JP7265108B2 - ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、ｐ型III 族窒化物半導体の製造方法に関する。また、III 族窒化物半導体からなる半導体装置に関する。

ＭＩＳＦＥＴ、ｐｎダイオードなど、多くの半導体デバイスではｐ型半導体を必要とする。また、近年、III 族窒化物半導体はパワーデバイスの材料として期待され、さかんに研究、開発が行われている。従来のｐ型III 族窒化物半導体の形成方法は、Ｍｇなどｐ型不純物をドープしたIII 族窒化物半導体を結晶成長した後に窒素雰囲気中でアニールを行う方法である。アニールによって結晶から水素を離脱させ、ｐ型活性化を図っている。

他のｐ－ＧａＮ形成方法としては、特許文献１、２がある。特許文献１には、ＧａＮからなり、ｃ面に対して４０～１４０度傾斜した半極性面または無極性面の基板を用い、その基板上にＭｇ（マグネシウム）とＣ（炭素）をドープしたＧａＮを形成することでｐ－ＧａＮが得られることが記載されている。特許文献２には、ＭｇドープＧａＮをＭＯＣＶＤ法によって結晶成長させる際にキャリアガスとして窒素を用いることによりｐ型化できることが記載されている。

特許第５６３５２４６号公報 特許第３４３３０７５号公報

しかし、ＭｇドープＧａＮ上にさらにｎ－ＧａＮを積層させる場合、活性化アニールを行ってもＭｇドープＧａＮ中の水素が離脱せず、ｐ型化しない問題があった。

そこで本発明の目的は、意図的なアニールを行わずともｐ型が得られるｐ型III 族窒化物半導体の製造方法を提供することである。

本発明は、アニールすることなくｐ型III族窒化物半導体を得るｐ型III族窒化物半導体の製造方法において、オフ角が０．６～１．２°のｃ面のIII族窒化物半導体からなる第１層上に、ＭｇドープのIII族窒化物半導体からなる第２層を窒素原料ガスとしてアンモニアを用いたＭＯＣＶＤ法によって形成し、第２層のＭｇ濃度に対するＨ濃度の比を６０％以上１００％未満、Ｈ濃度を３×１０ ^１８ ／ｃｍ ^３ 以上１×１０ ^１９ ／ｃｍ ^３ 以下とすることにより、ｐ型の前記第２層を得る、ことを特徴とするｐ型III族窒化物半導体の製造方法である。

第２層の形成においてＶ／ＩＩＩは２５００～５０００とすることが好ましい。

第２層のＭｇ濃度に対するＣ濃度の比は、２％以下であることが好ましい。

第２層のＣ濃度は、１×１０¹⁶／ｃｍ³ 以下であることが好ましい。

第２層のＭｇ濃度に対するＨ濃度の比は、６０％以上であることが好ましい。

第２層のＨ濃度は、３×１０¹⁸／ｃｍ³ 以上であることが好ましい。

第２層の形成においてキャリアガスの流量は５０～３００ｓｌｍとすることが好ましい。

また本発明は、基板と、基板上に形成されたｎ型III 族窒化物半導体からなるドリフト層と、ドリフト層上に形成されたｐ型III 族窒化物半導体からなるボディ層と、ボディ層上に形成されたｎ型III 族窒化物半導体からなるソースコンタクト層と、を有した縦型トレンチゲート構造のＦＥＴである半導体装置において、基板は、オフ角が０．６～１．２°のｃ面のｎ型III 族窒化物半導体からなる、ことを特徴とする半導体装置である。

本発明によれば、意図的なアニールを行わずにｐ型III 族窒化物半導体を形成することができる。

実施例１の半導体装置の構成を示した図。 実施例１の半導体装置の製造工程を示した図。 Ｖ／ＩＩＩとＣ濃度との関係、およびＶ／ＩＩＩとＭｇ濃度に対するＨ濃度の比との関係を示したグラフ。 Ｃ濃度とホール濃度の関係、およびＭｇ濃度に対するＣ濃度の比とホール濃度の関係を示したグラフ。 Ｖ／ＩＩＩとＭｇ濃度に対するＨ濃度の比との関係を示したグラフ。 Ｍｇ濃度に対するＨ濃度の比とホール濃度の関係を示したグラフ。 オフ角とＣ濃度との関係、およびオフ角とＭｇ濃度に対するＣ濃度の比との関係を示したグラフ。 オフ角とホール濃度との関係を示したグラフ。

