度の１／３倍以上である請求項１〜８のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
- 前記ドリフト層は、水素を含み、
前記ドリフト層中の前記水素の濃度は、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下である請求項１〜９のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。 - ｎ型の半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられ、ドナーおよび炭素を含む窒化ガリウムからなるドリフト層と、
を有し、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度は、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下であって、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中でアクセプタとして機能する前記炭素の濃度以上であり、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差は、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少している半導体装置。 - ｎ型の半導体からなる基板上に、ドナーおよび炭素を含む窒化ガリウムからなるドリフト層を形成する工程を有し、
前記ドリフト層を形成する工程では、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度を、５．０×１０１６個／ｃｍ３以下としつつ、前記ドリフト層の全域に亘って、前記ドリフト層中でアクセプタとして機能する前記炭素の濃度以上とし、
前記ドリフト層中の前記ドナーの濃度から前記ドリフト層中で前記アクセプタとして機能する前記炭素の濃度を引いた差を、前記基板側から前記ドリフト層の表面側に向かって徐々に減少させる窒化物半導体基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016070543A JP6396939B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法 |
| CN201780020285.7A CN109075212B (zh) | 2016-03-31 | 2017-02-10 | 氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法 |
| US16/088,221 US10818757B2 (en) | 2016-03-31 | 2017-02-10 | Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate |
| PCT/JP2017/004983 WO2017169176A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-02-10 | 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016070543A JP6396939B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017183583A JP2017183583A (ja) | 2017-10-05 |
| JP2017183583A5 true JP2017183583A5 (ja) | 2018-06-07 |
| JP6396939B2 JP6396939B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=59962905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016070543A Active JP6396939B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10818757B2 (ja) |
| JP (1) | JP6396939B2 (ja) |
| CN (1) | CN109075212B (ja) |
| WO (1) | WO2017169176A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6656991B2 (ja) | 2016-03-31 | 2020-03-04 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法 |
| JP6624110B2 (ja) | 2017-02-10 | 2019-12-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 化合物単結晶製造装置、及び化合物単結晶の製造方法 |
| US11056592B2 (en) * | 2017-06-30 | 2021-07-06 | Intel Corporation | Silicon substrate modification to enable formation of thin, relaxed, germanium-based layer |
| JP6428900B1 (ja) * | 2017-11-29 | 2018-11-28 | 富士電機株式会社 | ダイオード素子およびダイオード素子の製造方法 |
| JP6835019B2 (ja) | 2018-03-14 | 2021-02-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6791190B2 (ja) | 2018-04-02 | 2020-11-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法 |
| JP7150269B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2022-10-11 | 学校法人法政大学 | 窒化ガリウム積層基板および半導体装置 |
| JP7204570B2 (ja) * | 2019-04-15 | 2023-01-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN111063724A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-24 | 西安电子科技大学 | 基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管及制作方法 |
| JP7265108B2 (ja) * | 2020-05-19 | 2023-04-26 | 豊田合成株式会社 | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、半導体装置 |
| CN113555418B (zh) * | 2021-07-21 | 2023-03-10 | 西安电子科技大学 | 基于P区和I区渐变掺杂的4H-SiC PIN微波二极管及制作方法 |
| CN113675260A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-19 | 西安电子科技大学 | 基于线性缓变掺杂漂移层的GaN肖特基二极管及其制备方法 |
| WO2023189055A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| CN115332403A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-11-11 | 东莞市中器集成电路有限公司 | 垂直型GaN基同质外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4224253B2 (ja) | 2002-04-24 | 2009-02-12 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5374011B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2013-12-25 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体装置 |
| JP4986472B2 (ja) | 2006-02-13 | 2012-07-25 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体構造 |
| JP5064824B2 (ja) | 2006-02-20 | 2012-10-31 | 古河電気工業株式会社 | 半導体素子 |
| JP5316359B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-10-16 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及び窒化ガリウム系半導体電子デバイス |
| JP5707767B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2015-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP6090763B2 (ja) | 2011-10-17 | 2017-03-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2013197357A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2014051423A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-03-20 | Hitachi Metals Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系半導体結晶、ｉｉｉ族窒化物半導体基板、ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板、窒化物半導体デバイス、及び整流ダイオード |
| JP5787853B2 (ja) | 2012-09-12 | 2015-09-30 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
| US8952481B2 (en) * | 2012-11-20 | 2015-02-10 | Cree, Inc. | Super surge diodes |
| JP2014130951A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| JP6330407B2 (ja) | 2014-03-20 | 2018-05-30 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、ｉｉｉ族窒化物半導体エピタキシャル基板およびｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |
| PL231548B1 (pl) * | 2014-09-11 | 2019-03-29 | Ammono Spolka Akcyjna | Sposób wytwarzania monokrystalicznego azotku zawierającego gal |
| US9871108B2 (en) * | 2015-04-23 | 2018-01-16 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor device |
| WO2017138505A1 (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| JP6656991B2 (ja) | 2016-03-31 | 2020-03-04 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体基板、半導体装置、および窒化物半導体基板の製造方法 |
-
2016
- 2016-03-31 JP JP2016070543A patent/JP6396939B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-10 US US16/088,221 patent/US10818757B2/en active Active
- 2017-02-10 CN CN201780020285.7A patent/CN109075212B/zh active Active
- 2017-02-10 WO PCT/JP2017/004983 patent/WO2017169176A1/ja active Application Filing
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017183583A5 (ja) | ||
| TW201614811A (en) | Nanocrystalline diamond carbon film for 3D NAND hardmask application | |
| SG10201900450PA (en) | Structure for radio-frequency applications | |
| WO2015031833A3 (en) | Semiconductor device structures comprising polycrystalline cvd diamond with improved near-substrate thermal conductivity | |
| WO2015013628A3 (en) | Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions | |
| MY182669A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| EP2846358A3 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| MY176317A (en) | Polycrystalline sic wafer producing method | |
| JP2015179785A5 (ja) | ||
| JP2015065233A5 (ja) | ||
| EP2980858A3 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| TW201614838A (en) | Semiconductor device and methods for forming the same | |
| JP2014093526A5 (ja) | ||
| JP2014236093A5 (ja) | ||
| JP2017516289A5 (ja) | ||
| JP2015079945A5 (ja) | ||
| WO2014144698A3 (en) | Large-area, laterally-grown epitaxial semiconductor layers | |
| TW201612987A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| EP2966695A3 (en) | Solar cell | |
| PH12016501667A1 (en) | Solar cell with trench-free emitter regions | |
| TW201612976A (en) | Etching method and storage medium | |
| JP2015153785A5 (ja) | ||
| MX2015007055A (es) | Capa de siembra para contacto conductor de celda solar. | |
| WO2016053414A3 (en) | Radiation-detecting structures and fabrication methods thereof | |
| WO2017007554A3 (en) | Devices with organic semiconductor layers electrically-doped over a controlled depth |