以下、本発明の具体的な実施例について、図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

図１は、実施例１の半導体装置の構成を示した図である。図１のように、実施例１の半導体装置は、トレンチゲート構造の縦型ＭＩＳＦＥＴであり、基板１１０と、ドリフト層１２０と、ボディ層１３０と、ソースコンタクト層１４０と、トレンチＴ１と、リセスＲ１と、ゲート絶縁膜Ｆ１と、ゲート電極Ｇ１と、ソース電極Ｓ１と、ボディ電極Ｂ１と、ドレイン電極Ｄ１と、を有している。

基板１１０は、Ｓｉドープのｎ－ＧａＮからなる平板状の基板である。基板１１０の厚さは１００～１０００μｍであり、たとえば３００μｍである。基板１１０のＳｉ濃度は１×１０¹⁷～１×１０²⁰／ｃｍ³ であり、たとえば１×１０¹⁸／ｃｍ³ である。ｎ－ＧａＮに限らず、III 族窒化物半導体からなる基板を用いることができる。格子整合性の点からは実施例１のようにＧａＮ基板を用いることが望ましい。また、実施例１ではｎ型不純物としてＳｉを用いているが、Ｓｉ以外を用いてもよい。たとえばＧｅなどを用いることができる。

基板１１０はオフ角を有し、ｃ面に対して０．６～１．２°の傾きを有した面を主面とする。オフ角を０．６°以上とすることで、基板１１０上に形成したＭｇドープＧａＮを活性化アニールなしにｐ－ＧａＮとすることができる。たとえばホール濃度を２×１０¹⁷／ｃｍ³ 以上とすることができる。また、オフ角を１．２°以下とすることで、結晶表面の凹凸を小さくし、良質な結晶が得られるようにしている。オフ角の傾きの方向はｍ軸方向でもよいし、ａ軸方向でもよい。オフ角にばらつきがある場合には、その平均値が上記範囲であればよい。

ドリフト層１２０は、基板１１０上に積層されたＳｉドープのｎ－ＧａＮ層である。ドリフト層１２０の厚さは１～２０μｍであり、たとえば１０μｍである。ドリフト層１２０のＳｉ濃度は、１×１０¹⁵～１×１０¹⁷／ｃｍ³ であり、たとえば５×１０¹⁵／ｃｍ³ である。

ボディ層１３０は、ドリフト層１２０上に積層されたＭｇドープのｐ－ＧａＮ層である。ボディ層１３０の厚さは０．５～５μｍであり、たとえば１μｍである。ボディ層１３０のＭｇ濃度は１×１０¹⁷～１×１０²⁰／ｃｍ³ であり、たとえば５×１０¹⁸／ｃｍ³ である。ボディ層１３０は、オフ角が０．６～１．２°のｃ面ＧａＮからなる基板１１０上に形成されているため、活性化アニールなしにｐ型が得られている。たとえば、活性化アニールなしにホール濃度２×１０¹⁷／ｃｍ³ 以上が得られている。

活性化アニールなしにｐ型が得られる理由は次のように推察される。従来、ｎ－ＧａＮ中のＣはアクセプタとなり、電子の形成するドナーを相殺することがわかっていた。そのため、ｐ－ＧａＮ中のＣ濃度を増加させればアクセプタも増加しホール濃度が高まると予想されていた。しかし、そのような予想とは逆に、ｐ－ＧａＮ中においてはＣ濃度を減少させた方がホール濃度が高くなることが発明者の検討によりわかった。これは、ｐ－ＧａＮ中ではＣがドナーとなっているためと推察される。また、ＧａＮ結晶表面の結晶構造によって結晶へのＣの取り込まれやすさが異なっていると考えられる。基板１１０のオフ角が０．６°以上では、ボディ層１３０へのＣの取り込みが少なくなる。その結果、Ｃの形成するドナーによるアクセプタの相殺が減少し、ボディ層１３０は活性化アニールがなくともｐ型になると考えられる。

ボディ層１３０のＭｇ濃度、Ｃ（炭素）濃度、Ｈ（水素）濃度、ホール濃度は、以下のように設定されていることが好ましい。なお、これらの濃度は厚さ方向に勾配を有していてもよく、その場合は厚さ方向の濃度平均が以下のように設定されていればよい。

ボディ層１３０のＭｇ濃度に対するＣ濃度の比は、２％以下であることが好ましい。この範囲であれば、活性化アニールをしなくとも、よりホール濃度の高いｐ型とすることができる。より好ましくは０．２％以下、さらに好ましくは０．１％以下である。Ｍｇ濃度に対するＣ濃度の比の下限は特に規定しないが、その比の制御性などの点から０．０１％以上が好ましい。

ボディ層１３０のＣ濃度は、１×１０¹⁶／ｃｍ³ 以下であることが好ましい。ｐ－ＧａＮ中ではＣはドナーとなっていると考えられるので、Ｃ濃度を１×１０¹⁶／ｃｍ³ 以下とすることにより、活性化アニールをしなくともｐ型とすることが容易となる。より好ましくは５×１０¹⁵／ｃｍ³ 以下、さらに好ましくは３×１０¹⁵／ｃｍ³ 以下である。Ｃ濃度の下限は特に規定しないが、その値の制御性などの点から５×１０¹⁴／ｃｍ³ 以上が好ましい。

ボディ層１３０のＭｇ濃度に対するＨ濃度の比は、６０％以上であることが好ましい。この範囲であれば、活性化アニールをしなくとも、よりホール濃度の高いｐ型とすることができる。より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上である。Ｍｇ濃度に対するＨ濃度の比の上限は特に規定しないが、その比の制御性などの点から１００％以下が好ましい。

ボディ層１３０のＨ濃度は、３×１０¹⁸／ｃｍ³ 以上であることが好ましい。この範囲であれば、活性化アニールをしなくとも、よりホール濃度の高いｐ型とすることができる。より好ましくは４×１０¹⁸／ｃｍ³ 以上、さらに好ましくは５×１０¹⁵／ｃｍ³ 以上である。Ｈ濃度の上限は特に規定しないが、その値の制御性などの点から１×１０¹⁹／ｃｍ³ 以下が好ましい。

ボディ層１３０のＭｇ濃度は、１×１０¹⁸～１×１０²⁰／ｃｍ³ であることが好ましい。よりホール濃度の高いｐ型とすることができる。

ソースコンタクト層１４０は、ボディ層１３０上に積層されたＳｉドープのｎ－ＧａＮ層である。ソースコンタクト層１４０の厚さは、０．１～１μｍであり、たとえば０．２μｍである。ソースコンタクト層１４０のＳｉ濃度は、１×１０¹⁸～１×１０¹⁹／ｃｍ³ であり、たとえば４×１０¹⁸／ｃｍ³ である。

トレンチＴ１は、ソースコンタクト層１４０表面の所定位置に形成された溝であり、ソースコンタクト層１４０およびボディ層１３０を貫通してドリフト層１２０に達する深さである。トレンチＴ１の底面にはドリフト層１２０が露出し、トレンチＴ１の側面にはドリフト層１２０、ボディ層１３０、ソースコンタクト層１４０が露出する。このトレンチＴ１の側面に露出するボディ層１３０の側面が、実施例１のＦＥＴのチャネルとして動作する領域である。

ゲート絶縁膜Ｆ１は、トレンチＴ１の底面、側面、ソースコンタクト層１４０表面（ソース電極Ｓ１の形成領域は除く）にわたって連続して膜状に設けられている。ゲート絶縁膜Ｆ１は、ＳｉＯ₂ からなる。ゲート絶縁膜Ｆ１の厚さは、たとえば８０ｎｍである。

なお、ゲート絶縁膜Ｆ１はＳｉＯ₂ に限らず、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＨｆＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ＺｒＯＮ、などを用いることもできる。また単層である必要もなく、複数の層で構成されていてもよい。たとえば、ＳｉＯ₂ ／Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ ／Ａｌ₂ Ｏ₃ ／ＺｒＯＮ、などを用いることができる。ここで「／」は積層を意味し、Ａ／ＢはＡ、Ｂの順に積層された構造であることを意味する。以下材料の説明において同様である。

ゲート電極Ｇ１は、ゲート絶縁膜Ｆ１を介して、トレンチＴ１の底面、側面、上面に連続して膜状に設けられている。ゲート電極Ｇ１は、ＴｉＮからなる。

リセスＲ１は、ソースコンタクト層１４０表面の所定位置に設けられた溝であり、ソースコンタクト層１４０を貫通してボディ層１３０に達する深さである。リセスＲ１の底面にはボディ層１３０が露出し、側面にはボディ層１３０、ソースコンタクト層１４０が露出する。

ボディ電極Ｂ１は、リセスＲ１の底面に設けられていて、リセスＲ１底面に露出するボディ層１３０に接している。ボディ電極Ｂ１は、Ｎｉからなる。

ソース電極Ｓ１は、ボディ電極Ｂ１上、ソースコンタクト層１４０上にわたって連続的に設けられている。ソース電極Ｓ１は、Ｔｉ／Ａｌからなる。

ドレイン電極Ｄ１は、基板１１０の裏面に設けられている。ドレイン電極Ｄ１は、ソース電極Ｓ１と同一材料であり、Ｔｉ／Ａｌからなる。

次に、実施例１の半導体装置の製造方法について、図２を参照に説明する。

まず、オフ角が０．６～１．２°のｃ面ｎ－ＧａＮからなる基板１１０を用意する。

次に、基板１１０上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ドリフト層１２０、ボディ層１３０、ソースコンタクト層１４０を順に形成する（図２（ａ）参照）。ＭＯＣＶＤ法において、窒素源は、アンモニア、Ｇａ源は、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ ：ＴＭＧ）、ｎ型ドーパントガスは、シラン（ＳｉＨ₄ ）、ｐ型ドーパントガスは、シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ₅ Ｈ₅ ）₂ ：ＣＰ₂ Ｍｇ）である。キャリアガスは水素である。

ここで、ボディ層１３０は、オフ角が０．６～１．２°のｃ面ｎ－ＧａＮからなる基板１１０上に結晶成長させているため、結晶中にＣが取り込まれにくくなっている。ｐ－ＧａＮ中ではＣはドナーとなっていると考えられるので、結晶中のＣ濃度が減少することでＣが形成するドナーによるアクセプタの相殺も減少する。その結果、活性化アニールをしなくてもボディ層１３０をｐ型化とすることができる。

ボディ層１３０を形成する際の各種成長条件、Ｖ／ＩＩＩ（Ｇａ源ガスに対する窒素源ガスのモル比）、成長温度、圧力、キャリアガスの流量は、以下の条件とすることが好ましい。

Ｖ／ＩＩＩは２５００～５０００とすることが好ましい。Ｃ濃度やＨ濃度はＶ／ＩＩＩによって制御することができ、Ｖ／ＩＩＩをこのような範囲とすることで、活性化アニールをしなくともボディ層１３０をｐ型とすることができる。より好ましくは３０００～５０００、さらに好ましくは３５００～５０００である。

ボディ層１３０の成長温度は、１０００～１１５０℃とすることが好ましい。成長温度をこの範囲とすることでボディ層１３０の結晶品質を向上させることができる。

圧力は、９８～１０５ｋＰａとすることが好ましい。成長圧力が９８ｋＰａ以上では、気相反応が促進されてＴＭＧの分解が抑制され、Ｃ源となるＣＨ₄ が生成されにくくなる。その結果、ボディ層１３０のＣ濃度が低くなり、活性化アニールなしにボディ層１３０をｐ型化することが容易となる。また、成長圧力を１０５ｋＰａ以下とすることで、圧力制御を容易とし、ガスの対流を抑制できるので、ボディ層１３０の結晶品質を向上させることができる。

キャリアガスの流量は、５０～３００ｓｌｍとすることが好ましい。５０ｓｌｍ以上とすることでＧａＮの表面がエッチングされてしまうのを抑制でき、Ｃが結晶に取り込まれてにくくなるので、活性化アニールなしにボディ層１３０をｐ型化することが容易となる。また、３００ｓｌｍ以下とすることで気相反応を抑制し、ボディ層１３０の結晶品質を向上させることができる。

次に、ソースコンタクト層１４０表面の所定位置をドライエッチングすることで、トレンチＴ１およびリセスＲ１を形成する（図２（ｂ）参照）。トレンチＴ１の形成後にリセスＲ１を形成してもよいし、リセスＲ１の形成後にトレンチＴ１を形成してもよい。ドライエッチングには、塩素系ガスを用いる。たとえば、Ｃｌ₂ 、ＳｉＣｌ₄ 、ＣＣｌ₄ である。また、ドライエッチングは、ＩＣＰエッチングなど任意の方式を用いることができる。

トレンチＴ１、リセスＲ１の形成後、側面をウェットエッチングしてドライエッチングによるダメージ層を除去してもよい。ウェットエッチング溶液には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＮａＯＨ（水酸化ナトリウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、Ｈ₃ ＰＯ₄ （リン酸）などを用いることができる。

なお、実施例１では、ボディ層１３０は活性化アニールを行わずともｐ型とすることができるが、ホール濃度をさらに高めるために活性化アニールを行ってもよい。その場合、活性化アニールはトレンチＴ１およびリセスＲ１の形成後が好ましい。リセスＲ１の底面やトレンチＴ１の側面から効率的に水素を離脱させることができ、ボディ層１３０の活性化を効率的に行うことができる。

次に、トレンチＴ１の底面、側面、およびソースコンタクト層１４０表面に連続して、ＡＬＤ法によってＳｉＯ₂ からなるゲート絶縁膜Ｆ１を形成する（図２（ｃ）参照）。ＡＬＤ法を用いることで、トレンチＴ１による段差があっても均一な厚さに形成することができる。なお、実施例１では段差被覆性の高さからＡＬＤ法を用いてゲート絶縁膜Ｆ１を形成しているが、スパッタやＣＶＤ法などによって形成してもよい。

次に、リフトオフ法を用いて、ボディ電極Ｂ１、ソース電極Ｓ１、ゲート電極Ｇ１を形成し、さらに基板１１０裏面にリフトオフ法を用いてドレイン電極Ｄ１を形成する。

以上、実施例１の半導体装置の製造方法では、基板１１０としてオフ角が０．６～１．２°のｃ面ｎ－ＧａＮからなるものを用いているため、ボディ層１３０のＣ濃度が減少し、活性化アニールなしにｐ型のボディ層１３０を得ることができる。実施例１の半導体装置は、ボディ層１３０上にｎ－ＧａＮからなるソースコンタクト層１４０が積層されている。そのため、従来の活性化アニールによるｐ型化方法では水素がソースコンタクト層１４０に阻まれて離脱しにくく、ボディ層１３０をｐ型化することは困難であった。しかし、実施例１によれば簡便にｐ型のボディ層１３０を形成することができる。

次に、実施例１の半導体装置に関する各種実験結果について説明する。

オフ角が０．８°のｃ面ｎ－ＧａＮからなる基板上にノンドープＧａＮ、ＭｇドープＧａＮをＭＯＣＶＤ法によって順に積層させた試料１を作製した。ＭｇドープＧａＮの成長温度は１０５０℃、成長圧力は１０１ｋＰａ、キャリアガスの流量は１５０ｓｌｍとし、Ｖ／ＩＩＩを変化させた。ＭｇドープＧａＮの厚さは１μｍ、Ｍｇ濃度は５×１０¹⁸／ｃｍ³ とした。

図３（ａ）は、Ｖ／ＩＩＩとＣ濃度との関係、図３（ｂ）は、Ｖ／ＩＩＩとＭｇ濃度に対するＨ濃度の比との関係を示したグラフである。図３のように、Ｖ／ＩＩＩが低いほどＣ濃度あるいはＭｇ濃度に対するＣ濃度の比が増加することがわかった。この結果、Ｖ／ＩＩＩによってＣ濃度やＭｇ濃度に対するＣ濃度の比を制御可能であることがわかった。

図４（ａ）は、Ｃ濃度とホール濃度の関係、図４（ｂ）は、Ｍｇ濃度に対するＣ濃度の比とホール濃度の関係を示したグラフである。図４のように、Ｃ濃度あるいはＭｇ濃度に対するＣ濃度の比が低いほどホール濃度が増加することがわかった。この結果、ｐ－ＧａＮ中ではＣはアクセプタとならず、ドナーになっていると考えられる。ｎ－ＧａＮ中ではＣはアクセプタとなることから、ｐ－ＧａＮ中でもＣはアクセプタとなるものと予想されていたが、その予想とは逆の結果となった。

図５は、Ｖ／ＩＩＩとＭｇ濃度に対するＨ濃度の比との関係を示したグラフである。図５のように、Ｖ／ＩＩＩが高いほどＭｇ濃度に対するＨ濃度の比が増加することがわかった。この結果、Ｖ／ＩＩＩによって水素濃度やＭｇ濃度に対するＨ濃度の比を制御可能であることがわかった。

図６は、Ｍｇ濃度に対するＨ濃度の比とホール濃度の関係を示したグラフである。図６のように、Ｍｇ濃度に対するＨ濃度の比が高いほどホール濃度が増加することがわかった。ＨはＭｇと結合してアクセプタを不活性化するため、Ｈ濃度が高いほどホール濃度は減少するのではないかと思われたが、逆の結果が得られた。

次に、Ｖ／ＩＩＩを３５００とし、基板のオフ角を変化させ、他は試料１と同様の条件とした試料２を作製した。オフ角はｍ軸方向に傾斜させた。

図７（ａ）は、オフ角とＣ濃度との関係、図７（ｂ）はオフ角とＭｇ濃度に対するＣ濃度の比との関係を示したグラフである。図７のように、オフ角が０．６～０．５辺りまではオフ角が大きくなるほどＣ濃度やＭｇ濃度に対するＣ濃度の比が減少するが、オフ角がそれよりも大きくなるとＣ濃度やＭｇ濃度に対するＣ濃度の比はおよそ一定であった。

図８は、オフ角とホール濃度との関係を示したグラフである。図８のように、オフ角が０．６～０．５辺りまではオフ角が大きくなるほどホール濃度が増加し、オフ角がそれよりも大きくなるとホール濃度はおよそ一定となった。特にオフ角を０．６以上とすることで、ホール濃度を２×１０¹⁷／ｃｍ³ 以上とすることができた。

（変形例）
実施例１は、活性化アニールなしにｐ－ＧａＮを形成するものであったが、本発明はＧａＮに限らず、ＩＮＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどIII 族窒化物半導体であれば活性化アニールなしにｐ型化を行うことができる。

実施例１は、本発明のｐ型III 族窒化物半導体の製造方法をＭＩＳＦＥＴの作製に適用したものであるが、本発明はＭＩＳＦＥＴに限らず、ｐ層を有する任意の構造の半導体装置に適用できる。

本発明は、III 族窒化物半導体からなる半導体装置の作製に利用することができる。

１１０：基板
１２０：ドリフト層
１３０：ボディ層
１４０：ソースコンタクト層
Ｆ１：ゲート絶縁膜
Ｇ１：ゲート電極
Ｓ１：ソース電極
Ｂ１：ボディ電極
Ｄ１：ドレイン電極
Ｔ１：トレンチ
Ｒ１：リセス

Claims (5)

1. アニールすることなくｐ型III族窒化物半導体を得るｐ型III族窒化物半導体の製造方法において、
   オフ角が０．６～１．２°のｃ面のIII族窒化物半導体からなる第１層上に、ＭｇドープのIII族窒化物半導体からなる第２層を窒素原料ガスとしてアンモニアを用いたＭＯＣＶＤ法によって形成し、前記第２層のＭｇ濃度に対するＨ濃度の比を６０％以上１００％未満、Ｈ濃度を３×１０ ^１８ ／ｃｍ ^３ 以上１×１０ ^１９ ／ｃｍ ^３ 以下とすることにより、ｐ型の前記第２層を得る、
   ことを特徴とするｐ型III族窒化物半導体の製造方法。
2. 前記第２層の形成においてＶ／IIIは２５００～５０００とする、ことを特徴とする請求項１に記載のｐ型III族窒化物半導体の製造方法。
3. 前記第２層のＭｇ濃度に対するＣ濃度の比は、２％以下である、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のｐ型III族窒化物半導体の製造方法。
4. 前記第２層のＣ濃度は、１×１０^１６／ｃｍ^３以下である、ことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のｐ型III族窒化物半導体の製造方法。
5. 前記第２層の形成においてキャリアガスの流量は５０～３００ｓｌｍとする、ことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のｐ型III族窒化物半導体の製造方法。

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